Математическое моделирование нелинейных эффектов в мультистабильных полупроводниковых системах
Диссертация
В качестве первой задачи (Глава 2) рассматривалось моделирование стационарных режимов в бистабильной полупроводниковой системе, представляющей собой цепь из последовательно соединенных активного элемента с областью отрицательного дифференциального сопротивления на вольт-амперной характеристике, сопротивления нагрузки и источника постоянного напряжения. Активный элемент представляет собой… Читать ещё >
Содержание
- ГЛАВА 1. Современное состояние теории математического моделирования полупроводниковых систем
- 1. 1. Общие положения
- 1. 2. 0 современных методах автоматизированного моделирования поведения полупроводниковых систем
- ГЛАВА 2. Математические модели стационарных режимов схем, содержащих мультистабильные элементы
- 2. 1. Формулировка задачи нахождения стационарной рабочей точки для элемента с отрицательным дифференциальным сопротивлением
- 2. 2. Построение и анализ моделей стационарных состояний для тиристора (рпрп-структуры)
- 2. 3. Построение и анализ модели стационарных состояний для мдп-структуры
- ГЛАВА 3. Математическое моделирование сложной динамики токов и напряжений в мультистабильных системах
- 3. 1. Основные принципы математического описания сложных динамических эффектов в полупроводниковых мультистабильных системах
- 3. 2. Сложная динамика токов и напряжений в цепи, содержащей мультистабильную систему
- 3. 3. О физических механизмах возбуждения сложных колебаний тока и напряжения в многослойных полупроводниковых структурах
- ГЛАВА 4. Экспериментальное исследование мультистабильных полупроводниковых систем и проверка построенных моделей на адекватность
- 4. 1. Методика экспериментального исследования нелинейных колебаний в схемах, содержащих мдп-структуру. Краткое описание используемых мдп-элементов
- 4. 2. Нелинейные неавтономные колебания тока в системе «мдп-структура — сопротивление R — индуктивность L — источник периодического напряжения Е»
- 4. 3. Нелинейные колебания тока в неавтономной динамической системе «нелинейный контур»
- RL-диод цепь)
- 4. 4. Исследование особенностей возбуждения неавтономных колебаний в цепи в зависимости от типа подложки используемой мдп-структуры
- 4. 5. Неавтономные колебания в системе мдп-структура — сопротивление R"
- 4. 6. Возбуждение релаксационных автоколебаний в системе «мдп-п+р-структура — сопротивление R
- -источник постоянного напряжения Е»
Список литературы
- Гариянов С. А. Абсзгауз И.В. Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением.-М.:Энергия, 1970.
- Арефьев А.А., Басканов В. И., Степанова J1.P. Радиотехнические устройства па транзисторных эквивалентах рпрп-структуры.-М.: Радио и связь, 1982.-104 с.
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов: в 2-х кн.: Пер. с англ.—2-е изд. М.: Мир, ! 934.
- Абрамов ИМ., Харитонов В. В. Численное моделирование элементов интегральных тлем.: Под ред. А. Г. Шашкова.-Минск: Высш. школа, 1990.-224 с.
- Бубенников А,.:. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схе>. -.:ысшллкола., 1989.-320 с.
- Ефимов Ел!., .чозырь И.Я., Горбунов Ю. И. Микроэлектроника: проектирование, лиды микросхем, функциональная микроэлектроника. 2-е изд. — iVi.: .сжал школа, 1987.-416 с.
- Степаненко -., ,.ловы теории транзисторов и транзисторных схем,.Изд.3-е.-л .-у, с- гия, 1973. --608 с.
- Блихер А. лаг,.л, а тиристоров: Пер. с англ.: Под ред. И. В. Грехова. -Л., Энергоиздач)¦. ,.
- Челноков В. В. Вт.ел Ю./. л. зические основы работы силовых полупрово дь и.-т р.иборсв.-М.: Энергия, 1973.
- Зеегер К. -т. лолуп^ово,.,.- л: ков: Пер. с англ.: Под ред. Ю. К. Пожелл., .. 197 7
- Чуа JI.O., Вел- .-. -Машик, тли анализ электронных схем: Пер с англ. -М.: С -.я -л р дио, 1, 80. -638 с.
- Самарский /'.. Л.В. лел т лые методы. -МлНаука. Гл. редакция физ.мат.лл к.л.. 9S9.-433 с.
- Тургак Jl.И. Основы численных методов. -М.:Наука, 1987.
- Бобков В.В., Городецкий M.JI. Избранные численные методы решения на ЭВМ инженерных и научых задач. Минск.: Изд-во «Университетское», 1985.
- Форсайт Дж., Малькольм М., Модлер К. Машинные методы математических вычислений. М.:Мир, 1980.
- Математический энциклопедический словарь. М.:Сов. энциклопедия, 1988.
- Сикорский В.П., Петренко А. И. Алгоритмы анализа электронных схем. М.:Советское радио, 1976. -608 с.
- Чахмахсазян Е.А., Мозговой Г. П., Силин В. Д. Математическое моделирование и макромоделирование биполярных элементов электронных схем. М.: Радио и связь, 1985. -144 с.
- Мидлбрук Р.Д. Введение в теорию транзисторов. М.: Атомиздат, 1960. -304 с.
- Носов Ю.Р. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме. М.: Наука, 1968. -264 с.
- Носов Ю. Р., Петросянц К. О., Шилин В. А. Математические модели элементов интегральной электроники. — М.: Сов. радио, 1976.— 304 с.
- Чахмахсазян Е. А., Бармаков Ю. Н., Гольденберг А. Э. Машинный анализ интегральных схем. Вопросы теории и программирования. — М.: Сов. радио, 1974. — 269 с.
- Архангельский А. Я. Модели молупроводниковых приборов для машинного расчета электронных схем.: Учеб. пособие. — М.- МИФИ, 1978,—109 с.
- Elementary circuit properties of transistors / С. L. Searle, A. R. Boothroyd, A. J. Anglo et al. — New York: Wiley, 1964. — 306 p.
- Characteristics and limitation of transistors / R. D. Thornton, D. De Witt, P. E. Gray, E. R. Chenette.—New York: Wiley, 1966, — 180 p.
- Gray P. E., Searle С. L. Electronic principles. Physics, models and circuits.—New York: Wiley, 1969. — 1016 p.
- Moll J. Physics of semiconductors.— New York: McGraw Hill, 1964.
- Ebers J. J., Moll 1. L. Large-signal behavior of junction transistors.— Proc. IRE, 1954, v. 42, # 12, p. 1761 — 1772.
- Ohtsuki Т., Kani K. A unified modeling scheme for semiconductor devices with application of state-variable analysis. // IEEE Trans Circuit Theory, 1970, ч. CT-17, N 1, p. 26.
- Nagel L.W. SPICE2: A computer program to simulate semiconductor circuits. -Memorandum No UCB/ERI M520, Univ. of California, Berkeley, 1975.
- Nelms R.M., Lollar F.L., Grigsby b.L., State variable analysis of dc-dc converters // Simulation, February 1988.
- Middlebrook R.D. A general approach to modelling switching-converters power stages // Proc PECS-1976, pp. 18−31
- Revankar O.H., Topological approach to thyristor-circuit analysis // Proc. IEE, November 1973, Vol. 120, No 11.
- Sankara Rao K., Swamy N.S., Rajagopalan V., Topological Model for a Three-Phase Converter // IEEE Transactions on Industrial Electronics and Control Instrumentation, Nov 1975, pp. 21−31.
- Kelkar S.S., Lee F.C.Y., A fast time domain digital simulation technique for power converters // IEEE Transactions on Power Electronics, Jan 1986, V. PE-1, No 1, pp.21−31.
- Yang E.X., Guo L., Lee F.C. Describing function method in modelling of switching converters // Proc Virginia Power Center Seminar (VPEC), 1993.
- Kassakian J.G., Schlecht M.F., Verghese G.C. Principles of Power Electronics.-Addison Wesley Publishing Company, 1991.
- Vergese G.C., Elbuluk M.E., Kassakian J.G. A general approach to sampled data modeling for power electronic circuits, IEEE Trans on Power Electronics, 4/1986, p. 76−87.
- Franz G.A. Multilevel simulation tools for power converters, IEEE APEC CH2853−0/90/0000−0629, 1990.
- Luciano A.M., Strollo A.G.M., Afast time-domain algorithm for the simulation of switching power converters // IEEE Trans on Power Electronics, July 1990, Vol 5, No 2, pp. 363−370.
- Huliehel F., Ben-Yaakov S. Low frequency sampled data models of switched mode DC-DC converters // IEEE Trans on Power Electronics, Jan 1991, Vol 6, No 1, pp. 55−61.
- Duijsen P.J. van. Multilevel modeling and simulation of power electronic converters and drive systems, Proceedings Power Conversion and Intelligent Motion (PCIM), 1994.
- Dirkman R.J. The simulation of general circuits containing ideal switches // IEEE 0275−9306/87/0000—185,1987,IEEE.
- Wong R.C., Owen H.A., Wilson T.G. An efficient algorithm for the time-domain simulation of regulated energy -storage DC-to-DC converters // IEEE Trans on Power Eletktronics, April 1987, vol. PE-2,№ 2,pp. 154−168.
- Ho C-W, Rueh Li A.E., Brennan P. A. The modified nodal approach to net work analysis// IEEE Trans, on Circuits and Systems, June 1975, vol. GAS-22, № 6, pp.504−506.
- Ильин B.H. Основы автоматизации схемотехнического проектирования. -М.: 1979.-392 с.
- Schwarz A.F. Computer-aided design of microelektronic circuits and systems. -Acadtmic press, 1987.
- Trajkovic L.J. and Willson A.N., Jr. Complementary two-transistor-circuits and negative differerential Resistance // IEEE Trans. Circuits Syst., vol.37,pp.1258−1266, Oct. 1990.
- Trajkovic L.J., Willson A.N., Jr. Computer aided generation of circuit matrices// Proc. Modeling and Simulation Conf., Pittsburg, PA, 1986, pp.987−992.
- Kronenberg L., Trajkovic L.J., Mathis W. Analysis of feedback-structures and their effect on multiple dc operating points // Proc. ECC TD '99, Stresa, Itaiy, Aug. 1999, pp. 683−686.
- Gokhale B.V. The parameter -embedding method approach for modeling of semiconductor devices // IEEE Trans. 1970.Vol. ED-17, № 8. p.835−842.
- Носов Ю.Р., Петросян К. О., Шилин В. А. Математические модели элементов интегральной электроники.-М., 1976,-304 с.
- Scott S. Diode modeling? // http://www.avtechpulse.com/papers/, 1995.
- Chudobiak M. New Approaches For Designing High Voltage, High CurrentSilicon Step Recovery Diodesfor Pulse Sharpening Applications // PhD Thesis, http://www.avtechpulse.com/papers/thesis/, 1995.
- Г. Корн, T Корн. Справочник по математике для научных работников и инженеров. -М.: Изд-во «Наука», 1978.
- Блихер А. Физика тиристоров :Пер. с англ.: Под ред. И. В. Грехова. -Л.: Энергоиздат, 1981.
- Электронные приборы. / Под ред. проф. Г. Г. Шишкина. -М.: Энергоатомиздат, 1989.
- Пасынков В.В., Чиркин JI.K., Шинков А. Д. Полупроводниковые приборы. -М.: Изд-во «Высшая школа», 1966.
- Агизим А. М., Кудин JI. А., Свирщев В. А., Спектор Ю. И. Управляемые р-п-р-п переключатели в аппаратуре для гидробионических исследований. —Киев: Наукова думка, 1976.— 131с.
- Дьяконов В. П. Лавинные полупроводниковые негатроны.— В кн.: Негатроны в вычислительной и измерительной технике.— Рига: Знание, 1973, С. 192 — 196.
- Али-Заде Г. А., Дьяконов В. П. Применение приборов с отрицательным сопротивлением в информационно-измерительной и импульсной технике.—Измерительная техника, 1972, N 3,.с. 43 -— 46.
- Полупроводниковые приборы: транзисторы: Справочник. Под общ. ред. Н. Н. Горюнова. -М., Энергоатомиздат, 1985.
- Блихер А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов : Пер. с англ.: Под ред. И. В. Грехова. -Л.: Энергоатомиздат.Ленингр.отд-ние, 1986.-248с.
- Пауль Р. Транзисторы. Физические основы и свойства: пер. с нем. / Под ред. И. А. Палехова. -М: Советское радио, 1973.
- Трутко А.Ф. Методы расчета транзисторов. -М.: Энергия, 1971. -272с.
- Habib S.E., Simmons J.G. Theory of switching in p-n-insulator (tunnel-metal devices. PL-Solid State Electron., 1979, v.22, p.181−192.
- Zolomy J., Adan A. The metal-insulator-semiconductor switch (MISS), a novel bistable device. Period. Politechn. Elec. Eng. -—1979, v. 29, № 3−4, p.287−292.
- Habib S.E., Simmons J.G. Theory of switching in p-n-insulator (tunnel-metal devices. II. Avalanche mode. — Solid State Electron.— 1980, v.23, № 5, p.497−505.
- Habib S.E., Simmons J.G. Theory of metal-insulator-semiconductor thyristor // JEE Proc., 1980, v. 127, Pt. l, № 4, p. 176−182.
- Choi W.K., De Lima J.J., Owen A.E., S. Reinolds A Phenomenological model of switching in metall-thin insolator-semiconductor- semiconductor-devices: a development of the analogy thyristor // J.Appl.Phys., 1989, v. 65(5), p.2102−2110.
- Choi W.K., Owen A.E., Delima J.J., Gage S.M. Model for the switching voltage of MISS devices based on an analogy with the thyristor // Electron. Letters., 1987, v. 23, № 1, p. 1−2.
- Сагитов Р.Г., Селезнев В. Н. бистабильные структуры металл-изолятор с утечкой полупроводник.—в кн. Электонные процессы в многослойных запоминающих структурах. (Труды ФИАН. т. 184). -М.: Наука. 1987. с.3−23.
- Фомичева О.Ф., Григорьева В. А., Свердлова A.M. Эффекты переключения в слоистых структурах на основе кремния. // Электронная техника, сер. Материалы, вып.9(182), 1983, с.
- Harold Levy. Application and Integration of Quantum-Effect Devices for Cellular VLSI. -PhD Thesis, California Institute of technology, Pasadena, 1995.
- Пирагас K.A. Стохастическая рекомбинационная неустойчивость // ФТП. 1983. т.17. в.6. с.1035−1039.
- Abe Y. Impact Ionization and Chaotic States in Narrow -Gap Semicoductors under a Strong Magnetic Field // Solid State Electron., 1988, v.31, №¾, p. 795- 798.
- Pozela J., Tamasevicius A., Ulbicas J. Quontitave Characterization of Chaotic Current Oscillation in GaAs: Cr // Solid State Electron., 1988.V.31, №¾, 1988, pp.805−808.
- Барташевич 3.H., Пирагас К. А., Пожела Ю. К., Тамашавичус А. В., Ульбикас Ю. К. Хаотические колебания тока в GaAs: Cr // Тез. докл. VI Всесоюзного симпозиума «Плазма и неустойчивости в полупроводниках», Вильнюс, 1987, с.6−7.
- Пирагас Ю.А., Пожела Ю. К., Тамашавичус А. В., Ульбикас Ю. К. Стохастическия неустойчивость тока в арсениде галлия, компенсированном хромом // ФТП, 1987, т.21, в. З, с.545−547.
- Bumeliene S. The Influence of External Periodic Drive on Chaotic Photocurrent Oscillations in Compensated Germanium // International Specialist Workshop «Nonlinear Dynamics of Electronic System», NDES"97, 26−28 June, Moscow, p. 384−888.
- Bumeliene S. Application of Modulated Light to the Synchronization of Chaos in Al/GaAs Shottky Structures // Journ. of Tekh. Physics, 1996, v. 37, № 3−4, p. 461−464.
- Tominaga H., Mori H. Hopf Bifurcation and Chaos in the S-Shaped I-V-Characteristic System // Progr. Theor. Physics. 1994. v.91. № 6. pp. 10 811 099.
- Намаюнас A. M. Хаотические колебания тока в полупроводниковых структурах с р-п-переходом при внешнем периодическом воздействии. — дисс.. к.ф.-м.н., Вильнюс, 1991, УДК621.3, 120 е., 41 ил., библ. 143 назв.
- Намаюнас A.M., Пожела Ю. К., Тамашавичус А. В. Стохастизация ВЧ колебаний в кремниевом диоде // Тез. докл. Всесоюзного симпозиума, 24−26 сент. 1986, Вильнюс, С. 12−13.
- Блонскис В, Репшас К. Неустойчивость тока и напряжения при шнуровании тока в кремниевых п±п-п±переходах // Тез. докл. Всесоюзного симпозиума, 24−26 сент. 1986, Вильнюс, С.26−27.
- Мирзамахмудов Т.М., Гаджибаев М. Релаксация и низкочастотные колебания тока в МДП-структурах // Тез. докл. Всесоюзного симпозиума, 24−26 сент. 1986, Вильнюс, С. 36.
- ШёлльЭ. Самоорганизация в полупроводниках. Неравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно-рекомбинационными процессами: Пер. с англ.—М.:Мир. 1991. 464с.
- Neacsu A., Cole E.I., Propst R.H. Chaotic Feedback Scheme of the Silicon Controlled Rectifier // Physica D34, 1989, p.449−455.
- Koichiro Hoh and Yoh Yasuda. Electronic Chaos in Silicon Thyristor // Jpn. J. Appl. Phys. Vol.33(1994) 594−598
- Takahiro Irita, Tatsuo Tsujita, Minoru Fujishima and Koichiro Hoh. Physical Mechanism of Chaos in Thyristors and Coupled-Transistor Structures // Jpn. J. Appl. Phys. Vol.34(1995) 1409−1412 Part 1, No. 2B, 28 Feburuary 1995
- A.O.Manturov, V.B.Bayburin. Current instability in MOS-diode with nontunneling thin dielectrics. // The book of abstracts of the 5th International School on Chaotic Oscillations and Pattern Formation CHAOS'98, Saratov, Russia, 1998, p. 18−19.
- В.Б.Байбурин, А. О. Мантуров. Моделирование динамических токовых неустойчивостей в МДП-диодах с различной структурой подложки. // Доклады РАЕН. № 1, 1999, с. 131−136,
- Ортега Дж., Пул У. Введение в численные методы решения дифференциальных уравнений / Пер. с англ.- Под ред. А. А. Абрамова. -М.: Наука, 1986.-288с.
- Фомичева О.Ф., Отавина J1.A., Свердлова A.M., Капшталь Г. Г. Электрические структур свойства МДП систем, созданных на основе эпитаксиальных кремниевых структур с различными диэлектриками.— Поверхность. Физ.Хим.Мех., 1984, № 1, с.80−83.
- Набока М.Н. Структура и физические свойства тонких пленок на основе соединений редкоземельных элементов.— в кн. Физика и химия редкоземельных полупроводников: Наука, Сиб.отд., 1990, 192 с.
- Вдовин О.С., Рожков В. А., Котелков В. Н., Свердлова A.M. Получение и электрические свойства МОП-структур на основе окислов редкоземельных элементов // Электр, техн. сер.6, Материалы, 1973, № 2, с.77−81.
- Свердлова A.M. Получение и исследование свойств МОП-структур на основе ОРЗЭ // Электронная техника, 1972, сер.2, вып.5. с.96−100.
- Овсюк В.И. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск. Наука, 1984.
- Еремин С.А., Мокеев O.K., Носов Ю. Р. Полупроводниковые диоды с накоплением заряда и их применение. -М.: Сов. радио, 1966. -152с.
- Рабинович М.И., Трубецков Д. И. Введение в теорию колебаний и волн.: учебное руководство для вузов. 2 изд. М.: Наука. 1992. — 456 с.
- Федоренко Я.Г. Динамические характеристики кремниевых МДП-структур с рп-переходом в подложке : дисс.. к.ф.-м.н., Саратов, 1998, -156 с.
- Мантуров А.О., Морев B.C. Автоматизация построения и исследования диаграмм режимов в экспериментальной физике колебаний. // Материалы 2й Международной конференции «Фундаментальные Проблемы Физики 2000», Саратов, с. 137
- Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника: справочное руководство. Пер. с нем. п/р д.т.н. А. Г. Алексенко .- М., «Мир», 1982. -512с.
- Новиков Ю.В., Калашников О. А., Гуляев С. Э. Разработка устройств сопряжения для персонального компьютера типа IBM PC. -М.: «ЭКОМ», 1997. -224с.
- Муравский Б.С., Черный В. Н., Яманов И. Л. Неравновесные электронные процессы в транзисторных структурах с туннельно прозрачным окислом // Микроэлектроника, 1989, № 4, с.304−309.
- Муравский Б.С., Кузнецов В. И., Фризен Г. И., Черный В. Н. Исследование кинетики поверхностно-барьерной неустойчивости // ФТП, 1972, т.6, в.11., с.2114−2122.
- Муравский Б.С., Яманов И. Л. Неравновесные электронные процессы в слоистых структурах с поверхностно-барьерным переходом // ФТП, 1987, т.21, в.5, с. 961.
- Муравский Б.С., Фризен Г. И., Кузнецов В. И., Черный В. Н. Влияние влаги на поверхностно-барьерную неустойчивость тока // ФТП, 1987, т.12, в.6. с. 1238.
- Муравский Б.С. Влияние излучения на параметры колебаний поверхностно-барьерного генератора // ФТП, 1975, т.9, в.6, с.1140−1144.
- Барышев М.Г., Муравский Б. С., Черный В. Н., Яманов И. Л. Фотоэффект в эпитаксиальной р±п-структуре с n-областью переменной толщины и контактом туннельный окисел-металл // ФТП. 1995, т.29, № 1, с.91−95.
- Жужа М.А., Ильченко Г. П., Муравский Б. С., Рубцов Г. П., Черный В. Н. Неравновесная динамическая проводимость транзисторных структур металл-туннельно-прозрачный окисел-полупроводник в СВЧ-поле // Микроэлектроника, 1995, т.24, с. 270−274.
- Свердлова A.M., Мантуров A.O., Федоренко Я. Г. Исследование колебательных режимов в МДП структуре при внешнем периодическом воздействии. // Физика и техника полупроводников, 1996, том 30, вып. 12, с.2143−2148
- Ling C.H., Bhaskaran J., W.K. Choi, Ah L.K. Study of rf-sputtered Yttrium Oxide Films on Silicon by Capacitance Measurements // J. Appl. Phys., 1995, v.77(12), p.6350−6354.
- Wendell D., Swanson R. M. Improvement in the Determination of interface Density using Deep Level Transient Spectroscopy // J.Appl.Phys., 1984, v.56(6), p. 1744−1750.
- Yamasaki K., Yoshida M., Sugano T. Deep Level Transient Spectroscopy of Bulk Traps and Interface States in Si MOS Diodes // Japan. Journal of Appl. Phys., 1979, v, 18,№l, p. l 13−122.
- Марченко. Стохастические колебания в МДП-структуре, облученной светом.— Вестник МГУ
- Rollins W., Hunt E.R., Exactly Solvable Model of Physical System Exhibiting Universal Chaotic Behavior // Phys. Rev. Letters, 1982, v. l, № 18, p.1295−1298.
- Matsumoto Т., Chua L., Tanaka S. Simplest Chaotic Nonautonomous Curcuit // Physical Reviw A., 1984, v.30, № 2, p. 1155−1157.
- Liu Qing, Fen Guo, Shu-Hian Wu, L.O. Chua. Experimental Conformation of Period Adding Rout to Chaos in Nonlinear Circuit // IEEE Trans, on Circuit and Systems, 1986, v. CAS-33, № 4, p.438.
- Hunt E.L. Comment on Driven Nonlinear Oscillator // Phys.Rev.Lett., 1982, v.49, № 14, p. 1054.
- Jeffries C., Perez J. Observation of Pomeau-Mannevill Intermittent Rout to Chaos in Nonlinear Oscillator // Phys.Rev., 1982, v.26, p.
- Максимов А.С., Максимов H.A. Динамика нелинейного колебательного контура с р-п-переходом при различных напряжениях смещения и воздействия внешнего периодического сигнала.—
- Безручко Б.П. Мультистабильность и хаос в многомерных неавтономных диссипативных системах. Дисс. доктора ф.-м. наук., Саратов, 1995.
- Kukk V. Modelling Transients in Oscillator Circuits // Proceedings of Proceedings of International Specialist Workshop «Nonlinear Dynamics of Electronic System», NDES"97, 26−28 June, Moscow, p. 520−524.
- Inaba N., Nitanai T. Synchronization of Chaos in Circuit with a diode // International Specialist Workshop «Nonlinear Dynamics of Electronic System», NDES"97, 26−28 June, Moscow, p. 166−170.
- Фомичева О.Ф. Автореферат дисс.к.ф.-м.н., Горький, 1983.
- Manturov A.O., Fedorenko Ya.G. Nonlinear behaviour in the Metal-Insulator-Semiconductor Switcher (MISS) // Proceedings 5th International Specialist Workshop «Nonlinear Dynamics of Electronic Systems», June 2627, 1997, Moscow, Russia, p.475−479.
- Tominaga H., Mori H. Hopf Bifurcation and Chaos in the S-Shaped I-V-Characteristic System // Progr. Theor. Physics. 1994. v.91. № 6. pp. 10 811 099.
- Bayburin V.B., Manturov A.O. Current instability in MOS-diode with nontunneling thin dielectrics // The book of abstracts of the 5th International School on Chaotic Oscillations and Pattern Formation CHAOS'98, Saratov, Russia, 1998, p. 18−19