Дефекты структуры в пленках CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Диссертация
Альтернативные подложки, решая проблему производства эпитаксиальных структур CdxHgixTe большой площади, создают проблему получения пленок CdxHgi. xTe высокого структурного совершенства. Наиболее привлекательными материалами для альтернативных подложек являются арсенид галлия и особенно кремний. Эти материалы производятся в больших количествах, кристаллы их имеют высокое структурное совершенство… Читать ещё >
Содержание
- 1. Дефектообразование в эпитаксиальных плёнках А1^^ Литературный обзор
- 1. 1. Дефекты структуры в гетероэпитаксиальных плёнках A"BVI
- 1. 2. Особенности дефектов структуры в гетероэпитаксиальных плёнках CdxHgi. xTe выращенных методом МЛЭ
- 1. 3. Исследование морфологии поверхности эпитаксиальных плёнок
- 1. 3. 1. Самопроизвольное формирование периодического микрорельефа при гетероэпитаксиальном росте и связанная с ним латеральная модуляция состава. JU
- 1. 3. 2. Влияние упругих напряжений на формирование латеральной модуляции состава
- 1. 3. 3. Влияние сурфактантов на формирование латеральной модуляции состава
- 2. 1. Просвечивающая электронная микроскопия — основной метод исследования дефектов структуры
- 2. 1. 2. Стереоскопический метод
- 2. 1. 3. Микродифракция
- 2. 2. Высокоразрешающая электронная микроскопия
- 2. 3. Препарирование объектов для просвечивающей электронной микроскопии
- 2. 3. 1. Изготовление планарных фольг
- 2. 3. 2. Изготовление поперечных срезов
- 2. 4. Атомно — силовая микроскопия
- 2. 4. 1. Основные принципы метода атомно- силовой микроскопии
- 2. 4. 2. Силы взаимодействия между поверхностью и острием зонда
- 2. 4. 3. Методы работы атомно-силового микроскопа
- 2. 4. 4. Фазовый контраст в полуконтактном режиме
Список литературы
- Zhang X.F., Becker С R., Zhang Н., Не L. Investigation of a short-period (001) HgTe-Hg06Cd04Te superlattice by transmission electron microscopy. Semicond. Sci. Technol. 1994. V. 9. P. 2217−2223.
- Varavin V. S, Dvoretsky S.A., Liberman V.I., Mikhailov N.N., Sidorov Yu.G. Molecular beam epitaxy of high quality Hgi xCdxTe films with control of the composition distribution -J Cryst Growth. 1996. V. 159 P. 1161−1166.
- Takeuchi S., Suzuki K., Maeda K., Iwanaga H Stacking-fault energy of II-VI com-K pounds. Phil Mag (a). 1984. V. 50, N 2. P. 171−178.
- Szilagyi A, Grimbergen M.N. Consequences of misfit and threading dislocations on PV device design J Vac Sci. Technol. 1986. V. A4. P. 2201−2209.
- Zhao L.J., Speck J S., Rajavel R., Jensen J., Leonard D., Strand Т., Hamilton W. Reactive removal of misfit dislocations from InGaAs on GaAs by lateral oxidation. J. Electron. Mater. 2000. V. 29. P. 732.
- Yang В., Xin Y, Rujirawat S., Browning N. D, Sivananthan S. Molecular beam epitaxial growth and structural properties of HgCdTe layers on CdTe (211)B/Si (211) substrates J. Appl Phys. 2000. V. 88. P. 115
- Zandian M., Goo F ТЕМ investigation of defects in arsenic doped layers grown in-situbyMBE J Electron Mater 2001. V. 30. P. 623.
- Koestner RJ, Schaake H.F. Molecular-beam epitaxial growth of CdTe (112) on «Si (l 12) substrates J. Vac. Sci. Technol. 1988 V. A6. P. 2834.
- Kawano M., Oda N, Sasaki Т., Ichihashi T, Iijima S., Kanno Т., Saga M. Twin-formation mechanisms for HgCdTe epilayers.-J. Cryst. Growth. 1992. V. 117. P. 171.
- Arias J.M., Zandian M., Bajaj J., Pasko J.G., Bululac L.O., Shin S.H., Dewames R.E. Molecular Beam Epitaxy HgCdTe Growth-Induced Void Defects and Their Effect on Infrared Photodiodes J. Electron Mater. 1995. V. 24. P. 521−524.
- Zandian M., Anas J.M., Bajaj J., Pasko J.G., Bubulac L.O., Dewames R.E. Origin of Void Defects in Hgi 4CdxTe Grown by Molecular Beam Epitaxy. J. Electron. Mater. 1995. V. 24 P. 1207−1210
- Sidorov Yu.G., Varavm V S., Dvoretsky S.A., Liberman V.I., Mikhailov N.N., Sabin-^ ina I.V., Yakushev M.V. Growth and defect formation in CdHgTe films during molecular beam epitaxy Growth of Crystals. 1996. V. 20. P. 35−45.
- Zhang LH., Summers С J A Study of Void Defects in Metalorganic Molecular-Beam Epitaxy Giown HgCdTe J Electron. Mater. 1998. V. 27. P. 634−639.
- Chandra D., Shih H D., Aqariden F., Dat R., Gut/ler S., Bevan M.J., Orent T. Formation and Control of Defects During Molecular Beam Epitaxial Growth of HgCdTe. -J. Electron. Mater. 1998. V. 27. P. 640−647.
- Chandra D., Aqariden F., Frazier J., Gutzler S., Orent Т., Shih H.D. Isolation and ь Control of Voids and Void-Hillocks during Molecular Beam Epitaxial Growth of
- HgCdTe. J Electron. Matei 2000. V. 29. P. 887−892.
- Piquette E. C, 7andian M, Edwall D.D., Arias J M. MBE Growth of HgCdTe Epi-layers with Reduced Visible Defect Densities Kinetics Considerations and Substrate Limitations. J.Electron. Mater 2001. V. 30. P 627−631.
- Aqariden F., Shih H.D., Turner A.M., Liao P. K Defect Reduction in Hgi xCdxTe Grown by Molecular Beam Epitaxy on Cd (J %Zn0 04Te (211)B. J.Electron. Mater. 2001. V. 30. P. 794−796.
- He L., Wu Y., Chen L., Wang S.L., Yu M. F, Qiao Y.M., Yang J.R., Li Y.J., Ding R.J., Zhang Q. Y Composition control and surface defects of MBE-grown HgCdTe. -J. Cryst. Growth. 2001. V. 227−228. P. 627−631.
- Aoki Т., Smith D J., Chang Y, Zhao J., Badano G., Grem C., Sivananthan S. Mer-^ cury cadmium telluride/tellurium intergrowths in HgCdTe epilayers grown by molecular-beam epitaxy. Appl Phys Lett. 2003 V. 82. P. 2275−2277.
- Schaake H.F., Tregilgas J. H, Lewis A.J., Everett P.M. Lattice defects in (Hg, Cd) Te: Investigations of their nature and evolution. J. Vac. Sci. Technol. 1983. V. Al. P. 1625.
- De Puydt J.M., Haase M. A, Guha S. Room temperature II-VI lasers with 2,5 mA threshold. J. Cryst Growth. 1994. V. 138. P. 667−676.
- Guha S., De Puydt J. M, Haase M.A. Degradation of II-VI based blue-green light emitters. Appl Phys Lett. 1993. V 63, N 23. P. 3107−3109.
- Matthews J. W, Blakeslee A. E Defects in epitaxial multilayers. I. Misfit, disloca-4 tions.-J. Cryst. Growth 1974. V. 27. P. 118−125.
- Cohen-Solal G, Bailly F., Barbe M. Critical thickness in heteroepitaxial growth of ^ zinc-blende semiconductor compounds. J. Cryst Growth. 1994. V. 138. P. 68−74.
- Feuillet G., Ciocclo LM., Million A. at al. Interface structure of epitaxial ZnTe on (100)GaAs Microsc. Semicond. Mater. London- Inst. Phys. Conf., 1987. Ser. N 87. P.135−140.
- Angelo G.E., Gerberich W.W., Stobbs W.M. at al. The coherency loss microstructure at a CdTe/GaAs interface. Phil. Mag. Lett. 1993 V. 67, N 4. P. 2701−285.
- Otsuka N., Kolod/iejskl L.A., Gunshor R.L. at al. High-resolution electron microscope study of epitaxial CdTe-GaAs interfaces. Appl.Phys. Lett. 1985. V. 46, N 9.1. K P.860−862.
- Schwartzman A.F., Sinclair R. Metastable and equilibrium defect structure of II-VI/GaAs interfaces J Electron. Mater. 1991. V 20, N 10. P. 805−814.
- Tatarenko S., Cibert J., Saminadayar K. at al. Formation of the ZnTe/ (OOl)GaAs interface. J. Gryst. Growth. 1993 V. 127 P. 339−342.
- Ayers J. E, Ghandhl S.K., Schowalter L.J. Threading dislocation densities in mismatched heteroepitaxial (001) semiconductors Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1991. V. 209. P 661−666
- Chou C.T., Hutchison JL, Cherns D. at al. An ordered Ga2Te3 phase in the ZnTe/GaSb interface J Appl. Phys, 1993. V. 74, N 11. P. 6566−6570.
- Kolodziejczyk M, Filz Т., Krost A., Richter W., Zahn D.R.T. The likelihood of III2—VI3-compound formation during epitaxial-growth of II—VI, on III—V-semiconductors J Cryst. Growth 1992. V. 117, N 1−4. P. 549−553.
- Schaake H. F, Koestner R.J. Defect formation during MBE growth of HgTe on CdTe. J. Cryst. Growth 1988 V 86 P 452−459.
- Браун П Д, Jloi инов Ю Ю, Дыороуз К. Формирование структурных дефектов в эпитаксиальныч слоях Zn’J е, выращенных на GaAs и GaSb. Материал, электрон. техн., получение и свойства Красноярск КГУ, 1998. с. 116−142.
- Sivananthan S., Chu X, Reno J, Faurle J.P. Relation between crystallographic orientation and the condensation coefficients of HgCd, and Те during molecular-beam-epitaxial growth of Hg, xCdxTe and CdTe. J. Appl. Phys. 1986. V. 60, N 4. P. 13 591 363.
- Gouws G.J., Muller R J, Bowclen R.S. The growth of various buffer layer structures p and their influence on the quality of (CdHg)Te epilayers. J.Cryst. Growth. 1993. V.130. P. 209−216.
- Durose K., Russell G.J. Twinning in CdTe. J. Cryst.Growth. 1990. V. 101, N 1−4. P. 246−250.
- Ernst F., Pirouz P. The formation mechanism of planar defects in compound semiconductors grown epitaxially on {100} silicon substrates. J.Mater.Res. 1989. V. 4. P. 834−842.
- Cheng T.T., Wei X.L., Aindow M., Jones LP. Deformation microtwinning in het-i eroepitaxial films on offcut (001) substrates. Microsc. Semicond. Mater. Oxford:1.st. Phys. Conf., 1995. Ser. N 146. P. 305−308
- Brown P.D., Russell G.J., Woods J. Anisotropic defect distribution in ZnSe/ZnS epitaxial layers grown by metalorganic vapor-phase epitaxy on (001) oriented GaAs. -J. Appl. Phys. 1989. V. 66, N 1 P. 129−136.
- Farrow R.F.C., Jones G.R., Williams G.M., Young I.M. Molecular beam epitaxial growth of high structural perfection, heteroepitaxial CdTe films on InSb (001). -Appl. Phys. Lett 1981. V. 39, P 954−956.
- Aoki Т., Chang Y, Badano G, Zhao J., Grein C., Sivananthan S., Smith David J. Defect characterization for epitaxial HgCdTe alloys by electron microscopy. J. Cryst. Growth. 2004 V. 265 P. 224−234.
- Rhiger D R., Peterson J M, Tmerson R.M., Gordon E.E., Sen S., Chen Y., Dudley M. Investigation of the Cross-Hatch Pattern and Localized Defects in Epitaxial HgCdTe. -J. Electron Mater 1998. V 27. P. 615−623.
- Aoki Т., Chang Y, Zhao J., Badano G., Grein C., Sivananthan S., Smith D.J. Elec-^ tron Microscopy of Surface-Crater Defects on HgCdTe/CdZnTe (211)B Epilayers
- Grown by Molecular-Bcam Epitaxy J. Electron Mater. 2003. V. 32. P. 703−709.
- Almeida L.A., Chen Y.P., Faune J.P., Sivananthan S., Smith D.J., Tsen S.-C.Y. Growth of High Quality CdTe on Si Substrates by Molecular Beam Epitaxy. J. Electron. Mater. 1996. V 25. 1402−1405.
- Rujirawat S, Almeida L A., Chen Y.P., Sivananthan S, Smith D.J. High quality large-area CdTe (211)B on Si (211) grown by molecular beam epitaxy. Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. P 1810−1812
- Rujirawat S., Smith D. J, Faurie J.P., Neu G., Nathan V., Sivananthan S. Microstructural and Optical Characterization of CdTe (21 l) B/ZnTe/Si (211) Grown by Molecular Beam Epitaxy J Electron. Mater. 1998. V. 27. P. 1047−1052.
- Rujirawat S., Xin Y, Browning N.D., Sivananthan S. CdTe (111)B grown on Si (111) substrates by MBE Appl Phys. Lett. 1999. V. 74. P. 2346−2348.
- De Lyon T.J., Johnson S M., Cockrum C.A., Wu O.K., Hamilton W.J., Kamath G.S. CdZnTe on Si (001) and Si (l 12) Direct MBE Growth for Large-Area HgCdTe Infrared Focal-Plane Array Applications. J. Electrochem. Soc. 1994. V. 141, N 10, P. 2888−2892.
- Sporken R., Chen Y.P., Sivananthan S, Lange M D., Faurie J.P. Current status of molecular-beam epitaxy. J. Vac Sci. Technol. 1992. V. B10. P. 1405.
- Миронов В. Jl. Основы сканирующей зондовой микроскопии. М.: Техносфера, 2004. 86 с.
- Saint Jean М., Hudlet S., Guthmann С., Berger J. Van-der Waals and capacitive forces in atomic force microscopies. J. Appl. Phys. 1999. V. 86, N 9. P. 5245−5248.
- Kosolobov S S, Nasimov D A, Sheglov D.V., Rodyakina E.E., Latyshev A.V. Atomic force nncioscopy of silicon stepped surface Phys. Low-Dim. Struct. 2002. V. 5/6. P. 231−2394
- Schelling С., Spnngholz G., Scyaffler F. Kinetic growth instabilities on vicinal Si (001) surfaces. Phys Rev. Lett 1999. V. 83, N 5. P. 995−998.
- Schelling C., Spnngholz G., Scyaffler F. New kinetic growth instabilities in Si (001) homoepitaxy. Thin Solid Films 2000. V. 369. P. 1−4.
- Apostolopoulos G, Herfort J., Daweritz L., Ploog K.H. Reentrant Mound formation in GaAs (001) homoepitaxy observed by ex situ Atomic Force Microscopy. Phys. Rev. Lett. 2000. V. 84, N 15. P.3358−3361.
- Phang Y.H., Teichert C., Lagally M.G., Peticolos L.J., Bean J.C., Kasper E. Correlated interfacial-roughness anisotropy in Si. xGex/Si superlattices. Phys. Rev. B. r 1994. V. 50, N 19 P. 14 435−14 445.
- Liu F., Lagally M.G. Self- organized nanoscale structures in Si/Ge films. Surface Science. 1997. V. 386. P. 169−181
- Guyer J.E., Barnett S A., Voorhees P.W. Morfological evolution of In0 26Gao 74AS grown under compression on GaAs (001) and under tension on InP (001). J. Cryst. Growth. 2000. V. 217 P. 1−12.
- Tersoff J. Step-Bunching Instability of Vicinal Surfaces under Stress. Phys. Rev. Lett. 1995. V. 75. P. 2730−2733.
- Guyer J.E., Voorhees P.W. Morphological Stability and Compositional Uniformity of Alloy Thin Films. J. Cryst. Growth. 1998. V 187. P. 150−160.
- Lee R.T., Fetzer С M., Jun S. W, Champan D.C., Shurtleff J.K., Stringfellow G.B., Ok Y.W., Seong T.Y. Enhencement of compositional modulation in GalnP epilayers by the addition of surfactants during organometallic vapor phase epitaxy growth. J. N
- Cryst. Growth 2001. V. 233. P. 490−502.
- Берт H. A Bepi H. A, Вавилове! Л.С., Ипагова И. П., Капитонов B.A., Мурашова А. В., Пихтин П. А., Ситникова А. А., Тарасов И. С., Щукин В. А. Спонтанно формирующиеся периодические InGaAsP-структуры с модулированным составом. -ФТП. 1999. Т 33. № 5. с. 544−549.
- Ishibaski Т., Kurihara К., Nishi К., Suzuki Т. Observation of Triple-Period-A Type Atomic Ordering in Sb-Doped Ga ()5Ino5P Alloys. Jpn. J. Appl. Phys. 2000. V. 39. P 126.
- Follstaedt D.M., Twesten R.D., Mirecki Millunchick J., Lee S.R., Jones E.D., Ahren-kiel S.P., Zhang Y., Mascarenhas A. Spontaneous lateral composition modulation in InAlAs and InGaAs short-period superlattices. Physica E. 1998. V. 2. P. 325−329.
- Guyer J.E., P.W. Voorhees. Morphological Stability and Compositional Uniformity of Alloy Thin Films. Phys. Rev (b) 1996. V. 54, N 11. P. 710.
- Glas F., Thermodynamics of a sliessed alloy with a free surface: Coupling between the morphological and compositional instabilities. Phys. Rev. 1997. V. B55, P. 11 277−11 286.
- Walther Т., Humphreys С J., Cullis A. G. Observation of vertical and lateral Ge segregation in thin undulating SiGe layers on Si by electron energy-loss spectroscopy. -Appl. Phys. Lett. 1997 V. 71. P 809−811.
- Ponchet A., Rocher A., Emery J -Y., Starck C., Goldstein L. Lateral modulations in zero-net-strained GalnAsP multilayers grown by gas source molecular-beam epitaxy. J. Appl. Phys 1993. V. 74. P. 3778−3782.
- Okada Т., Weatherly G. C, McComb D.W. Growth of strained InGaAs layers on InP substrates.-J. Appl. Phys. 1997 V 81, P. 2185−2196.
- Krapf P., Robach Y., Gendry M., Porte L. Role of the step curvature in the stabilization of coherently strained epitaxial structures. Phys. Rev. 1997. V. B55, P. 10 229−10 232.
- Chou S.T., Hsieh K.C., Cheng K. Y., Chou L.J. Growth of GaxIn,.x lateral-layer ordering process. J. Vac. Sci. Technol (b). 1995. V. 13. P. 650.
- Nosho B.Z., Bennett B.R., Whitman L J. Spontaneous growth of an InAs nanowire lattice in an InAs/GaSb superlattice. Appl Phys. Lett. 2002. V. 81, N 23. P. 44 524 454.
- Хирш П., Хови А., Николсон P, Пэшли Д., Уэлан М. Электронная микроскопия тонких кристаллов. М: Мир, 1968. 574 с.
- Амелинкс С. Методы прямого наблюдения дислокаций. М.: Мир, 1968. 440 с.
- Утевский JIM. Дифракционная электронная микроскопия в металловедении. М.: Металлургия. 1973. 583 с.
- Григорьев С.М., Косевич В.М и др. Электронномикроскопические изображения дислокаций и дефектов упаковки. М.: Наука, 1976. 224 с.
- Томас Г., Гориндж М Дж. Просиечивающая элекгронная микроскопия материалов. под ред. Вайнштейна Б. К М.: Наука, 1983. 316 с.
- Bakker Н., Blceker A., Mul P. HRTEM Imaging of Atoms at Sub-Angstrom Resolution. Ultramicroscopy. 1996. V 64. P. 17−34.
- Спенс Дж. Экспериментальная злектронная микроскопия высокого разрешения, под ред. Рожанского В. Н. М.: Наука, 1986.
- Reimer L. Transmission Electron Microscopy. Springer-Verlag: Springer Series in Optical Sciencc, 1984. V. 36
- Каули Дж. Фишка дифракции подред Пинскера З.Г. М.-Мир, 1979.
- Glaisner R. W, Spargo А.Е., Smith D J A theoretical, analysis of HREM imaging for tetrahedral semiconductors. Ultiamicroscopy. 1989. V. 27. P. 117−127.
- Saxton W.O., Smith D.J. The realization of atomic resolution with the electron microscope. Ultramicroscopy. 1985. V 18. P. 39−45.
- Mobus G. Retrieval of crystal dcfect structures from HREM images by simulated evolution I. Basic technique. Ultramicroscopy. 1996. V. 65. P. 205−216.
- Sabinina I.V., Gutakovsky A.K., Sidorov Yu.G., Latyshev A.V. Nature of V-shaped defects in HgCdTe epilayers grow n by molecular beam epitaxy. J. Crystal Growth. 2005. V. 274. P. 339−346.
- Сабинина ИВ., Гутаковский, А К., Сидоров Ю. Г., Латышев А. В. Образование прорастающих дефектов при молекулярпо-лучевой эпитаксии CdHgTe. Поверхность. 2005. № 11, с. 6−11.
- Бударных В.И., Гутаковский А. К., Дворецкий С. А., Карасев В. Ю., Киселев k Н.А., Сабинина И. В., Сидоров Ю. Г., Стенин С. И. Двойникование в пленках
- CdTe (111) на подложках GaAs (100).- Доклады АН 1989. т.304, № 3, с. 604−607.
- Гутаковский А.К., Елисеев В М., Любинская P.M., Лях Н. В., Мардежов, А.С., Петренко И. П., Покровский Л Д, Сабинина И. В., Сидоров Ю. Г., Швец В. А. Исследование состояния поверхности CdTe Поверхность. 1988. № 9. с. 604−607.
- Cullis A.G. Microscopy of Semiconducting Materials. Bristol: Inst. Phys. Conf. 1985. Ser. 76.
- Рубанов C.B., Пинтус C.M., Г> 1аковский А.К. Изготовление поперечных срезов гетерофазных эпитаксиальных струк1ур для просвечивающей электронной микроскопии Приборы и 1ехника эксперимента. 1989. Т. 3. с. 190.
- Cullis A.G., Chew N. G Formation and elimination of surface ion milling defects in cadmium tellunde, zinc sulphide and zinc selenide. Ultramicroscopy. 1985. V. 17. P. 203−212.
- Wang C., Smith David J., Tobin S., Parodos Т., Zhao Jun, Chang Y., Sivananthan S. Understanding ion-milling damage in Hg. xCdxTe epilayers. J. Vac. Sci. Technol. 2006. V. 24, N4. P. 995−1000.
- Chew N.G., Gullis A.G. The preparation of transmission electron microscope specimens from compound semiconductors by ion milling. Ultramicroscopy. 1987. V. 23. P. 175−198.
- Sabmina I. V, Gutakovsky A. K Preparation of ТЕМ samples from compound semiconductors by chemomechamcal polishing. Ultramicroscopy. 1992. V. 45. P. 411 415.
- Sabmina I. V, Gutakovsky A. K, Milenov T.I., Lyakh N.N., Sidorov Y.G., Gospodi-nov M.M. Melt-growth of CdTe crystals and transmission electron microscopic investigations of their grain boundaries. Cryst. Res. Technol. 1991. V. 26. P. 967−972.
- Binning G., Quate C.F., Gerber Ch. Atomic force microscope. Phys. Rev. Lett. 1986. V. 56, N9. P. 930−933.
- Sarid D. Scanning Force Microscopy. Oxford: Oxford University Press, 1994.
- Бараш Ю.С. Силы Ван-дер-Ваальса. M: Паука, 1988 344 С.
- Magonov S.N., Elings V., Whangbo М.Н. Phase imaging and stiffness in taping-^ mode atomic force microscopy. Surf. Sci., 1997. V. 375. L. 385−391.
- Zhong Q., Inniss D., Elings V.B. Fractured polymer/silica fiber surface studied by tapping mode atomic force microscopy. Surf. Sci. 1993. V. 290. L. 688.
- Cleveland J.P., Anczykowski В., Schmid E., Elings V. Energy dissipation in tapping-mode atomic force microscopy. Appl. Phys. Lett. 1998 V. 72. P. 2613−2615.
- Anczykowski В., Gotsmann В, Fuchs H at al. Energy Dissipation in AFM and Atomic Loss Processes. Appl. Surf. Sci. 1999. V. 140. P. 376−382.
- Сабинина И В., Гутаковский А. К., Сидоров Ю. Г., Варавин B.C., Якушев М. В., Латышев А. В. Наблюдение ашифазных доменов в пленках CdxHgi хТе на кремнии методом фазового контраст в атомно-силовой микроскопии. Письма в ЖЭТФ. 2005. т. 82, вып. 5. с. 326−330.
- Faurie J.P., Hsu С., Sivananthan S., ChuX. CdTe-GaAs (100) interface: MBE growth, RHEED and XPS characterization. Surf. Sci. 1986. V. 168, N 1/3, P. 473 482.
- Ponce F.A., Anderson G. B, Ballmgall J.M. Interface structure in heteroepitaxial CdTe on GaAs (100). Surf. Sci 1986. V. 168, N 1/3. P. 564−570.
- Милохин E А., Калинин В В, Кузьмин В Д., Сабинина И. В., Сидоров Ю. Г., Дворецкий С А. Фотолюминесценция пленок (11 l) CdTe, выращенных на (100) GaAs методом молекулярно-л) чевой эпитаксии.- ФТТ. 1991. т. 33, с. 1155−1160.
- Сидоров Ю.Г., Варавин B.C., Дворецкий С. А., Либерман В. И., Михайлов Н. Н., Сабинина И. В., Якушев М. В. Рост пленок и дефектообразование в HgCdTe при молекулярно-лучевой эпитаксии. Рост кристаллов, 1995. т. 20. стр. 45−56.
- Sabinina I.V., Gutakovskii А. К, Sidorov Yu.G., Kuzmin V.D. Defect formation during MBE Growth of CdTe (111). Phys. Stat. sol. (a). 1991. V. 126. P. 181−188.
- Sabinina I.V., Gutakovskii A. K, Sidorov Yu.G., Dvoretsky S.A., Kuzmin V.D. Defect formation during growth of CdTe (111) and HgCdTe films by molecular beam epitaxy. J. Cryst. Growth. 1992 V 117. P. 238−243.
- Hornstra J. Dislocations in the diamond lattice. J. Phys. Chem. Solids. 1958. V. 5. P. 129−141.
- Чернов A.A. Современная кристаллография. M.: Москва. 1980. С. 3−63.
- Dvoretsky S.A., Gutakovsky A. K, Karasev V.Yu., Kiselev N.A., Sabinina I.V., Sidorov Yu.G., Stenin S.I. Twinning in CdTe (111) films on (100) GaAs substrates. Inst. Phys. Conf., 1988. V. 2, N 93. P 407−408.
- Gibert J., Gobil Y., Saminadayar K., Tatarenko S., Chmi A., Feuillet G., Le Si Dang, Ligeon E. Growth of (111) CdTe on tilted (001) GaAs. Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. P. 828−830.
- Гутаковский A.K., Дворецкий C.A., Иванов И. С., Сабинина И. В., Сидоров Ю. Г. Влияние ориентации подложки на образование дефектов структуры в пленках HgCdTe. Труды конференции по электронным материалам. Новосибирск, 1992. с. 266−267.
- Sidorov Yu.G., Yakushev МЛ., Pridachin D.N., Varavin V.S., Burdina L.D. The heteroepitaxy of II-VI compounds on the non-isovalent substrates (ZnTe/Si). Thin solid films. 2000. V. 367. P. 203−209.
- Gutakovsky A.K., Katkov A. V, Katkov M.I., Pchelyakov O.P., Revenko M.A. Effect of Ga predeposition layer on the growth of GaAson vicinal Ge (0 0 1). J. Cryst. Growth. 1999. V. 201/202. P. 232−235.
- Narayanan V., Mahajan S., Bachmann K.J., Woods V., Dietz N. Antiphase boundaries in GaP layers grown on (001) Si by chemical beam epitaxy. Acta Materialia. 2002. V. 50. P 1275−1287.
- Yakushev M.V., Babenko A., Ikusov D., Kartashov V., Mikhailov N.N., Sabinina I.V., Sidorov Yu.G., Vasiliev V.V. Defects at MBE MCT heteroepitaxy on GaAs (301) and Si (301) substrates Proc. SPIE. 2005 V. 5957. P. 590−597.
- Tardot A., Hamoudi A., Magnea N. Interdiffusion studies in CdTe/HgTe superlat-tices. Semicond. Sci. Technol. 1993. V. 8. P. 276−280.
- Wei S.H., Ferreira L.G., Zunger A. First-principles calculation of temperature-composition phase diagrams of semiconductor alloys Phys. Rev. (b). 1990. V. 41, N 12. P. 8240.
- Brebrick R.F., Su С -H., Liao P.-K. Conductors and Semimetals. ed. Willardson R.K. and Beer A.C. NY: Academic Press. 1983. V. 19.
- Berger Paul R., Chang Kevin, Bhattacharya Pallab, Smgh Jasprit. Role of strain and growth conditions on the growth front profile of InxGa! xAs on GaAs during the pseudomorphic growth regime. Appl. Phys. Lett. 1988. V. 53. P. 684−686.
- Leonard F., Desai R.C. Alloy decomposition and surface instabilities in thin films. -Phys. Rev. 1998. V. B57, P. 4805
- Задумкин С H. Приближенный расчет поверхностной энергии некоторых полупроводников со структурой алмаза и цинковой обманки. ФТТ. 1960. т. 2, № 5, с. 878−882.
- Martrou D., Magnea N. Equilibrium shape of steps and islands on polar CdTe (OOl) surface: application to the preparation of self organized templates for growth of nanostructures Thin solid films. 2000. V. 367. P. 48−57.
- Matthews J.W., Blakeslee A. E, Mader S. Use of misfit strain to remove dislocations from epitaxial thin films. Thin Solid Films. 1976. V. 33. P. 253−266.
- Berding M.A., Nix W. D, Rhiger D.R., Sen S., Sheer A. Critical Thickness in the HgCdTe/CdZnTe System. J. Electron. Mater. 2000. V. 29. P 676−679.
- Handbook of Chemistry and Physics. 74th edition London- Tokyo: CRC Press, 1993−94.P. 3050.