Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Нелинейные среды для эффективного отражения при четырехволновом взаимодействии на 10, 6 МКМ

Диссертация: Нелинейные среды для эффективного отражения при четырехволновом взаимодействии на 10, 6 МКМ
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Экспериментально установлено, что в резонансно поглощающих газах на 10,6 мкм основным механизмом нелинейного взаимодействия при ЧВ является модуляция коэффициента поглощения за счет насыщения резонансного перехода. Выявлены характеристики молекулярных газов, определяющие эффективность ЧВ отражения: сечение резонансного поглощения и время V-T релаксации возбужденного уровня. Показано, что… Читать ещё >

Содержание

  • ВВВДЕНИЕ
  • ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ g
    • 1. 1. Обращение волнового фронта оптического излучения: Основные понятия и свойства
    • 1. 2. Методы ОВФ в нелинейных средах. Вырожденное четырехволновое взаимодействие
    • 1. 3. Механизмы нелинейного взаимодействия и среды для ОВФ ЧВ на длине волны 10,6 мкм
    • 1. 3. I Механизм нелинейности третьего порядка связанной с ангармоничностью колебаний осциллятора. ZZ
    • 1. 3. I.I Ангармонизм движения связанных электронов в полупроводниках
      • 1. 3. 1. 2. Ангармонизм колебательного движения в молекулярных газах
      • 1. 3. 2. Нелинейная восприимчивость свободных носителей в полупроводниках
      • 1. 3. 3. Генерация свободных носителей
      • 1. 3. 4. Эффекты насыщения
  • ГЛАВА II. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ УСТАНОВКА ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ОТРАЖЕНИЯ ПРИ ЧВ ИЗЛУЧЕНИЯ ИМПУЛЬСНОГО С02-ЛАЗЕРА
    • 2. 1. Импульсный одномодовый одночастотный лазер
    • 2. 2. Приборы и методы измерения параметров излучения импульсных COg- лазеров
    • 2. 3. Исследование характеристик одномодового одночас- * тотного импульсного COg- лазера
    • 2. 4. Экспериментальная установка для исследования отражения при ЧВ и методика измерения эффективности отражения
    • 2. 5. Исследование отражения при ЧВ в G& ^
  • ГЛАВА III. ОТРАЖЕНИЕ ПРИ ЧВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
    • 3. 1. Вклад теплового механизма нелинейности в отражение при ЧВ в полупроводниках
      • 3. 1. 1. Расчет вклада теплового механизма нелинейности в эффективность отражения при ЧВ
      • 3. 1. 2. Экспериментальные результаты
    • 3. 2. Исследование отражения при ЧВ в Info, InSS и
  • GaSS
    • 3. 2. 1. Измерение коэффициента линейного поглощения
    • 3. 2. 2. Измерение порога разрушения. &
    • 3. 2. 3. Измерения констант нелинейного поглощения в
    • I. nSSz Info
      • 3. 2. 4. Расчет эффективности отражения при ЧВ с учетом линейного и нелинейного поглощения
      • 3. 2. 5. Зависимость И от ^ в образцах Infis и IflSS при комнатной температуре
      • 3. 2. 6. Влияние температуры на /?. при ЧВ в узко зонных полупроводниках
      • 3. 3. Нелинейная восприимчивость третьего порядка jC^ в Info жЫе .П
  • ГЛАВА 1. У. ИССЛЕДОВАНИЕ ОТРАЖЕНИЯ ПРИ ЧВ В РЕЗОНАНСНЫХ МОЛЕКУЛЯРНЫХ ГАЗАХ. IZ
    • 4. 1. Механизмы нелинейности при ЧВ в молекулярных газах
      • 4. 1. 1. Исследование отражения при ЧВ в BCd^
      • 4. 1. 2. Исследование отражения ЧВ в .Г
    • 4. 2. Отражение в SIfc при нестационарном ЧВ
    • 4. 3. Отражение в при стационарном ЧВ

Нелинейные среды для эффективного отражения при четырехволновом взаимодействии на 10, 6 МКМ (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Разработка методов обращения волнового фронта (ОВФ) в средней инфракрасной (ИК) области спектра представляет особый интерес в связи с тем, что именно в этом диапазоне работают наиболее мощные и эффективные лазеры на молекулах HF «DF «СО, С02. В отличие от видимого и ближнего ИК диапазона длин волн, где основные результаты по практическому применению явления ОВФ получены методом самообращения при вынужденном рассеянии на гиперзвуковых волнах (ВРМБ), в средней Ж области спектра, этот метод до сих пор не реализован.Единственным методом получения ОВФ в этом диапазоне на сегоднящний день пока является метод вырожденного четырехволно-вого взаимодействия (ЧВ).

ОВФ-зеркало, как и любое другое зеркало характеризуется определенным набором свойств. Для ОВФ-зеркал это-качество обращения, эффективность отражения, динамический диапазон, спектральные и поляризационные свойства. В настоящее время при вырожденном ЧВ, в том числе и в среднем Ж диапазоне длин волн продемонстрирована возможность получения высокого качества ОВФ / Zb, 40/* проведены исследования динамического диапазона /*/./, 73/" спектральных и поляризационных / 14fZ4/ свойств ОВФ-ЧВ зеркал. Все эти свойства не проявляют какой либо специфической зависимости от частоты излучения. В то же время эффективность отражения /?. зависит квадратично от частоты излучения и, следовательно, в области например, 10,6 мкм Я оказывается уменьшенным более чем в 100 раз по сравнению с эффектом в видимом диапазоне при прочих равных условиях. Из-за этого, в частности, реально достигнутые /? в среднем Ж диапазоне для лазерных импульсов микросекундной длительности не превышают ~ 20 $. В этой связи поиск и исследование нелинейных сред, пригодных для реализации высоких эффективностей отражения лазерного излучения в среднем Ж диапазоне представляется важной и актуальной задачей. обданная работа посвящена поиску и исследованию нелинейных оптических сред для эффективного отражения при ЧВ излучения импульсных С02~ лазеров, а также анализу механизмов, ответственных за нелинейное взаимодействие в этих средах. В основные задачи диссертации входило:

— исследование физических механизмов нелинейного взаимодействия определяющих эффективность отражения при ЧВ в различных нелинейных средах на 10,6 мкм.

— выбор наиболее перспективных нелинейных сред для эффективного отражения при ЧВ излучения импульсных COgлазеров и определение предельных величин эффективностей отражения в этих средах.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Обнаружено отражение при ЧВ в полупроводниках на 10,6 мкм за счет теплового механизма нелинейного взаимодействия, которое для характерного импульса СО2- лазера в оптимальных условиях может достигать 40%.

2. Показано, что предельная эффективность ЧВ отражения в узкозонных полупроводниках, прозрачных в области 10,6 мкм определяется константами линейного и нелинейного поглощения и константой нелинейного взаимодействия для каждого конкретного образца и может достигать значений, превышающих ~ 100 $.

3.Измерена константа нелинейного поглощения в Illfls, составляющая при температуре 300К ~ 0,14 — 0,07 см5/МВт3.

4. Измерены нелинейные восприимчивости третьего порядка в Ms И 1пЯ на 10,6 мкм, составляющие ~ 10~7 и I0″ 5 СГСЕ, соответственно, и превышающие расчетные данные в ~ 30 раз в In/к ив ~ 1000 раз в.

5. Экспериментально доказано, что основным механизмом нелинейного взаимодействия при ЧВ в резонансно поглощающих молекулярных газах на 10,6 мкм является модуляция коэффициента поглощения за счет насыщения резонансоного перехода. Установлено, что в стационарных условиях максимальное отражение при точном резонансе не может превышать 10−15 $.

6. Обнаружено аномально большая эффективность отражения (до 80%) при нестационарном взаимодействии в резонансно поглощающих газах и дана физическая интерпретация обнаруженного эффекта.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

В данной работе получены следующие основные результаты.

1. Обнаружено отражение при ЧВ в прозрачных в области 10,6 мкм полупроводниках, обусловленное тепловым механизмом нелинейности.

2. Показано, что в узкозонных полупроводниках рост эффективности отражения при ЧВ в зависимости от интенсивности накачки ограничивается наведенным нелинейным поглощением, а не порогом пробоя на поверхности. Максимальная эффективность отражения определяется коэффициентами линейного и нелинейного поглощения и константой нелинейного взаимодействия и в таких полупроводниках, как XwAs и JyiSi может превышать 100%.

3. Экспериментально определены коэффициенты нелинейного поглощения В Inh И InSi на длине волны 10,6 мкм при комнатной температуре, причем в ТнЙ£ эта величина, составляющая 0,14 + 0,07 см^/МВт3, измерена впервые.

4. Измерены нелинейные восприимчивости третьего порядка в In/Ь (-2,5-Ю" 7 СГСЕ^ и IvS& (~КГЬ СГСЕ), которые превышают известные из литературы теоретически рассчитанные значения в ~ 30 раз в Infl& и в 1000 раз в TftS>&.

5. Экспериментально установлено, что в резонансно поглощающих газах на 10,6 мкм основным механизмом нелинейного взаимодействия при ЧВ является модуляция коэффициента поглощения за счет насыщения резонансного перехода. Выявлены характеристики молекулярных газов, определяющие эффективность ЧВ отражения: сечение резонансного поглощения и время V-T релаксации возбужденного уровня. Показано, что в стационарных условиях максимальное отражение при точном резонансе не может превышать 10−15%.

6. Обнаружено аномально большое отражение (до а/80%) при нестационарном взаимодействии в резонансно поглощающих газах и дана физическая интерпретация обнаруженного эг|)фекта.

На основе полученных результатов можно сделать следующий вывод: узкозонные полупроводники Jjlfls, TnS& и резонансно поглощающие газы Sfи ЗСС3 могут быть использованы в качестве нелинейных сред для получения высоких эффективностей отражения при ЧВ на.

10,6 мкм в схемах обращения волнового фронта при умеренных интенр сивностях лазерного излучения (0,1−10 МВт/см). Полученные в диссертации результаты, в частности, были использованы в работе по исследованию ОВФ в резонансных газах /40/, где было достигнуто высокое качество ОВФ (до 95%) при эффективности отражения ^40% по мощности и ^10% по энергии.

Выработанные на основании проведенных исследований критерии отбора перспективных нелинейных сред для эффективного отражения при ЧВ могут быть использованы и на других рабочих длинах волн лазеров среднего ИК-диапазона (С0-, 4) F —, HFлазеры).

В заключение автор выражает глубокую признательность Н. Г. Басову за предоставленную возможность учиться и работать в лаборатории Квантовой радиофизики ФИАН и постоянный интерес к работе. Автор выражает также глубокую благодарность своим научным руководителям А.Н.Ораев-скому, Ф. С. Файзуллову за руководство работой и всестороннюю поддержку, научному консультанту В. И. Ковалеву за многочисленные дискуссии и всестороннюю помощь, А. В. Виноградову за полезные обсуждения, М.Р.Раух-ману за предоставление образцов, В. В. Каратаеву за измерения концентрации носителей и их подвижности в образцах, В. Б. Федорову и А. И. Вислобокову за большую помощь в создании экспериментальной установки, а также всем сотрудникам сектора «Оптические измерения» лаборатории Квантовой электроники ФИАН за создание творческой и дружеской атмосферы, в которой выполнялась данная работа.

Показать весь текст

Список литературы

  1. .Я., Поповичев В. И., Рагульский В. В., Файзуллов Ф. С. О связи между волновыми фронтами отраженного и возбужденного света при вынужденном рассеянии Мандельштаима-Бриллюэна.-Пись-ма в КЭТФ, 1972, т.15, № 3, с.160−164.
  2. И.М., Галушкин М. Г., Земсков Е. М., Мандрасов В.И.0 комплексном сопряжении полей при ВРМБ.- Квантовая электроника, 1976, т. З, № 11, с.2467−2470.
  3. В.Г. К теории «бриллюэновского зеркала».- ЖТФ, 1976, т.46, $ ю, с.2168−2174.
  4. .Я., Шкунов В. В. О воспроизведении волнового фронта при вынужденном комбинационном рассеянии света.-Квантовая электроника, 1977, т.4, № 5, с.1090−1098.
  5. .Я., Мельников Н. А., Пилипецкий Н. Ф., Рагульский В. В. Наблюдение эффекта обращения волнового фронта при вынужденном комбинационном рассеянии света.- Письма в ЖЭТФ, 1977, т.25, J6 I, с.41−44.
  6. Hellwarth R.W. Generation of time-reversed wave fronts by nonlinear reflection.- JOSA, 1977, v.67, N 1, p.1−3.
  7. Yariv A., Pepper D.M.Amplified reflection, phase conjugation, and oscillation in degenerate four-wave mixing.-Opt.Lett., 1977, v.1. N1, p.16−18.
  8. C.H., Подоба Я. Г., Ананьев Ю. А., Волосов В.Д., Горланов А. Е Об одной возможности компенсации оптических неоднородностейв лазерных устройствах.- Письма в ЖТФ, 1979, т.5, с.29−31.
  9. Yariv A. Compensation for atmospheric degradation of optical beam transmission by nonlinear optical mixing. Opt. Comm., 1977, v. 21, N 1, p. 49−50.
  10. Avizonis P.V., Hopf F. A., Bomberger N.D., Jacobs S.F., Tomita
  11. A., Womack K.H. Optical phase conjugation in a lithium formate crystal.-Appl.Phys.Lett., 1977, v.31, N 7, p.435−437.
  12. J3# Yariv A. Four-wave nonlinear optical mixing as real time holography.- Opt.Comm., 1978, v.25, N 1, p. 23−25.
  13. .Я., Ковалев В. И., Морачевский Н. В., Файзуллов Ф. С. Влияние поляризации на эффективность отражения при четырех-фотонном взаимодействии в германии на 10,6 мкм.-В кн.: Труды УТ Вазиловской конференции. Новосибирск, 1979, ч. П, с.188−192.
  14. Н. Нелинейная оптика. Перевод с англ. под ред. С. А. Ахманова и Р. В. Хохлова.- М., Мир, 1966, с.3−424.
  15. В.И., Морозов В. В., Файзуллов Ф. С. Возникновение непрозрачности и разрушение оптических материалов под воздействием импульсного лазера на двуокиси углерода.-Квантовая электроника, 1974, т.1, № 10, с.2172−2177.
  16. .Я., Яковлева Т. В. Влияние линейного поглощения и отражения на характеристики четырехволнового ОВФ.-Квантовая электроника, 1981, т.8, № 9, с.1891−1898.
  17. Jamroz W. The third-order electric susceptibilities of NaCl and KC1 monocrystals.- Opt. and Quan.Electr., 1980, v.12,6,p.443
  18. Flytzanis C., Ducuing J. Second order optical susceptibility of III-V сompounds.-Phys.Lett., 1966, v.26A, N 7, p.315−316.
  19. Юха С., Еломберген H. Нелинейные оптические восприимчивости1. I Усоединений, А В и элементарных полупроводников УТ группы.- В кн.: Нелинейные свойства твердых тел. Сборник статей. Под ред.
  20. B.М.Фаина. М., Мир, 1972, с.17−35.-16 521. Винн Дж. Смешение трех оптических частот в GaAs, Ge, Si и inAs В кн.: Нелинейные свойства твердых тел. Сборник статей под ред. В. М. Файна. М., Мир, 1972, с.90−110.
  21. Bergman Е.Е., Feldman В.Т., Bigio J.Т., Fisher R.A. High-efficiency pulsed 10.6 urn phase-conjugate reflection via degenerate four-wave mixing.-Opt.Lett., 1978, v.3,N 3, p. 82−84.
  22. И.Дж., Фелдман Б.Дж., Фишер Р. Н., Бергман Э. Е. Эффективное обращение волнового фронта в германии и в инвертированном углекислом газе (обзор).-Квантовая электроника, 1979, т.6,1. II, с.2318−2324.
  23. II.Г., Зельдович Б. Я., Ковалев В. И., Файзуллов Ф. С., Федоров В. Б. Отражение многочастотного сигнала при четырех-волновом взаимодействии в германии на 10,6 мкм.- Квантовая электроника, 1981, т.8, Й 4, с.860−864.
  24. Elci A., Rogovin D. Physe conjugation in nonlinear molecular gases.- Chera.Phys.Lett., 1979, v. 61, N 2, p. 407−409.25a. Elci A., Rogovin D., Depatie D., Haueisen D. Phase conjugation ifa ammonia.- JOSA, 1980, v.70, N 8, p. 990−998.
  25. Wolff P.A., Person G.A. Theory of optical mixing by mobile carriers in semiconductors.- Phys.Rev.Letts, 1966, v.17, N 19, p. 1015−1017.
  26. Ч.С., Ресслер H.B. Нелинейные оптические эффекты, связанные с электронами проводимости в полупроводниках.- В кн.: Нелинейные свойства твердых тел. Сборник статей под ред.В. М. Файна. М., Мир, 1972, c. III-117.
  27. Khan М.А., Kruse P.W., Ready J.E. Optical phase conjugation inS (1x)Cd^Te.- Opt.Lett., 1980, v. 5, N 6, p. 261−263.
  28. Patel C.K.N., Slusher R.F., Fleury P.A. Optical nonlinearities due to mobile carriers in semmconductors.- Phys.Rev.Lett., 1966, v. 17, N 19, p. 1011−1015.
  29. Yuen S.Y., Wolff P.A. Difference-frequency variation of the free-carrier-induced, third-order nonlinear susceptibility in n-InSb.- Appl.Phys.Lett., 1982, v.40, N 6, p. 457−459.
  30. Бонч-Бруевич B.M., Калашников С. Г. Физика полупроводников.-М., Наука, 1977, с.3−672.
  31. Jain R.K., Steel D.G. Degenerate four-wave mixing of 10.6 um radiation in Hg1 Cd Т. е.- Appl.Phys.Lett., 1980, v. 37,1. N 1, p. 1−3.
  32. Jain R.K., Klein М.Б. Degenerate-four-wave mixing in near band gap of semiconductors.- Appl.Phys.Lett., 1979, v.35″ N 6, p. 454−456.
  33. Jain R.K. Degenerate four-wave mixing in semiconductors: application to phase conjugation and to picosecond-resolved studies of transient carrier dynamics.-Optical Engineering, 1982, v.21, N2, p. 199−218.
  34. Khan M.A., Bennet R.L.H., Kruse P.W. Bandgap-resonant optical phase conjugation in n-type Hg1 Cd Те at 10.6 um.- Opt.1.""Jv A1.tt., 1981, v. 6, N 11, p. 560−562.
  35. Watkins D.E., Phipps C.R., Thomos S.J. Observation of amplified reflection through degenerate four-wave mixing at COg laser wavelength in Ge.-Opt.Lett., 1981, v.6, N 2, p. 76−78.
  36. А. Квантовал электроника. M., Советское радио, 1980, с. 3−488.
  37. Н.Г., Ковалев В. И., Лесив А. Р., Файзуллов Ф. С. Исследование обращения волнового фронта излучения импульсного COgлазера при четырехволновом взаимодействии в sP/- Письмаьв ЖТФ, 1982, т.8, № 8, с.451−455.
  38. Н.Г., Ковалев В. И., Файзуллов Ф. С. Динамический диапазон отражения при четырехволновом взаимодействии в резонансных средах на 10,6 мкм.- Квантовая электроника, 1983, т.10, № 6, с.1276−1278.
  39. Steel D.G., Lam J.P. Multiline phase conjugation in resonant materials.-Opt.Lett., 1980, v.5, N7, p. 297−299.
  40. Steel D.G., Lind R.C., Lam J.P. Degenerate four-wave mixing in a resonant homogeneously broadened system.- Phys.Rev.A, 1981, v. 23, N 5, p. 2513−2524.
  41. H.K., Новохатский В. В. Обращение волнового фронта с использованием маломощных СО2- лазеров.- В кн.: Лазерные пучки: Сборник научных трудов. Хабаровск, ХГ1И, 1981, с.39−50.
  42. Watkins D.E., Figueira J.F., Thomos S.J. Observation of resonantly enhanced degenerate four-wave mixing in doped alkali halides.-Opt.Lett., 1980, v.5, N4, p. 169−171.
  43. Miller D.A., Smith S.D., Wherrett B.S. The microscopic mechanism of third-order optical nonlinearity in InSb.-Opt.Comm., 1980, v.35, N 2, p.221−226.
  44. Miller D.A.B., Harrison R.G., Johnston A.M., Seaton C.T., Smith S.D. Degenerate four-wave mixing in InSb at 5 K.-Opt.Comm., 1980, v.32, N 3, p.478−480.
  45. В.Л., Ярошецкий И. Д., Яссиевич И. Н. Явление просветления при вынужденных переходах в полупроводниках.- ФТП, 1977, т. II, вып.1, с.85−93.
  46. Grimmeis И.G., Ovren G., Ludwig W., Mack R. Identification of deep centers in ZnSe.-J.Appl.Phys., 1977, v.48, N 12, p. 5122−5126.
  47. A.M., Ковнер M.A., Крайнов Б.P. Колебательные спектры многоатомных молекул.M., Наука, 1970, с.3−560.
  48. И.И., Рожков О. В., Рождествин В. Н. Оптико-электронные квантовые приборы. М., Радио и связь, 1982, с.3−456.
  49. Condhaleker А., Holzhauer Е. Single longitudinal mode operation of high pressure pulsed COg laser.- Phys.Lett., 1973, v. 46A, N 3, p. 229−230.
  50. B.A., Керимов O.M., Ковш И. Б. Молекулярные газовые лазеры высокого давления «Радиотехника» (Итоги науки и техники). М., ВИНИТИ, 1977, с.5−254.
  51. A.M., Кастальский А. А., Рывкин С. М., Ярошецкий Н. Д. Увлечение свободных носителей фотонами при прямых межзонных переходах в полупроводниках.- ЖЭТФ, 1970, т.58, вып.2, с.544−550.
  52. Н.Г.Басов, Б. Я. Зельдович, В. И. Ковалев, Ф. С. Файзуллов, В. Б. Федоров. Отражение многочастотного сигнала при четырех-волновом взаимодействии в германии на 10,6 мкм.-Квантовая электроника, 1981, т.8, № 4, с.860−864.
  53. А.П., Ирисова И. А., Сосорев B.C., Тимофеев Ю. П., Фридман С. А. Радиовизор-прибор для визуального наблюденияи регистрации полей ИК-СВЧ излучения.-Вестник АН СССР, 1973, № 12, с.15−22.
  54. В.В., Файзуллов Ф. С. Простой метод измерения расходимости лазерного излучения.- Опт. и спектр., 1969, т.27, вып.4, с.707−708.
  55. В.И. Метод измерения расходимости излучения импульсных COg- лазеров.- В кн.: Импульсная фотометрия. Сборник статей, выпуск 4. Л., Машиностроение, 1975, с.117−119.
  56. Frazier G.F., Willkerson J.D., Lindsay J.M. Infrared photography at 5 um and 10 um.- Appl. Optics, 1976, v.15, N 6, p.1350−1352- I 7067. Джеймс Т. Теория фотографического процесса. Перевод с англ. под ред. П. Л. Картужанского. Л., Химия, 1980, с.3−672.
  57. В.И., Лесив А. Р., Файзуллов Ф. С., Федоров В. Б., Фотографическая регистрация излучения импульсного COg- лазера на Основе эффекта тепловой сенсибилизации фотоэмульсии.-ПТЭ, 1983, № I, с. 149−151.
  58. Акустические кристаллы. Справочник А. А. Бяистанов, В.С.Бондарен-ко, Н. В. Переломова, Ф. Н. Стрижевская.В.В.Чкалова, М.П.Шасколь-ская- под ред. М. П. Шаскольской.- М., Наука, 1982, с.3−632.
  59. Gurard A., Beaulieu A.J. A TEA C02 laser with output pulse length adjustable from 50 ns to 5 us.-IEEE Journ. of Quant. Electr., 1974, v. QE-10, N 6, p. 521−526.
  60. M. Голография: Перевод с чеш.- Пер. А. С. Сударушкин, В. И. Лусников.-Л.: Машиностроение. Ленинградское отделение, 1979, с.3−207.
  61. А.С.Рубанов, Е. Б. Ивакин. Нестандартные тепловые дифракционные решетки.- В кн. Квантовая электроника и лазерная спектроскопия. Под ред.Самсона. Минск, Наука и техника, 1974, с.407−425.
  62. Tocho J.O., Sibett W., Bradley D.J. Thermal effects in phase-conjugation in saturable absorbers with picosecond pulses.-Opt.Comm., 1981, v.37, N 1, p. 67−73
  63. Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М., Наука, 1977, с.3−268.
  64. Е.М., Гречушников Б. Н., Дистлер Г. И., Петров И. П. Оптические материалы для инфракрасной техники. Справочное издание.- М., Наука, 1965, с.1−336.
  65. К.В. Физика полупроводников.- М., Энергия, 1976, с.3−416.
  66. Маделунг 0. Физика полупроводниковых соединений элементов Ш и У группы. Перевод с англ. под ред. Б. И. Болтакса.-М., Мир, 1967, с.3−478.
  67. A.M., Датрин А. А., Рыбкин С. М., Ярощецкий И. Д. О влиянии индуцированного поглощения свободными носителямина двухфотоннук фотопроводимость в полупроводниках.- ЖЭТФ, 1969, т.56, вып.5, с.1457−1462.
  68. Л.А., Шалабутов Ю. К., Уханов Ю. И. Исследование дырочного арсенида- индия оптическими методами.- ФТП, 1979, т.13, вып.2, с.242−247.
  69. Mitra S.S., Judell N.H.K., Vaidyanathan A., Guenther A.H. Three-photon absorption in direct-gap crystals.- Opt.Lett., 1982, v. 7, N 7, p. 307−309.
  70. Л.В. Ионизация в поле сильной электромагнитной волны.
  71. ЖЭТФ, 1964, т.47, вып.5 (II), с.1945−1957.
  72. Kleiman Н., Marcus S. COg laser pulse shaping with saturable absorbers.-J.Appl.Phys., 1973, v.44, N4, p.1646−1648.
  73. В.Г., Ораевский А. Н. Особенности поглощения молекулами интенсивного ИК излучения (обзор).-Квантовая электроника, 1979, т.6, № 5, с.885−901.
  74. Houston P.L., Novak A.V., Steinfeld J.I.-J.Chem.Phys., 1973, v59,p.3373 .
  75. Lavique P., Lashamber J.L. Pressure-dependent absorption in BCl^ at 10.6 u.-Appl.Phys.Lett., 1971, v.19, N6, p.176−179.
  76. Lind R.G., Steel D.G., Dunning G. J, Phase conjugation by resonantly enhanced degenerate four-wave mixing.-Optical Engineering, 1982, v.21, N2, p.190−198 .
  77. Steinfeld J.I., Burak J., Sutton D.G., Novak A.V. Infrared double resonance in sulfer hexaflouride.-Journ.of Chem.Phys., 1970, v.52, N10, p.5421−5434- .
  78. Н.Г., Гаяочкин В. Т., Ораевский А. Н., Стародубцев Н. Ф. Особенности спектра поглощения SFg при больших интенсивностях ИК излучения.- Письма в ЖЭТФ, 1976, т.23, вып.10, с.569−574.
  79. Н. Г. Галочкин В.Т., Картышев В. Г., Ляпин А. Г., Мазурин И. М. Ораевский А.Н., Стародубцев Н. Ф. Особенности поглощения молекулами SP^ больших интенсивностей ИК излучения.- ЖЭТФ, т.72, вып. З, 1977, с.918−927.
  80. Ан.В. Два типа нелинейных оптических восприимчивос-тей. Препринт ФИАН, 1984.9'6. Kane 0# Band structure of indium antimonide.—J.Phys.Chem. Solids, — 1957, v.1, N 4, p.249−261 .
  81. Yuen S.Y. Pour-wave mixing via optically generated free carriers in Hg^Cd^Te.-Appl.Phys.Lett., 1982, v.41, N7, p.590−592.
  82. А.И., Морачевский H.B., Файзуллов Ф. С. Лазерный метод исследования температурной зависимости показателя преломления конденсированных сред.-Препринт ФИАН, 1977, № 122.
  83. Sparks М" Optical Distortion by Heated Windows in High-Power Laser Systems.-Preprint R-545-PR, 1971.
  84. Н.Г., Ковалев В. И., Мусаев М. А., Файзуллов Ф. С. Исследование отражения при четырехволновом взаимодействии в резонансных газах на 10,6 мкм.-Препринт ФИАН, 1981, № 204.
  85. Н.Г.Басов, Ковалев В. И., Мусаев М. А., Файзуллов Ф. С. Исследование отражения при четырехволновом взаимодействии в резонансных газах на 10,6 мкм.-Тезисы докладов Ш Всесоюзной конференции «Оптика лазеров», Ленинград, 2−4 января 1982 г., с.286−287.
  86. В.И., %саев М.А., Файзуллов Ф. С. Вклад теплового механизма в отражение при вырожденном четырехволновом взаимодействии на 10,6 мкм.-Квант, электроника, 1984, т. II, № I, с.85−90.
  87. В.И., Мусаев М. А., Файзуллов Ф. С. Отражение при вырожденном взаимодействии в inAs и inSb на длине волны 10,6 мкм.-Препринт ФИАН, 1984.
  88. В.И., Мусаев М. А., Файзуллов Ф. С. Пробой на поверхности и нелинейное поглощение полупроводников при воздействии излучения импульсного COg- лазера. Квант, электроника, 1984, т. II, № 4.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?