Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Туннельные и эмиссионные акселерометры на основе микроэлектромеханических систем

Диссертация: Туннельные и эмиссионные акселерометры на основе микроэлектромеханических систем
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Впервые проведены прямые статические измерения проявлений поперечного пьезоэлектрического эффекта в микроконсолях, направленных по ортогональным диагональным осям и, изготовленных на основе эпитаксиальных слоев ОаАэ и АЮаАБ. При подаче постоянного напряжения обнаружено взаимно противоположное движение микроконсолей длиной до 100 мкм, определены константы пьезоэлектрического модуля, совпадающие… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Микроэлектромеханические системы для датчиков физических величин обзор литературы)
    • 1. 1. Введение
    • 1. 2. Технология МЭМС
    • 1. 3. МЭМС двигатели
    • 1. 4. Модель акселерометра
    • 1. 5. В иды акселерометров
    • 1. 6. Туннельный МЭМС сенсор
  • Глава 2. Датчики туннельно-эмиссионных акселерометров
    • 2. 1. Введение
    • 2. 2. Обсуждение конструкции и оптимальной геометрии электродов эмиссионного акселерометра
    • 2. 3. Экспериментальные исследования эмиссионного акселерометра
    • 2. 4. Выводы
  • Глава 3. Изготовление и исследование микроконсолей для применений в МЭМС датчиках физических величин
    • 3. 1. Введение
    • 3. 2. Изготовление микроконсолей на основе материалов с различным кристаллическим совершенством
    • 3. 3. Изучение механических свойств микроконсолей с помощью атомно-силового микроскопа
    • 3. 4. Обращение изгиба микроконсоли при введении дополнительных упруго-напряженных слоев
    • 3. 5. Изгиб микроконсолей при изменении температуры
    • 3. 6. Исследование электромеханических свойств МЭМС с электростатическим управлением
    • 3. 7. Выводы
  • Глава 4. Анизотропный пьезоэффект в микроэлектромеханических системах на основе эпитаксиальных гетероструктур GaAs/AlAs и Alo^Gao^As/AlAs
    • 4. 1. Введение
    • 4. 2. Пьезоэффект в кристалле GaAs (OOl)
    • 4. 3. Формирование пьезоэлектрических микроконсолей для МЭМС
    • 4. 4. Исследование статических и динамических смещений консолей
    • 4. 5. Выводы
  • Глава 5. Микроэлектромеханический туннельный датчик для акселерометра
    • 5. 1. Введение
    • 5. 2. Изготовление МЭМС структуры с туннельным зазором
    • 5. 3. Исследование характера токопереноса через зазор в МЭМС на основе структуры кремний на изоляторе
    • 5. 4. Исследование электромеханических свойств МЭМС с туннельным зазором
    • 5. 5. Выводы

Туннельные и эмиссионные акселерометры на основе микроэлектромеханических систем (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

В своем выступлении в Калифорнийском технологическом институте на ежегодной встрече Американского физического общества 29 декабря 1959 года Ричард Фейнман предсказал огромные возможности, которые открывает микроминиатюризация элементной базы. Выступление называлось «There's Plenty of Room at the Bottom» — «Там внизу полно места» [1]. В этой лекции он сказал, что если использовать для записи одного бита информации 100 атомов, то для записи всех книг, написанных человечеством, потребуется кубик размером в одну двухсотую дюйма — это пылинка, которую еле различает человеческий глаз. Эти его предсказания уже во многом сбылись. Развитие микроэлектроники привело к широкому распространению компьютеров. Первые компьютеры, основанные на лампах, занимали целые здания и нуждались в огромном энергопотреблении. Современные компьютеры, обладающие несравненно большей вычислительной мощностью, являются компактными и питаются от аккумулятора. Миниатюризация элементной базы привела к появлению принципиально новых систем передачи и хранения информации. Микроминиатюризация происходит не только в электронике. Вслед за микроэлектроникой появилась и микромеханика, представленная микроэлектромеханическими системами — МЭМС. Возможно, в недалеком будущем получат распространение ещё более миниатюрные наноэлектромеханические системы — НЭМС.

Актуальность темы

.

Важнейшей задачей микромеханики является создание и развитие элементной базы МЭМС и изучение основных физических принципов функционирования этих систем. В отличие от макроскопических систем, в МЭМС большое значение имеют силы Ван-дер-Ваальса, капиллярные силы, упругие напряжения, могут оказаться заметны квантовые эффекты. Поэтому нельзя создать прямые МЭМС аналоги макроскопических механизмов путем простого масштабирования. Способы создания МЭМС так же радикально отличаются от привычной механической обработки. На сегодняшний день МЭМС представлены на рынке в основном микропереключателями [2], варакторами [3] и датчиками физических величин [4] - давления, ускорения и гироскопами. Все эти элементы выполняются интегрированными в микросхемы (in chip), что приводит к существенной экономии места и удешевлению прибора. Конструктивными элементами этих устройств являются микроразмерные балки, консоли и мембраны, изготовленные методами литографии и селективного травления [5]. Актуальной задачей является создание высокочувствительных МЭМС акселерометров, гироскопов и датчиков давления для применений в автомобилестроении, робототехнике, гидроакустике, системах навигации и др. Высокой чувствительностью к смещению обладают датчики, использующие туннельный ток для регистрации расстояния между электродами. Туннельный акселерометр, созданный группой Kenny et. al. [6] в 2001 году продемонстрировал.

8 ½ разрешение 2−10″ g/Гц на частотах до 1,5 кГц. Характерные значения туннельного тока составляют величину порядка 1 нА при напряжениях порядка 0,1 В и расстоянии 1 нм между электродами. В макроскопических системах такое расстояние между подвижными электродами не может существовать продолжительное время из-за термодрейфов, вибраций и акустических шумов. Это хорошо известно из опыта эксплуатации сканирующих туннельных микроскопов. Поэтому, для поддержания неизменной величины туннельного зазора приходится использовать двигатель и петлю обратной связи по току. При микроминиатюризации такого датчика и переходе к МЭМС смещения за счет термодрейфов и термических градиентов уменьшаются пропорционально размеру. Это может позволить в перспективе отказаться от использования двигателя и петли обратной связи, что должно сильно упростить и удешевить конструкцию акселерометра. Но при переходе к МЭМС возникает ряд других проблем, таких, как рост влияния термомеханического шума с уменьшением размера [7], утечки тока, залипание подвижных электродов из-за сил Ван-дер-Ваальса и других, не характерных для макроскопических систем. Рассмотрению актуальных на сегодняшний день физических принципов создания базовых элементов МЭМС и исследованию их свойств посвящена данная диссертационная работа.

Цель работы.

Целью диссертационной работы состояла в разработке физических основ технологий и экспериментальном исследовании физических свойств базовых элементов МЭМС, предназначенных для применений в первичных датчиках акселерометров.

Научная новизна.

Научная новизна работы определяется оригинальностью поставленных экспериментов, полученными новыми результатами, и заключается в следующем.

1. Показано, что в режиме регистрации автоэмиссионного тока чувствительность акселерометра пропорциональна току, который при плоскопараллельных электродах пропорционален их площади, в отличие от традиционных эмиссионных игольчатых катодов. При этом, зависимость тока от расстояния между электродами является экспоненциальной. Впервые показано, что для обеспечения максимальной чувствительности акселерометра, работающего в режиме эмиссионного тока, следует отказаться от традиционных эмиссионных игольчатых катодов и использовать плоские электроды.

2. Впервые изготовлен датчик акселерометра с квазиплоскими электродами, работающий в туннельном и эмиссионном режимах протекания тока. Порог обнаружения составил менее lO'4g/^Jгц в первом режиме и менее.

ВіЩ во втором режиме в диапазоне частот до 6 кГц. Показано, что эмиссионный режим (напряжение смещения ~ 100 В, ток ~ 100 нА при зазоре между электродами ~ 100 нм) сохраняется десятки минут в лабораторных условиях при разомкнутой обратной связи.

3. Впервые проведены прямые статические измерения проявлений поперечного пьезоэлектрического эффекта в микроконсолях, направленных по ортогональным диагональным осям [110] и [1І0], изготовленных на основе эпитаксиальных слоев ОаАэ и АЮаАБ. При подаче постоянного напряжения обнаружено взаимно противоположное движение микроконсолей длиной до 100 мкм, определены константы пьезоэлектрического модуля, совпадающие по величине со справочными значениями, что служит доказательством пьезоэлектрической природы функционирования микродвигателя.

4. Впервые создан макет акселерометра с пассивным туннельным датчиком смещения вместо традиционной конструкции с двигателем и обратной связью по току [6]. Технология основана на разрезании сфокусированным ионным пучком тонкого кремниевого моста в структуре кремний на изоляторе (КНИ) с последующим напылением платины в зону микроконтактов. Разрешающая способность акселерометра не хуже 2,2g/л[Гц, частота собственного резонанса находится в диапазоне нескольких МГц.

Научная и практическая ценность.

1. Оптимизирована конструкция эмиссионного акселерометра. Предложена плоскопараллельная геометрия электродов для эмиссионного акселерометра, позволяющая достигнуть максимальной чувствительности. Техническое решение защищено патентом Российской Федерации.

2. Предложен способ реализации квазиплоских электродов на основе скрещенных цилиндрических кварцевых волокон, покрытых золотом и расположенных друг от друга на расстоянии много меньше их радиуса. Разработан и создан макет высокочувствительного туннельно-эмиссионного акселерометра с активной системой поддержания тока, имеющий разрешение не хуже ~4g/¦sfГц на частотах до 6 кГц.

3. Показана возможность создания датчика смещения туннельно-эмиссионного акселерометра без активной системы поддержания тока.

4. Предложена методика измерения жёсткости кантилеверов и оценки упругих напряжений в тонких металлических плёнках на поверхности микроконсолей. В частности, показана возможность создания металлической плёнки (N1) на поверхности ваАз с малыми упругими напряжениями.

5. Создан макет переменного конденсатора на основе МЭМС, представляющий собой подвижную золотую мембрану расположенную над металлизированной подложкой ваАБ.

6. Разработан и изготовлен макет МЭМС биморфного пьезодвигателя на основе микроконсолей ваАБ или АЮаАБ. Направление изгиба микроконсолей зависит от их ориентации на плоскости ОаА5(ОС)1). Максимальное статическое смещение достигает 60 нм при частоте низшей резонансной моды около 160 кГц.

Положения, выносимые на защиту.

1. Геометрия квазиплоских электродов обеспечивает максимальную чувствительность эмиссионного датчика смещения.

2. Изгибом микроконсолей, изготовленных из монокристаллических и поликристаллических материалов, можно управлять путём магнетронного напыления на их поверхность металлических плёнок с различными внутренними упругими напряжениями. Напыление Та изгибает микроконсоль вниз, а Сг — вверх. Напыление N1 оказывает минимальное воздействие.

3. На основе эпитаксиальных структур ваА^ и АЮаАв возможно создание МЭМС биморфного пьезодвигателя. Величина максимального смещения такого двигателя определяется электрическим полем пробоя материала. Микроконсоли, ориентированные вдоль ортогональных осей [110] и [1 1 0], смещаются в противоположные стороны, что увеличивает величину их взаимного относительного перемещения в 2 раза.

4. Возможно создание датчика смещений на основе МЭМС с нанометровым зазором между электродами, обеспечивающим протекание туннельного/эмиссионного тока, при сохранении заметной подвижности электродов относительно друг друга без применения активной системы поддержания величины туннельного/эмиссионного зазора.

Апробация работы.

Основные результаты диссертации были представлены на следующих отечественных и зарубежных конференциях:

International Workshop «Scanning Probe Microscopy — 2004», Nizhny Novgorod,.

2−6 May 2004;

7th Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials &.

Technologies, EXMATEC'04, Montpellier, France, June 1−4, 2004;

I Международном Форуме по Нанотехнологиям «Rusnanotech08», Москва 315 декабря 2008; а также на внутренних семинарах ИФМ РАН. Публикации.

По теме диссертации имеется 14 работ, из них 10 статей в отечественных и зарубежных реферируемых журналах и сборниках, один патент на изобретение и 3 тезиса в сборниках докладов и трудов конференций.

Личный вклад автора в проведенные исследования.

Диссертант принимал участие в постановке и решении задач, проведении измерений, обработке и обсуждении полученных результатов, а также в комплексном анализе влияния технологических факторов на всех стадиях формирования структур для оптимизации процессов с целью достижения их наилучших характеристик. В работах [А1,А2,А6-А10] вклад автора является определяющим с точки зрения изготовления объекта исследования, построения измерительных систем, проведения измерений, в работах [АЗ-А5, А11-А14] -равноценным.

Объем и структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, приложения и списка литературы, включающего в себя список цитированной литературы и список работ автора по теме диссертации. В начале каждой главы дается краткий обзор состояния соответствующих исследований. Общий объем диссертации составляет 122 страницы, включая 90 страниц основного текста, 77 рисунков,.

5.5. Выводы.

Впервые экспериментально продемонстрирована возможность создания микроэлектромеханического туннельного датчика для акселерометра без актуатора и обратной связи по току. Технология реализована для структуры кремний на изоляторе.

Изготовлен макет «жёсткого» туннельного акселерометра на основе МЭМС, где нанометровый туннельный зазор создан путём разрезания кремниевой балки сфокусированным ионным пучком с последующим напылением платины на края полученного разреза. На частоте до 3 кГц разрешающая способность.

1 Ю акселерометра оказалась не хуже 2,2 g/Гц. Частота низшей моды механических колебаний датчика находится в диапазоне нескольких МГц.

Заключение

.

В диссертации получены следующие основные результаты:

1. Показано, что максимальная чувствительность акселерометра в режиме регистрации эмиссионного тока достигается при квазиплоских, а не игольчатых электродах.

2. Изготовлен датчик акселерометра, который может работать в двух режимах протекания тока — туннельном и эмиссионном, с разрешением ~ 1СУ4g/^?Гц в первом и ~ 80 втором режиме в диапазоне частот до.

6 кГц. В эмиссионном режиме характерные расстояния между электродами ~ 100 нм, напряжения смещения ~ 100 В и ток ~ 100 нА. Такой рабочий режим в лабораторных условиях сохраняется долгое время (десятки минут) при отключенной обратной связи.

3. Разработаны методы управления изгибом микроконсолей. При напылении различных металлов (Та, Сг, N1) на микроконсоль изменяется направление и радиус ее изгиба, причем, обратимым образом. Для биморфной микроконсоли есть дополнительная возможность прецезионного управления изгибом путем изменения ее температуры. Данные методы могут быть использованы для получения контролируемого субмикронного зазора между электродами в различных первичных сенсорах.

4. Исследовано проявление поперечного пьезоэлектрического эффекта в микроконсолях на основе ваАБ и АЮаАз. На основе эпитаксиальных структур ОаАз/АЮаА8(001) сформированы биморфные пьезоэлектрические микроконсоли, ориентированнь1е вдоль ортогональных направлений [110] и [110]. При подаче постоянного смещения происходит изгиб микроконсолей в противоположных направлениях. Смещение концов микроконсолей длиной 100 мкм достигает ~ 60 нм в статическом режиме и ~ 1 мкм вблизи резонансной частоты166 кГц.

5. Создан макет микроэлектромеханического туннельного датчика для акселерометра без активной системы поддержания величины туннельного тока. Туннельный зазор сформирован путем разрезания моста из кремния в структуре КНИ сфокусированным ионным пучком и последующего напыления платины на электроды. Реализована конструкция с относительно жёсткими микроконсолями-электродами, имеющая частоту низшей моды механических колебаний ~ 2 МГц. В диапазоне частот до единиц кГц разрешение составило 2,2 g/^¡-Гц .

Показать весь текст

Список литературы

  1. Feynman Richard P. There’s Plenty of Room at the Bottom //Caltech Engineering and Science. V.23. — 5. — 1960. — P.22−36.
  2. Kim J.M. Electrostatically driven low-voltage micromechanical RF switches using robust single-crystal silicon actuators /J.-М. Kim, S. Lee, J.-H. Park, C.-W. Baek, Y. Kwon and Y.-K. Kim //J. Micromech. Microeng. 2010. — V.20. — N.9. — P.95 007.
  3. B.A. Микроэлектромеханические инерционные преобразователи физических величин: типовые варианты исполнения. //МСТ. 2004. — № 2. -С.2−5.
  4. Ilic В. Attogram detection using nanoelectromechanical oscillators /В. Ilic, H. G. Craighead, S. Krylov, W. Senaratne, C. Ober, and P. Neuzil //J. Appl. Phys. 2004. — V.95. — No.7. — P.3694.
  5. Liu C.-H. A high-precision, wide-bandwidth micromachined tunneling accelerometer. /С.-Н. Liu and T. W. Kenny. //J. of Microelectromech. System, -2001, — 10. -P.425−433.
  6. Gabrielson T. B. Mechanical-thermal noise in micromachined acoustic and vibration sensors. //IEEE Transactions on Electron Devices. 1993. — 40. — P.903−909.
  7. Физические величины /Под ред. И. С. Григорьева, Е. З. Мейлихова, М. Энергоатомиздат.1991. 1232с.
  8. Simmons J. G. Generalized Formula for the Electric Tunnel Effect between Similar Electrodes Separated by a Thin Insulating Film //J. Appl. Phys. 1963. — V.34. -P.1793−1803.
  9. Lee I. Development and analysis of thevertical capacitive accelerometer /I. Lee, G. H. Yoon, J. Park, S. Seok, K. Chun, K. Lee //Sensors and Actuators A. 2005. -V.119. -P.8−18.
  10. Chollet F. A (not so) short introduction to MEMS /F. Chollet, H. Liu, //(http://memscyclopedia.org/introMEMS.html (18.2.2008))
  11. Beeby S. MEMS mechanical sensors /S. Beeby, G. Ensell, M. Kraft, N. White, //Artech house inc., USA, 2004,
  12. E. А. Возможности микроэлектромеханических систем //HMCT2009.-№ 1.-С.47−50.
  13. Zorman С. Material Aspects of Micro- and Nanoelectromechanical Systems Springer Handbook of Nanotechnology. /Zorman C- Mehregany, //M. SpringerVerlag Berlin Heidelberg. 2007. — Р.299/
  14. В. ВЧ МЭМС и их применение /В. Вардан, К. Виной, К. Джозе, //ИЦ «ТЕХНОСФЕРА». 2004. — 528 стр.
  15. Ekinci К. L. Ultimate limits to inertial mass sensing based upon nanoelectromechanical systems /К. L. Ekinci, Y. T. Yang, and M. L. Roukes // J. Appl. Phys. 2004. — V.95. — 5. — 2682.
  16. Guangtao D. MEMS magnetic field sensor based on silicon bridge structure /D. Guangtao, C. Xiangdong, L. Qibin, L. Hui, G. Huihui//Journal of Semiconductors.2010. V.31. — No. 10. — P. 104 011.
  17. Zachary J. Aluminum nanocantilevers for high sensitivity mass sensors /J. D. Zachary and A. Boisen //Appl. Phys. Lett. 2005. — V.87. -No.l. — P.13 102.
  18. Ilic B. Virus detection using nanoelectromechanical devices /В. Ilic, Y. Yang, and H. G. Craighead //Appl. Phys. Lett. -2004. -V.85. No. 13. — P.2604.
  19. Yamaguchi H. Application of InAs Freestanding Membranes to Electromechanical Systems /Н. Yamaguchi, R. Dreyfus, S. Miyashita and Y. Hirayama //Jpn. J. Appl. Phys. 2002. — V.41. — P.2519−2521.
  20. Koppaka, S.B. Release processing effects on laser repair of stiction-failed microcantilevers. //Journal of Microelectromechanical Systems. 2005. — V.14. -No.2. -P.410−418.
  21. Luber S.M. Nanometre spaced electrodes on a cleaved AlGaAs surface. / S. M. Luber, S. Strobel, H.-P. Tranitz, W. Wegscheider, D. Schuh, M Tornow //Nanotechnology. 2005. — V. 16(8). — P.1182−1185.
  22. Krahne R. Nanoparticles and nanogaps: controlled positioning and fabrication /R. Krahne, T. Dadosh, Y. Gordin, A. Yacoby, H. Shtrikman, D. Mahalu, J. Sperling, I. Bar-Joseph //Physica E. 2003. — V.17. — P.498−502.
  23. Prinz V.Ya. Elastic silicon-film-based nanoshells: formation, pripeties, and application /V.Ya.Prinz, S.V.Golod //Journal of Applied Mechanics and Technical Physics. 2006. — V.47(6). — P.868−878.
  24. Prinz V.Ya. Precise, molecularly thin semiconductor shells: from nanotubes to nanocorrugated quantum systems //Phys. Stat. Sol. (b). 2006. — V.243(13). -P.3333−3339.
  25. Prinz V.Ya. Novel technique for fabrication of one- and two-dimensional systems /V.Ya. Prinz, V.A. Seleznev, A.K. Gutakovsky //Surface Science. 1995. -V.331/362. -P.886−889
  26. В.Я. Упругие нанооболочки на основе кремниевых пленок: формирование, свойства и практическое применение /В.Я.Принц, С. В. Голод, //ПМФТ. 2006. — V.47(6). — С.114−128.
  27. Prinz V.Ya. Precise semiconductor, metal and hybrid nanotubes and nanofibers. In: «Nanoengineered Nanofibrous Materials» //NATO Science Series, II. Mathematics, Physics and Chemistry. 2004. — V.169. P.47−63.
  28. Prinz V.Ya. Precise semiconductor nanotubes and nanoshells fabricated on (110) and (111) Si and GaAs //Physica E. 2004. — V.23. — P.260−268.
  29. Prinz V.Ya. Precise semiconductor nanotubes and nanocorrugated quantum systems //Physica E. 2004. — V.24. — P.54−62.
  30. В.Я. Самоформирующиеся полупроводниковые микро- и нанотрубки /В.Я.Принц, В. А. Селезнев, А. В. Чеховский //Микросистемная техника. 2003. — № 6. — С. 10−16.
  31. Prinz A.V. Application of semiconductor micro- and nanotubes in biology /A.V. Prinz, V. Ya Prinz //Surface Science. 2003. — V.911. — P.532−535.
  32. В.Я. Трехмерные самоформирующиеся наноструктуры на основе свободных напряженных гетеропленок //Известия ВУЗов, серия: Физика. -2003. -Т.46. С.35−43.
  33. Vorob’ev А. В. Directional rolling of strained heterofilms /А. В. Vorob’ev and V. Ya. Prinz //Semicond. Sci. Technol. 2002 — V.17. — P.614 — 616.
  34. Prinz V. Ya. Free-standing and overgrowth InGaAs/GaAs nanotubes, nanohelicies and their arrays. /V. Ya. Prinz, V. A. Seleznev, A. K. Gutakovsky, A. V. Chehovskiy, V. // Physica E. 2000. — V.6. — P.828 — 831.
  35. Fernandez-Martinez I. Parallel nanogap fabrication with nanometer size control using III-V semiconductor epitaxial technology /I. Fernandez-Martinez, Y. Gonzalez, F. Briones //Nanotechnology. 2008. — V.19. — P.275 302.
  36. Kiefer T. Large arrays of chemo-mechanical nanoswitches for ultralow-power hydrogen sensing /Т Kiefer, A Salette, L G Villanueva and J Brugger //J. Micromech. Microeng. 2010 — V.20. — N. 10. — P. 105 019.
  37. Grade, J.D. Design of large deflection electrostatic actuators / J.D.Grade, H. Jerman, T.W. Kenny //Journal of Microelectromechanical Systems. 2003. — V.12. — No.3. -P.335−343.
  38. Hassanzadeh, A. Design considerations for basic MEMS electrostatic actuators /41st Southeastern Symposium on System Theory, SSST 2009: Proceedings, March 1517, 2009.-P. 271−273.
  39. Zine-El-Abidine I. Tunable radio frequency MEMS inductors with thermal bimorph actuators /I. Zine-El-Abidine, M. Okoniewski, J. G. McRory //J. Micromech. Microeng. 2005. — V. 15. — No. 11. — P.2063.
  40. Conway N.J. A strain amplifying piezoelectric MEMS actuator /N. J Conway, Z. J. Traina and S.-G. Kim //J. Micromech. Microeng. 2007. — V.17. — P.781−787.
  41. Ongkodjojo, A. Micromachined III-V multimorph actuators for MOEMS applications concept, design, and model I A. Ongkodjojo, F.E.H. Tay, R. Akkipeddi, //Journal of Microelectromechanical Systems. — 2005. — V.14. — No.3. P.610−618.
  42. Rebeiz GMRF MEMS Theory, Design and Technology 2003. — Hoboken NJ: Wiley.
  43. Rebeiz G M Tuning in to RF MEMS /G. Rebeiz, M. Entesari, K. Reines //IEEE Microw. Mag. 2009. — V. 10. — P.55−72.
  44. ГОСТ 18 955–73 Акселерометры низкочастотные линейные. Термины и определения //1973 Издательство стандартов — Москва.
  45. DeVoe D.L. A fully surface-micromachined piezoelectric accelerometer /D.L.DeVoe and A.P.Pisano //Proc. Solid-State Sensors and Actuators. 1997. -P.1205−1208.
  46. Tadigadapa S. Piezoelectric MEMS sensors? state-of-the-art and perspectives / S. Tadigadapa and K. Mateti //Meas. Sci. Technol. 2009. — V.20. — P.92 001.
  47. Plaza J. Piezoresistive accelerometers for MCM package /J. Plaza, A. Collado, E. Cabruja, and J. Esteve, //J. Microelectromech. Syst. 2002. — V. l 1. No.6. — P.794−801.
  48. Partridge A. A High-Performance planar piezorezistive accelerometer /A.Partridge, J.K.Reynolds, B.W.Chui, E.M.Chow, A.M.Fitzgerald, L. Zhang, S.R.Cooper and T.W.Kenny //Proc. Solid-State Sensors and Actuators Workshop (Hilton Head'98) -1998.-P.59−64.
  49. Lim M.K. A micromachined piezoresistive accelerometer with high sensitivity: design and modelling /M.K.Lim, H. Du, C. Su, W.L.Jin //Microelectronic Engineering. 1999. — V.49. — P.263−272.
  50. Xue C. Development of a novel two axis piezoresistive micro accelerometer based on silicon /С. Xue, S. Chen, H. Qiao, W. Zhang, J. Xiong, B. Zhang, and G. Zhang, //Sens. Lett. 2008. — V.6. — P. 149−158.
  51. GURALP Broadband Seismometer, Guralp Systems Ltd. U.K.
  52. Chau K.L. An integrated force-balanced capacitive accelerometer for low-g applications. /K.L.Chau, S.R.Lewis, Y. Zhao, R.T.Howe, S.F.Bart, and R.G.Marcheselli //Proc. Solid-State Sensors and Actuators (Transducers'95). -1995. P.593−596.
  53. Bernstein J.W. Low-noise MEMS vibration sensor for geophysical application /J.W.Bernstein, R. Miller, W. Kelley, and P. Ward //Proc. Solid-State Sensors and Actuators Workshop (Hilton Head'98). 1998. P.55−58.
  54. Chae J. A monolithic three-axis micro-g micromachined silicon capacitive accelerometer /J. Chae, H. Kulah, and K. Najafi J. //Microelectromech. syst. 2005. -V.14. No.2. — P.235−242.
  55. Farahani H. Design, fabrication and analysis of micromachined high sensitivity and 0% cross-axis sensitivity capacitive accelerometers /Н. Farahani, J. K. Mills, and W. L. С leghorn //Microsyst. Technol. 2009. — V.15. — P. 1815−1826.
  56. Biswas K. MEMS capacitive accelerometers /К. Biswas, S. Sen, and P. K. Dutta //Sens. Lett. 2007. — V.5. — P.471−484.
  57. Boser B.E. Surface micromachined accelerometers /B.E.Boser and R.T.Howe //IEEE J. Solid-Stale Circuits 1996. — V.31. — No.3. — P.366−375.
  58. Scanning Tunneling Microscopy and Related Methods /Edited by R.J.Behm, N. Garcia, H.Rohrer. Kluwer Academic Publishers, 1990 — 525c.
  59. Tahmasebi A. Studying of a Tunneling Accelerometer with Piezoelectric Actuation and Fuzzy Controller /A. Tahmasebi M.Y. Kanani, B. Tousi, A. Motalebi, G. Rezazadeh //Sensors & Transducers Journal. 2008. — V.89. — No.3. — P. 17−29.
  60. Mahameed R. Dual-beam actuation of piezoelectric A1N RF MEMS switches monolithically integrated with A1N contour-mode resonators /R. Mahameed, N. Sinha, M.B. Pisani and G. Piazza //J. Micromech. Microeng. 2008. — V.18. — N.9. -P.105 011.
  61. Dong H. A novel out-of-plane MEMS tunneling accelerometer /H. Dong, Y. Jia, Y. Hao, S. Shen //Sensors and Actuators A. 2005. — V.120. — P.360−364.
  62. Daniel J.H. A microaccelerometer structure fabricated in silicon-on-insulator using a focused ion beam process. /J.H.Daniel, D.F.Moore //Sensors and Actuators 1999. -V.73. -P.201−209.
  63. Boisen A. Cantilever-like micromechanical sensors /A. Boisen, S. Dohn, S. Sylvest Keller, S. Schmid and M. Tenje //Rep. Prog. Phys. 2011. — V.74. — P.36 101.
  64. Dragoman D. Micro/nano-optoelectromechanical systems /D. Dragoman, M. Dragoman //Progress in Quantum Electronics. 2001. — V.25. — P.229−290.
  65. Zavracky P.M. Design and process considerations for a tunneling tip accelerometer. /P.M.Zavracky, B. McClennand, K. Warner, J. Wang, F. Hartley, B. Dolgin //J. Micromech. Microeng. 1996. — V.6. — P.352−358.
  66. McCord M.A. The micromechanical tunneling transistor. /M.A.McCord, A. Dana, R.F.W.Pease //J. Micromech. Microeng. 1998. — V.8. — P.209−212.
  67. Kubena B.L. A new miniaturized surface micromachined tunneling accelerometer. /B.L.Kubena, G.M.Atkinson, W.P.Robinson, F.P.Stratton //IEEE Electron Dev. Lett. 1996. — V.17. -No.6. — P.306−308.
  68. Vatannia S. Resonant tunneling displacement transducer /S. Vatannia, J.L.Schiano, G. Gildenblat, D.M.Ginsberg //IEEE Transactions on Electron Devices 1998. -V.45. -No.7. — P.1616−1619.
  69. Marques M.I. Modeling of a pressure sensor based on an array of wedge emitters /M.I.Marques, P.A.Serena, D. Nicolaescu, J. Itoh //Applied Surface Science 1999. -V.146. — P.239−244.
  70. Nicolaescu D. Modeling of the field emitter triode (FET) as a displacement/ pressure sensor //Applied Surface Science 1995. — V.87/88. — P.61−68.
  71. А. Авто- термо- и вторично-электронная эмиссионная спектроскопия. -М.: Наука, 1990. 320с.
  72. Туннельные явления в твёрдых телах /Под ред. Э. Бурштейна, С. Лундквиста. -М. Мир, 1973.-424с.
  73. Yamaguchi Н. Excellent electric properties of free-standing InAs membranes. /H.Yamaguchi, R. Dreyfus, Y. Hirayama //Appl. Phys. Lett. 2001. — V.78. — No.16. — P.2372−2374.
  74. Nikishkov G.P. Finite element analysis of self-positioning microstructures and nanostructures. /G.P.Nikishkov, I. Khmyrova, V. Ryzhii //Nanotechnology 2003. -V.14. — P.820−823.
  75. Prack E.R. An introduction to process visualization in ESEM //Microscopy Research and Technique V. 1993. — V.25. P.487−492.
  76. Л. Д., Лифшиц Е. М. Теория упругости. М.: Наука, 1965. 202с.
  77. Lai J. Optimization and performance of high-resolution micro-optomechanical thermal sensors. /J.Lai, T. Perazzo, Z. Shi, A. Majumdar //Sensors and Actuators A -1997 V.58. — P. 113−119.
  78. Jeon S. Instant curvature measurement for microcantilever sensor /S. Jeon, T. Thundat //Appl. Phys. Lett. 2004. — V.85. -No.6. — P. 1083−1084.
  79. Masmanidis S.C. Multifunctional Nanomechanical Systems via Tunably Coupled Piezoelectric Actuation /S.C.Masmanidis, R.B.Karabalin, I. DeVlaminck, G. Borghs, M.R.Freeman, M.L.Roukes //Science. 2007. — V.317. — P.780−783.
  80. Kumar P. Fabrication of piezoelectric Alo.3Gao.7As microstructures /Р. Kumar, L. Li, L. Calhoun, P. Bourdreaux, D. DeVoe //Sensors and Actuators A 2004. — V. l 15. -No.l. -P.96−103.
  81. Blencowe M. How to Strum a Nanobar //Science. 2007. — V. l0. — P.762−763.
  82. Doll J.C. Aluminum nitride on titanium for CMOS compatible piezoelectric transducers /J. C. Doll, В. C. Petzold, B. Ninan, R. Mullapudi and B. L. Pruitt //J. Micromech. Microeng. 2010. — V.20. — N.2. — P.25 008.
  83. Дж. Най. Физические свойства кристаллов. /Пер. с англ. М. Мир. 1967. -385с.
  84. Adachi S. GaAs, AlAs and AlxGai. xAs: Material parameters for use in reseach and device applications //J. Appl. Phys. 1985. — V.58. — No.3. — P. R1-R30.
  85. Hjort K. Gallium arsenide as a machanical material /К. Hjort, J. Soderkvist, J.A. Schweitz. //J. Micromech. Microeng. 1994. — V.4. — P. 1−13.
  86. Madelung O. Semiconductors: Data Handbook. 3rd edition. New York.: SpringerVerlag, 2003. 691 p.
  87. Brantley W.A. Calculated elastic constants for stress problems associated with semiconductor devices //J. Appl. Phys. 1973. — V.44. — No.l. — P.534−535.
  88. Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов 1973 — Москва — Энергия -656 с,
  89. Kordlar Н. J. Modeling Open-Loop MEMS Tunneling Accelerometer Based on Circular Plate /Н. J. Kordlar, G. Rezazadeh //Sensors & Transducers Journal. -2007. V.78. -No.4. — P. l083−1092.
  90. Daniel J.H. A microaccelerometer structure fabricated in silicon-on-insulator using a focused ion beam process /J.H.Daniel, D.F.Moore //Sensors and Actuators. -1999. V.73.P.201−205.
  91. Chuang Wen-Hsien Mechanical Property Characterization of LPCVD Silicon Nitride Thin Films at Cryogenic Temperatures /Wen-Hsien Chuang, T. Luger, R.K.Fettig and R. Ghodssi //J. of MEMS. 2004. — V.13. — No.5. — P.870−879.
  92. А1. Шашкин В. И. О возможных конструкциях датчиков туннельно-эмиссионных акселерометров /В.И.Шашкин, Н. В. Востоков, Е. А. Вопилкин, А. Ю. Климов, Д. Г. Волгунов, В. В. Рогов, С. Г. Лазарев. //Микросистемная техника. 2003. -№ 5. — С.3−6.
  93. A3. Shashkin V.I. AFM-Characterization of Microlevers. /V.I.Shashkin, E.A.Vopilkin, N.V.Vostokov, A.Yu.Klimov, V.V.Rogov, S.A.Gusev. //Phys. Low-Dim. Struct. -2004/- ½/-P.41−46.
  94. A4. Шашкин В. И. Изготовление микроконсолей и управление их изгибом /В.И.Шашкин, Е. А. Вопилкин, Н. В. Востоков, А. Ю. Климов, В. В. Рогов, С. А. Гусев, И. Ю. Шулешова. //Микросистемная техника. 2004 — № 9. — С.22−26.
  95. А5. Shashkin V.I. Fabrication and characterization of stress-free microbeams for MEMS applications /V.I.Shashkin, N.V.Vostokov, E.A.Vopilkin, A.Yu.Klimov, V.M.Daniltsev, V.V.Rogov, S.G.Lazarev //Phys. Stat. Sol. © 2 2005. — N.4. -P.1433−1437.
  96. A6. Vopilkin E.A. A nanomechanical system with piezoelectric actuation of a GaAs microbeam /E.A.Vopilkin, V.I.Shashkin, Y.N.Drozdov, V.M.Daniltsev, S.A.Gusev and I.Yu.Shuleshova //J. Micromech. Microeng. 2008. — V.18. — N.9. — 9 5006(5pp)
  97. A7. Вопилкин E.A. Биморфный пьезоэлектрический двигатель для МЭМС на основе GaAs //Е.А.Вопилкин, В. И. Шашкин, Ю. Н. Дроздов, В. М. Данильцев,
  98. С.А.Гусев, И. Ю. Шулешова //Нано- и Микросистемная техника. 2008 -№ 10. — С.47−51.
  99. А9. Вопилкин Е. А. Микроэлектромеханический туннельный датчик для виброакселерометра //Е.А.Вопилкин, А. Ю. Климов, В. В. Рогов, И. Ю. Шулешова, Д. А. Пряхин, С. А. Гусев, Е. В. Скороходов, В. И. Шашкин. //Нано- и Микросистемная техника. 2012. — 5. — С.48−53.
  100. А10. Вопилкин Е. А. МЭМС переменный конденсатор с электростатическим управлением /Е.А.Вопилкин, Ю. И. Чеченин, JI.H. Савицкая, Н. Г. Бронникова, В. И. Шашкин //МНСТ. — 2010. — № 12. — С.30−34.
  101. А12. Shashkin V.I. AFM-Characterization of Microlevers /V.I.Shashkin, E.A.Vopilkin, N.V.Vostokov, A.Yu.Klimov, V.V.Rogov, S.A.Gusev. //Scanning Probe Microscopy 2004″: proceedings, Nizhny Novgorod, 2−6 May 2004, P.239−241.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?