Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Эволюция дислокационной структуры под действием ультразвука и неупругость кристаллов

Диссертация: Эволюция дислокационной структуры под действием ультразвука и неупругость кристаллов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Эта тема соответствует в фундаментальной физике проблеме взаимодействия ультразвука с твердым телом. Исследования по этому направлению важны и для прикладных задач. Поскольку знакопеременнью нагрузки достаточно часто встречающееся воздействие: при применении ультразвука в технологических целях, для облегчения холодной обработки и для упрочнения материалов. Вибрация, в том числе и высокочастотная… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. Особенности пластического деформирования кристаллов ультразвуком и применение математического моделирования для интерпретации этих особенностей (обзор литературы)
    • 1. Экспериментальные данные об особенностях пластического деформирования кристаллов ультразвуком
    • 2. Применение машинного моделирования для анализа процессов размножения дислокаций
    • 3. Постановка задачи
  • ГЛАВА 2. Эволюция источника Франка — Рида при постоянной и импульсной нагрузках
  • Ь Модель и алгоритм расчета работы источника
    • 2. Генерация дислокаций источником Франка — Рида при постоянном напряжении
    • 3. Генерация дислокаций при импульсной нагрузке
  • ГЛАВА 3. Особенности размножения дислокаций под действием ультразвука
    • 1. Моделирование на ЭВМ процесса образования дислокационной петли источником Франка — Рида
    • 2. Закономерности изменения динамического предела текучести в зависимости от частоты ультразвука и параметров дислокационной структуры
    • 3. Особенности процесса генерации дислокаций по схеме Франка
  • Рида при ультразвуковой нагрузке
    • 4. Влияние постоянного однородного напряжения на работу источника дислокаций под действием ультразвука
    • 5. Генерация дислокаций источником Франка — Рида под действием ультразвука в неоднородных внутренних полях напряжений
  • ГЛАВА 4. Внутреннее трение и дефект модуля, обусловленные вязким торможением дислокаций в процессе их колебания и размножения
    • 1. Нелинейные колебания дислокационные петель под действием ультразвука
    • 2. Потери энергии, связанные с нелинейными колебаниями дислокационных петель
    • 3. Зависимость внутреннего трения от амплитуды ультразвука
    • 4. Зависимость внутреннего трения от частоты ультразвука
    • 5. Соотношение вкладов во внутреннее трение, обусловленных вязким торможением дислокаций в процессе их ангармонических колебаний и размножения
    • 6. Внутреннее трение в монокристаллах и оценка эффективных параметров их дислокационной структуры
    • 7. Дефект модуля Юнга в кристаллах, деформируемых ультразвуком
  • ГЛАВА 5. Начальная стадия образования полосы скольжения под действием ультразвука
    • 1. Упрощенная модель источника
    • 2. Особенности поперечного скольжения прямолинейных дислокаций при знакопеременном нагружении кристалла
    • 3. Начальная стадия формирования полосы скольжения (модель, алгоритм расчета)
    • 4. Закономерности начальной стадии формирования полосы скольжения

Эволюция дислокационной структуры под действием ультразвука и неупругость кристаллов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

На все физические, и в особенности на структурно чувствительные свойства кристаллов, оказывают влияние структурные дефекты. Спектр различных дефектов и характер их взаимодействия определяется как симметрией кристалла, так и характером внешнего воздействия, приводящего к изменениям плотности и строения различных дефектов.

Эволюция систем структурных дефектов при различных внешних воздействиях приводит к изменениям физических свойств. Это обстоятельство позволяет предсказать, как будут изменяться свойства материалов в условиях их полезной эксплуатации, если известны закономерности эволюции системы дефектов при этих условиях с одной стороны, а с другой стороны, если научиться управлять системой структурных дефектов, можно создавать материалы с наперед заданными свойствами, добиваться упрочнения материалов, изменения их демпфирующих характеристик и так далее.

Развитие системы структурных дефектов при статических нагрузках достаточно хорошо изучено, что нельзя было сказать в момент начала работы об эволюции дислокационной структуры при знакопеременных режимах нагружения. И хотя экспериментальных исследований насчитывалось уже значительное число, данные об элементарных актах генерации дислокации и особенностях формирования дислокационных ансамблей отсутствовали.

Целью данной работы было восполнить этот пробел хотя бы частично, исследовав процесс генерации дислокации при воздействии ультразвука на кристаллы, и влияние этого процесса на их неупругие свойства.

Эта тема соответствует в фундаментальной физике проблеме взаимодействия ультразвука с твердым телом. Исследования по этому направлению важны и для прикладных задач. Поскольку знакопеременнью нагрузки достаточно часто встречающееся воздействие: при применении ультразвука в технологических целях, для облегчения холодной обработки и для упрочнения материалов. Вибрация, в том числе и высокочастотная, возникает при работе различных машин и механизмов и может приводить к нежелательным эффектам.

Диссертация состоит из пяти глав, которые имеют следующее содержание.

Заключение

.

Для достижения поставленной в работе цели была предложена модель, свободная от недостатков, содержащихся в предыдущих попытках моделирования источника. В модель в отличие от работ других авторов не вводились уравнения, задающие форму сегмента и навязывающие его эволюции тип движения, что позволило выявить ряд ранее необнаруженных особенностей эволюции сегмента и рассчитать макроскопические характеристики неупругого поведения кристаллов под действием ультразвука.

1. Установлено, что закреплённая в двух точках дислокационная петля под действием ультразвука в зависимости от амплитуды напряжений может развиваться по типу источника Ф.Р. или по другому типу, образуя замкнутую петлю или линейную цепочку петель с одной стороны источника.

2. Обнаружено, что время генерации одной замкнутой петли по порядку величины совпадает с периодом ультразвуковых колебаний.

3. Следствием предыдущего является обнаруженное превышение динамического предела текучести над статическим а, Ар=ОЫ1 и его зависимость от частоты ультразвука.

4. На кривой зависимости динамического предела текучести от длины / дислокационного источника появляется характерный минимум, определяющий ряд особенностей деформации кристаллов ультразвуком.

5. При импульсном нагружении обнаружено явление накопления деформации при котором предел текучести оЛ понижается и понижается тем больше, чем больше частота ультразвуковых импульсов.

6. Исследовано влияние неоднородного поля напряжений (на примере полей винтовых дислокаций, границ наклона и кручения) на работу источников под действием ультразвука. Показано, что такие поля существенно (понижение <�тЛ составляет 30%) влияют на работу источников, длина которьпс сравнима с характерным размером неоднородности поля.

7. В рамках рассматриваемой модели установлены закономерности амплитудной и частотной зависимости внутреннего трения и дефекта модуля Юнга вплоть до амплитуд, при которых происходят закритические колебания сегментов и имеет место генерация дислокаций. Впервые установлено, что амплитудная зависимость внутреннего трения может быть связана не с откреплением дислокаций от слабых центров закрепления, как в теории Гранато-Люкке, а с физической природой нелинейных колебаний дуги дислокационного сегмента, когда стрела прогиба у > I.

8. Впервые обнаружена инверсия частотной зависимости внутреннего трения, при переходе амплитуды через =.

9. Обнаруженный при математическом моделировании эффект образования при знакопеременной нагрузке системы виртуальных дислокаций подтверждается экспериментально обнаруженной на графике зависимости дефекта модуля Ае'(сГ (,) особенности в области амплитуд 0ЛЛ < сГо < о).

10. Показано, что при знакопеременной нагрузке результатом генерации дислокаций источником может быть: а) создание системы виртуальных дислокаций, если не реализуется поперечное скольжениеб) накопление одноимённьпс дислокаций в двух или нескольких плоскостях, параллельных плоскости источника и отстоящих от неё на расстоянии И>кА по Видерзику, см.(1,3)). При этом в плоскости источника может существовать система виртуальных дислокаций. в) если высота выбросов из первичной плоскости во вторичную 0<�к<�ИА то имеет место аннигиляция генерированных источником диполей, что приводит к появлению избыточной концентрации точечных дефектов.

11. Установлены отличия в структуре полосы скольжения на начальной фазе ее формирования под действием ультразвука. Даже на самой ранней стадии дислокационное скопление, генерированное одним источником Франка-Рида не является плоским, а после релаксации приобретает дипольную структуру, вследствие чего сформировавшаяся под действием ультразвука полоса скольжения не должна создавать остаточных дальнодействуюпщх полей.

Данные ЭВМ-моделирования позволили дать интерпретацию следующим ранее известным экспериментальным результатам.

1. Показано, что в эмпирически установленной формуле зависимости динамического предела текучести от частоты {(/ =(],^р+к/"), а] определяется характерной эффективной длинной источника /. Показатель степени п может быть различным для одного и того же вещества, так как его величина зависит от закона распределения источников по длинам, то есть от исходной дислокационной структуры образцов.

2. Экспериментальный факт, что начальная стадия пластической деформации ультразвуком в «жестких» образцах кристаллов обеспечивается источниками, локализованными в границах блоков, получил физическую интерпретацию из сопоставления с результатами моделирования влияния неоднородных по пространству полей на процесс генерации дислокаций.

3. Данные моделирования предсказали эффект инверсии частотной зависимости внутреннего трения и были подтверждены соответствующим анализом экспериментальных данных.

4. Отсутствие дальнодействующих полей напряжения в полосе напряжения в полосе скольжения сформировавшейся под действием ультразвука, а также более высокая плотность дислокаций в сформировавшейся полосе скольжения.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Schmid Е.// Trans. 1.st. Met, 1968, 9, p. 797 .
  2. Blaha F., Langenecker B. II Acta Met., 1959, 7, p. 93 .
  3. Westmacott K.H., Langenecker B. II Phys. rev. Letters, 1965, 14, № 7,p.221
  4. И.Г., Трефилов В. И., Фирстов CA., Прокопенко Г. И., Ковш СВ., Котко B.A. Препринт ИМФ, Киев, 1973, с.39.
  5. KralikG., Weiss B.Z.II Metallkunde, 1968, 51, p.7 .
  6. В.Ф., Бадалян В.Г.// ФММ, 1983, 55, № l, c. 19 1.
  7. И.А., Неклюдов И. М., Малин Г. Н., Волчек О. Н. // ФТТ, 1969, ,№ 11,с.3236.
  8. Е.Г., Спивак Л. В. Деп. в ВИНИТИ, 1984, № 1811−84 Деп.
  9. Ю.А., Гапонов М. А., Постников B.C., Соличев A.W.IIФиз. и хим. обработки мат., 1970, № 4, с. 94.
  10. Ю.А., Гапонов М. А., Селичев А.И.// ФММ, 1970, 30, № 10, с. 1091.
  11. MottN.F.// Acta Met, 1958, 6, p. 195.
  12. Whitworth R.W.// Phil. Mag., I960, 3, p. 425.
  13. Е.Г., Тяпунина H.A., Белозерова Э.П.// Кристаллография, 1963,7, № 3, с. 473.
  14. В. // Rev. Scient. Instrum., 1966, 37, p. 103.
  15. Marx I.// Rev. Scient Instrum., 1966, 37, p. l03.
  16. Е.Г., Дургарян A.A.II Научнью докл. высшей школы, 1958, 1, № 1,с.211.
  17. Э.П., Тяпунина H. A., Швидковский B.T.II Кристаллография, 1983, 8, № 2, с. 232.
  18. H.A. Физика деформационного упрочнения монокристаллов, Киев, «Наукова думка», 1972, с. 228 246.
  19. H.A., Найми Е.К.// Изв. АН Латв. ССР, сер. физ. и тех. наук, 1970, № 6, с. 3 0−3 3.
  20. H.A., Найми Е.К.// Вестн. Моск. ун-та, физ. астр., 1976, № 3,0.313−317.
  21. Tyapunina N. A., Zinenkova G. M., Strom E. V. Dislocation multiplication in Alkuli Halidi Crystals Exposed to Ultrasonic Waves.// Phys. Stat. Sol. (a), 1978,46, p. 327−336.
  22. Г. Н., Инденбом В. Л., Штольберг A.A. О прогибании дислокационного сегмента и источника Франка-Рида.// ФТТ, 1968, 10, с. 1760 1768.
  23. Koheler J.S. Imperfections in nearly perfect crystals. New-York, London, 1952.
  24. А., Люкке К. Ультразвуковые методы исследования дислокации, М., Наука, 1978.
  25. H.A., Светашов A.A., Белозерова Э. П. Механизмы внутреннего трения в щелочно-галоидных кристаллах в электрическом поле. В кн.: Внутреннее трение в металлах, полупроводниках, диэлектриках и ферромагнетиках, М., Наука, 1978, с. 152 157.
  26. Э.Н., Казак Ф. А. Движение дислокаций в ионных кристаллах при ультразвуковых вибрациях и его влияние на кривую «напряжение деформация» в кн.: Динамика дислокаций, Харьков, ФТИНТ АН УССР, 1968, с. 509 520.
  27. H.A. Автореферат докт. диссертации, МГУ, 1971.
  28. В.В., Тяпунина H.A. Особенности работы источника Франка-Рида под действием ультразвука.// ДАН СССР, 1980, 254, № 4, с. 869 872.
  29. H.A., Зиненкова Г. М., Штром Е. В. Дислокационная структура кристаллов KCl, деформированных ультразвуком.// Вести. Моск. ун-та, физ. астр., 1978, 19, № 2, с. 33 39.
  30. Сунь Псуй-Фан, Шаскольская М. Н. Об однозначном соответствии между фигурами травления и дислокациями.// Кристаллография, 1959,4, № 4,0.588−593.
  31. М.Н., Сунь Псуй-Фан. Фигуры травления и дислокации на полосах двупреломления в кристаллах каменной соли.// Кристаллография, 1959, 4, № 1, с. 81 84.
  32. В.Ф., Горбач С.С, Шаскольская М. Н. Об анизотропии термически активируемого скольжения в кристаллах.// Кристаллография, 1970, 15, № 5, с.1038−1043
  33. Г. М., Тяпунина H.A., Сизова И. Л., Силис М. И., Регель В.Р.// ДАН СССР, 1986, 287, № 2, с. 345 347.
  34. Е.В. Особенности пластической деформации ультразвуком щелочногалоидных кристаллов. Дипломная работа, МГУ, 1987.
  35. H.A., Зиненкова Г. М., Нгуэн АН. В кн.: Динамика дислокации, Харьков, Изд. ФТИНТ АН УССР, 1968, с. 223 235.
  36. Ле Ван Влияние ультразвукового облучения на пластичность, прочность и внутреннее трение монокристаллов хлористого натрия, Автореф. канд. дисс, М., 1966.
  37. Shvidkovsky E.G., Tyapunina N.A., Belozerova E.P., Le Van Defect in ionic crystals due ultrasonic irradiation// Acta crystal., 1966, 21, 18.
  38. Tyapunina N.A., Ivaskin Y.A.// Phys. stat. sol. (a), 1983, 79, p. 351.
  39. H.A., Благовещенский В. В., Зиненкова Г.М., Ивашкин Ю. А//Изв. ВУЗов. Физика, 1982, № 6, с. 118 128.
  40. Ивашкин Ю.А.// Вестн. МГУ сер. физика, 1982, 23, № 3, с.24−27
  41. H.A., Штром Е.В.// ФММ, 1967, 28, № 1, с. 100.
  42. .Я., Омельяненко И.О.// ФММ, 1967, 28, № 1, с. 110.
  43. .Я., Омельяненко И. Ф. В кн.: Динамика дислокаций, Харьков, Изд. ФТИНТ АН УССР, 1968, с. 242 252.
  44. Ю.А., Тяпунина H.A.// Кристаллография, 1982, 27, № 5, с. 100.
  45. Г. М., Штром Е.В., Кухаренко Н. М. В кн.: Динамика дислокации, Харьков, Изд. ФТИНТ АН УССР, 1968, с. 235 245.
  46. Э.П., Благовещенский В. В., Зинекова Г. М., Тяпунина H.A., Светашов A.A.// Изв. ВУЗов, физика, 1984, № 3, с. 52.
  47. Л.Г., Усиков Т. П., Утевский Л.М.// УФН, 1962, 76, № 1, С.109- 152.
  48. Я.Е., Мацокин В.Ш/ ФТТ, 1966, 8, № 9, с. 2558 2565.
  49. Мышляев ММ.// ФТТ, 1967, 9, с. 1203 1208.
  50. H.A., Зиненкова Г. М., Гаспарян СВ., Атта А. Дислокационная структура магния, деформированного ультразвуком.// ФММ, 1979, 48, с. 1017- 1024.
  51. H.A., Зиненкова Г. М. Взаимодействие элементарных дислокационных ансамблей в процессе скольжения. В кн.: Элементарные процессы пластичной деформации кристаллов, Киев, Наукова думка, 1978, с. 36−52.
  52. Г. М., Пащенко Т. Н., Тяпунина H.A. Двухслойные дислокационные сетки и механизмы их формирования. В кн.: Взаимодействие дефектов кристаллической решетки и свойства металлов, Тула, Тульский политехнический ин-т, 1980, с. 17 22.
  53. Т. е., Смирнов Б. И., Степанов В. А., Шпейземан В.В.// ФФТ, 1982, 24, № 4, с. 1 102- 1109.
  54. H.A., Благовещенский В. В., Зиненкова Г. М. Исаченков А.Е. Пластическое деформирование кристаллов MgO ультразвуком. //Кристаллография, 1982, 27, № 3, с. 630 632.
  55. A.A., Игонин СИ. Элементарные процессы пластической деформации кристаллов, Киев, 1978, с. 17−3 5.
  56. A.A., Бушуева Г.В., Полисар Л. М. В кн.: Дефекты в кристаллах и их моделирование на ЭВМ, Л., Наука, 1980, с. 192 — 209.
  57. Brown L.M.// Phil. Mag., 1964, 12, р. 441.
  58. Foreman A.J.//Phil. Mag., 1967,15, p. 1011.
  59. A.A. // Phys. stat. sol. (b), 1971, 43, p. 523 .
  60. СИ. Исследование процесса расширения полос скольжения в кристаллах типа NaCI с помощью моделирования, Автореф. канд. дисс, М., 1978.
  61. Frost n.J., Ashby M.F.// J. Appl. Phys., 1971, 42, p. 5273 .
  62. H.J. // Phil. Mag., 1974, 30, p.1033 .
  63. Yokobory Т., Yokobory A.T., Karnei A. II Phil Mag., 1974, 30, № 2, p. 367.
  64. В.Д., Чишко K.A. В сб.: Физика конденсированного состояния, вып. 33, с. 44, ФТИНТ АН УССР, Харьков, 1974.
  65. В.Д., Чишко К. А. Динамика и звуковое излучение дислокационного источника Франка-Рида. П. Формирование дислокационного скопления. Препринт, ФТИНТ АН УССР, Харьков, 1976
  66. В.Д., Чишко К.А.// ФТТ, 1975, 17, с. 342.
  67. SteifP.S., Clifton R.J.// Mat. Sci. and Eng., 1979, 41, p. 251 .
  68. Yokobory A T., Yokobory Т., Karnei A. II Mat. Sci. and Eng., 1979, 40, p. Ill .
  69. Patu, Lei Chung-zi, Shin Chang-hsu // Mat. Sci. and Eng., 1980, 49, p. l33.
  70. F.C., Read W.T. // Phys. Rev., 1953, 89, p. 663.
  71. A.A., Тяпунина H.A., Зиненкова Г. М., Бушуева Г. В. -Физика кристаллов с дефектами, М., Изд. МГУ, 1986.
  72. Дж., Лоте Я. Теория дислокации, М., Атомиздат, 1972.
  73. А.Н. Введение в теорию дефектов в кристаллах, М. Высшая школа, 1983.
  74. И.С. Дислокации, М., Мир, 1967.
  75. Дэш В. В кн.: Дислокации и механические свойства кристаллов, М., ИЛ, 1960, с. 60−65.
  76. Амелинкс С, Ван-Дер-Ворст В. В кн.: Дислокации и механические свойства кристаллов, М., ИЛ, 1960, с. 59.
  77. А.А., Тяпунина Н.А.// ФММ, 1959, 7, с. 855 861.
  78. А.А., Тяпунина Н. А., Быстриков А.С.// Кристаллография, 1960, 5, с.432−436
  79. КоеЫег J.S.// Phys. Rev., 1952, 86, № 1, p. 52 59.
  80. Orovan E Jn. Dislocations in metals. Ed. by Coheu M ., New York, 1954, p. 69- 188.
  81. Гилман Дж.// Механические свойства ионных кристаллов, УФН, 1963,80, с. 455 -503.
  82. Косевич A.M.// УФН, 1964, 84, с. 579.
  83. М.О., КоеЫег J.S.// Phys. Rev., 1950, 80, p. 436 .
  84. Л.Д., Лифшиц Е. М. Теория поля, М., 1973.
  85. АльшицВ .И., ИндебомВ. Л// УФН, 1975,115, с.З.
  86. В.И., Милыпуков А.Г.// ЖЭТФ, 1972, 63, с. 1849 .
  87. Brailsford A.D. Journ.// Appl. Phys., 41, 1970, р.4439
  88. Brailsford A.D. Journ.// Appl. Phys., 2972,43, p. 1380 .
  89. М.И., Кравченко В. Я., Нацик В.Д.// УФН, 1973,111, с. 655.
  90. ИнденбомВ.Л., ДубноваГ.Н.// ФТТ, 1967,9,0.1171 .
  91. Yokobory А.Т., Yokobory Т., Kamei А. J.// AppL Phys., 1975, 46, 9, p.3720 .
  92. А.А., Игонин СИ. В кн.: Элементарные процессы пластической деформации кристаллов, Киев, 1978, с. 17 35.
  93. В.И., Ничуговский Г. И., Предводителев АЛЛ Изв. ВУЗов, Физика, 1983, № 1, с. 65 69.
  94. Wiedersich П. J.// AppL Phys., 1962, 31, № 3, p. 854 .
  95. Li IC.M.// J. Appl.Phys., 1961, № 4, p. 593 .
  96. A.A., Игонин С.И.//ФТТ, 1977, 19, № 9, с. 1774- 1777.
  97. СИ., Предводителев А.А.// Вестн. МГУ, Физика, 1975, № 5, с.588−593.
  98. СИ., Предводителев А.А.// Вестн. МГУ, Физика, 1976, № 3, с. 338−343.
  99. В.Н., Ничуговский Г. И., Предводителев А.А.// Изв. ВУЗов, Физика, 1981,№ 9, с. 82−86.
  100. В.Н., Ничуговский Г. И., Предводителев А. А. В кн.: Взаимодействия дислокации с дефектами кристаллической структуры и свойства сплавов, Тула, Изд. ТИП, 1981, с. 26 30.
  101. В.И. Исследование начальной стадии развития полос скольжения в щелочно-галоидных кристаллах. Автореферат канд. дисс., М., 1984.
  102. Г. И., Веселов В.И., Бушуева Г.В. В сб.: Физика прочности и пластичности металлов и сплавов. Тезисы доклада XI Всесоюзн. конф., Куйбышев, КПП им. В.В. Куйбышева, 1986, с. 275.
  103. В.В., Зиненкова Г. М., Тяпунина П. А. В кн.: Моделирование на ЭВМ дефектов в кристаллах, Ленинград, ФТИ АН СССР им. А. Ф. Иоффе, 1979, с. 148 149.
  104. В.В., Зиненкова Г.М., Тяпунина П.А.и др. Поле напряжений ансамбля скользящих дислокационных петель //Вестн. МГУ сер. Физ. Астр., 1981,22 № 5, с. 59.
  105. Н.А., Благовещенский В. В., Зиненкова Г. М. Рукопись деп. в ВИНИТИ № 3769−83 Деп. 1983.
  106. Yokobory Т., Yokobory А.Т., Kamei АЛ Phil. Mag., 1974, 30, № 2, 367 .
  107. А., Благовещенский В. В., Зиненкова Г. М., Тяпунина Н. А. //ФММ, 1982, 54, № 2, с. 347 352.
  108. A.M. Физическая механика реальных кристаллов, Киев, Наукова Думка, 1981.
  109. А.А., Самарский А. А. Уравнения математической физики, М., 1966.
  110. Р.В. Численные методы, М., Наука, 1968.
  111. Frank F.C. and Read W.T. Multiplication processes for slow-moving dislocations.// Phys. Rev., 1950, 79, № 4, p.722 723.
  112. Dark W.G. Cupper precipitation on dislocations in silicon.// J. Appl. Phys., 1956, 27, № 10, p. 1193 1195.
  113. А.Л. Размножение дислокации при динамических нагрузках и неоднородном поле внутренних напряжении в кристаллах, Автореф. канд. дне, МГУ, 1987.
  114. Е.В. Автореф. канд. дисс., М., 1978.
  115. Tyapunina N.A., Blagoveshchenskii V.V.// Phys. stat sol (a), 1982,69, p.77.
  116. Г., Корн T. Справочник по математике для научных работников и инженеров, М., Наука, 1984.
  117. Г. М. Автореф. канд. дисс, М., 1970.
  118. Granato А., Lucke К. Theory of mechanical demping due to dislocation.// J. Appl. Phys., 1956, 27, № 6, p. 583 593.
  119. Granato A", Lucke K. Appliction of dislocation theory of internal friction phenomena at high frequence,// J. Appl. Phys., 1956, 27, № 7, p. 789−805.
  120. B.M., Индебом В. Л. Нреодоление дислокаций упругого поля точечных дефектов как механизм внутреннего трения. В кн.: Внутреннее трение в механических материалах, М., Наука, 1970, с. 26 -32.
  121. Д. Статистика для физиков, М., Мир, 1970.
  122. Li J.СМ. Physics of strength and plastisity, M.I.T. Press, Cambridge, Mass., 1969, p. 245.
  123. Урусовская A. A, Автореф. доктор, дисс, M., 1983.
  124. H.A., Найми E.K., Курбанов Г.З.// Вести. МГУ, сер. физика, астрономия, 1985, 26, №. 6, с. 64 68.
  125. Г. З., Тяпунина H.A. Деп. в ВИНИТИ, № 103−82 Деп.
  126. H.A., Курбанов Г. З. В кн.: Взаимодействие дефектов кристаллической решетки и свойства металлов, Тула, изд. ТПИ, 1983, с. 30.
  127. Е.В. Автореф. дисс. канд. физ.-мат. наук, М., МГУ 1993.
  128. Г. М., Пала Е. В., Тяпунина H.A. Влияние ультразвука на эффективный модуль Юнга щелочно-галоидных кристаллов, Деп. в ВИНИТИ, № 2543−91, 1991 Деп.
  129. Backer 0. L// Г Appl. Phys., 1962, v.33, р.1730.
  130. Д.Л. Автореф. дисс. канд. физ.-мат. наук, М., МГУ, 1993.
  131. В.В., Леготрш Д. Л., Тяпунина H.A.// Ж.Т.Ф., 1994, т. 64, № 2, с. 105.
  132. СИ. Исследование процесса расширения полос скольжения в кристаллах типа NaCI с помощью моделирования. Автореф. канд. дисс, М., 1978.
  133. H.A., Ломакин А. Л., Курбанов Г.З.// Вести. Моск. унта, сер. Физика, Астрономия, 1986, т.28, с. 67.
  134. Rozenfield A.R., Kaiminen M.F. Linear aiTays of moving dislocations puling-up against an of stacle.// Acta metall., 1986, 16, № 5, p/ 755 759.
  135. Kanninen M.F., Rozenfield A.R. Dynamics of dislocation pile up for-mation.// Phyl. Mag., 1969, 20, № 165, p. 569 587.
  136. Rozenfield A.R., Kanninen M.F. The dynamics of dislocation pile-up formation with a non-linear stressvelosity relation for dislocation motion.// Phil. Mag., 1970, 22, № 175, p. 143.
  137. И.В., Предводителев A. A. Моделирование процесса движения дислокации в дислокационном ансамбле // ФТТ, 1970, т. 12, с. 1729.
  138. Н.В., Предводителев А. А. Моделирование процесса движения дислокаций в трехмерном дислокационном ансамбле // ФТТ, 1970, 12, с. 2141.
  139. Head А.К., Wood W.W. Dislocation group dynamics.// Phyl. Mag., 1973, v.27,p. 519.
  140. A.A., Струнин Б. М. Скопление дислокаций в случайных полях внутренних напряжений и начальная стадия пластической деформации кристаллов//ФТТ, 1972, 14, с. 1075.
  141. А.А., Горячев СБ., Струнин Б. М. В кн.: Элементарные процессы пластической деформации кристаллов, Киев, Наукова Думка, 1978, с. 52.
  142. СБ., Пашнин В. Г. Образование и распад скопления дислокационных диполей. В кн.: Моделирование на ЭВМ дефектов в кристаллах, Лениград, ФТИ, АН СССР, 1979, с. 148.
  143. Г. М., Тяпунина Н. А. В кн.: Моделиров. на ЭВМ кинетики дефектов в кристаллах, Ленинград, изд. ФТИ АН СССР им. А. Ф. Иоффе, 1985, с. 52.
  144. НА., Найми Е. К., Зиненкова Г. М. В кн.: Действие ультразвука на кристаллы с дефектами. М., Издательство МГУ, 1999.
  145. В.В., Тяпунина Н. А. Установившиеся колебания дислокационных петель и внутреннее трение ими обусловленное. В книге «Моделирование на ЭВМ дефектов в кристаллах», Лениград, ФТИ АН СССР, 1981, вып. 2.
  146. В.В. Диссертация на соискание ученой степени к.ф.-м.н. «Особенности размножения дислокаций и образование полос скольжения под действием ультразвука» Московский государственный университет. Физический факультет, 1982.
  147. В.В. Автореферат диссертации на соскание ученой степени к.ф.-м.н. «Особенности размножения дислокаций и образование полос скольжения под действием ультразвука» -Издательство Московского университета, 1982.
  148. В.В., Зиненкова Г. М. Взаимодействие дислокаций в полосе скольжения, сформированной под действием ультразвука. В книге «Взаимодействие дефектов кристаллическойрешетки и свойства металлов». Тула, 1984, с. 8−13.
  149. Благовеш-енский В.В., Тяпунина H.A., Ломакин А. Л. Размножение дислокаций при динамических нагрузках и неоднородном поле внутренних напряжений. В книге «Эволюция дефектной структуры кристаллов», Лениград, 1984, с. 112−113.
  150. H.A., Благовещенский В. В., Ломакин А. Л. Влияние поле напряжений границы наклона на источник Франка Рида, генерирующий дислокации под действием ультразвука.// Известия вузов, сер. Физика, 1985, № 2, с. 35−39.
  151. H.A., Ломакин А. Л., Благовещенский В. В. Диссипация энергии при размножении дислокаций под действием ультразвука.// Докл. АН СССР, 1987, 293, № 4, с. 863 867.
  152. В.В., Тяпунина H.A., Ломакин А. Л. Моделирование процесса пластической деформации под действием ультразвука. В книге «Пластическая деформация сплавов». Томск. Издательство Томского университета, 1986, с. 66−80.
  153. В.В., Ломакин А. Л. Особенности размножения дислокаций при импульсной и ультразвуковой нагрузках. ВИНИТИ «Деп. науч. работы», № 2420-В87, 1987.
  154. В.В., Ломакин А. Л., Тяпунина H.A. Особенности размножения дислокаций при импульсной нагрузке. В книге «Моделирование на ЭВМ структурных дефектов в кристаллах». Лениград, 1988, с. 52−54.
  155. В.В., Ломакин А. Л. Генерация дислокаций под действием импульсной нагрузки. // ФММ, 1992, вып. 2, с. 5−11.
  156. В.В., Леготин Д. Л., Тяпунина H.A. Особенности работы дислокационного источника под действием ультразвука. // ФММ, 1993, 75, вып. 5, с. 154−156.
  157. В.В., Тяпунина H.A. Накопление дислокаций в кристаллах под действием ультразвука. Часть I. Возможные механизмы размножения дислокаций под действием ультразвука.// Материаловедение. 2001, № 8(53), с. 2.
  158. В.В., Тяпунина H.A. Накопление дислокаций в кристаллах под действием ультразвука. Часть П. Величины, характеризующие генерацию дислокационной петли источником под действием ультразвука. // Материаловедение. 2001, № 10(55), с. 2.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?