Получение и исследование свойств наноразмерных пленочных структур на основе аморфного кремния и его соединений
Диссертация
Движущей силой, вызывающей образование массива однородных напряженных островков на кристаллической поверхности, является релаксация упругих напряжений на краях граней и взаимодействие островков посредством напряжений, создаваемых ими в подложке. Релаксация на краях ступеней или граней может приводить к формированию упорядоченных массивов КТ в случаях роста как согласованных, так… Читать ещё >
Содержание
- 1. Синтез и применение наноразмерных структур на основе аморфных полупроводников
- 1. 1. Методы синтеза наноразмерных структур
- 1. 2. Формирование наноразмерных структур на монокристаллических подложках и их применение в электронике
- 1. 3. Особенности аморфных полупроводников и их применение в электронике
- 1. 4. Выводы и постановка задачи
- 2. Исследование влияния технологических параметров на условия СВЧ вакуумно-илазменной обработки
- 2. 1. Влияние геометрии реактора на равномерность и энергетическую эффективность СВЧ ВПО (гидродинамическое приближение)
- 2. 2. Распространение электромагнитных волн в волноводе установки СВЧ ВПО с продольно намагниченной плазмой
- 2. 3. Циклотронное поглощение электромагнитных волн в плазме с магнитным полем
- 2. 4. Скорость и равномерность СВЧ ВПО
- 2. 5. Экспериментальные исследования равномерности и производительности СВЧ ВПО с ЭЦР
- 2. 6. Результаты экспериментальных исследований
- 2. 7. Анализ экспериментальных данных
- 2. 8. Выводы
- 3. Исследование формирования нанокластеров на аморфных поверхностях с различной энергией связи на межфазной границе
- 3. 1. Формирование тонких пленок
- 3. 2. Исследование зависимости средней высоты нанокластеров кремния от времени осаждения на подложку со слабой энергией связи
- 3. 3. Исследование зависимости средней высоты микровыступов и их концентрации от количества циклов осаждения
- 3. 4. Влияние температуры на формирование кремниевых нанокристаллитов на некристаллических подложках в плазме СВЧ газового разряда низкого давления
- 3. 5. Исследование зависимости средней высоты нанокластеров от времени осаждения на подложку с сильной связью на межфазной границе
- 3. 6. Исследование зависимости средней высоты кластеров от времени осаждения на аморфный вЮ различного стехиометрического состава
- 3. 6. Выводы
- 4. Получение и исследование пленок аморфного кремния и его соединенийЮО
- 4. 1. Рентгеноструктурный анализ и ИК-спектроскопия пленки кремния
- 4. 2. Получение и исследование пленок аморфного кремния
- 4. 3. Проводимость в пленках аморфного кремния
- 4. 4. Получение и исследование пленок аморфного карбида и нитрида кремния различного стехиометрического состава
- 4. 5. Выводы
- 5. Получение и исследование слоистых структур на основе нанокластеров кремния в матрице аморфного карбида кремния
- 5. 1. Исследование статических В АХ слоистых структур на основе аморфного Б^гСо," и нанокластеров кремния
- 5. 2. Исследование динамических характеристик слоистых структур
- 5. 3. Исследование спектральных характеристик слоистых структур
- 5. 4. Выводы
Список литературы
- Нанотехнологии в полупроводниковой электронике / отв. редактор A. J1. Асеев. Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004. 368 с. 2. http://microsystems.ru/files/publ/601 .htm
- Леденцов Н.Н. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры / Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, В. А. Щукин, П. С. Копьев и др. // ФТП, 1998, т. 32, № 4, С. 385−410.
- Baron Т. Low pressure chemical vapor deposition growth of silicon quantum dots on insulator for nanoelectronics devices. / T. Baron, F. Martin, P. Mur et. al. // Appl. Surf. Sci. 2000. V. 164. P. 29−34.
- Williamson A.J., Energy states in quantum dots. / A.J. Williamson // International journal of high speed electronics and systems. 2002. V. 12. № 1. P. 15−34.6. http ://www.scientific.ru/j ournal/onisch/onisch.html
- Shchukin V.A. Multiexciton Spectroscopy of a Single Self-Assembled Quantum Dot / V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, P. S. Kopiev, D. Bimberg // Phys.Rev. Lett. 1995. V. 75. P. 2968.
- Shchukin V.A. Direct formation of InGaAs/GaAs quantum' dots during submonolayer epitaxies from molecular beams / V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, M. Grundman, P. S. Kopiev // Surf. Sci. 1996. V. 352−354. P. 646.
- Пчеляков О.П. Кремний-германиевые наноструктуры с квантовыми точками: механизмы образования и электрические свойства / О. П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитя-нов, А. В. Двуреченский // ФТП. 2000. Т. 34. Вып. 11. С. 1281−1299.
- Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур / Ж.И. Алферов//ФТП. 1998. Т. 32. № 1. С. 3−18.
- Чопра К. Тонкопленочные солнечные элементы: Пер. с англ. с сокращениями / К. Чопра, С. Дас. М.: Мир, 1986.435 с.
- Хейванг В. Аморфные и поликристаллические полупроводники: Пер. с нем. / В. Хейванг, У. Биркхольц, Р. Айнцингер и др.- под ред. В. Хейванга. М.: Мир, 1987. 160 с.
- Аморфные полупроводники и приборы на их основе: пер. с англ. / под ред. Й. Хамакавы. М.: Металлургия, 1986. 376 с.
- Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры / под ред. Л. Ченга, Л. Плога. М.: Мир, 1989. 582 с.
- Кульбачинский В.А. Полупроводниковые квантовые точки / В.А. Кульбачин-ский // СОЖ. 2001. Т. 7. № 4. С. 98−104.
- Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры: пер. с англ. / под ред. Ж. И. Алферова, Ю. В. Шмарцева. М.: Мир, 1989. 582 с.
- Ежовский Ю.К. Поверхностные наноструктуры перспективы синтеза и использования / Ю. К. Ежовский // СОЖ. 2000. Т. 6. № 1. С. 56−63.
- Белявский В.И. Физические основы полупроводниковых технологий / В. И. Белявский // СОЖ. 1998. № 10. С. 92−98.
- Suzuki К. Fabrication of SiN films at low temperature by RF biased coaxial-line microwave plasma CVD / K. Suzuki, K. Ninomiya, I. Nishimatsu, S. Okudaira // J.Vac.Sci.Technol. 1985. V. 3,4. P. 1025−1034.
- Уолтер C.P., Леунг K.H. // Приборы для научных исследований. 1986, № 8, С. 65−69.
- Petit В. A Parametric Study of the Etching of Silicon in SF6 Microwave Multipolar Plasmas: Interpretation of Etching Mechanisms / B. Petit, J. Pelletier // Japan J. Appl. Phys. 1987. V. 26. № 6. P. 825−834.
- Sato N. Uniform plasma production by plane slotted antenna with magnets for electron cyclotron resonance / N. Sato, S. Lizuka, Y. Nakagawa, T. Tsukada // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 62. № 13. P. 1469−1471.
- Гуляев Ю.В. Микроволновое ЭЦР вакуумно-плазменное воздействие на конденсированные среды в микроэлектронике (физика процессов, оборудование, технология) / Ю. В. Гуляев, Р. К. Яфаров. // Зарубежная электронная техника. 1997. № 1. С.77−117.
- Бимберг Д. Спонтанное упорядочение полупроводниковых наноструктур / Д. Бимберг, И. П. Платова, Н. Н. Леденцов, П. С. Копьев // УФН. 1997. Т. 167. С. 552.
- Оура К. Введение в физику поверхности / К. Оура, В. Г. Лифщиц, А.А. Сара-нин, А.В. Зотов- Ин-т автоматики и процессов упр. ДВО РАН. М.: Наука, 2006. 490 с.
- Ustinov V. М. Effect of matrix on InAs self-organized quantum dots on InP substrate IV. M. Ustinov, E. R. Weber, S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber // Appl. Phys. Lett.1998. V. 72. Р.362−364.
- Bodefeld M. С. Storage of electrons and holes in self-assembled InAs quantum dots / M. C. Bodefeld, R. J. Warburton, K. Karrai, J. P. Kotthaus // Appl. Phys. Lett. 1999. V.74. P. 1839−1841.
- Schittenhelm P. Self-assembled Ge dots: Growth, characterization, ordering, and applications / P. Schittenhelm, C. Engel, F. Findeis, G. Abstreiter // J. Vac. Sci. Tech. 1998. В 16. P.1575−1581.
- Bonadeo N. H. Coherent optical control of the quantum state of a single quantum dot /N. H. Bonadeo, J. Erland, D. Gammon, D. Park // Science. 1998. V. 282. P. 1473−1476.
- Drexler H. Optical emission from a charge-tunable quantum ring / H. Drexler, D. Leonard, W. Hansen, J.P. Kotthaus // Phys. Rev. Lett. 1994. V. 73. P. 2252.
- Lee H. Transport signatures of correlated disorder in a two-dimensional electron gas /Н. Lee, J.A. Johnson, J.S. Speck, P.M. Petroff// J. Vac. Sci. Technol. 2000. В 18. P. 2193.
- Xie Q. Shell structure and electron-electron interaction in self-assembled InAs quantum dots / Q. Xie, A. Madhukar, P. Chen, N.P. Kobayashi // Phys. Rev. Lett. 1995. V.75. P. 2542.
- Cuadra L. Type II broken band heterostructure quantum dot to obtain a material for the intermediate band solar cell / L. Cuadra, A. Mart, A. Luque // Physica E. 2002. V. 14. P. 162−165.
- Меден А. Физика и применение аморфных полупроводников: Пер. с англ. / А. Меден, М. Шо М.: Мир, 1991. 670 с.
- Иоффе А.Ф. Некристаллические, аморфные и жидкие полупроводники. В. кн.: Иоффе А. Ф. Избранные труды. — Т.2. / А. Ф. Иоффе, А. Р. Регель. JL: Наука, 1975. 230 с.
- Кудряшов С.А. Влияние геометрии реактора на параметры микрообработки в плазме СВЧ разряда с ЭЦР: Труды Всероссийской научно технической конф. «Микро- и наноэлектроника». / С. А. Кудряшов, Р. К. Яфаров. Звенигород. 1999. -С.17−18.
- Лебедев И.В. Техника и приборы СВЧ./ И. В. Лебедев, под ред. академика Н. Д. Девяткова. М.: Высш. школа, 1970. 440 стр.
- Гуляев Ю.В. Эффективность использования мощности в установках СВЧ -ВПО структур микроэлектроники. Препринт. / Ю. В. Гуляев, Р. К. Яфаров. М.: ИРЭ АН СССР. 1989. с. 14.
- Тимофеев A.B. Циклотронные колебания плазмы в неоднородном магнитном поле/ A.B. Тимофеев //Успехи физических наук. 1973. Т. 110. Вып. 3. С. 329−355.
- Сковорода A.A. Изучение циклотронного поглощения электромагнитных волн . в плазме в неоднородном магнитном поле / A.A. Сковорода, Б. Н. Швилкин. // ЖЭТФ. 1976. Т. 70. Вып. 5. С. 1779−1784.ч
- Гуляев Ю.В. Равномерность СВЧ вакуумно-плазменной обработки с элек-тронно-цикпотронным резонансом в неоднородных внешних магнитных полях / Ю. В. Гуляев, И. Д. Черкасов, Р. К. Яфаров. // Доклады академии наук. 1997. Т. 353. № 1. С. 40−43.
- Былинкина H.H. Микротопография и автоэмиссионные свойства графитопо-добных углеродных пленок / H.H. Былинкина, С. П. Муштакова, В. А. Олейник и др. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22. Вып. 6. С. 43−47.
- Иевлев В.М. Структурные превращения в тонких пленках / В. М. Иевлев, Л. И. Трусов, В. А. Холмянский. М.: Металлургия, 1982. 248 с.
- Грин М. Поверхностные свойства твердых тел / М. Грин, М. Дж. Ли. под ред. М. Грин. М.: Мир, 1972, с. 155−189.
- Габович А.М., Пашицкий Э. А. ФТТ. 1976. Т. 18. С. 377−381.
- Шерман А.Б., Трусов Л. И., Казакова Т. А., Балашова Е. В. Тезисы докладов II Всесоюзного симпозиума по активной поверхности твердых тел. Тарту Изд-во ИКАН СССР, 1977, С. 51−52.
- Морохов И.Л. Ультрадисперсные металлические среды / И. Л. Морохов, Л. И. Трусов, С. П. Чижик. М.: Атомиздат, 1977. 289 с.
- Шерман А.Б., Балашова Е. В., Добровольский A.A., Трусов Л. И. Письма ЖТФ, 1975. Т. 1, Вып. 25, С. 34−36.
- Трусов Л.И., Чернов A.A. Кристаллография, 1979, Т. 24, Вып. 1, С. 11−17.
- Дорфман В.Ф., Трусов Л. И. Кристаллография, 1969, т. 15, Вып. 1, С. 71−74.
- Косевич В.М., Политик Л. С., Соколов Ю. В., Удовенко A.A. ФММ, 1975, Т. 39. С. 354−361.
- Оура К. Введение в физику поверхности / К. Оура, В. Г. Лифщиц, A.A. Сара-нин, A.B. Зотов, М. Катаяма. Ин-т автоматики и процессов упр. ДВО РАН. М.: Наука, 2006.490 с.
- Трусов Л.И. Островковые металлические пленки / Л. И. Трусов, В. А. Холмянский. М.: Металлургия, 1973. 321 с.
- Гегузин Я.Е., Когановский Ю. С. УФН, 1978, Т. 125. С. 489−525.
- Гегузин Я.Е., Кагановский Ю.С, Кибец В. И. и др. ФММ, 1975, т. 39 вып. 6 с.1205−1210.
- Свелин P.A. Термодинамика твердого состояния / P.A. Свелин. М.: Металлургия, 1968.314 с.
- Гегузин Я.Е. Поверхностная диффузия и растекание / Я. Е. Гегузин. М.: Наука, 1969,450 с.
- PalmbergP.W., Rhodin TM.', ToddT. Appl. Phys. Letters, 1967, v. 10, p. 122−124.
- Stirhnd D.J. AppL Phys. Lett., 1966, v. 8, p. 326−327.
- Нефедов Д.В. Миграционное заращивание рельефа поверхности при формировании нанокристаллитов с использованием СВЧ газового разряда низкого давления / Д. В. Нефедов, Р. К. Яфаров. // ПЖТФ, 2007. Т. 33. Вып. 21. С. 78−84.
- Нефедов Д.В. Влияние упругих взаимодействий на самоорганизацию кремниевых нанокристаллитов, полученных в плазме СВЧ газового разряда низкого давления / Д. В. Нефедов, Р. К. Яфаров. // Нелинейный мир. 2007. № 5. Т.5. С. 314−315.
- Нефедов Д.В. Влияние температуры на формирование кремниевых нанокристаллитов на некристаллических подложках в плазме СВЧ газового разряда низкого давления / Д. В. Нефедов, Р. К. Яфаров. // ПЖТФ. 2008. Т. 34. Вып. 2. С. 62−68.
- Woll A.R. Self-organized quantum dots / A.R. Woll, P. Rugheimer, M.G. Lagally // International journal of high speed electronics and systems 2002. V. 12. № l.P. 45−78.
- Нефедов Д.В. Влияние упругих взаимодействий на формирование кремниевых нанокристаллитов на некристаллических подложках в плазме СВЧ газового разряда низкого давления / Д. В. Нефедов, Р. К. Яфаров. // ПЖТФ. 2007. Т. 33. Вып. 7. С. 26−34.
- Аморфный кремний и родственные материалы: Пер. с англ. / под ред. Х.Фрицше. М.: Мир, 1991. 544 с.
- Физика гидрогенизированного аморфного кремния: Вып. 2. Электронныеи колебательные свойства: Пер. с англ. / под ред. Дж. Джоунопулос, Дж. Люков-ски. М.: Мир, 1988. 448 с.
- Zanzucchi J. A new amorphous silicon-based alloy for electronic applications / J. Zanzucchi, C.R. Wronski, D.E. Carlson // J. Appl. Phys. 1977. V. 48. P. 5227.
- Tauc J. Relations between the structure and the optical properties of glass and amorphous thin films of tellurite / J. Tauc, R. Grigorovici, A. Vancu // Phys. Stat. Sol. 1966. V. 15.P.627.
- Карлсон Д. Солнечные батареи из аморфного кремния. —Аморфные полупроводники: Пер. с англ. / Д. Карлсон, К. Вронски, под ред. А. А. Андреева, В. А. Алексеева. М., Мир, 1982. 445 с.
- Физика гидрогенизированного аморфного кремния: Вып. 1. Физические свойства, методы получения и применение: пер. с англ. / под ред. Дж. Джоунопулос, Дж. Люковски. М.: «Мир», 1987. 453 с.
- Roedern В. Photoelectron Spectra of Hydrogenated Amorphous Silicon / B. von Roedern, L. Ley, M. Cardona // Phys. Rev. Lett. 1977. V. 39. P. 1576.
- Голикова О.А. Особенности структуры пленок аморфного гидрированного кремния, осажденных методом разложения силана на постоянном токе в магнитном поле / О. А. Голикова, А. Н. Кузнецов, В. Х. Кудоярова, М. М. Казанин. // ФТП. 1997. Т.31. № 7. С. 816−819.
- Голикова О.А. Кристаллизация пленок аморфного гидрированного кремния, осажденных при различных условиях / О. А. Голикова, Е. В. Богданова, У. С. Бабаходжаев // ФТП. 2002. Т. 36. № 10. С. 1259−1262.