Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Динамика и механизмы образования дефектов в щелочно-галоидных кристаллах при интенсивном оптическом возбуждении примесных центров

Диссертация: Динамика и механизмы образования дефектов в щелочно-галоидных кристаллах при интенсивном оптическом возбуждении примесных центров
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Актуальность исследования процессов, связанных с воздействием мощного лазерного излучения на диэлектрические материалы, опреде-ляляется многими научными и прикладными проблемами лазерной физики, такими, как лазерная накачка активных элементов лазеров, оптические и радиационные технологии создания активных материалов и пассивных затворов на центрах окраски, лазерное разрушение оптических… Читать ещё >

Содержание

  • ВВЩЕНИЕ
  • ГЛАВА I. ФОТОИОНИЗАЦИЯ РТУТЕПОДОБНЫХ ИОНОВ В ЩГК ПОД
  • ДЕЙСТВИЕМ ИНТЕНСИВНОГО УФ ИЗЛУЧЕНИЯ
    • 1. 1. Ртутеподобные ионы в ЩГК
    • 1. 2. Спектроскопия активированных ЩГК при интенсивном
  • УФ лазерном возбуждении
    • 1. 3. Вероятность и механизмы ионизации ртутеподобных ионов в ЩГК
    • 1. 4. сечения фотоионизации ртутеподобных ионов в ЩГК
  • ГЛАВА 2. ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СОСТОЯНИЯ РТУТЕПОДОБНЫХ ИОНОВ В ЩГК
    • 2. 1. Фотопереходы между локальными и зонными состояниями ртутеподобных ионов в ЩГК
    • 2. 2. Квазилокальные состояния ртутеподобных ионов в ЩГК
    • 2. 3. Роль высокоэнергетических состояний ртутеподобных ионов в процессах рекомбинации электронов с дырочными центрами
    • 2. 4. Сечения рекомбинации и захвата электронов примесными центрами в ЩГК
  • ГЛАВА 3. ОСОБЕННОСТИ ОБРАЗОВАНИЯ Р-ЦЕНТРОВ ПРИ УФ ЛАЗЕРНОМ ВОЗБУЖДЕНИИ КРИСТАЛЛОВ
    • 3. 1. Микроволново-оптичеекая спектроскопия дефектов
  • 3−2. Особенности образования Р-центров в активированных
  • ЩГК при лазерном возбуждении кристаллов
  • ГЛАВА 4. ШКОСЕКУНДНАЯ ДИНАМИКА ОБРАЗОВАНИЯ ПРИМЕСНЫХ И
  • СОБСТВЕННЫХ ДЕФЕКТОВ В АКТИВИРОВАННЫХ ЩГК
    • 4. 1. Автоматизированный пикосекундный абсорбционный спектрометр
    • 4. 2. Пикосекундная динамика образования Р-центров
  • 4−3- Влияние двухфотонных переходов на образование р-центров. 1 об
    • 4. 4. Динамика и механизм образования А°(1)-центров
  • ГЛАВА 5. ЦИКЛИЧЕСКАЯ ФОТОИНЖЕКЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК БРИМЕОБЫММ ЦЕНТРАМИ В ЩГК
    • 5. 1. Физическое обоснование модели образования р-центров в активированных ЩГК
    • 5. 2. Численное моделирование процессов генерации электронных возбуждений примесными центрами в ЩГК
    • 5. 3. Экспериментальная проверка модели образования р-центров
  • ГЛАВА 6. ЭКСЙТОННАЯ ПРИРОДА ОБРАЗОВАНИЯ Р-ЦЕНТРОВ ПРИ
  • ОПТИЧЕСКОМ ВОЗБУЖДЕНИИ ПРИМЕСНЫХ ИОНОВ В ЩГК
    • 6. 1. Люминесценция автолокализованных экситонов в активированных ртутеподобными ионами ЩГК
    • 6. 2. Экситонная природа образования Р-центров

Динамика и механизмы образования дефектов в щелочно-галоидных кристаллах при интенсивном оптическом возбуждении примесных центров (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Исследование электронных возбуждений и образования дефектов в чистых и активированных щелочно-галоидных кристаллах (ЩГК) интенсивно ведется в течение нескольких последних десятилетий. Большое внимание, которое привлекают ЩГК, связано с тем, что они в течение многих лет являются важнейшими модельными объектами для физики дефектов в кристаллах, спектроскопии центров люминесценции, теории экситонов и других разделов физики твердого тела и физической оптики. Открытие и успешное изучение новых физических явлениий, таких, как автолокализация дырок в идеальной решетке [1] и распад электронных возбуждениий с образованием дефектов [2, 33, формирование новых подходов в теории тведого тела [43, развитие теории экситонов [5, 63 и поляронной теории [73 во многом стали возможными благодаря интенсивным исследованиям чистых и активированных ЩГК.

Несмотря на то, что чистые ЩГК используются в качестве оптических материалов для ИК и УФ (включая ВУФ) областей спектра [8, 93, основные и наболее важные применения ЩГК связаны с созданием в них центров окраски и целенаправленным введением в кристаллы различных примесных ионов-активаторов [2, 10−173. Среди многочисленных ионов-активаторов, вводимых в ЩГК с целью создания модельных объектов, а также для разнообразных применений, особое место занимают ртутеподобные ионы (РИ) 1п+, !Г1+, Бп2″ 1″ и др. [18, 193. Свое название РИ получили за схожесть строения своих электронных оболочек с электронной оболочкой нейтрального атома ртути. Именно с этой группой примесных ионов связаны многие важнейшие применения активированных ЩГК, такие, как сцинтилляционная техника [13, 143, квантовая электроника [ю, 123, медицинская рентгеновская радиография [16, 17 3, разработка перспективных элементов памяти вычислительных машин [15]. РМ в ЩГК рассматривались также в качестве перспективного класса активаторов для получения перестраиваемого лазерного излучения в УФ области спектра [153.

В течение долгого времени указанные кристаллы были объектами обширных исследований в радиационной физике при изучении процессов генерации электронных возбуждений и образования дефектов под действием ионизирующих излучений — рентгеновских и гамма-квантов, пучков электронов. Оптическое возбуждение ЩГК с РИ проводилось, в основном, с целью изучения обычных спектроскопических характеристик кристаллов и ограничивалось некогерентными низкоинтенсивными источниками света.

Открытие лазеров и впечатляющий прогресс квантовой электроники и нелинейной оптики в 70−80 годы поставили перед наукой и техникой ряд новых задач, связанных с необходимостью изучения физических процессов, протекающих в ионных кристаллах под действием мощного лазерного излучения. К таким процессам относятся фотоионизация примесных центров, оптические переходы из возбужденных состояний и многофотонные переходы, генерация электронных возбуждений (электронов, дырок, экситонов), образование примесных и собственных дефектов. Для большинства широкозонных диэлектриков все эти процессы представляли собой практически неизученный раздел физики взаимодействия излучения с веществом, что и определило главную направленность исследований и основную цель настоящей работы.

Актуальность исследования процессов, связанных с воздействием мощного лазерного излучения на диэлектрические материалы, опреде-ляляется многими научными и прикладными проблемами лазерной физики, такими, как лазерная накачка активных элементов лазеров, оптические и радиационные технологии создания активных материалов и пассивных затворов на центрах окраски, лазерное разрушение оптических материалов, генерация гармоник и параметрические взамодействия в кристаллах. Неравновесные носители и дефекты могут оказывать существенное влияние на пороги лазерного разрушения и процессы деградации оптических материалов, используемых в качестве активных и пассивных элементов лазерных установок [20]. Существенное влияние на пороги лазерного разрушения и процессы деградации оказывют неконтролируемые примеси в оптических материалах [20]. Для оценки влияния неконтролируемых примесей и достоверной интерпретации физических явлений с их участием изучение механизмов генерации неравновесных носителей и образования дефектов в ионных кристаллах о контролируемым составом примесей представляет несомненный интерес.

Наши первые эксперименты показали, что лазерное возбуждение активированных РИ ЩГК в полосы примесного поглощения (УФ область спектра) на много порядков увеличивает вероятность фотоионизации примесных центров и эффективность образования дефектов [21−23] по сравнению с нерезонансным (видимая и ИК-область) лазерным возбуждением кристаллов [24, 25]. Поэтому резонансное возбуждение примесных центров в кристаллах представляет наибольший интерес как с физической точки зрения, так и с точки зрения реализованных и возможных применений активированных РИ ЩГК. Вот почему основное внимание в настоящей работе уделялось изучению физических процессов, вызванных интенсивным резонансным УФ возбуждением примесных РИ.

Основные задачи диссертации формировались не только из общей проблемы изучения процессов фотопревращений примесных ионов и дефектов в широкозонных диэлектриках. В значительной степени диссертация посвящена исследованию обнаруженных нами новых и ранее неизученных физических явлений. Так, обнаруженная нами эффективная ионизация РИ в ЩГК под действием мощных УФ лазерных импульсов дала начало циклу работ, в которых исследовались механизмы ионизации примесных центров [21−23], динамика образования дефектов [21−23, 26], спектроскопические характеристики высокоэнергетических и зонных (квазилокальных) состояний активатора [27−34, 36].

В результате систематических исследований с применением разнообразных методов (импульсной абсорбционной спектроскопии, люминесцентного, ЭБР) нами показано, что механизмом, ответственным за эффективную ионизацию РМ в ЩГК при интенсивном возбуждении в А-полосе является ступенчатая фотоионизация активатора из нижнего возбужденного состояния [21−23, 26]. Безусловный интерес представляло выяснение природы конечных (зонных) состояний оптического перехода, ведущего к ионизации. Поэтому одной из задач, поставленной и выполненной впервые для исследуемого класса кристаллов, было измерение сечений фотопереходов между возбужденными состояниями РИ и состояниями континуума [27, 28]. С этой проблемой связана задача исследования квазилокальных состояний активатора — аналогов автоионизационных состояний свободных атомов и ионов [373. С квазилокальными состояниями связывают ъ-полосы Р-центров [38], оптические переходы Т12± центров [39]. Теоретические оценки возможных характеристик квазилокальных состояний РИ в ЩГК были сделаны в [40−42], однако эти работы в дальнейшем не были развиты. Трудность экспериментальных исследований квазилокальных состояний в ЩГК заключается в том, что поглощение на эти уровни с основного находится в ВУФ-области и обычно перекрывается с экситонным или фундаментальным поглощением матрицы [40]. Поэтому обнаружить квазилокальные уровни методами обычной спектроскопии сложно. Исследование зонных состяний РИ было проведено методами ступенчатой лазерной спектроскопии, которые позволили впервые экспериментально исследовть спектральные зависимости фотопереходов РИ в ЩГК из возбужденных состояний в зонные. Обнаруженные при этом резонансы фотоионизации, как показал проведенный анализ, связаны с квазилокальными состояниями РИ [30−34, 36].

Концентрация примесных и собственных дефектов, создаваемых в кристаллах мощным УФ возбуждением, оказалась настолько большой (10−20% от начальной концентрации РИ), что это открыло возможность исследовать фотопревращения центров окраски, не прибегая к радиационным воздействиям на образцы. В частности, используя только оптическое возбуждение, в спектрах фотостимулированной люминесценции кристаллов мы обнаружили полосы, принадлежащие высокоэнергетическим С-состояниям РИ, впервые показав при этом их участие в процессах рекомбинации зонных электронов с дырочными центрами в ЩГК [43, 44]. Измерения кинетики нарастания фотостимулированной люминесценции дали нам возможность получить экспериментальные оценки сечениий рекомбинации зонных электронов с примесными дефектами в ЩГК [45].

Важнейшей частью диссертационной работы является комплекс пикосекундных исследований динамики образования примесных и собственных дефектов. Постановка такой задачи была вызвана прежде всего обнаруженными нами аномалиями образования У-центров и сложных примесных дефектов, содержащих У-центры [26, 36]. Особенности образования этих дефектов (концентрация, динамика) не получали объяснения в рамках существующих представлений. В то же время кинетика образования дефектов, измеренная в наносекундном диапазоне, не позволяла привлечь к рассмотрению механизмы, связанные со структурной перестройкой решетки [2, з], характерные времена которых находятся в пикосекундном диапазоне [6, 46−48]. В связи с необходимостью исследования динамики образования дефектов в пикосекундном диапазоне нами был собран автоматизированный пикосекундвый абсорбционный спектрометр, способный регистрировать в широком спектральном интервале (0,26 — 2,7 мкм) изменения оптической плотности АВ % 0,001 с разрешением № = 8-ю пс. В спектрометре могли быть одновременно использованы несколько перестраиваемых по длине волны оптических каналов возбуждения — зондирования с независимой оптической и электронной временной задержкой.

Проведенный комплекс пикосекундных спектрально-кинетических исследований позволил нам получить ряд важных приоритетных результатов. Было установлено, что время образования Р-центров при резонансном оптическом возбуждении РИ в ЩГК лежит в интервале ю — 20 пс [49−51], что совпадает с характерными временами экситонных механизмов образования Р-центров в номинально чистых ЩГК [46−48]. Специально проведенными исследованиями теоретически и экспериментально доказано, что в условиях поглощения возбуждающего излучения примесными ионами (резонансное возбуждение кристаллов) двухфотон-ные переходы между валентной зоной и зоной проводимости ЩГК не ответственны за образование автолокализованных экситонов и р-центров [52]. Это означало, что начальной стадией сложного процесса образования Р-центров является возбуждение активатора. Пико-секундные измерения также позволили достоверно установить миграционную природу образования А°(1)-центров [53].

Результаты пикосекундных измерений и их анализ позволили обоснованно привлечь экситонные процессы в кристаллах для объяснения природы образования Р-центров и других дефектов в активированных ЩГК. Нами была предложена и теоретически обоснована модель образования Р-центров, согласно которой необходимо учитывать оптическую делокализацию дырок с дырочных примесных центров — а2+ [54, 55]. Экспериментальная проверка модели показала хорошее совпадение полученных данных с результатами численного моделирования [54−56].

Важным следствием этих исследований было обоснование и доказательство экситонного механизма образования Рцентров вследствие циклической инжекции электронных возбуждений (электронов, дырок, эк-ситонов) фотовозбуждаемым примесным ионом [54−56].

Для получения прямых доказательств экситонной природы образования Р-центров нами проведены низкотемпературные эксперименты с целью обнаружения люминесценции автолокализованных экситонов, вызванной оптическим возбуждением РИ в ЩГК, т. е. возбуждением кристаллов в полосы примесного поглощения. В активированных РИ кристаллах была обнаружена люминесценция, спектрально-кинетические и температурные характеристики которой соответствовали хорошо изученным свойствам люминесценции автолокализованных экситонов в чистых ЩГК [57]. Этот факт сам по себе является веским доказательством экситонного механизма образования Р-центров, принимая во внимание доказанное нами пренебрежимо малое влияние двухфотонных переходов «зона-зона» [52]. Вместе с тем, безусловный интерес представляло установление однозначной связи между появлением экситонов и фотоионизацией активатора, что и было выполнено методом каскадного лазерного возбуждения РИ с одновременным наблюдением экситонной люминесценции [57]. При этом было установлено, что уровень сигнала экситонной люминесценции хорошо коррелирует с временем жизни нижних возбужденных состояний РИ. Таким образом, результаты исследований экситонной люминесценции позволили окончательно установить экситонную природу образования Р-центров при резонансном оптическим возбуждении РИ в ЩГК.

В диссертации получен большой объем приоритетных фундаментальных результатов, значительно расширяющих физические представления о процессах взаимодействия активированных и номинально чистых диэлектрических материалов с интенсивными световыми потоками. После проведенного комплекса исследований стала очевидной необходимость учета квазилокальных состояний активатора, дырочных и экситонных процессов при разработке теоретических моделей, описывающих генерацию электронных возбуждений и дефектообразование при оптическом возбуждении диэлектриков. Полученные результаты будут способствовать дальнейшему развитию, возможно, и пересмотру сложившихся представлений о физических механизмах лазерного пробоя диэлектриков, оптической и радиационной стойкости диэлектрических материалов, физических процессах записи и считывания информации в твердотельных запоминающих средах. Обнаруженная и исследованная нами эффективная резонансная фотоионизация примесных центров в ЩГК и последующее образование больших концентраций Р-центров могут быть использованы при разработке оптических технологий создания перестраиваемых лазеров на А°(1)-центрах [53] и других центрах окраски. Предложенный на базе научных результатов способ оптической записи информации при УФ — возбуждении активированных РИ ЩГК защищен авторским свидетельством [35].

Диссертация состоит из введения, шести глав и заключения, в котором приведены основные выводы. В диссертации преимущественно излагаются результаты оригинальных исследований.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В работе получены следующие основные результаты:

1. Обнаружена эффективная ионизация (да = 1 о6- 1 о7 о-1) ртутепо-добных ионов (РИ) (1п+, Т1+, Бп2+ и др.) в ЩГК при интенсивном (I > 1 МВт/см2) лазерном возбуждении в полосы активаторного поглощения. Экспериментально установлено, что механизмом ионизации является ступенчатая фотоионизация активатора, приводящая к образованию в кристаллах примесных и собственных дефектов. Измерены сечения фотоионизации из нижнего возбужденного состояния ионов 1п+, Т1+, Бп2″ 1″, в ЩГК (а = (1−4)*ю-17 см2), величины которых близки к сечениям разрешенных электродипольных переходов.

2. В спектрах поглощения РИ в ЩГК из возбужденного состояния в зону проводимости обнаружены резонансы, установлено их энергетическое положение относительно дна зоны проводимости (2,4 — 2,7 эВ). Анализ экспериментальных данных и особенностей зон проводимости ЩГК показывает, что наблюдаемые резонансы фотоионизации связаны с квазилокальными состояниями активатора.

3. В спектрах рекомбинационной люминесценции РИ в ЩГК обнаружены С-полосы излучения активатора, показывающие, что при рекомбинации электронов с примесными дырочными центрами в ЩГК образуются возбужденные высокоэнергетические 1Р1-состояния РИ. Экспериментально получены величины сечений рекомбинации и захвата электронов примесными дефектами в ЩГК (а^ ^ Ю-12 см2 и а0 ~ 5*1 о-14 см2).

У а.

4. Методами оптической и ЭПР спектроскопии установлено, что резонансная фотоионизация РИ в ЩГК при т = зоок приводит к образованию А°(1)-центров. Исследован механизм образования а°(1)центров при оптическом возбуждении кристаллов. Экспериментально доказано, что А°(1)-центры образуются вследствие миграции анионных вакансий. Источником вакансий служат г1 — центры в регулярной решетке, которые являются первичным продуктом фотоионизации РИ.

5. Методом пикосекундной абсорбционной спектроскопии впервые измерены времена образования Р-центров в активированных РИ ЩГК при резонансной фотоионизации примесных ионов. Времена образования Р-центров составляют ю-20 пс, которые совпадают с временами образования Р-центров в чистых ЩГК вследствие распада автолокали-зованных экситонов.

6. Предложена модель образования Р-центров в активированных ЩГК, согласно которой в кристаллах под действием возбуждающего излучения происходит циклическая фотоинжекция электронов и дырок примесными центрами с последующим образованием автолокализован-ных экситонов и Р-центров. Методом численного моделирования процессов циклической фотоинжекции электронов и дырок получены расчетные значения концентрации Р-центров при различных интенсив-ностях возбуждения (I = 0,6 — 2,7 ГВт/см2). Экспериментально измеренные концентрации Р-центров в указанном интервале интенсив-ностей возбуждения хорошо совпадают с расчетными.

7. Обнаружена люминесценция автолокализованных экситонов в активированных РИ ЩГК при оптическом возбуждении ионов активатора в нижнее возбужденное состояние. Спектрально-кинетическими методами установлено, что источником электронных возбуждений для образования экситонов являются ионы активатора. Экспериментально доказана экситонная природа образования Р-центров в активированных РИ ЩГК. * *.

Автор выражает глубокую благодарность академику А. М. Прохорову за многолетнее научное сотрудничество и за постоянную поддержу настоящей работы. Автор искренне признателен Т. М. Муриной, В. М. Жекову, П. Г. Баранову, Л. Е. Нагли, В. В. Бочкареву, М. С. Батыгову за научное сотрудничество, участие в экспериментах и плодотворные обсуждения. Автор благодарен сотрудникам Дюссельдорфского университета (ФРГ) профессору Д. Ишду, докторам Л. О. Швану, А. Шиллеру, Р. Кампхаузену за предоставленную возможность экспериментальной работы, участие в экспериментах и полезные обсуждения. Автор благодарит всех сотрудников ИОФ РАН, которые способствовали выполнению настоящей работы.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Kanzig W. Electron spin resonance of Y-сenters. // Phys. Rev. 1955. Y. 99. N 6. P. 1890−1891.
  2. Ч.Б., Лущик А. Ч. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах.- М.: Наука, 1989. 264 с.
  3. It oh. N., Tanimura К. Pofmation of interstitial-vacancy pairs by electronic excitation in pure ionic crystals // J. Phys. Ohem. Solids. 1990. V. 51. N 7. P. 717−735.
  4. A.M. Теория дефектов в твердых телах. М.: Мир, 1978. Т. 1. 569 с.- Т. 2. 357 с.
  5. Р. Теория экситонов. М.: Мир, 1966. 219 с.
  6. Williams R.T., Song K.S. The self-trapped exciton // J. Phys. Ohem. Solids. 1990. V. 51. N 7. P. 679−716.
  7. Поляроны. Под ред. Ю. А. Фирсова. М.: Наука, 1975. 423 с.
  8. Е.М., Гречушников В. Н., Дистлер Г. И., Петров И. П. Оптические материалы для инфракрасной техники. М.: Наука, 1965. 336 с.
  9. А.Н., Щрейдер Е. Я. Вакуумная спектроскопия и ее применение. М.: Наука, 1976. 432 с.
  10. Ter-Mikirtychev Y.Y., Tsuboi Т. Stable room-temperature tunable color center lasers and passive Q-switchers. // Prog. Quant. Electr. 1996. Y. 20. N. 3. P. 219−268.
  11. А.И., Раджабов E.A., Егранов А. В. Центры окраски и люминесценция кристаллов ЫР. Новосибирск: Наука, 1984. 111 с.
  12. Gellermann W. Color center lasers // J. Phys. Chem. Solids. 1991. Y. 52. N. 1. P. 249−297.
  13. B.O., Ломоносов И. И., Писаревский А. Н. и др. Сцин-тилляционный метод в радиометрии. М., Госатомиздат, 1961. 430 с.
  14. Э.Д., Лусис Д. Ю., Чернов С. А. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов. Рига: Зинатне, 1979. 252 с.
  15. Г. М., Калнынып Р. А., Нагли Л. Е., Объедков В. П., Пля-виня И.К., Тале А. К. // Некоторые физические явления в активированных ЩГК и возможности оптической обработки информации // Автометрия. 1980. N 1.0. 66−96.
  16. Von Seggern Н. X-ray storage phosphors: physical mechanisms and applications // Crystal Lattice Def. and Amorph. Mater. 1989. V. 18. P. 339−417.
  17. Thorns M., Yon Seggern H., Winnacker A. Defect centers in the X-ray storage phosphor RbI: Tl+. // Proceedings of the XII Int. Conf. on Defects in Insulating Materials. Singapore: World Scientific, 1993. Vol. 2. P.1169−1171.
  18. С.Г., Лущик Н. Е. Электронные возбуждения ртутепо-добных центров в щелочно-галоидных кристаллах. // В сб. «Физика примесных центров в кристаллах». Таллин: АН ЗССР, 1972. С. 483−504.
  19. Ranfagni A., Mugnai D., Bacci М., Yiliani G., Pontana M.P. The optical properties of thallium-like impurities in alkali-halide crystals // Advances in Physics. 1983. Y. 32, No. 6. P. 823−905.
  20. .Г., Епифанов А. С., Маненков А. А., Панов А. А. Лазерное возбуждение неравновесных носителей в широкозонных диэлектриках. // В сб. «Лазерные методы исследований дефектов в полупроводниках и диэлектриках». М.: Наука, 1986. о. 99−151.
  21. П.Г., Данилов В. П., Жеков В. И., Мурина Т.М.,
  22. Л.Е., Прохоров A.M., Романов Н. Г. Оптическое поглощение кристаллов KI-T1, наведенное интенсивным УФ лазерным излучением. // тез. докл. 27-го Всесоюз. совещ. по люминесценции. Рига, 1980. о. 101.
  23. П.Г., Данилов В. П., Жеков В. И., Мурина Т. М., Нагли Л. Е., Прохоров A.M. Наведенное оптическое поглощение кристаллов KI-T1 под действием интенсивного лазерного излучения. // Крат, сообщ. по физике ФИШ. 1980. N 5- 0. 33−38.
  24. П.Г., Данилов В. П., Жеков В. И., Мурина Т. М., Нагли Л. Е., Прохоров A.M. Оптическое поглощение кристаллов KI-T1, наведенное интенсивным УФ лазерным излучением. // ФТТ. 1980. Т. 22. N 9. 0. 2790−2796.
  25. Г. И., Кац М.Л., Никольский В. К., Елистратов В. А. Многофотонное возбуждение люминесценции и фотопроводимости монокристаллов KCl-Eu рубиновым и неодимовым лазерами. // Изв. АН СССР, сер. физ. 1969. Т. 33. N 5. С. 857−662.
  26. Г. И., Кац М.Л., Никольский В. К., Медведев Б. А., Силки-на Т.Г. О механизмах уменьшения потенциала ионизации примесных центров в щелочно-галоидных кристаллах в поле лазерного излучения. // Опт. и спектр. 1975. Т. 38. N 5. 0. 959−965.
  27. П.Г., Данилов В. П., Жеков В. И., Мурина Т. М., Прохоров A.M. Образование центров окраски в кристаллах КС1−1п и NaCi-in под действием интенсивного УФ лазерного излучения // ФТТ. 1981. Т. 23. N 6. С. 1829−1831.
  28. В.П., Жеков В. И., Мурина Т. М., Нагли Л. Е. Ионизация лазерным возбуждением ртутеподобных ионов в щелочно-галоидных кристаллах // Изв. АН Латв. ССР, сер. физ.-тех. наук. 1982.1. N 3. С. 44−46.
  29. В.П., Жеков В. И., Мурина Т. М., Нагли Л. Е., Прохоров A.M. Сечения фотоионизации из возбужденного состояния некоторых ртутеподобных ионов в щелочно-галоидных кристаллах //
  30. Квантов, электрон. 1982. т. 9. N 7. с. 1466−1469.
  31. В.П., Жеков В. И., Мурина Т. М., Нагли I.E., Прохоров A.M. Фотоионизация ртутеподобных ионов в щелочно-галоидных кристаллах при возбуждении в А- и С-полосах. // Крат, сообщ. ПО физике. 1982. N 7. С. 25−28.
  32. В.П., Жеков В. И., Мурина Т. М., Нагли Л. Е., Прохоров A.M. Квазилокальные состояния в щелочно-галоидных кристаллах, активированных индием // Письма в ЖЭТФ. 1982. Т. 36. N 6. с. 187−189.
  33. В.П. Фотоионизация ртутеподобных ионов в щелочно-галоидных кристаллах при интенсивном оптическом возбуждении // Дис.. канд. физ.-мат. наук. Москва, 1983. 119 с.
  34. В.П., Жеков В. И., Мурина Т. М., Нагли Л. Е., Прохоров A.M. Высокоэнергетические квазилокальные состояния в активированных щелочно-галоидных кристаллах // в Сб. «Физика ВУФ излучения» М.: МГУ, 1983. G. 103−107.
  35. П.Г., Данилов В. П., Жеков В. И., Мурина Т.М.,
  36. Л.Е. Способ РЕГА записи и считывания оптической информации в ЩГК, активированных ртутеподобными ионами // Авт.
  37. СВИД. N 1 010 657. Б.И. 1983. N 13. 0. 272.
  38. В.П. Образование дефектов при интенсивном оптическом возбуждении щелочно-галоидных кристаллов с ртутеподобными ионами // В сб. «Лазерные методы исследований дефектов в полупроводниках и диэлектриках». М.: Наука, 1986. с. 60−98.
  39. У., Купер Дж. Спектральные распределения сил осцилляторов в атомах. М.: Наука, 1972. 200 с.
  40. Powler W.B. Electronic states and optical transitions of color centers // Phisics of color centers. Ed. W.B.fowler. N.Y.: lead. Press, 1968. P. 133−150.
  41. Osminin Y., Zazubovicli S. Processes due to optical excitation of inpurities with one s electron (Ag°, Gu°, Tl2+, In2+, Ga2+) in KC1 crystals // Phys. stat. sol. 1975. Y. 71. N 2. P. 435−447.
  42. H.E., Лущик Ч. Б., Лийдья Г. Г., Мерилоо И. А. Локализованные электронные возбуждения ионных кристаллов, активированных ртутеподобными ионами // Тр. И-та физики и астрономии АН ЭССР. 1964. N 28. С. 3−19.
  43. Н.Н., Завт Г. С. Оптические электронные переходы между локальными и зонными состояниями в примесных центрах // ОПТ. И спектр. 1968. Т. 25. N 5. С. 705−712.
  44. Н.Н. Теория примесных центров малых радиусов в ионных кристаллах. М.: Наука, 1974. 336 с.
  45. В.П., Мурина Т. М., Прохоров A.M., Шмид Д., Шван Л.,
  46. А. Образование высокоэнергетических состояний ртуте-подобных ионов в щелочно-галоидных кристаллах в процессе рекомбинации электронов и дырок // Письма в ЖЭТФ. 1989. Т.49. N 1. С. 21−23.
  47. В.П., Мурина Т. М., Прохоров A.M., 1Шлид Д., Шван Л., Шиллер А. Кинетика люминесценции щелочно-галоидных сцинтил-ляторов, фотостимулированной пикосекундными лазерными импульсами // Крат, сообщ. по физике. 1989. N з. с. 28−30.
  48. Bradford J.N., Williams R.T., Faust W.L. Study of F-center formation in KC1 on a piooseoond time scale // Phys. Rev. Letters. 1975. V. 35. No. 5. P. 300−303.
  49. Suzuki Y., Hirai M. Formation of self-trapped exoitons and F-centers in piooseoond range in KI crystals // J. Phys. Soo. Japan. 1977. V. 43. N 5. P. 1679−1685.
  50. D’hertoghe J., Jacobs G. Self-trapped exciton and P centre formation by picosecond laser pulses in alkali bromides and iodides. // Phys. stat. sol. (b). 1979. V. 95. N 1.1. P. 291−300.
  51. В.В., Данилов В. П., Мурина Т. М., Прохоров A.M. Кинетика образования F-центров при ступенчатой фотоионизации ионов Т1+ в КВг пикосекундными лазерными импульсами // Письма в ЖЭТФ. 1990. Т. 51, N. 7. С. 358−360.
  52. В.В., Данилов В. П., Мурина Т. М. Пикосекундная динамика образования F-центров в КВг-Tl и KBr-in при интенсивномлазерном возбуждении активатора // Крат, сообщ. по физике. 1991. N ю. с. 8−10.
  53. Boohkarev Y.Y., Danilov Y.P., Murina Т.М., Prokhorov A.M. Optical formation of A°(1) centers in KBr: Tl, KC1: T1, and KOI: In crystals // Phys. Stat. Sol. (b). 1992. V. 173, N 2. P. K43-K46.
  54. Batygov M.S., Boohkarev Y.V., Danilov V.P., Murina T.M., Prokhorov A.M. Intensively excited Tl±like impurity center as a factory of electrons and holes // Abs. XII Int. Conf. on Defects in Insulating Materials. Nordkirchen, 1992. P. 292.
  55. M.G., Бочкарев В. В., Данилов В. П., Мурина Т. М., Прохоров A.M. Генерация электронных возбуждений примесными центрами в щелочно-галоидных кристаллах под действием интенсивных световых потоков. // Препринт ИОФАН N 6, 1996. 30 с.
  56. Danilov Y.P., Murina T.M., Prokhorov A.M., Kamphausen R., Schmid D, Schwan L.O. Self-trapped exciton luminescence induced by photoexcitation of the impurity ions in alkali halides // Solid State Commun. 1995. Y. 94. N 6. P. 477−480.
  57. Pukuda A. Alkali halide phosphors containing impurity ionsрwith (в) configuration // Science of Light. 1964. V. 1312. P. 64−114.
  58. H.E., Мерилоо И. А. Кристаллофосфоры с ртутеподобными активаторами и проблема предсказания спектров новых люминофоров // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1966. Т.25. N 9. С. 1517−1520.
  59. М.Ф. О сложной структуре нижнего возбужденного состояния щелочно-галоидных кристаллов, активированных таллием // Радиационная физика. Рига: Зинатне, 1970. N 6. Р. 6−47.
  60. А.К. О внутрицентровой люминесценции щелочно-галоидаых кристаллов, активированных индием // Радиационная физика. Рига: Зинатне, 1970. N 6. Р. 49−92.
  61. Seitz P. Interpretation of the properties of alkali halide-thalllum phosphors // J. Ohem. Phys. 1938. Y. 6. N 3. P. 150−162.
  62. H.E., Лущик Ч. Б. Электронно-колебательные процессы в центрах люминесценции ионных кристаллов с участием нескольких возбужденных состояний // Тр. И-та физики и астрономии
  63. АН ЭССР. 1961. N 15. С. 30−35. 64- Edgerton R., Teegarden К. Emission spectra of KC1-T1, KBr-Tl, and KI-T1 at 300, 80, and 12°K // Phys. Rev. 1963- Y. 129. N 1. P. 169−174.
  64. Edgerton R., Teegarden K. Emission spectra of KI-T1 at 12°K // Phys. Rev. 1964. V. 136. N 4. P. 1091−1092.
  65. E.A., Зазубович С. Г., Лущик Н. Е. Поляризованное С-излучение кристалла KCi-Sn и уточнение диаграммы Sn2+ центров // ОПТ. и спектр. 1972. Т. 32. N 6. С. 749−755.
  66. О.И. Теория центра люминесценции в кристалле. Тарту: Изд-во Тарт. ун-та, 1968. 138 с.
  67. К.К. Элементарная теория колебательной структуры спектра примесных центров кристаллов. М.: Наука, 1968. 264 с.
  68. Н.Е., Лущик Ч. Б. О модели центров люминесценции в щелочно-галоидных кристаллофосфорах // Тр. И-та физики и астрономии АН ЭССР. 1957. N 6. С. 5−62.
  69. Н.Е. Щелочно-галоидные фосфоры, активированные индием // Тр. И-та физики и астрономии АН ЭССР. 1957. N 6. С.149−168.
  70. А. Эффект Яна-Теллера и центры типа Т1+ в щелочно-галоидных кристаллах // В сб. «Физика примесных центров в кристаллах». Таллин: АН ЭССР, 1972. С. 502−527.
  71. М.Ф., Золовкина И. О. А-люминесценция щелочно-галоидных кристаллов, активированных одновалентными ртутеподобными ионами // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1976. Т. 40. 19.1. С. 1939−1943.
  72. Le Si Dang, Romestain R., Merle d’Aubigne Y., Pukuda A. Magnetic resonance in relaxed excited states Ax and A^ of Ga in alkali halides // Solid State Communs., 1978. V. 26. N 7. p. 413−416.
  73. М.Ф. Статический эффект Яна-Теллера для ртутеподобных центров люминесценции в щелочно-галоидных кристаллах // ИЗВ. АН СССР. Сер. физ. 1981. Т. 45. N 2. С. 332−336.
  74. С.Г. Исследование структуры возбужденных состояний ртутеподобных центров в кубических кристаллах методом поляризованной люминесценции // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1982. Т.46. N 2. С. 273−279.
  75. Н., Герни Р. Электронные процессы в ионных кристаллах. М.: Изд-во иностр. лит. 1950. 304 с.
  76. Кац М. Л. Люминесценция и электронно-дырочные процессы в фотохимически окрашенных кристаллах щелочно-галоидных соединений. Саратов: Мзд-во Сарат. ун-та, 1960. 271 с.
  77. A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. М.: Высш. шк., 1971. 356 с.
  78. Г. К. Захват электронов и дырок центрами люминесценции в щелочно-галоидных кристаллах, активированных ртутеподобными ионами // Тр. И-та физики и астрономии АН ЭССР. 1963. N 23. С. 137−154.
  79. Г. К., Золотарев Г. К., Кукетаев Т. А., Лущик Н.Е.,
  80. Ч.Б. Активаторные ловушки для электронов и дырок в ионных кристаллах // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1966. т. зо. N 4. С. 695−697.
  81. Delbecq O.J., Ghosh А.К., Yuster Р.Н. Trapping and annihilation of electrons and positive holes in KC1: T1C1. // Phys. Rev. 1966. Y. 151. N 2. P. 599−609.
  82. Hersh H.N. Color centers in KI containing impurity electron acceptors: KI-Tl. // J. Chem. Phys. 1959. V. 30. N 3.1. P. 790−800.
  83. Jaek I., Kink M. Tl°, In° and Ga° centers in KC1 crystals.
  84. Phys. stat. sol. (b). 1973. V. 56. N 2. P. 375−381.2+
  85. Dreybrodt W., Silber D. Electron spin resonance of Ф1 centers in KC1 crystals // Phys. stat. sol. 1967. Y. 20.1. P. 337−346.
  86. П.Г., Храмцов В. А. ЭПР центров индия и галлия в щелочно-галоидных кристаллах // ФТТ. 1979. Т. 21. N 5. с. 1455−1460.
  87. Roth M., Halperin A. Radiation induced defects in KBr: Tl+ crystals // J. Phys. Chem. Solids. 1982. Y. 43. N 7. P. 609−616.
  88. Э.С. Оптические и электрические явления при делокализации примесных возбуждений в ионных кристаллах // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1966. Т. 30. N 9. С. 1545−1548.
  89. Э.С. Оптические и электрические явления при ионизации центров люминесценции в щелочно-галоидных кристаллах, активированных ионами Ga+, ln+ и il+. Автореф. дис.. канд.физ.-мат. наук. Тарту, 1968. 19 с.
  90. Ч.Б., Кяэмбре Х. Ф., Луканцевер Ю. Л., Лущик Н. Е., Тийслер Э. С., Яэк И.В. Ионизация центров люминесценции и квазилокальные электронные возбуждения в ионных кристаллах // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1969. Т. 33. N 5. С. 863−869.
  91. В.Н., Пидзырайло Н. С. Рекомбинационная люминесценция монокристаллов Nal-Ti, возбуждаемая в А-полосе активатор-ного поглощения // Изв. вузов (физика). 1972. N 7. с. 158−160.
  92. Dietrich Н.В., Purely A.S., Murray R.B., Williams R.T. Kinetics of self-trapped holes in alkali-halide crystals: Experiments in Nal (?l) and KI (d?l) // Phys. Rev. (B). 1973. Y. 8. N 12. P. 5894−5901.
  93. С.Г., Кинк М. Ф., Яэк И.В., Осминин B.C. Ступенчатое излучение двух фотонов при взаимодействии одной электронно-дырочной пары с активаторными центрами в ЩГК // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1973. Т. 27. M 4. С. 732−735.
  94. П.А. Параметры тепловой ионизации атомарных центров активатора в щелочно-галоидных кристаллах // Учен. зап. Латв. ун-та. 1975. Т. 246. С. 111−126.
  95. Smakula A. Uber Erregung mid Entfarbung licht elektrischleitender Alkalihalogenide // Zs. f. Physik. 1930. Bd. 59. S. 603−604.
  96. Dexter D.L. Absorption of light by atoms in solids // Phys. Rev. 1956. Y. 101. N1. P. 48−50.
  97. П.П. Кооперативные оптические явления в активированных кристаллах // В сб. «Физика примесных центров в кристаллах». Таллин: АН ЭССР, 1972. С. 539−563.
  98. Н.Л. О верхней и нижней ионизации ртутеподобных ионов В кристаллах KCl-Ga, Ag- KCl-In, Ag- KC1-T1, Ag- // ЖПС. 1969. T. 11. 0. 309−315.
  99. B.M. Туннельная ионизация возбужденных 1п±центров в KCl-In // ФТТ. 1972. Т. 14. N 12. 0. 3650−3654.юо. Делоне Н. Б., Крайнов В. П. Атом в сильном световом поле. М.: Атомиздат, 1978. 287 с.
  100. П.Г. Микроволново-оптическая спектроскопия дефектов в ионных кристаллах. // Дис.. докт. физ.-мат. наук. Ленинград, 1981. 396 с.
  101. З.Л. Измерение абсолютного квантового выхода фотолюминесценции щелочно-галоидных кристаллов // ЖЭТФ. 1955. Т. 29. N 6. С. 903−904.юз. Антонов-Романовский В. В. Введение в кинетику фотолюминесценции кристаллофосфоров. М.: Наука, 1966. 324 с.
  102. Ohata Т., Hayashi Т., Koshino S. Luminescence of (Tl+)2 centers in KI // J. Phys. Soc. Japan. 1978. Y. 45. N 2. P. 581−585.
  103. Ф., Парравичини Дж.П. Электронные состояния и оптические переходы в твердых телах. М.: Наука, 1982. 392 с.
  104. П.С. Физика полупроводников. М.: Высшая школа, 1975. 584 с.
  105. . Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973. 456 о.
  106. В.П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках. Минск: Наука и Техника, 1975. 464 с.
  107. Л.Е. Исследование затухания быстрого компонента примесной люминесценции при возбуждении в А- и С-полосах поглощения в кристалле К1-а?1 // Изв. АН Латв. ССР. Сер. физ.-техн. наук. 1977. ж 5. с. 33−38.
  108. Billardon М., Ortega J.M. On the existence of reabsorptionоbetween excited states of «ns^» ions in alkali halides. // Solid State Communs., 1981. V.38. N 8. P. 765−769.
  109. Page L.Y., Strozer Y.A., Hygh l.H. Calculation of L band in KC1 // Phys. Rev. Lett. 1968. Y. 21. N 6. P. 348−350.
  110. Ю.В., Решетнюк А. Д., Кистова E.M. Фотоионизация доноров с переходом электронов в более высокую зону проводимости // ФТП. 1970. Т. 4. N 1. С. 195−199.
  111. Дж. Оптические спектры твердых тел. М.: Мир, 1968. 176 с.
  112. Вонч-Вруевич В.Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1990. 685 с.
  113. Яэк И.В. О возбуждении примесных центров в щелочно-галоидных кристаллах при рекомбинации электронов и дырок. Тр. И-та физики и астрономии АН ЭССР. 1963. N 23. С. 170−174.
  114. Маделунг 0. Физика твердого тела (локализованные состояния). М.: Наука, 1985. 184 с.
  115. С.В. Природа фотостимулированной люминесценции в активированных ЩГК. Авт. дис.. канд. физ.-мат. наук. Саласпилс, 1988. 16 с.
  116. Bonch-Bruevich Y.L., Landsberg E.G. Recombination mechanisms // Phys. stat. sol. 1968. V. 29. No. 1. P. 9−43.
  117. Knox W.H., Teegarden K.J. Picosecond time-resolved spectroscopic study of vibronical relaxation processes in alkali halides. J. Luminescense. 1984. V. 31−31. P. 39−44.
  118. Н.И., Баранов П. Г., Житников Р. А., Романов Н. Г. Анизотропные центры серебра в кристалле КС1 // ФТТ. 1971. Т. 13. N 8. С. 2276−2282.
  119. Baranov P.G., Yeshunov Yu.P., Zhitnikov R.A., Romanov N.G. EPR, optical absorption and luminescence of anisotropic copper centers in KOI // Phys. stat. sol. (b). 1977. Y. 79. N 2. P. K33-K36.
  120. Ueta M., Kondo Y., Hirai M. P-centers formation in KC1 by electron pulse beam at 80K // J. Phys. Soc. Japan. 1969-Y. 26. N 4. P. 1000−1006.
  121. Pick H. Optical properties of solids // Ed. P. Abels. Amstermam: North-Holland, 1972. P. 653−754.
  122. Л.E., Станько Н. Г. Фотоионизация ионов Т±-+ в кристаллах КС1-Т1, NaCi-Ti интенсивным возбуждением в А-полосе поглощения // Мзв. АН Латв. ССР. Сер. физ.-техн. наук. 1986. N 4. 0. 30−35.
  123. Сверхкороткие световые импульсы. Под ред. С.Шапиро. М.: Мир, 1981. 479 с.
  124. Р., Пискарскас А., Сируткайтис В., Стабинис А., Ясевичуте Я. Параметрические генераторы света и пикосекундная спектроскопия. Вильнюс: Мокслас, 1983. 185 с.
  125. И.К. Закономерности экситонного дефектообразования в кристалле KBr-Tl, in при комнатной температуре // Изв. АН Латв. OOP. Сер. физ.-техн. наук. 1986. N 4. С. 25−29.
  126. А.З., Плявинь И. К., Тале А. К. Увеличение эффективности низкоэнергетического экситонного создания F 7 1п++ центров в KBr-ln при облучении в С-полосе поглощения // Изв. АН Латв. ССР. Сер. физ.-техн. наук. 1987. N 1. С. 47−55.
  127. В.В., Дейч Р. Г., Дяченко C.B., Нагли Л. Е., Пирогов Ф. В. О механизмах дефектообразования в активированных ЩГК // ФТТ. 1987. т. 29- N 6. 0. 1904−1906.
  128. А.З., Зубарев И. Г., Менцер А. Н. Анизотропия двухфотон-ного поглощения при оптическом возбуждении ПКГ на case // ФТТ. 1968. Т. 10. С. 543−549.
  129. Doyle W.T. Optical absorption by F-centers in alkali halides // Phys. Rev. 1958. Y. 111. N 4. P. 1072−1077.
  130. Liu P., Smith W.L., Lotem H., Bechtel J.H. Blombergen N. Absolute two-photon absorption coefficients at 355 and 266 nm // Phys. Rev. 1978. V. B17. N 12. P. 4620−4632.
  131. Prohlich D., Stagirmuss B. New assignments of the band gap in alkali bromides by two photoh spectroscopy // Phys. Rev. bett. 1967. Y. 19. N 9. P. 496−498.
  132. P.G., Dyakonov Y.Y., Romanov N.G., Yetrov Y.A. // Prenkel defect formation by intense UV light irradiation in the absorption bands of Tl+ -like ions in alkali halides // Phys. stat. sol. (b). 1990. Y. 159. N 2. P. K33-K36.
  133. А.А., Гулин А. В. Численные методы. M.: Наука, 1989. 432 с.
  134. Э., Нерсетт С., Ваннер Г. Решение обыкновенных дифференциальных уравнений. Нежесткие задачи.- М.: Мир, 1990. 512 с.
  135. Р. Курс дифференциального и интегрального исчисления. Т. 1. М.: Наука, 1967. 704 о.
  136. Pischbach J.U., Frohlich D., Eabler M.N. Recombination luminescence lifetimes and the self-trapped exciton in alkali halides // J. Luminescence. 1973. V. 6. N 1. P. 29−43.
  137. H.E., Соовик X.A. О поляризации люминесценции свободных и локализованных экситонов в Nal, KI и CsBr. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1976. Т. 40. N 9. С. 1922−1925.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?