Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Стимулированное излучение при оптическом возбуждении доноров фосфора в кремнии

Диссертация: Стимулированное излучение при оптическом возбуждении доноров фосфора в кремнии
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Поиск новых принципов для разработки источников когерентного излучения в диапазоне частот 1−10 ТГц вызывает большой интерес уже довольно долгое время. Это обусловлено несколькими причинами. В терагерцовом диапазоне частот сосредоточены наблюдаемые энергии вращательных переходов органических сред и молекул газов, фононные спектры в твердых телах, переходы между состояниями локализованных примесей… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Теоретические представления о механизме инверсной населенности состояний мелких доноров в кремнии и соответствующих эффектов усиления
    • 1. 1. Мелкие доноры в кремнии
    • 1. 2. Время жизни электрона в зоне проводимости и возбужденных состояниях донора фосфора в кремнии
      • 1. 2. 1. Рассеяние свободных носителей на акустических фононах
      • 1. 2. 2. Переходы между уровнями дискретного спектра со спонтанным излучением акустических фононов. Водородоподобный центр
      • 1. 2. 3. Влияние анизотропии состояний донорного центра на вероятности перехода с излучением акустических фононов
      • 1. 2. 4. Влияние междолинных переходов на вероятность акустической релаксации между локализованными состояниями
      • 1. 2. 5. Время жизни состояния 2ро
      • 1. 2. 6. Время жизни отщепленных состояний 1б (Е) и ^(Тг)
      • 1. 2. 7. Каскадный захват носителей на кулоновский центр
    • 1. 3. Механизм формирования инверсной населенности состояний донора фосфора в кремнии при оптической накачке
  • Глава 2. Наблюдение спонтанного и стимулированного излучения при накачке излучением СО2 лазера
    • 2. 1. Экспериментальная методика для наблюдения фотолюминисценции из кремния легированного мелкими донорами
    • 2. 2. Спонтанное излучение из БкР при оптической накачке
    • 2. 3. Наблюдение эффекта стимулированного излучения
      • 2. 3. 1. Влияние уровня легирования
      • 2. 3. 2. Временная динамика стимулированного излучения
      • 2. 3. 3. Спектр стимулированного излучения кремния, легированного фосфором, при фотоионизации активных центров
      • 2. 3. 4. Влияние температуры на эффект стимулированного излучения
  • Глава 3. Отрицательно заряженные доноры в Б^Р и влияние компенсации на усиление и поглощение ТГц излучения при оптическом возбуждении излучением С02 лазера
    • 3. 1. Населенность О" центров и поглощение ТГц излучения
    • 3. 2. Методика эксперимента и характеристики образцов
    • 3. 3. Влияние компенсации на зависимость спонтанного излучения от интенсивности накачки и усиление ТГц излучения
    • 3. 4. Влияние компенсации на поглощение фонового излучения
    • 3. 5. Зависимость пороговой интенсивности накачки от компенсации
  • Глава 4. Особенности стимулированного излучения доноров фосфора в кремнии при внутрицентровом оптическом возбуждении
    • 4. 1. Специфика внутрицентровой накачки
    • 4. 2. Экспериментальная установка для наблюдения стимулированного излучения при внутрицентровой накачке
      • 4. 2. 1. Параметры лазера на свободных электронах, используемого для внутрицентровой накачки
      • 4. 2. 2. Параметры образцов
      • 4. 3. 1. Зависимость эффекта стимулированного излучения от длины волны возбуждения
      • 4. 3. 2. Спектр стимулированного излучения БпР при внутрицентровой накачке
  • Глава 5. Коэффициент усиления терагерцового излучения доноров фосфора при их внутрицентровом и фотоионизирующем возбуждении
    • 5. 1. Измерение коэффициента усиления по времени нарастания при внутрицентровом возбуждении
    • 5. 2. Измерение коэффициента усиления по схеме «лазер — усилитель»
      • 5. 2. 1. Методика измерения
      • 5. 2. 2. Коэффициент усиления при накачке излучением СОг лазера
      • 5. 2. 3. Коэффициент усиления при виутрицентровом возбуждении
  • Глава 6. Сравнительные характеристики излучения доноров пятой группы в кремнии
    • 6. 1. Особенности различных донорных центров
    • 6. 2. Спектры стимулированного излучения доноров при их фотоионизации
    • 6. 3. Временные характеристики стимулированного излучения доноров
    • 6. 4. Зависимость стимулированного излучения от температуры
    • 6. 5. Особенности спектра стимулированного излучения доноров пятой группы при внутрицентровой накачке в линиях
    • 6. 6. Перспективы развития источников излучения на примесных переходах

Стимулированное излучение при оптическом возбуждении доноров фосфора в кремнии (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

диссертации.

Поиск новых принципов для разработки источников когерентного излучения в диапазоне частот 1−10 ТГц вызывает большой интерес уже довольно долгое время. Это обусловлено несколькими причинами. В терагерцовом диапазоне частот сосредоточены наблюдаемые энергии вращательных переходов органических сред и молекул газов, фононные спектры в твердых телах, переходы между состояниями локализованных примесей в полупроводниках. Большое значение имеет взаимодействие тера-герцового излучениями живой материи. В высокотемпературных сверхпроводниках (ВТСП) энергия связи куперовских пар также соответствует ТГц диапазону. Исторически разработка источников терагерцового диапазона ведется по нескольким направлениям. Среди наиболее разработанных следует отметить не полупроводниковые источники. В первую очередь это лазеры на свободных электронах (ЛСЭ) [1], где достигнуты рекордные для этого диапазона мощности (несколько мегаватт) с возможностью непрерывной перестройки в широком интервале, что делает их идеальным инструментом для научно-исследовательских целей. Очевидным недостатком ЛСЭ является громоздкость и стационарность этих установок. Другим широко используемым источником терагерцового излучения являются лампы обратной волны (ЛОВ), для которых получены частоты до 3 ТГц при мощности порядка 1 мВт [2]. Однако дальнейшее продвижение в коротковолновую область вызывает затруднение из-за проблем миниатюризации замедляющих систем и уменьшения поперечных размеров пучка. Большой набор дискретных линий излучения получен при оптическом возбуждении (как правило, излучением СО2 лазера) вращательно-колебательных переходов молекулярных сред (НгО, ЭгО, СН3ОН и др.) [3]. Они получили широкое распространение в качестве гетеродинов в гетеродинных приемниках. Однако ограниченный выбор линий и сложности в перестройке частот ограничивают сферу их применений. Стремление получить компактный, эффективный и перестраиваемый источник когерентного излучения терагерцового диапазона ставит задачи поиска новых полупроводниковых активных сред. В первую очередь речь идет о преобразовании излучения ближнего ИК диапазона с использованием различных физических принципов. Первые попытки были сделаны с использованием эффектов смешения. Разработаны системы, позволяющие производить плавную перестройку в ТГц диапазоне путем изменения условий синхронизма при смешении частот ближнего ИК с разностью, соответствующей терагерцовому диапазону [4]. Другим, характерным для терагерцового диапазона, стало появление так называемых АиБЮп БЛуисЬз (излучателей Остона), в которых полупроводник пластины (как правило, это ОаАэ) возбуждаются на межзонных переходах фемтосекундным источником излучения и, благодаря протеканию импульсного тока, являются источниками в ТГц диапазоне [5]. Резонансно-туннельный диод позволяет достичь частоты 0,7 ТГц [6], однако дальнейшее увеличение частоты сдерживается техническими трудностями, хотя применение этих устройств в качестве смесителей возможно и в более высоких частотах. Применение тройных соединений типа РЬБиБе [7] позволило создать первые инжекционные терагерцовые лазеры с длиной волны до 40 мкм, однако уменьшение ширины щели приводит к высокой вероятности Оже-процессов, что затрудняет применение подобных принципов для получения эффективных источников, работающих при комнатной или хотя бы азотной температуре.

Первыми полупроводниковыми лазерами в диапазоне 50 -200 мкм стали р-ве лазеры, работающие с использованием различных излучательных переходов. После предложения по использованию особенностей транспорта горячих дырок германия в сильном электрическом поле [8] появились несколько источников когерентного излучения, такие как НЕМАГ (700+2000 мкм) [9], лазер на циклотронном резонансе горячих дырок в скрещенных полях (100+400 мкм) [10, И] и лазер на межподзонных переходах горячих дырок германия [12, 13]. В частности, лазер на 1-И переходах в скрещенных электрическом и магнитном полях имеет достаточно широкий спектр выходного излучения (70+200 мкм) с возможностью одномодовой генерации во всем диапазоне [14]. Характерным общим недостатком р-Эе лазеров, ограничивающих их применение следует считать малую эффективность, что в результате приводит к низким рабочим температурам и большой скважности импульсов выходного излучения. Немного позднее появились работы [15] с сообщением о стимулированном излучении разогретыми электрическим полем дырками в одноосно деформируемом германии. Авторы полагают, что данный источник может работать в непрерывном режиме с перестройкой длины волны вблизи 100 мкм путем изменения приложенного давления [16].

Настоящим прорывом можно назвать достижение эффекта стимулированного излучения в квантово-каскадных лазерах. Развитие нанотехнологии позволяет выращивать с моноатомной точностью многослойные гетероструктуры из полупроводниковых материалов, причем расстояние между подзонами (или минизонами) размерного квантования в активном слое выбирается соответствующим ТГц диапазону [17, 18]. Однако большие величины коэффициента фононного поглощения в ОаАБ [19] делают применение этой технологии для диапазона 6-г9 ТГц затруднительным.

По этой причине существует устойчивый интерес к созданию ТГц лазеров на основе кремния или кремнийсодержащих материалов, так как он обладает малым коэффициентом решеточного поглощения в указанном диапазоне [19, 20] и, кроме того, существует возможность использования развитой кремниевой технологии. Можно отметить, что первыми попытками в этом направлении были эксперименты по получению инверсии населенности в объемном БиВ в скрещенных электрическом и магнитном полях [21] и получение электролюминесценции из напряженных ЗУЭЮе ге-тероструктур [22−25]. Таким образом, можно сказать, что кремниевые источники остаются в стадии разработки, несмотря на проведенные в этом направлении исследования. Перспективным направлением является использование примесных состояний в полупроводниках, в частности, донорных центров в кремнии [26, 27]. В качестве основных причин можно назвать большие сечения оптических переходов и относительно большие времена жизни электронных состояний. Предложения по использованию полупроводников, легированных мелкими примесными центрами, в качестве лазерной среды высказывались достаточно давно [28]. Впервые сообщение о регистрации спонтанного излучения из кремния, легированного акцепторами при накачке излучением СО2 лазера было сделано в работе [29]. Впервые механизм создания инверсии и получения усиления на внутрицентровых перехода фосфора и висмута был предложен в 1996 г. [26, 27].

Цель диссертационной работы.

Целью диссертационной работы является определение возможности формирования инверсии населенности на локализованных состояниях донора фосфора в кремнии и получение стимулированного излучения при их оптическом возбуждении.

Научная новизна результатов диссертационной работы.

— экспериментально показано, что особенности акустической релаксации электронов на внутрицентровых переходах доноров фосфора в кремнии, приводят к формированию инвертированных распределенийполучено стимулированное излучение из кремния, легированного фосфором при фотоионизации активных центровисследованы временные, спектральные характеристики выходного излученияполучено стимулированное излучение из кремния, легированного фосфором при резонансной накачке локализованных состояний донора, исследованы временные, спектральные характеристики выходного излучения. Показано, что спектр возбуждения стимулированного излучения качественно повторяет спектр поглощения фосфора в кремниипоказано, что длина волны стимулированного излучения фосфора в кремнии зависит от возбуждаемого состояния центра, что является следствием симметрии волновых функций.

Научная и практическая значимость работы.

Научная значимость состоит в возможности использования особенностей релаксации электронов по состояниям доноров в кремнии с целью получения инвертированных распределений и усиления излучения в терагерцовом диапазоне частот Практическая значимость определяется реализацией нового типа полупроводниковых источников стимулированного излучения — кремния, легированного фосфором при оптическом возбуждении. Данный источник может быть использован в качестве гетеродина в радиоастрономии. Результаты работы могут быть использованы при исследовании других примесей в кремнии с целью получения стимулированного излучения.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Специфика внутрицентровой релаксации электронов на связанных состояниях доноров в Б! на акустических фононах при низких температурах приводит к инверсии населенности и эффектам усиления в ТГц диапазоне частот.

2. Оптическая накачка кремния, легированного фосфором, позволяет получить эффект стимулированного излучения на переходах 2р0 — 1б (Е) и 2ро — ЩТг).

3.

Введение

компенсирующей примеси уменьшает концентрацию отрицательно заряженных доноров в условиях фотоионизации активной среды, что приводит к увеличению коэффициента усиления и снижению порога генерации.

4. Непосредственная накачка верхнего рабочего уровня 2ро приводит к генерации излучения на переходе 2ро-1з (Е), в то время как возбуждение других вышележащих состояний, включая состояния зоны проводимости, ведет к генерации излучения на переходе 2po-ls (T2).

Вклад автора.

• Определяющий вклад в проведение экспериментальных исследований по получению спонтанного и стимулированного излучения доноров фосфора при их фотоионизации излучением [А1-А9].

• Равнозначный вклад в получение спектральных и температурных зависимостей стимулированного излучения доноров фосфора при их фотоионизации и анализ результатов измерений [А10-А13] (совместно с С.Г.Павловым).

• Определяющий вклад в подготовку проведение и интерпретацию измерений по выяснению влияния компенсации на усиление доноров фосфора в кремнии [А 17, А20, А21] (при участии К. А. Ковалевского и С.Г. Павлова).

• Основной вклад в подготовку эксперимента по внутрицентровому возбуждению доноров излучением лазера на свободных электронах [А16-А32] и равнозначный с С. Г. Павловым, М. Рюммели и Я. Н. Ховениром вклад при его проведении.

• Определяющий вклад в проведение измерений коэффициента усиления и интерпретацию данных [A33-A35] (совместно с С. Г. Павловым, А. В. Муравьевым и Я.Н.Ховениром).

Реализация результатов работы.

Полученные результаты применялись и применяются при теоретических и экспериментальных исследованиях неравновесных носителей заряда в полупроводниках и полупроводниковых структурах, разработках новых источников в ТГц диапазоне в ИФМ РАН (Нижний Новгород), Institut fur Planetenforschung (Берлин), Technical Delft University, FOM-Institute for Plasma Physics (Нидерланды), Osaka University (Япония).

Апробация работы.

Материалы, вошедшие в диссертационную работу, обсуждались на семинарах ИФМ РАН, Нижегородского государственного университета, Университета Брауншвейга, Технического Университета Дельфта, Института исследования планет (Берлин). Основные результаты диссертации представлялись на 5−7 Российских конференциях по физике полупроводников, Н. Новгород 2001, С.-Петербург 2003 и Звенигород 2005, 8−10 Международных конференциях по мелким примесным центрам в полупроводниках (Shallow Level Centers in Semiconductors SLCS-8 — SLCS-10), Монпелье, Франция, 1998, Хиого, Япония, 2000, Варшава, Польша, 2002; Международной конференции по терагерцовой спектроскопии и ее применениям (Terahertz Spectroscopy and Applications (EUROOPTO-99)), Мюнхен, Германия 1999; Международном совещании по терагерцам (International Terahertz Workshop), Сандберг, Дания, 2000; Встрече по оптоэлектронике на основе кремния (One day meeting on Si-based optoelectronics), Лидс, Великобритания, 2000; Голландском совещании по физике твердого тела, Вельдховен, Нидерланды, 2001; 6 и 7 Симпозиуме IEEE/LEOS (Benelux Chapter), 2001, Брюссель, Бельгия, 2002, Амстердам, ГолландияМеждународной конференции по физике полупроводников (International Conference on Physics of Semiconductors) Эдинбург, Великобритания, 2002; 10 и 11 Международной конференции по терагерцовой электронике (IEEE International conference on Terahertz Electronics) Кембридж, Великобритания, 2002 и Япония, 2003; 27−29 Международной конференции по инфракрасному и миллиметровому излучению (International Conference on Infrared and Millimeter Waves), Сан-Диего, США, 2002, Япония, 2003, Карлсруэ, Германия, 2004; 21 Международной конференции по дефектам в полупроводниках (International Conference on Defects in Semiconductors), Гиссен, Германия, 2001; Рабочем Совещании при поддержке НАТО (NATO Advanced Research Workshop «Towards the first silicon laser»), Тренто, Италия, 2002.

Публикации.

Содержание диссертации опубликовано в 11 печатных работах в периодических научных журналах и изданиях и в 24 работах в материалах конференций.

Объем и структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения и одного приложения. Общий объем диссертации составляет 118 страниц, включая 59 рисунков и 7 таблиц.

Список литературы

содержит 83 наименования.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ.

1. Получено стимулированное излучение примесных центров фосфора в кремнии при фотоионизации излучением С02 лазера. Длина волны излучения соответствует переходу между состояниями 2ро и 1б (Т2) донорного центра (55 мкм). Эффект возникает пороговым образом при превышении интенсивности накачки 20 кВт/см2. Рабочие температуры лежат в диапазоне Т < 16 К.

2. Обнаружено влияние компенсации на поглощение в дальнем ИК диапазоне длин волн и величину пороговой интенсивности накачки. Экспериментально показано, что введение акцепторов приводит к значительному уменьшению поглощения в дальнем инфракрасном диапазоне длин волн в предпороговом режиме и снижению пороговых интенсивностей накачки.

3. Получено стимулированное излучение при резонансном возбуждении состояний фосфора в кремнии излучением лазера на свободных электронах. Спектр возбуждения повторяет спектр поглощения БкР в дальнем ИК диапазоне.

4. Измерен спектр стимулированного излучения при резонансном возбуждении локализованных состояний фосфора в кремнии. При резонансной накачке уровня 2ро генерация развивается на переходе между уровнями 2ро и ^(Е) (59 мкм). Возбуждение других уровней донора приводит к возникновению стимулированного излучения на переходе между уровнями 2ро и и (Т2) (55 мкм).

5. Определен коэффициент усиления дальнего ИК излучения при возбуждении кремния легированного фосфором. Коэффициент усиления на переходе между 2ро и 1б (Т2) составляет при фотоионизации 0,2 см" 1, а при резонансном возбуждении центра-4 см" 1.

В заключение хочется выразить благодарность научному руководителю В. Н. Шастину за предложенную тему исследований, помощь в решении поставленных задач и физической интерпретации полученных экспериментальных результатов, а также навыки научных исследований, приобретенные в течение совместной работы. Выполнение исследований проходило в тесном сотрудничестве с сотрудниками лаборатории, и в первую очередь хочется выразить благодарность С. Г. Павлову за помощь в проведении экспериментальных исследований и обсуждении результатов, а также Е. Е. Орловой, A.B. Муравьеву и К. А. Ковалевскому. Отдельно выражается благодарность A.B. Кирсанову за предоставление возможности использования TEA СО2 лазера в первых экспериментах по наблюдению эффекта стимулированного излучения и помощь в освоении СО2 техники. Работа выполнялась при международном сотрудничестве, поэтому автор считает необходимым поблагодарить иностранных коллег H.W.-Hubers, М.Н. Rummeli, M. GreinerBar, H. Riemann, H.B. Абросимова, J.N. Hovenier, Т.О. Klaassen, а также персонал FELIX. Кроме того, хочется сказать спасибо Б. А. Андрееву и В. Я. Алешкину за консультации в области физики мелких примесных центров в полупроводниках. Выражается благодарность В. И. Гавриленко за чтение диссертации и критические замечания, позволившие значительно улучшить содержание, а также представление диссертации на Ученом совете ИФМ РАН.

Заключение

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Kozlov G.V. Coherent Source for Submillimeter Wave Spectroscopy. / Kozlov G.V., Volkov A. A. // Topics in Applied Physics, edited by G. Gruner, published by SpringerVerlag- 1998. V. 74-P. 51−109.
  2. Th. de Temple. Pulsed Optically Pumped Far Infrared Lasers in Infrared and Millimeter Waves. // Edited by K.J. Button. N.Y. 1979. V. l — P. 129.
  3. T. Tanabea. Frequency-tunable high-power terahertz wave generation from GaP. / T. Tanabea, K. Suto, J. Nishizawa, T. Kimura, K. Saito. // Journal of Applied Physics 2003. V. 93(8)-P. 4610−4615.
  4. D. Grischkowsky. Far-infrared time-domain spectroscopy with terahertz beams of dielectrics and semiconductors. / D. Grischkowsky, S. Keiding, M. van Exter, and C. Fattinger. // Journal of Optical Society of America B. 1990. V.7(10) — P. 2006−2015.
  5. E.R. Brown. Oscillations up to 712 GHz in InAs/AlSb resonant-tunneling diodes. / E. R. Brown, J. R. Soderstrom, C. D. Parker, L. J. Mahoney, К. M. Molvar, Т. C. McGill. // Applied Physics Letters 1989. V. 55(17) — P. 1777−1779.
  6. M.C. Мурашов. О временных задержках генерации излучения в лазерных диодах на основе халькогенидов свинца. // М. С. Мурашов, А. П. Шотов. // Квантовая электроника. 1995. Т.22, № 12. — С. 1255−1256.
  7. А.А. Об усилении далекого инфракрасного излучения в германии при инверсии населенностей «горячих» дырок. / Андронов А. А. Козлов В.А., Мазов JI.C., Шастин В. Н. // Письма в ЖЭТФ. 1979. Т.30(9) — С. 585−589.
  8. V.I. Gavrilenko. Negative mass cyclotron resonance maser / V.I. Gavrilenko and Z.F. Krasil’nik. // Optical and Quantum Electronics 1991. V.23. — S323-S329.
  9. Ivanov, Y.L. Generation of Cyclotron Radiation by Light Holes in Germanium. / Ivanov, Y.L. // Optical and Quantum Electronics 1991. V.23. — S253-S265.
  10. Mitygin, Yu.A. Wide-Range Tunable Sub-Millimeter Cyclotron Resonance laser. / Mitygin, Yu.A., Murzin, V.N., Stoklitsky, S.A., Chebotarev, A.P. // Optical and Quantum Electronics 1991. V.23. — S307-S311.
  11. А.А. Стимулированное излучение в длинноволновом ИК диапазоне на горячих дырках Ge в скрещенных электрическом и магнитном полях. / Андронов А. А. Зверев И.В., Козлов В. А., Ноздрин Ю. Н., Павлов С. А., Шастин В. Н. // ЖЭТФ 1984. Т.40(2) — С.69−71.
  12. L.E. Vorobjev. Generation of far-infrared radiation by hot holes in germanium and silicon in E-LH fields. / L.E. Vorobjev, S.N. Danilov, V.I. Stafeev. // Optical and Quantum Electronics- 1991. V.23.-S221-S229.
  13. A.B. Муравьев. Перестраиваемый узкополосый лазер на межподзонных переходах дырок германия. / А. В. Муравьев, С. Г. Павлов, В. Н. Шастин. // Квантовая электроника.- 1993. Т. 20(2).-С. 142−148.
  14. И. В. Алтухов. Межзонное излучение горячих дырок в Ge при одноосном сжатии. / И. В. Алтухов, М. С. Каган, В. П. Синие. // Письма в ЖЭТФ. 1988. Т.47. — С. 136−138.
  15. Yu. P. Gousev. Widely tunable continuous-wave THz laser. / Yu. P., Gousev. I. V., Altukhov, K. A. Korolev, V. P. Sinis, and M. S. Kagan. // Applied Physics Letters 1999. V. 75. — P.757−759.
  16. Kohler, R. Terahertz semiconductor-heterostructure laser. / Kohler, R., Tredicucci, A., Beltram, F., Beere, H., Linfield, E., Davies, G., Ritchie, D., lotti, R.C., and Rossi, F. // Nature. -2002. V.417.-P. 156−159.
  17. Rochat, M. Low-threshold terahertz quantum-cascade lasers. / Rochat, M., Ajili, L., Willenberg, H., Faist, J., Beere, H., Davies, G., Linfield, E., and Ritchie, D. // Applied Physics Letters 2002. V. 81.-P. 1381−1383.
  18. Dargys A. Handbook on Physical Properties of Ge, Si, GaAs and InP / DargysA. and J. Kundrotas. // Science and Encyclopedia Publishers Vilnius — 1994. — 187 p.
  19. M. Ikezawa. Far-infrared absorption due to the two-phonon difference process in Si. / M. Ikezawa and M. Ishigame. // Journal of Physical Society of Japan. 1981. V. 50. — P. 37 343 738.
  20. Dehlinger G. Intersubband electroluminescence from silicon-based quantum cascade structures. / Diehl L, Gennser U, Sigg H, Faist J, Ensslin K, Grutzmacher D, Muller E. // Science. 2000. Dec 22- 290 (5500). P. 2277−2280.
  21. M. S. Kagan. THz lasing of SiGe/Si quantum-well structures due to shallow acceptors / M. S. Kagan I. V. Altukhov, E. G. Chirkova, V. P. Sinis, R. T. Troeger, S. K. Ray, and J. Kolodzey. // Physica Status Solidi В 2003. V.235(l) — P. 135−138.
  22. Shastin V.N. Far-Infrared Active Media Based on Inraband and Shallow Impurity States Transitions in Si, / Shastin V.N. // 21th Int. Conf. on Infrared and Millimeter Waves, Berlin. Conference proceeding, 1996. — CT2.
  23. Orlova E.E. Inverse Population of Bismuth Donor Excited States and FIR Amplification in Silicon. / Orlova E.E., Shastin V.N. // 21th Int. Conf. on Infrared and Millimeter Waves, Berlin. Conference proceeding, 1996 — CTh4.
  24. Н.Г. Генерация, усиление и индикация инфракрасного и оптического излучений с помощью квантовых систем. / Басов Н. Г., Крохин О. Н., Попов Ю. М. // УФН 1960. т. LXXII, вып. 2. — С. 162−209.
  25. Я.Е. Покровский. Медленная релаксация возбужденных состояний акцепторов в кремнии. / Я. Е. Покровский, О. И. Смирнова. // Письма в ЖЭТФ 1991. Т.54(2) — С. 100 103.
  26. С. Smith. Piezorezistance Effect in Germanium and Silicon. / C. Smith. // Physical Review 1954. V. 94 — P. 42−49.
  27. R.N. Dexter. Effective Masses of Electrons in Silicon. / R.N. Dexter, Benjamin Lax, A.F. Kip and G. Dresselhaus. // Physical Review 1954. V. 96 — P.222−223.
  28. G.L. Pearson. Electrical Properties of Pure Silicon and Silicon Alloys Containing Boron and Phosphorus. / G.L. Pearson, J. Bardeen. // Physical Review 1949. V.75 — P.865−883.
  29. W .Kohn. Theory of Donor States in Silicon. / W .Kohn and J.M. Lattinger. // Physical Review 1955. V.98. — P. 915−922.
  30. Г. JI. Бир. Симметрия и деформационные дефекты в полупроводниках. // Г. JI. Бир, Г. Е. Пикус. // М., Наука. 1972 — 584 с.
  31. R.A. Faulkner. Higher donor states for prolate-spheroid conduction bands: a reevaluation of silicon and germanium. / R.A. Faulkner. // Physical Review 1969. V. 184 — P. 713−721.
  32. Y.-C. Chang. Model Hamiltonian of donors in indirect-gap materials. / Y.-C. Chang, T. C. McGill and D. L. Smith. // Physical Review В 1981. V. 23 — P. 4169−4182.
  33. Socrates T. Pantelides. The electronic structure of impurities and other point defects in semiconductors. // Socrates T. Pantelides. // Review on Modern Physics 1978. V. 50(4) -P.797−858.
  34. И.Л. Доноры в многодолинных полупроводниках в приближении центральной ячейки нулевого радиуса. / Бейнихес И. Л., Коган Ш. М. // ЖЭТФ 1987. Т. 93 — С.285−301.
  35. Clauws P. Oscillator strengths of shallow impurity spectra in germanium and silicon. / Clauws P., Broeckx J., Rotsaert E., Vennik J. // Physical Review В -1998. V. 38 P. 1 237 712 382.
  36. Ramdas, A.K. Spectroscopy of the solid-state analogues of the hydrogen atom: donors and acceptors in semiconductors. / Ramdas, A.K. and Rodriguez, S. // Reports on Progress in Physics-1981. V. 44-P. 1297−1387.
  37. Conyers Herring. Transport and Deformation-Potential Theory for Many-Valley Semiconductors with Anisotropic Scattering. / Conyers Herring and Erich Vogt. // Physical Review 1956. V.101 — P. 944−961.
  38. Leonard Kleinman. Deformation Potentials in Silicon. II. Hydrostatic Strain and the Electron-Phonon Interaction. / Leonard Kleinman. // Physical Review 1963. V. 130(6) — P. 2283−2289.
  39. B.H. Абакумов. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках. / В. Н. Абакумов, В. И. Перель и И. Н. Яссиевич. // изд-во: Петербургский институт ядерной физики им. Б. П. Константинова РАН, С.-Петербург. 1999 — 376 с.
  40. G. Ascarelly. Recombination of Electrons and Donors in n-type Germanium. / G. Ascarelly and S. Rodriguez. // Physical Review 1961. V. 124(5) -P. 1321−1328.
  41. M. Кузнецов. Внутрицентровая релаксация донорных центров кремния на акустических фононах./ М. Кузнецов. // Курсовая работа, ВШОПФ ННГУ. 2004 — 11 с.
  42. М. Asche. Electron-phonon interaction in n-Si. / M. Asche and O.G. Sarbei. // Physica Status Solidi В 1981. V. 103 — P. 11−50.
  43. V. J. Tekippe. Determination of the Deformation-Potential Constant of the Conduction Band of Silicon from the Piezospectroscopy of Donors. / V. J. Tekippe H. R. Chandrasekhar, P. Fisher, and A. K. Ramdas. // Physical Review В 1972. V. 6 — P. 2348−2356.
  44. D.K. Ferry. First-order optical and intervalley scattering in silicon. / D.K. Ferry. // Physical Review В 1976. V. 14. — P. 1605−1609.
  45. A. Onton. Evidence of intervalley scattering of electrons in the extrinsic photoconductivity of n-type silicon. / A. Onton. // Physical Review Letters 1969. V. 22. — P. 288−290.
  46. Theodore G. Castner. Raman Spin-Lattice Relaxation of Shallow Donors in Silicon Theodore G. Castner. // Physical Review 1963. V. 130. P. 58−75.
  47. Publishing ISBN:-7503−0924−5, Conference Proceeding. V. 3. — P. 123.
  48. Andreev B.A. Oscillator strengths and linewidths of shallow impurity spectra in Si and Ge. / Andreev B.A., Kozlov E.B., and T.M. Lifshitz. // Material Science Forum. 1995. V.196−201, -P. 121.
  49. C. Jagannath. Linewidths of the electronic excitation spectra of donors in silicon. / Z C. Jagannath. W. Grabovski, and A.K. Ramdas. // Physical Review B- 1981. V. 23. P. 20 822 098.
  50. Karaiskaj D. Impurity absorption spectroscopy in Si-28: The importance of inhomogeneous isotope broadening. / Karaiskaj D., Stotz J.A.H., Meyer Т., Thewalt M.L.W., Cardona M. // Physical Review Letters 2003. V. 90. — P. 186 402−4.
  51. J.N. Heyman. Far-infrared pump-probe measurements of the intersubband lifetime in an * AlGaAs-GaAs coupled-quantum well. / J.N. Heyman K. Unterrainer, K. Craig, J. Williams,
  52. M.S. Sherwin, K. Campman, P.F. Hopkins, A.C. Gossard, B.N. Murdin, C.J.G.M. Langerak. // 1 Applied Physics Letters 1996. V. 68. -P. 3019−3021.
  53. K.K. Geerinck. Far infrared saturation spectroscopy in semiconductors. Chapter 5: Saturation of the cyclotron resonance transition in a quantum well. / K.K. Geerinck. // PhD Thesis. Technische Universiteit Delft, September 1995.
  54. Ya. E. Pokrovskij. Longliving excited states of impurities in Si. / Ya. E. Pokrovskij, O.I. Smirnova, N.A. Khvalkovskii. // Solid State Communications. -1995. V. 93. -P. 405−408.
  55. A.Dargys. Excited state lifetime of phosphorus atoms in silicon single crystals. / A. Dargys, S. Zurauskas, N.Zurauskiene. // Liet. Fiz. Zurn. 1994. V. 34(6). — P.478−483.
  56. Griffin, A. Thermal Conductivity of Solids IV: Resonance Fluorescence Scattering of Phonons by Donor Electrons in Germanium. / Griffin, A. and Carruthers, P. // Physical Review 1963. V. 131.-P. 1976−1995.
  57. M. Lax. Cascade capture of electrons in solids. / M. Lax. // Physical Review 1960. V. 119. — P 1502−1523.
  58. Mayur, A. J. Redetermination of the valley-orbit (chemical) splitting of the Is ground state of group-V donors in silicon. / Mayur, A. J. Dean Sciacca, M., Ramdas, A. K., and Rodriguez. S. // Physical Review В 1993. V. 48. — P. 10 893−10 898.
  59. О. Звелто. Принципы лазеров. / О. Звелто//пер. с англ., М., Мир 1984. — 558 с.
  60. David M. Larsen. Concentration broadening of absorption lines from shallow donors in multivalley bulk semiconductors. / David M. Larsen // Physical Review B. 2003. V. 67. — P. 165 204−9.
  61. M. Lax. Broadening of impurity levels in silicon. / M. Lax, E. Burstein. // Physical Review 1955. V. 100. -P. 592−602.
  62. P. Briiesch. Phonons: Theory and Experiment II. / P. Briiesch. // Springer-Verlag 1974. Vol. 2, — 278 p.
  63. К. Зеегер. Физика полупроводников. / К. Зеегер. // пер. с англ., М., Мир. 1977 -615 с.
  64. Y.B. Levinson. Nonequilibrium phonons in nonmetallic crystals / Y.B. Levinson. // Modern Problems in Condensed Matter Science, edited by W. Eisenmerger and A.A. Kaplyanskii, published by North Holland, Amsterdam 1986. V. 16 — P. 91−120.
  65. Yia-Chung Chang Theory of D" states in Ge and Si. / Yia-Chung Chang and T.C. McGill. // Physical Review B. 1982. V. 25. — P. 3927−3944.
  66. JI.A. Ворожцова Рекомбинация свободных носителей в легированном кремнии с малой компенсацией. / JI.A. Ворожцова, Е. М. Гершензон, Ю. А. Гуревич, Ф. М. Исмагилова, А. П. Мельников. // ЖЭТФ. 1988. Т.94. -С.350−362.
  67. Г. Бете. «Квантовая механика атомов с одним и двумя электронами». / Г. Бете, Э.Солпитер. // пер. с англ., М."Физматгиз" I960 — 562 с.
  68. N. Sclar. Properties of doped silicon and germanium infrared detectors. / N. Sclar // Progress in Quantum Electronics 1984, V.9. — P. 149−257.
  69. Gres’kov, I.M. Influence of growth defects on the electrical properties of radiation-doped silicon. / Gres’kov, I.M., Smirnov, B.V., Sobolev, S.P., Stuk, A.A., and Kharchenko, V.A. // Soviet Physics Semiconductors — 1978. V. 12.-P. 1118−1120.
  70. Li Yi Lin. Design of a short-pulse, far-infrared free electron laser with a highly overmoded waveguide. / Li Yi Lin., A.F.G. van der Meer. // Review of Scientific Instruments 1997. V. 68. — P. 4342−4347.
  71. Официальный Интернет-сайт FELIX: www.rijnh.nl.n3/nl/fl234.htm.
  72. S. G. Pavlov. Terahertz optically pumped Si: Sb laser. / S. G. Pavlov H.-W. Hiibers, H. Riemann, R. Kh. Zhukavin, E. E. Orlova, and V. N. Shastin. // Journal of Applied Physics. -2002. V. 92 P. 5632−5634
  73. H.-W. Hiibers. Stimulated terahertz emission from arsenic donors in silicon. / H.-W. Hiibers. S.G. Pavlov, R.Kh. Zhukavin, H. Riemann, N.V. Abrosimov, and V.N. Shastin. // Applied Physics Letters 2004. V. 84. — P. 3600−3602.
  74. Официальный Интернет-сайт фирмы LOT-Oriel, каталог оптических свойств материалов: http://www.lot-oriel.com /site/sitedown/ttopticalmaterialsdede01 .pdf.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?