Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Физико-химические свойства пленок, образующихся в плазмохимическом процессе осаждения из паров гексаметилдисилазана

Диссертация: Физико-химические свойства пленок, образующихся в плазмохимическом процессе осаждения из паров гексаметилдисилазана
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Рассмотренные выше возможности практического применения пленок 81Сх1ЧуНг определяют актуальность задачи комплексного исследования их физико-химических свойств. Среди этих свойств механические напряжения, плотность, механические величины (модуль Юнга, твердость), оптические константы (показатель преломления и коэффициент экстинкции), коэффициент термического расширения (КТР). Необходимо отметить… Читать ещё >

Содержание

  • Список обозначений и сокращений
  • ВВЕДНИЕ
  • ГЛАВА 1. ПОЛУЧЕНИЕ И СТРОЕНИЕ ПЛЕНОК SiCxNyHz, МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ПЛЕНОК (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ)
    • 1. 1. Пленки на основе соединений в системе Si-C-N-H
      • 1. 1. 1. Методы получения и строение пленок системы Si-C-N-H
      • 1. 1. 2. Пленки SiCxNyHz, получаемые осаждением из паров органо-силазанов
        • 1. 1. 2. 1. Результаты исследований пленок SiCxNyHz в ИНХ СО РАН
        • 1. 1. 2. 2. Результаты исследований пленок SiCxNyHz в мире
      • 1. 1. 3. Основные положения теории протекания
    • 1. 2. Механические напряжения в системе пленка-подложка
      • 1. 2. 1. Виды механических напряжений и механизмы их образования в системе пленка-подложка
      • 1. 2. 2. Методы определения механических напряжений в системе пленка-подложка, основанные на измерении изгиба образца
      • 1. 2. 3. Методы определения механических напряжений, не использующие информацию об изгибе образца
      • 1. 2. 4. Механические напряжения в пленках системы Si-C-N-H
    • 1. 3. Спектроскопия поверхностных акустических волн
      • 1. 3. 1. Основы метода
      • 1. 3. 2. Применение метода SAWS к исследованию карбонитрид-ных пленок
    • 1. 4. Наноиндентирование
    • 1. 5. Оптические методы исследования систем пленка-подложка
      • 1. 5. 1. Метод монохроматической эллипсометрии
      • 1. 5. 2. Метод спектральной эллипсометрии
      • 1. 5. 3. Эллипсометрия пленок системы 8ьС-1чГ-0-Н
    • 1. 6. Выводы по главе 1
  • ГЛАВА 2. ПОЛУЧЕНИЕ И СОСТАВ ПЛЕНОК 81СХЫУН
    • 2. 1. Получение пленок 8ЮХ]ЧУН
      • 2. 1. 1. Общие сведения о процессе получения пленок 81СХ1ЧУН
      • 2. 1. 2. Исходное вещество
    • 2. 2. Образцы для исследований
    • 2. 3. Выводы по главе 2
  • ГЛАВА 3. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК 81СХКУН
    • 3. 1. Механические напряжения в пленках 8ЮХ]ЧУН
      • 3. 1. 1. Установка для определения механических напряжений
      • 3. 1. 2. Зависимость механических напряжений в пленках от температуры осаждения
      • 3. 1. 3. Измерения механических напряжений при изменении тем пературы образцов
    • 3. 2. Модуль Юнга, плотность и КТР пленок 8ЮХ1ЧУН
      • 3. 2. 1. Методические основы исследования
      • 3. 2. 2. Результаты исследования и их интерпретация
    • 3. 3. Сканирующая зондовая микроскопия и наноиндентирование пленок 81СХ1ЧУН
    • 3. 4. Выводы по главе 3
  • ГЛАВА 4. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК 81СХЫУН
    • 4. 1. Изучение пленок 8ЮХКУН2 методом монохроматической нулевой эллипсометрии
      • 4. 1. 1. Методика исследований
      • 4. 1. 2. Результаты исследований и их объяснение
    • 4. 2. Исследование пленок 8ЮХ1ЧУН2 методом спектральной эллипсометрии
      • 4. 2. 1. Методика исследований
      • 4. 2. 2. Результаты исследований и возможности применения пленок
    • 4. 3. Выводы по главе 4

Физико-химические свойства пленок, образующихся в плазмохимическом процессе осаждения из паров гексаметилдисилазана (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

.

В течение многих лет внимание исследователей привлекают материалы, относящиеся к системе кремний-углерод-азот-водород (81-С-Ы-Н). Широкое применение в микроэлектронике, оптике, микросистемной технике нашли пленки аморфного и гидрогенизирован-ного карбида и нитрида кремния.

Важная задача современного материаловедения — поиск новых твердых, износостойких, химически инертных, оптически прозрачных пленок, свойствами которых можно управлять путем изменения условий синтеза. Эти возможности предоставляют пленки, получаемые путем плазмохимического осаждения из газовой фазы с использованием кремнийорганических соединений в качестве прекурсоров. Такие пленки в зависимости от условий осаждения и, следовательно, состава и структуры, могут иметь очень широкий диапазон свойств. Преимущества применения кремнийорганических соединений в плаз-мохимических процессах — высокая летучесть многих таких соединений, низкая токсичность, взрывобезопасность, низкая стоимость реагентов.

Все упомянутые возможности реализуются для пленок, получаемых плазмохимическим осаждением из паров гексаметилдисилаза-на (ГМДС). Путем варьирования температуры в реакторе можно получить либо полимероподобные пленки «гидрогенизированного» кар-бонитрида кремния 81СхКуНг, сохраняющие в значительной степени элементный состав и систему химических связей исходного вещества, либо неорганические композитные пленки карбонитрида кремния 810сМг Оба класса пленок уже находят ряд практических применений и до сих пор рассматриваются перспективы их применения в новых областях науки и техники.

Плазмохимические полимероподобные пленки состава 81СХ^Н2 перспективны как диэлектрики с низкой диэлектрической проницаемостью, гидрофобные, антикоррозионные защитные покрытия на металлах. Такие пленки могут осаждаться при низких температурах и обладают хорошей адгезией к полимерам. В связи с развитием производства оптических элементов из полимерных материалов, плазмохимические полимероподобные пленки в последнее время начинают активно применяться производителями для получения покрытий на полимерных оптических изделиях. Рассматривается также применение такого класса пленок в качестве сенсоров различного назначения.

Пленки обладают высокой термической стойкостью, твердостью, износостойкостью, сопротивлением к окислению. В литературе рассматривается возможность использования таких пленок в качестве материалов для источников и детекторов ультрафиолетового излучения, фотолюминесцентных материалов.

Рассмотренные выше возможности практического применения пленок 81Сх1ЧуНг определяют актуальность задачи комплексного исследования их физико-химических свойств. Среди этих свойств механические напряжения, плотность, механические величины (модуль Юнга, твердость), оптические константы (показатель преломления и коэффициент экстинкции), коэффициент термического расширения (КТР). Необходимо отметить, что эти свойства в ряде случаев могут быть незаменимым источником знаний об особенностях процесса осаждения, о структуре получаемых пленок. Кроме того, функциональные характеристики прямо показывают возможность тех или иных практических применений пленок. Однако изучение многих из этих свойств, в случае тонких пленок, представляет серьезные трудности в силу малого количества исследуемого материала и необходимости применения специальных методов и подходов.

Целью работы является изучение физико-химических свойств тонких пленок 81СхТч[уНг, получаемых в процессе плазмохимического осаждения из паров ГМДС при разных температурах синтеза и обладающих существенно различающимися химическими и фазовыми составами, разработка необходимых для этого методических приемов.

Для достижения данной цели решались следующие основные задачи:

Разработка методических приемов исследования, программ обработки измеренных данных и требований к процессам синтеза, необходимых для изучения физико-химических свойств;

Изучение физико-химических характеристик пленок ЗЮ^^Нг (внутренние и термические механические напряжения, модуль Юнга, твердость, плотность, коэффициент упругого восстановления, КТР) и их взаимосвязи с химическим и фазовым составом пленок;

Оптические исследования пленок с целью определения условий синтеза, при которых они прозрачны. Исследование прозрачных пленок 81СхМуНг методом спектральной эллипсометрии, оценка возможностей применения пленок в качестве оптических материалов;

Изучение состава и строения пленок 81СхМуНг для интерпретации полученных в работе результатов.

Научная новизна работы.

1. Впервые обнаружены изменения механических напряжений в пленках З^^Н" полученных в плазме ГМДС при разных температурах осаждения в широком интервале от 100 до 800 °C. Эти закономерности помогли установить характер изменений объема пленок в процессе их роста.

2. Измерениями механических напряжений при нагревании образца, а также наноиндентированием установлено изменение типа деформации в пленках, состоящее в уменьшении эластичности с ростом температуры осаждения.

3. С использованием разработанных и стандартных методик впервые установлены зависимости модуля Юнга, твердости и плотности пленок от температуры осаждения. Объяснение найденных изменений дано на основе теории протекания.

4. Впервые определены зависимости КТР пленок 81Сд>1), Нг от температуры их синтеза, полученные результаты представлены во взаимосвязи с фазовым составом пленок.

5. Определен интервал температур осаждения, в котором коэффициент экстинкции пленок меньше предела чувствительности метода эллипсометрии, получены дисперсии показателей преломления в этой области. Установлена связь поглощения света в высокотемпературных пленках с их фазовым составом.

Практическая значимость работы. В работе проведено фундаментальное изучение взаимосвязей в цепочке «состав — структурасвойства» для пленок 8ЮХ1ЧУН2, необходимое при разработке процессов получения пленок с заданным набором свойств. Работа также может использоваться при изучении физико-химических свойств пленок различных соединений, так как содержит необходимую информацию методического характера.

На защиту выносятся:

— результаты исследования механических напряжений, измеренных для пленок 8ЮХ1ЧУН2, полученных в широком диапазоне температур осаждения и имеющих разный химический и фазовый состав, взаимосвязь внутренних (начальных) напряжений с изменениями в пленках при росте;

— результаты исследований физико-химических свойств пленок БЮхКуНг (модуль Юнга, твердость, плотность, КТР, упругое восстановление) с использованием известных и разработанных автором методиквзаимосвязь обнаруженных изменений этих свойств с химическим и фазовым составом пленок;

— оптические исследования пленок: зависимость коэффициента экстинкции пленок от температуры осаждения, дисперсии показателей преломления для прозрачных пленок.

Личный вклад автора в настоящую работу заключается в информационном поиске, анализе, обобщении и систематизации литературных данных. Автор провел модернизацию прибора и разработал методику измерения механических напряжений в системе плёнка-подложка по изгибу образца, разработал методику исследования физических свойств плёнок 81СХКУН2 с применением спектроскопии поверхностных акустических волн, определил требования и условия синтеза образцов, самостоятельно проводил исследования физико-химических свойств, математическую обработку всех измерений. Планирование экспериментальной и теоретической частей работы, анализ и обсуждение полученных результатов, подготовка материалов для публикаций проводились совместно с научными руководителями и соавторами.

Апробация работы. Результаты работы были представлены на трёх Конкурсах-конференциях молодых ученых ИНХ СО РАН (Новосибирск, 2009, 2010 и 2011 г.), Втором семинаре по проблемам химического осаждения из газовой фазы (Новосибирск, 2011 г.), XI Международном симпозиуме «Применение анализаторов МАЭС в промышленности» (Новосибирск, 2011 г.), International Symposium of Materials Integration (Сендай, Япония, 2011 г.), International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (Горный Алтай, 2012 г.), Всероссийской конференции с международным участием «Байкальский материаловедческий форум» (Улан-Удэ, 2012 г.), Asia-Pacific Academy of Materials Topical Seminar «Films and Structures for Innovative Applications (Новосибирск, 2012 г.).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 6 статей в отечественных и международных журналах, рекомендованных ВАК, и 10 тезисов устных докладов на конференциях.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы. Работа изложена на 152 страницах и включает 5 таблиц, 41 рисунок, 19 формул и библиографию из 227 наименований.

Основные результаты и выводы.

1. Разработана комплексная методология для исследования свойств пленок 81Сх1чГуН2, основанная на совместном применении оптического метода измерения механических напряжений, спектроскопии поверхностных акустических волн, наноиндентирования, эллип-сометрии. Соответствующий этим методам математический аппарат привлечен в виде стандартных и разработанных автором программ обработки данных и моделирования.

2. Получены пленки 8ЮХЫУН2 на подложках кремния, германия, арсенида галлия в плазмохимическом процессе осаждения из паров ГМДС в интервале температур 70−800 °С. Состав и строение полученных образцов исследованы методами ПК, КР, ЭПР, ЯМР спектроскопии, СНЫ-анализа. Показано, что пленки 81Сх1ЧуНг, полученные при температурах осаждения 70−400 °С, сохраняют все типы химических связей ГМДС, то есть являются полимероподобными кремнийорга-ническими пленками. При температурах выше 400 °C образуются неорганические композитные пленки состава 81СХ1ЧУ.

3. Создана автоматизированная установка и проведено исследование зависимостей механических напряжений в пленках от температуры осаждения и температуры измерения. Установлено, что пленки, синтезированные при температурах ниже 400 °C, находятся в состоянии напряжений сжатия из-за воздействия энергетически активных частиц плазмы на поверхность растущей пленки и окисления. В пленках, полученных при температурах выше 400 °C, преобладают внутренние напряжения растяжения. Найдено, что напряжения растяжения растут до 720 МПа с ростом температуры осаждения до 800 °C.

4. Обнаружен рост модуля Юнга (от 7 до 160 ГПа), плотности о от 1,4 до 2 г/см) и твердости (от 0,5 до 19 ГПа) пленок с ростом температуры осаждения, что объясняется переходом в строении пленок от полимероподобных пленок 81СХКУН2. к неорганическим композитным материалам 8ЮХМУ. Обнаружено значительное уменьшение КТР пленок с ростом температуры осаждения, связанное с увеличением доли свободного углерода в пленках.

5. Определены зависимости оптических констант пик пленок 8ЮХ1ЧУН2 от температуры их осаждения. Обнаружено появление поглощения света в видимой области спектра для пленок, осажденных при температурах выше 450 °C, причем коэффициент экстинкции к возрастает до значения 0,12 с ростом температуры осаждения до 800 °C, что связано с наличием свободного углерода в пленках. Пленки, синтезированные при температурах ниже 400 °C, обладают высокой прозрачностью в видимой области спектра. Результаты исследований пленок методом спектральной эллипсометрии позволили рекомендовать их в качестве оптических покрытий с заданными спектральными свойствами.

Благодарности.

Практически все навыки, знания и сферу научных интересов автора, позволивших выполнить данную работу, сформировал д.т.н., в.н.с. Борис Мингареевич Аюпов!, который до конца своей жизни был научным руководителем автора. Под его руководством автор защитил диплом бакалавра, затем магистерскую диссертацию и прошел весь срок обучения в аспирантуре ИНХ СО РАН. Его уникальная научная школа лежит в основе методической базы данной диссертации. Он (совместно со вторым научным руководителем Ю.М. Румянцевым) поставил перед автором основные научные задачи работы. Без его руководства, постоянной поддержки и помощи данная работа не могла бы появиться. Автор посвящает все исследования его светлой памяти.

Автор выражает искреннюю благодарность своему научному руководителю к.х.н., в.н.с. Юрию Михайловичу Румянцеву, за постоянное внимание и поддержку в ходе выполнения работы, за помощь в приготовлении образцов и проведении исследований.

Автор благодарит сотрудников Лаборатории эпитаксиальных пленок ИНХ СО РАН к.х.н., зав. лаб. М. Л. Косинову, к.х.н., с.н.с. Н. И. Файнер, д.х.н., г. н.с. Т. П. Смирнову, к.х.н., с.н.с. Е. А. Максимовско-го, к.х.н. Л. Д. Никулину, асп. А. Г. Плеханова за помощь в интерпретации исследований пленок, за проявленный интерес к работе и за ценные указания, касающиеся работы. Автор также благодарен сотрудникам ИНХ СО РАН, ИК СО РАН и ИЛФ СО РАН, выполнившим исследования образцов методами ИК-, КРС-, ЭПРи ЯМР-спектроскопии, CHN-анализа, наноиндентирования и способствовавшим значительному расширению знаний об исследованных материалах: С. И. Кожемяченко, Н. И. Алферовой, к.х.н. О. С. Кощеевой, д.х.н. О. Б. Лапиной, к.ф.-м.н. Д. Ф. Хабибулину, М. Н. Хомякову, д.ф.-м.н. В. А. Надолинному.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Bendeddouche A., Berjoan R., Beche E., Merle-Mejean T., Schamm S., Serin V., Taillades G., Pradel A., Hillel R. Structural characterization of amorphous SiCxNy chemical vapor deposited coatings // J. Appl. Phys. 1997. V. 81. N. 9. P. 6147−6154.
  2. Gong Z., Wang E.G., Xu G.C. Chen Y. Influence of deposition condition and hydrogen on amorphous-to-polycrystalline SiCN films // Thin solid films. 1999. V. 348. P. 114−121.
  3. H.И., Голубенко А. Н., Румянцев Ю. М. Трис(диэтил-амино)силан новое вещество-предшественник для получения слоев карбонитрида кремния // ФХС. 2012. Т. 38. № 1. С. 22−38.
  4. Nakayamada T., Matsuo К., Hayashi Y. Izumu A., Kadotani Y. Evaluation of corrosion resistance of SiCN films deposited by HWCVD using organic liquid materials // Thin Solid Films. 2008. V. 516. P. 656−658.
  5. Izumi A., Oda K. Deposition of SiCN films using organic liquid materials by HWCVD method // Thin Solid Films. 2006. V. 501 P. 195 197.
  6. Д.А., Курмаев Э. З., Moewes А., Чолах С. О. Электронная структура аморфных пленок Si-C-N // ФТТ. 2011. Т. 53. Вып. 9. С. 1713−1717.
  7. Chen L.C., Chen С.К., Wei S.L. Crystalline silicon carbon nitride: A wide band semiconductor // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. N. 19. P. 2463−2465.
  8. Т.П., Бадалян A.M., Борисов В. О., Каичев В. В., Бах-турова Л.Ф., Кичай В. Н., Рахлин В. И., Шаинян Б. А. Плазмохимический синтез и свойства пленок карбонитрида кремния // Неорганические материалы. 2005. Т. 41. № 7. С. 808−815.
  9. Bendeddouche A., Berjoan R., Beche Е., Schamm S., Serin V., Carles R., Hillel R. SiCN Amorphous Materials Chemical Vapour
  10. Deposited Using the Si (CH3)4-NH3-H2 System // J. Phys. IV. 1995. V. 5. P. 793−800.
  11. Kleps I., Angelescu A. Correlations between properties and applications of the CVD amorphous silicon carbide films // Appl. Surf. Sci. 2001. V. 184. P. 107−112.
  12. Tomar V.K., Patil L.S., Gautam D.K. Deposition and characterization of silicon nitride films using HMDS for photonics applications // J. Optoelectron. Adv. Mater. 2008. V. 10. N. 10. P. 2657−2662.
  13. Burton B.B., Kang S.W., Rhee S.W., George S.M. Si02 atomic layer deposition using tris (dimethylamino)silane and hydrogen peroxide studied by in situ transmission FTIR spectroscopy // J. Phys. Chem. 2009. V. 113. P. 8249−8257.
  14. Cheng H., Xiao M., Lai G.S., Gaffney T.R., Zhou C., Wu J. Precursors for depositing silicon-containing films and methods for making and using same // United States Patent Application Publication 2010/41 243 Al. 2010.
  15. Chen C.W., Huang C. C, Lin Y.Y., Chen L.C., Su W.F. Optical properties and photoconductivity of amorphous silicon carbon nitride thin film and its application for UV detection // Diam. Relat. Mater. 2005. V. 14. P. 1010−1013.
  16. Wu X.C., Cai R.Q., Yan P.X., Liu W.M., Tian J. SiCN thin film prepared at room temperature by r.f. reactive sputtering // Appl. Surf. Sci. 2002. V. 185. P. 262−266.
  17. Doucey B., Cuniot M., Moudni R., Tenegal F., Bouree J.E., Imhoff D., Rommeluere M., Dixmier J. Optical properties and local atomicorder in non hydrogenated amorphous silicon carbonitride films // J. Mater. Sci. 2002. V. 37. P. 2737−2745.
  18. Lehmann G., Hess P., Wu J.-J. Wu C.T., Wong T.S., Chen K. H, Chen L.C., Lee H.-Y., Amkreutz M., Frauenheim Th. Structure and elastic properties of amorphous silicon carbon nitride films // Phys. Rev. B. 2001. V. 64. P. 165 305−165 310.
  19. Nae-Man P., Kim S. H., Sung G. Y. Amorphous silicon carbon nitride films grown by the pulsed laser deposition of a SiC-Si3N4 mixed target // ETRI Journal. 2004. V. 26. N. 3. P. 257−261.
  20. Klewe-Nebenius H., Bruns M., Lutz H., Baumann H., Link F., Bethge K. Surface- and microanalytical characterization of ion-implanted Si-C-N layers // Fresenius J. Anal. Chem. 1998. V. 361. N. 6−7. P. 630−633.
  21. Deng Z.-W., Souda R. XPS studies on silicon carbonitride films prepared by sequential implantation of nitrogen and carbon into silicon // Diam. Relat. Mater. 2002. V. 11. N. 9. P. 1676−1682.
  22. Fainer N., Rumyantsev Yu., Kosinova M., Maximovski E., Kesler V., Kirienko V., Kuznetsov F. Low-A: dielectrics on base of silicon carbon nitride films // Surf. Coat. Technol. 2007. V. 201. N. 22−23. P. 9269−9274.
  23. Н.И., Румянцев Ю. М., Косинова M.JI. Функциональные нан-окристаллические пленки карбонитрида кремния // Химия в интересах устойчивого развития. 2001. Т. 9. С. 865−870.
  24. Н.И., Косинова М. Л., Румянцев Ю. М. Тонкие пленки карбонитридов кремния и бора: синтез, исследование состава и структуры // Рос. хим. журн. 2001. Т. XLV. № 3. С. 101−108.
  25. Н.И., Румянцев Ю. М., Косинова МЛ. Физико-химические превращения в тонких слоях карбонитрида кремнияпод действием высокотемпературного отжига // Химия в интересах устойчивого развития. 2001. Т. 9. С. 871−877.
  26. Ferrari А.С., Robertson J. Resonant Raman spectroscopy of disordered, amorphous, and diamondlike carbon // Phys. Rev. B. 2001. V. 64. P.75 414−1-13.
  27. Bhattacharyya A.S., Mishra S.K. Raman studies on nanocomposite silicon carbonitride thin film deposited by r.f. magnetron sputtering at different substrate temperatures // J. Raman Spectrosc. 2010. V. 41. P. 1234−1239.
  28. Fainer N.I., Kosinova M.L., Rumyantsev Yu.M., Maximovskii E.A., Kuznetsov F.A. Thin silicon carbonitride films are perspective low-k materials // J. Phys. Chem. Sol. 2008. V. 69. P. 661−668.
  29. Е.А., Файнер Н. И., Косинова М. Л., Румянцев Ю. М. Исследование структуры тонких нанокристаллических пленок // ЖСХ. 2004. Т. 45 (приложение). С. 61−65.
  30. Н.И., Косинова М. Л., Румянцев Ю. М., Кузнецов Ф. А. Физико-химические свойства нанокристаллических пленок карбонитрида кремния // ЖСХ. 2004. Т. 45 (приложение). С. 66−71.
  31. Н.И. От кремнийорганических соединений-предшественников к многофункциональному карбонитриду кремния // ЖОХ. 2012. Т. 82. № 1. С. 47−56.
  32. X. Полимеризация в плазме. М.: Мир, 1988, 376 с.
  33. Plasma polymer films. Ed. Hynek Biederman. Imperial College Press, London, 2004, 386 p.
  34. В.И., Потапов В. К., Штеренберг A.M. Кинетика изменения масс-спектров и молекулярного состава газовой фазы тлеющего разряда в парах гексаметилдисилазана и гексаметилдисилоксана // ХВЭ. 1986. Т. 20. № 1. С. 76−81.
  35. Silbiger J., Lifshitz С., Fuchs J. Mass spectra of silazanes // J. Am. Chem. Soc. 1967. V. 89. N. 17. P. 4308−4312.
  36. Stelzner Th., Arold M., Falk F., Stafast H., Probst D., Hoche H. Single source precursors for plasama-enhanced CVD of SiCN films, investigated by mass-spectrometry // Surf. Coat. Technol. 2005. V. 200. N. 1−4. P. 372−376.
  37. Heyner R., Marx G. High power deposition and analysis of amorphous silicon carbide films // Thin Solid Films. 1995. V. 258. P. 1420.
  38. В.И., Потапов В. К., Тузов JI.C., Штеренберг A.M. Образование, движение и конденсация кремнийорганических полимерных аэрозолей в тлеющем разряде // ХВЭ. 1986. Т. 20. № 6. С. 541−547.
  39. Wrobel A.M., Wertheimer M.R., Dib J., Schreiber H.P. Polymerization of organosilicones in microwave discharges // J. Macromol. Sci.-Chem. A. 1980. V. 14. N. 4. P. 321−337.
  40. Wrobel A.M., Klemberg J.E., Wertheimer M.R., Schreiber H.P. Polymerization of organosilicones in microwave discharges. II.
  41. Heated Substrates // J. Macromol. Sci.-Chem. A. 1981. V. 15. N. 2. P. 197−213.
  42. Wrobel A.M., Kryszewski M. Preparation, structure, and some properties of ogranosilicon thin polymer films obtained by plasma polymerization // Progr. Colloid Polym. Sci. 1991. V. 85. P. 91−101.
  43. Gerstenberg K.W. Film deposition in a radial flow reactor by plasma polymerization of hexamethyldisilazane // Colloid Polym. Sci. 1990. V. 268. N. 4. P. 345−355.
  44. Yasuda H., Hsu T. Some aspects of plasma polymerization investigated by pulsed R.F. discharge // J. Polym. Sci.: Polym. Chem. Ed. 1977. V. 15. P. 81−97.
  45. Wrobel. A.M. Aging process in plasma-polymerized organosilicon thin films, J. Macromol. Sci. A Chem. 1985. V. 22. N. 8. P. 10 891 100.
  46. Tajima I., Yamamoto M. Spectroscopic study on chemical structure of plasma-polymerized hexamethyldisiloxane // J. Polym. Sci. 1985. V. 23. P. 615−622.
  47. Gerstenberg K.W., Beyer W. Gas evolution studies for structural characterization of hexamethyldisilazane-based a-Si:C:N:H films // J. Appl. Phys. 1987. V. 62. N. 5. P. 1782−1786.
  48. Gerstenberg K.W., Taube K. Measurement of the Young’s modulus for structural characterization of amorphous Si: C:N:H-films // Frese-nius J. Anal. Chem. 1989. V. 333. P. 313−314.
  49. Zachariasen W.H. The atomic arrangement in glass // J. Am. Chem. Soc. 1932. V. 54. N. 10. P. 3841−3851.
  50. Физическая энциклопедия / под ред. A.M. Прохорова. Т. 4. М.: Большая Российская Энциклопедия, 1994. С. 161−163.
  51. Эфрос A. J1. Физика и геометрия беспорядка. М.: Наука, 1982. 268 с.
  52. Bielinski D., Wrobel A.M., Walkiewicz-Pietrzykowska A. Mechanical and tribological properties of thin remote microwave plasma CVD a-Si:N:C films from a single-source precursor // Trib. Lett. 2002. V. 13. N. 2. P. 71−76.
  53. Chen L.-Y., Hong F. C.-N. Diamond-like carbon nanocomposite films // Appl. Phys. Lett. V. 82. N. 20. P. 3526−3528.
  54. Wagner N.J., Gerberich W.W., Heberlein V.R. Deposition and modeling of hard, wear-resistant Si-C-N coatings // Plasma Process. Polym. 2007. N. 4. P. S946-S951.
  55. Wagner N.J., Gerberich W.W., Heberlein V.R. Thermal plasma chemical vapor deposition of wear-resistant, hard Si-C-N coatings // Surf. Coat. Technol. 2006. V. 201. P. 4168−4173.
  56. Veprek S. The search for novel, superhard materials // J. Vac. Sci. Technol. A. 1999. N. 5. P. 2401−2419.
  57. Veprek S., Reiprich S., Shizhi L. Superhard nanocrystalline composite materials: The TiN/Si3N4 system // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. N. 20. P. 2640−2642.
  58. Veprek S., Veprek-Heijman M. G.J., Karvankova P. Prochazka J. Different approaches to superhard coatings and nanocomposites // Thin Solid Films. 2005. V. 476. P. 1−29.
  59. He H., Thorpe M.F. Elastic properties of glasses // Phys. Rev. Lett. 1985. V. 54. N. 19. P. 2107−2110.
  60. Thorpe M.F. Elastic Properties of network glasses // Annals of the New York Academy of sciences. 1986. V. 484. N. 1. P. 206−213.
  61. Boolchand P, Zhang M., Goodman B. Influence of one-fold-coordinated atoms on mechanical properties of covalent networks // Phys. Rev. B. 1996. V. 53. N. 17. P. 488−494.
  62. А.И., Двуреченский A.B., Блошкин А. А., Ненашев A.B. Связывание электронных состояний в многослойных напряженных гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками 2-го типа // Письма в ЖТЭФ. 2006. Т. 83. Вып. 4. С. 189−194.
  63. Willich P., Obertop D. Quantitative electron-probe microanalysis of light elements: determination of a-Si:C:N:0:H insulating films // Mikrochim. Acta (Wien). 1989. N. 2. P. 233−241.
  64. Р.У. Механические свойства тонких конденсированных пленок. В кн.: Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения / Под ред. Г. Хасса и Р. Э. Туна. Т. 3. М.: Мир, 1968, С. 225−297.
  65. Gardner D.S., Flinn P.A. Mechanical stress as a function of temperature in aluminum films // IEEE Trans. Electron Dev. 1988. V. 33. N. 12. P. 2160−2169.
  66. Thornton J.A., Hoffman D.W. Stress-related effects in thin films // Thin solid films. 1989. V. 171. N. 1. P. 5−31.
  67. JI.A., Левин A.E., Валюженич M.K. Механизмы релаксации напряжений при гетероэпитаксии феррошпинелей // Вестн. Самар. гос. техн. ун-та. Сер. Физико-математические науки. 2000. № 9. С. 77−87.
  68. С.П., Гудьер Дж. Теория упругости. М.: Наука, 1975 г. 576 с.
  69. Ksmminga J.-D., de Keijser Th.H., Delhez R., Mittemeijer E.J. On the origin of stress in magnrtron sputtered TiN layers // J. Appl. Phys. 2000. V. 88. N. 11. P. 6332−6345.
  70. Shioya Y., Ikegami K., Maeda M., Yanagida K. High-temperature stress measurement on chemical-vapor-deposited tungsten silicide and tungsten films // J. Appl. Phys. 1987. V. 61. N. 2. P. 561−566.
  71. Finegan J.D., Hoffman R.W. Stress anisotropy in evaporated iron films // J. Appl. Phys. 1959. V. 30. N. 4. P. 597−598.
  72. Paduschek P., Hopfl Ch., Mitlehner H. Hydrogen-related mechanical stress in amorphous silicon and plasma-deposited silicon nitride // Thin Solid Films. 1983. V. 110. N. 4. P. 291−304.
  73. Wanlu W., Kejun L. Studies of some properties of mechanical stress in a-Si:H, a-SiNx:H and a-Si:H/a-SiNx:H heterojunction films. Thin Solid Films. 1988 V. 165. N. 1. P. 173−179.
  74. Д., Непочатов Ю. Голографический интерферометр для определения деформационных полей перемещений в изделиях микроэлектроники // Технологии в электронной промышленности. 2007. № 3. С. 82−88.
  75. JI.A., Герасимов С. И., Жилкин В. А. Практические способы записи и расшифровки интерферограмм, обеспечивающих необходимую точность определения компонент тензора деформаций // Автометрия. 1982. № 1. С. 17−24.
  76. Sandar D., Ibach Н. Experimental determination of absorbate-induced surface stress: Oxygen on Si (111) and Si (100) // Phys. Rev. B. 1991. V. 43. N. 5. P. 4263−4267.
  77. Г. П., Волков А. А., Устюжанинов A.JI. Измерение внутренних напряжений в нанопленках in-situ // Рос. нанотехнол. 2010. Т. 5. № 7−8. С. 74−78.
  78. Thomas М.Е., Hartnett М.Р., McKay J.E. The use of surface profilometers for the measurement of wafer curvature // J. Vac. Sci. Technol. A. 1988. V. 6. N. 4. P. 2570−2571.
  79. Vretenar P. Mechanical stresses in oxide thin films // Vacuum. 1992. V. 43. N. 5. P. 727−729.
  80. Zhang Z., Qi M., Chen J., Cheng R. Stress in SiixCx: H studied by (n,-n) double crystal diffractometry // J. Non-Cryst. Solids. 1989. V. 114. P. 510−512.
  81. Li С., Mai Z., Cui S., Zhou J., Ding A. Determination of stress in GaAs/Si material // J. Appl. Phys. 1989. V. 66. N. 10. P. 4767−4769.
  82. Chu W.H., Mehregany M., Mullen R.L. Analysis of tip deflection and force of bimetallic cantilever microactuator // Sensor. Actuat. A-Phys. 1993. V. 39. P. 4−7.
  83. С.П. Устойчивость стержней, пластин и оболочек. М.: Наука, 1971.808 с.
  84. Sahu S.N., Scarminio J., Decker F. A laser beam deflection system for measuring stress variations in thin film electrodes // J. Electrochen. Soc. 1990. V. 137. N. 4. P. 1150−1154.
  85. Godin M., Tabard-Cossa V., Grutter P., Williams P. Quantitative surface stress measurements using a microcantilever // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. N. 4. P. 551−553.
  86. Teal V.L., Murarka S.P. Stresses in TaSix filns sputter deposited on polycrystalline silicon // J. Appl. Phys. 1987. V. 61. N. 11. P. 50 385 046.
  87. Weihnacht V., Bruckner W., Schneider C.M. Apparatus for thin-film stress measurement with integrated four-point bending equipment: Performance and results on Cu films // Rev. Sei. Instr. 2000. V. 47. N. 2. P. 4479−4482.
  88. Bruckner W., Lang C., Schneider C.M. Sensetive measurement of magnetostriction effects in thin films by means of a two-beam freesample deflection method // Rev. Sei. Instr. 2001. V. 72. N. 5. P. 2496−2497.
  89. .М., Каминский B.B. Прибор для измерения кривизны полированных пластин и его использование для определения пьезоэлектрических коэффициентов пленок // ПТЭ. 1997. № 2. С.153−155.
  90. .М., Косцов Э. Г., Юшина И. В. Механические напряжения в структурах сегнетоэлектрическая пленка монокристаллическая подложка Si // Автометрия. 1995. № 4. С. 55−59.
  91. Xiao X., Schleh D. Refractive error correction for in situ curvature measurement using laser beam deflection method // J. Appl. Phys. 2010. V. 107. P. 13 508−1-5.
  92. Xu Y., Tsai Y., Zheng D.W., Tu K.N., Ong Ch.W., Choy Ch.L., Zhao В., Liu Q.-Z., Brongo M. Measurement of mechanical properties for dense and porous polymer films having a low dielectric constant // J. Appl. Phys. 2000. V. 88. N. 10. P. 5744−5750.
  93. Stoney G.G. The tension of metallic films deposited by electrolysis // Proc. Royal Soc. 1909. V. A82. P. 172−175.
  94. Zhao J.-H., Ryan Т., Ho P. S. Measurement of elastic modulus, Poisson ratio, and coefficient of thermal expansion of on-wafer submicron films. // J. Appl. Phys. 1999. V. 85. N. 9. P. 6421−6424.
  95. Zhao J.-H., Du Y., Morgen M. Simultaneous measurement of Young’s modulus, Poisson ratio, and coefficient of thermal expansion of thin films on substrates // J. Appl. Phys. 2000. V. 87. N. 3. P. 1575−1577.
  96. Feng Z.C., Choyke W.J., Powell J.A. Raman determination of layer stresses and strains for heterostructures and its application to the cubic SiC/Si system // J. Appl. Phys. 1988. V. 64. N. 12. P. 6827−6835.
  97. H.A., Патрин A.A., Ткачев В. Д. Рекомбинационное излучение на дислокациях в кремнии // Письма в ЖЭТФ. 1976. Т. 23. В. 11. С. 651−653.
  98. Д.Ф., Багаев B.C., Галкина Т. И. Фотолюминесценция кремния после осаждения поликристаллических пленок алмаза // ФТП. 2009. Т. 43. В. 9. С. 1199−1203.
  99. Kinbara A., Haraki Н. Internal stress of evaporated thin gold films // Jpn. J. Appl. Phys. 1965. V. 4. P. 243−252.
  100. Gergaud P., Thomas O., Chenevier B. Stresses arising from a solid state reaction between palladium films and Si (001) investigated by in situ combined x-ray diffraction and curvature measurements // J. Appl. Phys. 2003. V. 94. N. 3. P. 1584−1591.
  101. Hurtos E., Rodrigues-Viejo J. Residual stress and texture in poly-SiC films grown by low-pressure organometallic chemical-vapor deposition // J. Appl. Phys. 2000. V. 87. N. 4. P. 1748−1758.
  102. Lee S.-Y., Choi S.-H., Kang J.-Y., Park Ch.-O. Reflow of copper in oxygen anneal ambients // J. Appl. Phys. 2000. V. 88. N. 10. P. 5946−5950.
  103. О.Р., Галимов Н. Б., Еремина А. Ф. Исследование напряжений в системе полимер-кремний // Электронная техника. Сер. Материалы. 1987. В. 1(222). С. 34−39.
  104. Kuo D.-H., Yang D.-G. Plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon carbonitride using hexamethyldisilazane and nitrogen // Thin Solid Films. 2000. V. 374. P. 92−97.
  105. Kim M.T., Lee J. Characterization of amorphous SiC: H films deposited from hexamethyldisilazane // Thin Solid Films. 1997. V. 303. P. 173−179.
  106. Morinaka A., Asano Yo. Residual stress and thermal expansion coefficient of plasma polymerized films // J. Appl. Polym. Sci. 1982. V. 27. P. 2139−2150.
  107. Noskov A.G., Gorokhov E.B., Sokolova G.A., Truchanov E.M., Stenin S.I. Correlation between stress and structure in chemically vapor deposited silicon nitride films // Thin Solid films. 1988. V. 162. P. 129−143.
  108. О.И., Горохов Е. Б., Носков А. Г., Судниченко М. Г., Рабинович Л. И. Состав, структура и механические напряжения пленок SiNx:H, полученных в плазме ВЧ-разряда // Поверхность. 1992. № 10−11. С. 102−110.
  109. Rayleigh. On waves propagated along the plane surfaces of an elastic solid//Proc. London Math. Soc. 1885. V. 17. P. 4−11.
  110. Nalamwar A.L., Epstein M. Surface acoustic waves in strained media// J. Appl. Phys. 1976. V. 47. N. 1. P. 43−48.
  111. Dewhurst R.J., Edwards C., McKie A.D.W. Palmer S.B. Estimation of the thickness of thin metal sheet using laser generated ultrasound //Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. N. 14. P. 1066−1068.
  112. Koleshko V.M., Meshkov Yu.V., Barkalin V.V. Strain effect in single-crystal silicon-based multilayer surface acoustic wave structures // Thin Solid Films. 1990. V. 190. N. 2. P. 359−372.
  113. Kuchler R., Richter E. Ultrasonic surface waves for studying the properties of thin films // Phys. Stat. Sol. 1994. V. 146. P. 659−667.
  114. И.А. Звуковые поверхностные волны в твердых телах. М.: Наука, 1981. 287 с.
  115. С.В., Левин М. Д., Яковкин И. Б. О существовании поверхностной волны в системе слой-полупространство // Акустический журнал. 1969. Т. XV. Вып. 1. С. 12−16.
  116. Rogers J.A., Maznev A.A., Banet M.J., Nelson К.A. Optical generation and characterization of acoustic waves in thin films: fundamentals and applications // Annu. Rev. Mater. Sci. 2000. V. 30. P. 117 157.
  117. Schneider D., Schwarz T. A photoacoustic method for characterizing thin films // Surf. Coat. Technol. 1997. V. 91. P. 136−146.
  118. Anttila A., Koskinen J., Bister M., Hirvonen J. Density measurements of diamond-like coatings using a low energy accelerator // Thin Solid Films. 1986. V. 136. P. 129−134.
  119. Schalchli A., Benattar J. J., Licoppe C. Accurate measurements of the density of thin silica films // Europhys. Lett. 1994. V. 26. № 4. P. 271−276.
  120. Eggerton R.F. Electron energy loss spectroscopy in the electron microscopy. New York: Plenum Press, 1986. 490 p.
  121. Ю.И. Наноиндентирование и механические свойства твердых тел в субмикрообъемах, тонких приповерхностных слоях и пленках (Обзор) // ФТТ. 2008. Т. 50. № 12. С. 2113−2142.
  122. Grodzinski P. Hardness testing of plastic // Plastics. 1953. V. 18. P. 312−314.
  123. С.И., Алехин В. П., Шоршоров М. Х., Терновский А. П., Шнырев Г. Д. Определение модуля Юнга по диаграмме вдавливания индентора // Заводская лаборатория. 1975. Т. 41. № 9. С. 1137−1141.
  124. С.И., Алехин В. П. Испытание материалов непрерывным вдавливанием индентора. М.: Машиностроение, 1990, 224 с.
  125. Kempf М., Goken М., Vehoff Н. Nanohardness measurements for studying local mechanical properties of metals // Appl. Phys. A. 1998. V. 66. P. S843-S846.
  126. P.А., Калинников Г. В., Hellgren N., Sandstrom P., Штанский Д. В. Наноиндентирование и деформационные характеристики наноструктурных боронитридных пленок // ФТТ. 2000. Т. 42. Вып. 9. С. 1624−1627.
  127. Tiwari A. Nanomechanical analysis of hybrid silicones and hybrid epoxy coatings a brief review // Adv. Chem. Eng. Sci. 2012. N. 2. P. 34−44.
  128. Oliver W.C., Pharr G.M. An improved technique for determining hardness and elastic modulus using load and displacement sensing indentation experiments // J. Mater. Res. 1992. V. 7. P. 1564−1583.
  129. С.И. Определение модуля Юнга и гистерезиса при ин-дентировании // ДАН. 2000. Т. 375. № 6. С. 762−766.
  130. Oliver W.C., Pharr G.M. Measurement of hardness and elastic modulus by instrumented indentation: Advances in understanding and refinements to methodology // J. Mater. Res. 2004. V. 19. N. 1. P. 3−20.
  131. Ishikawa H., Fudetani S., Hirohashi M. Mechanical properties of thin films measured by nanoindenters // Appl. Surf. Sci. 2001. V. 178. P. 56−62.
  132. Zhang T.-Y., Xu W.-H. Surface effects on nanoindentation // J. Mater. Res. 2002. V. 17. N. 7. P. 1715−1720.
  133. Martin M., Troyon M. Fundamental relations used in nanoindentation: Critical examination based on experimental measurements // J. Mater. Res. 2002. V. 17. N. 9. P. 2227−2234.
  134. Chen Xi, Vlassak J.J. Numerical study on the measurement of thin film mechanical properties by means of nanoindentation // J. Mater. Res. 2001. V. 16. N. 10. P. 2974−2982.
  135. Jiang X, Reichelt K, Stritzker B. Mechanical properties of a-C:H films prepared by plasma decomposition of СгН2 // J. Appl. Phys. 1990. V. 68. N. 3. P. 1018−1022.
  136. Chudoba Т., Griepentrog M., Duck A. Schneider D., Richter F. Young’s modulus measurements on ultra-thin coatings // J. Mater. Res. 2004. V. 19. N. 1. P. 301−314.
  137. X., Philip J., Zhang W.J., Hess P., Matsumoto S. // Hardness and Young’s modulus of high-quality cubic boron nitride filmsgrown by chemical vapor deposition // J. Appl. Phys. 2003. V. 93. N. 3.P. 1515−1519.
  138. Capprlla В., Strum H. Comparison between dynamic plowing lithography and nanoindentation methods // J. Appl. Phys. 2002. V. 91. N. l.P. 506−512.
  139. B.B., Немошкаленко B.B. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Электронная структура полупроводников. Киев: Наук. Думка, 1988. 424 с.
  140. Srivatsa К.М.К., Bera М., Basu A., Bhattacharya Т.К. Antireflection coatings on plastics deposited by plasma polymerization process // Bull. Mater. Sci. 2008. V. 31. N. 4. P. 673−680.
  141. Shi F.F. Recent advances in polymer thin films prepared by plasma polymerization Synthesis, structural characterization, properties and applications // Surf. Coat. Technol. 1996. V. 82 N. 1−2. P. 1−15.
  142. Poll H.U., Meichsner J., Arzt M., Friedrich M., Rochotzki R., KreyBig E. Optical properties of plasma polymer films // Surf. Coat. Technol. 1993. V. 59. N. 1−3. P. 365−370.
  143. Johnson E.M., Clarson S.J., Jiang H., Su W., Grant J.T., Bunning T.J. Plasma polymerized hexamethyldisiloxane (HMDS) barrier layer// Polymer. 2001. V. 42. P. 7215−7219.
  144. M., Борн Э. Основы оптики. M.: Наука, 1973. 855 с.
  145. В.И., Абаев М. И., Лызлов Н. Ю. Эллипсометрия в физико-химических исследованиях. Л.: Химия, 1986. 152 с.
  146. И.В., Власов А. Г., Непорент Б. С., Суйковская Н. В. Просветление оптики. М.: Гостехиздат, 1946. 213 с.
  147. Р., Башара Н. Эллипсометрия и поляризованный свет. М.: Мир, 1981. 584 с.
  148. A.B., Свиташев К. К., Семененко А. И., Семененко Л. В., Соколов В. К. Основы эллипсометрии. Новосибирск: Наука, 1978. 424 с.
  149. М.М. Эллипсометрия. М.: Сов. радио, 1974. 200 с.
  150. Handbook of ellipsometry / ed. H.G. Tompkins and E.A. Irene. New-York: William Andrew Inc, 2005. 902 p.
  151. De Smet D.J., Ord J.L. Analysis of ellipsometric data in electrochemical systems using the simplex algorithm // J. Electrochem. Soc. 1989. V. 136. N. 10. P. 2841−2845.
  152. A.C., Михайлов H.H., Швец В. А. Эллипсометриче-ский контроль предэпитаксиальной подготовки подложек GaAs и роста эпитаксиальных пленок CdTe // Повехность. 1990. № 12. С. 92−96.
  153. Akasaka Т., Araki Y., Nakata М., Shimizu I. In situ ellipsometric observations of the growth of silicon thin films from fluorinated precursors, SiFnHm (n+m<3) // Jpn. J. Appl. Phys. 1993. V. 32. P. 26 072 612.
  154. Langereis E., Heil S.B.S., van de Sanden M.C.M., Kessels W.M.M. In situ spectroscopic ellipsometry study on the growth of ultrathin TiN films by plasma-assisted chemical vapor deposition // J. Appl. Phys. 2006. Vol. 100. P. 134−144.
  155. Т. Сертификация эллипсометров и методы их контроля. // Автометрия. 1997. № 1. С. 83−94.
  156. . М. Установление анизотропии при калибровке лимбов азимутальных шкал эллипсометров // Автометрия. 1997. № 1. С. 95−99.
  157. Ayupov B.M., Gritsenko V.A., Wong H., Kim C.W. Accurate ellipsometric measurement of refractive index and thickness of ul-trathin oxide film // J. Electrochem. Soc. 2006. Vol. 153. N. 12. P. F277-F282.
  158. .М., Румянцев Ю. М., Шаяпов B.P. Особенности определения толщины диэлектрических пленок, полученных в поисковых экспериментах // Поверхность. 2010. № 5. С. 100−105.
  159. .М., Зарубин И. А., Лабусов В. А., Суляева B.C., Шаяпов В. Р. Поиск первоначального приближения при решении обратных задач в эллипсометрии и спектрофотометрии // Оптический журнал. 2011. Т. 78. №. 6. С. 3−9.
  160. В.А., Рыхлицкий С. В. Метод эллипсометрии в науке и технике // Автометрия. 1997. № 1. С. 5−21.
  161. В.А., Спесивцев Е. В., Рыхлицкий С. В., Михайлов Н. Н. Эллпсометрия прецизионный метод контроля тонкопленочных структур с субнанометровым разрешением // Рос. нанотехнол. 2009. Т. 4. № 3−4. С. 72−84.
  162. Aspnes D.E., Studna А.А. Dielectric functions and optical parameters of Si, Ge, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs and InSb from 1.5 to 6.0 eV // Phys. Rev. B. 1983. V. 27. N. 2. P. 958−1009.
  163. Handbook of optical constants of solids / ed. E. D. Palik. San Diego: Academic Press, 1998. 807 p.
  164. Handbook of optical constants of solids II / ed. E. D. Palik. San Diego: Academic Press, 1998. 1110 p.
  165. Jellison G.E., Boatner L.A., Dudai J.D. Spectroscopic ellipsometry of thin film and bulk anatase // J. Appl. Phys. 2003. V. 93. N. 12. P. 9537−9541.
  166. Pliskin W.A. Refractive index dispersion of dielectric films used in the Semi-conductor Industry // JES. 1987. V. 134. N. 11. P. 28 192 826.
  167. Forouhi A.R., Bloomer I. Optical dispersion relations for amorphous semiconductors and amorphous dielectrics // Phys. Rev. B. 1986. V. 34. N. 10. P. 7018−7026.
  168. Easwarakhanthan Т., Beyssen D., Le Brizoual L., Alnot P. Forouhi-Bloomer and Tauc-Lorentz optical dispersions applied using spectroscopic ellipsometry to plasma-deposited fluorocarbon films // J. Appl. Phys. 2007. V. 101, P. 73 102−1-7.
  169. Kurihara K., Hikino Sh., Adachi S. Optical properties of N+ ion-implanted and rapid thermally annealed Si (100) wafers studied by spestro-scopic ellipsometry // J. Appl. Phys. 2004. V. 96. N. 6. P. 3247−3254.
  170. Franke E., Shubert M., Newmann H. Phase and microstructure investigations of boron nitride thin films by spectroscopic ellipsometry in the visible and infrared spectral range // J. Appl. Phys. 1997. V. 82. N. 6. P. 2906−2911.
  171. Haage Т., Schmidt U.I., Schroder В., Oechsner H. Modelling the dielectric function of thin films measured by spectroscopic ellipsometry: determination of microstructure and density // Frese-nius J. Anal. Chem. 1995. V. 353. P. 556−558.
  172. Petrik P., Lohner Т., Egerhazi L., Geretovszky Zs. Optical models for the ellipsometric characterization of carbon nitride layers prepared by inverse pulsed laser deposition // Appl. Surf. Sci. 2006. V. 253. P. 173−176.
  173. T.T., Марин Д. В., Володин В. А., Попов A.A., Vergnat М. Структура и оптические свойства сформированных с применением низкочастотного плазмохимического осаждения пленок
  174. SiHx:H, со-держащих нанокластеры кремния // ФТП. 2009. Т. 43. Вып. 11. С. 1557−1563.
  175. Li W.J., Song Z.R., Yu Y.H., Wang X., Zou S.C. sp3/sp2 ratio in amorphous-carbon thin film by spectroscopic ellipsometry // J. Appl. Phys. 2003. V. 94, N. 1. P. 284−287.
  176. Mistrik J., Cechalova В., Studinka J., Cech V. Spectroscopic ellipsometry study of plasma-polymerised vinyltriethoxysilane films // J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 2009. V. 20. P. S451-S455.
  177. Spaeth K., Kraus G., Gauglitz G. In-situ characterization of thin polymer films for applications in chemical sensing of volatile organic compounds by spectroscopic ellipsometry // Fresenius J. Anal. Chem. 1997. V. 357. P. 292−296.
  178. Guo S., Rochotzki R., Lundstrom I., Arwin H. Ellipsometric sensitivity to halothane vapors of hexamethyldisiloxane plasma polymer films // Sensor. Actuat. B-Chem. 1997. V. 44. P. 243−247.
  179. Saloum S., Alkhaled B. Structural, Optical and electrical properties of plasma deposited thin films from hexamethyldisilazane compound // Acta Phys. Pol. A. 2011. V. 119. N. 3. P. 369−373.
  180. Н.И., Голубенко A.H., Румянцев Ю. М., Максимовский Е. А. Использование гексаметилциклотрисилазана для получения прозрачных пленок сложного состава // ФХС. 2009. Т. 35. № 3. С. 351−364.
  181. В.Р., Румянцев Ю. М., Файнер Н. И., Аюпов Б. М. Оптические и механические свойства пленок, полученных плазмохи-мическим разложением гексаметилдисилазана // ЖФХ. 2012. Т. 86. № И. С. 1841−1846.
  182. К.А. Кремнийорганические соединения. М.: Гос-химиздат, 1955. 521 с.
  183. Rao C.N.R. Chemical applications of infrared spectroscopy. New-York: Academic Press, 1963. 683 p.
  184. P., Гейдон А. Отождествление молекулярных спектров. M.: Издатинлит, 1949. 240 с.
  185. Raynaud P., Amilis Т., Segui Y. Infrared absorption analysis of organosilicon/oxygen plasmas in a microwave multipolar plasma excited by distributed electron cyclotron resonance // Appl. Surf. Sci. 1999. V. 138−139. N. 1. P. 285−291.
  186. Bullot J., Schmidt M.P. Physics of amorphous Silicon-Carbon alloys //Phys. Stat. Sol. B. 1987. V. 143. P. 345−418.
  187. Landolt-Bornstein: Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology. Group 3: Condensed Matter. Volume 35 °F: Chemical Shifts and Coupling Constants for Silicon-29. Berlin: Springer, 2008. 464 p.
  188. Tajima J., Yamamoto M. Characterization of plasma polymers from tetramethylsilane, octamethylcyclotetrasiloxane, and methyltri-methoxysilane //J. Polym. Sci. 1987. V. 25. P. 1737−1744.
  189. Нитрид кремния в электронике / под ред. А. В. Ржанова. Новосибирск: Наука, 1982. 200 с.
  190. Barklie R.C. Characterisation of defects in amorphous carbon by electron paramagnetic resonance // Diam. Relat. Mater. 2001. V. 10. P. 174−181.
  191. Jiang H., Grant J.T., Enlow J., Su W., Bunning T.J. Surface oxygen in plasma polymerized films // J. Mater. Chem. 2009. V. 19. P. 2234−2239.
  192. Andronenko S.I., Stiharu I., Misra S.K. Synthesis and characterization of polyureasilazane derived SiCN ceramics // J. Appl. Phys. 2006. V. 99, P. 113 907−1-5.
  193. .А. Раман-спектроскопия в неорганической химии и минералогии. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2009. 200 с.
  194. Shayapov V.R., Rumyantsev Yu.M., Dzyuba A.A., Ayupov B.M., Fainer N.I. Mechanical stresses in silicon carbonitride films obtained by PECVD from hexamethyldisilazane // Appl. Surf. Sci. 2013. V. 265. P. 385−388.
  195. Jou J.-H., Hsu L. Stress analysis of elastically anisotropic bilayer structures // J. Appl. Phys. 1991. V. 69. N. 3. P. 1384−1388.
  196. Shayapov V.R., Rumyantsev Yu.M., Fainer N.I., Ayupov B.M. Physical properties of the SiCxNyHz films // Key Engineering Materials. 2012. V. 508. P. 283−286.
  197. В.А., Слонимский Г. А. Краткие очерки по физико-химии полимеров. М.: Изд-во МГУ, 1960, 176 с.
  198. Handbook of chemistry and physics. CRC Press Inc., 2002, P. 12.3512.36.
  199. Phase transitions and self-organization in electronic and molecular networks / Ed. J. C. Phillips and M. F. Thorpe. Kluwer academic publishers, 2002, 467 p.
  200. Wrobel A.M. Silicon carbonitride (SiCN) films by remote hydrogen microwave plasma CYD from tris (dimethylamino)silane as novel single-source precursor // Chem. Vap. Deposition. 2010. V. 16. P. 211−215.
  201. .М., Шаяпов B.P. Использование спектрометра «Ко-либри-2» для исследования твердых тел // Заводская лаборатория. 2012. Т. 78. № 1. Ч. 2. С. 101−104.
  202. Д. Прикладное нелинейное программирование. М.: Мир, 1975. 534 с.
  203. .М., Титова Е. Ф., Сысоева Н. П. Программное обеспечение эллипсометрических измерений в системе пленка-подложка // Электронная техника. Сер. Микроэлектроника. 1985. Вып. 3(115). С. 126−129.
  204. Shi F.F. Developments in Plasma-polymerized organic thin films with novel mechanical, electrical, and optical properties // J. Macromol. Sci. C: Polym. Rev. V. 36. N. 4. P. 795−826.
  205. Shaffer P.T.B. Refractive index, dispersion, and birefringence of silicon carbide poly types // Appl. Opt. 1971. V. 10. P. 1034−1036.224.225.226.227.
  206. Jackson W.B., Amer N.M., Boccara A.C., Fournier D. Photothermal deflection spectroscopy and detection // Appl. Opt. 1981. V. 20. N. 8. P. 1333−1344.
  207. В.И., Руковишников А. И., Перов П. И., Россуканый Н. М., Авдеева JI.A. Разработка оптических методов и аппаратуры для контроля технологии и параметров полупроводниковых структур нано и микроэлектроники // РЭ. 1999. Т. 44. № 11. С. 1404−1407.
  208. В.И., Руковишников А. И. Компактный многоканальный спектроэллипсометр для ex-situ и in-situ измерений // ПТЭ. 2003. № 2. С. 164−165.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?