Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Исследование центров люминесценции и энергий ионизации донорных уровней в соединениях A2 B6

Диссертация: Исследование центров люминесценции и энергий ионизации донорных уровней в соединениях A2 B6
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В современном электронном оборудовании постоянно возрастает потребность в средствах отображения информации (СОИ). Требования к визуализации информации варьируются в весьма широких пределах от цифровой или мнемонической индикации до полномасштабного телевизионного изображения. Одновременно на дисплей накладывается ряд требований к размерам, потребляемой мощности, диапазону рабочих температур… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
    • 1. 1. Люминесценция порошковых электролюминесцентных структур
      • 1. 1. 1. Основные электронные переходы в люминесценции
      • 1. 1. 2. Свечение электролюминофоров на основе сульфида цинка
      • 1. 1. 3. Модели энергетических переходов в люминесценции ZnS-люминофоров
      • 1. 1. 4. Реализация моделей энергетических переходов при излучении в основных полосах люминесценции ZnS-фосфоров
      • 1. 1. 5. Реализация моделей энергетических переходов при излучении
    • 1. 2. Термоактивационные методы исследования люминофоров
      • 1. 2. 1. Феноменологические модели неравновесных процессов
      • 1. 2. 2. Информационные возможности метода термостимулированной люминесценции
      • 1. 2. 3. Информационные возможности метода постоянного сигнала
      • 1. 2. 4. Метод фракционного термовысвечивания
      • 1. 2. 5. Сравнительный анализ методов ТСЛ, постоянного сигнала и фракционного термовысвечивания
    • 1. 3. Метод мгновенного фиксирования ЭДС как метод изучения термодинамических свойств твердых растворов
  • ГЛАВА 2. МЕТОДИЧЕСКАЯ ЧАСТ
    • 2. 1. Химический состав экспериментальных образцов
    • 2. 2. Экспериментальные методики исследования термостимулированных эффектов
    • 2. 3. Методы расчета параметров центров захвата
      • 2. 3. 1. Методы приближенной оценки
      • 2. 3. 2. Методы расчета энергии активации центров захвата, использующие характерные точки кривой высвечивания
    • 2. 4. Исследование широкозонных полупроводников методом МФЭ
  • ГЛАВА 3. РАЗРАБОТКА АВТОМАТИЗИРОВАННОЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОЙ СИСТЕМЕ
    • 3. 1. Предельно допустимые параметры научно-исследовательской системы
      • 3. 1. 1. Источники ошибок
      • 3. 1. 2. Требования к точности измерений
      • 3. 1. 3. Требования к температурному режиму
    • 3. 2. Оценка целесообразности автоматизации исследований термоактивационными методами
      • 3. 2. 1. Принципы оценки целесообразности автоматизации научных исследований
      • 3. 2. 2. Целесообразность автоматизации исследований термоактивационными методами
      • 3. 2. 3. Целесообразность автоматизации исследований
    • 3. 3. Научно исследовательская система и алгоритмизация исследования методом ступенчатого нагрева
      • 3. 3. 1. Функциональная схема
      • 3. 3. 2. Элементная база
      • 3. 3. 3. Канал измерения слабых потоков света
      • 3. 3. 4. Малоинерционный азотный криостат
      • 3. 3. 5. Канал измерения температуры образца
      • 3. 3. 6. Канал управления температурой образца
      • 3. 3. 7. Основные технические характеристики НИС
      • 3. 3. 8. Алгоритм эксперимента
      • 3. 3. 9. Математическое обеспечение алгоритма эксперимента
  • ГЛАВА 4. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭНЕРГИЙ ИОНИЗАЦИИ ДОНОРНЫХ УРОВНЕЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СПЕКТРОВ ТЕРМОСТИМУЛИРОВАННОЙ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ПРИ СТУПЕНЧАТОМ АЛГОРИТМЕ НАГРЕВА
    • 4. 1. Оценка энергий тепловой ионизации ЦЗ по спектрам ТС Л
    • 4. 2. Определение энергий излучательных переходов по данным исследования спектров фотолюминесценции ряда образцов состава ZnS: Cu, Ag, Cl
    • 4. 3. Построение приблизительной зонной диаграммы по данным классических методов исследования
    • 4. 4. Оценка количества и элементарности пиков по спектрам ТСЛСН для ряда образцов состава ZnS: Cu, Ag, Cl
  • ГЛАВА 5. ИЗУЧЕНИЕ ЦЕНТРОВ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ЛЮМИНОФОРОВ СОСТАВА ZnS: Cu, Ag, Cl
  • КОМПЛЕКСНЫМ МЕТОДОМ
    • 5. 1. Расчет относительной активности дефектов, создаваемых серебром в электролюминофорах состава ZnS: Cu, Ag, Cl
    • 5. 2. Сопоставление результатов исследования методами ТСЛСН иМФЭ
    • 5. 3. Определение характера изменения дефектной ситуации в кристалле методом термодинамического расчета
    • 5. 4. Анализ экспериментальных данных на основании зависимостей, полученных при термодинамическом расчете
  • ВЫВОДЫ

Исследование центров люминесценции и энергий ионизации донорных уровней в соединениях A2 B6 (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

В современном электронном оборудовании постоянно возрастает потребность в средствах отображения информации (СОИ). Требования к визуализации информации варьируются в весьма широких пределах от цифровой или мнемонической индикации до полномасштабного телевизионного изображения. Одновременно на дисплей накладывается ряд требований к размерам, потребляемой мощности, диапазону рабочих температур, устойчивости к механическим нагрузкам и т. д. Это приводит к появлению широкого класса СОИ, среди которых наибольшее развитие получили газоразрядные, катодолюминесцент-ные, жидкокристаллические и электролюминесцентные дисплеи. Первые три типа обладают рядом существенных недостатков. В настоящее время существует технология создания твердотельных электролюминесцентных СОИ, существенными достоинствами которых является высокая механическая прочность изделий, возможность получения экранов любого заданного размера, технологичность их изготовления, широкий угол обзора и возможность работы в жестких механических и температурных условиях.

Усилия, направленные на изучение физико-химических свойств и параметров электролюминофоров, в последнее время привели к значительно возросшему качеству люминофорных структур и, как следствие, к расширению области их применения. Установление закономерностей их создания и функционирования позволило распространить фундаментальные законы, ранее применявшиеся для описания лишь люминесцентных структур на другие классы твердых тел, что также значительно расширило возможности управления их свойствами.

Проведение работ по созданию целого ряда новых оптоэлектронных панелей на основе электролюминофоров требует более ясного понимания термически обусловленных процессов, протекающих в люминесцентных структурах. Без этого невозможна разработка технологии получения качественно новых неорганических электролюминофоров с комплексом требуемых свойств. В то же время, до сих пор отсутствует простая методика прецизионного исследования дефектной ситуации в поликристаллических соединениях, не разработан комплексный метод изучения центров свечения в люминофорах.

Цель работы. Основной целью диссертационного исследования является разработка комплекса физико-химических методов, позволяющих устанавливать природу центров свечения и энергий ионизации донорных центров, присутствующих в полупроводниках.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

— разработка прецизионной экспериментальной установки для автоматизированного исследования термостимулированных процессов ионизации до-норнах центров в полупроводниках;

— разработка методики прямого экспериментального определения набора донорных уровней в запрещенной зоне широкозонного полупроводника;

— системное изучение строения центров свечения люминофора ZnS: Cu, Ag, CI;

— изучение зависимости дефектной ситуации в полупроводнике сложного состава на примере ZnS: Cu, Ag, С1 от общего содержания активатора и соак-тиваторов. Выявление закономерностей изменения концентрации собственных и примесных дефектов от количества второго соактиватора, внедренного в полупроводник.

Научная новизна:

— разработана методика экспериментального определения видов центров свечения, возникающих в люминофорах сложного состава даже при близких энергиях залегания уровней, соответствующих центрам свечения различной природы.

— изучено строение и характеристики групп центров свечения, возникающих в люминофорах состава ZnS: Cu, Ag, CI;

— построена модель влияния второго соактиватора (Ag) на электрофизические и оптические свойства люминофоров.

Практическая значимость работы:

— разработана экспериментальная установка для исследования быстро-протекающих термоактивационных процессов в электролюминофорах постоянного поля;

— разработан алгоритм эксперимента и управляющая программа для исследования электролюминофоров методом термостмулированной люминесценции со ступенчатым алгоритмом нагрева;

— разработана комплексная методика анализа дефектной ситуации в сложных люминофорах.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Необходимость автоматизации при исследовании быстропротекающих термостимулированных процессов в электролюминофорах постоянного поля.

2. Методика экспериментального определения количества типов центров захвата в запрещенной зоне широкозонного полупроводника методом термо-стимулированной люминесценции со ступенчатым алгоритмом нагрева.

3. Природа центров люминесценции в сложном акцепторном полупроводнике состава ZnS: Cu, Ag, CI.

4. Влияние общей концентрации второго соактиватора на дефектную ситуацию в кристалле.

5. Комлексный подход к анализу природы центров свечения, присутствующих в электролюминофорах постоянного поля на примере полупроводника состава ZnS: Cu, Ag, CI.

Апробация работы. Результаты работы были представлены: на региональной научно-технической конференции «Вузовская наука — СевероКавказскому региону» (Ставрополь, 1997) — XXVII научно-технической конференции по результатам научно-исследовательской работы профессорско-преподавательского состава, аспирантов и студентов за 1996 год (Ставрополь, 1997) — региональной научно-технической конференции по результатам научно-исследовательской работы профессорско-преподавательского состава, аспирантов и студентов за 1997 год (Ставрополь, 1998) — XXIX научно-технической конференции по результатам научно-исследовательской работы профессорско8 преподавательского состава, аспирантов и студентов за 1998 год (Ставрополь, 1999) — IV региональной научно-техническая конференции «Вузовская наукаСеверо-Кавказскому региону» (Ставрополь, 2001) — IV региональной научно-техническая конференции «Вузовская наука — Северо-Кавказскому региону» (Ставрополь, 2000) — Всероссийской научно-практической конференции «Химия твердого тела и современные микрои нанотехнологии» (Кисловодск, 2001Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микрои нанотехнологии» (Кисловодск, 2002).

Публикации. Результаты исследований опубликованы в 11-ти работах, в том числе в 9-ти тезисах докладов и 2-х статьях.

Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, обзора литературы, методической части, главы, посвященной разработке автоматизированной научно-исследовательской системы, обсуждения полученных результатов, выводов и списка использованных литературных источников. Работа изложена на 139 страницах, содержит 52 рисунка и 11 таблиц. Библиографический список состоит из 117 наименований.

выводы.

1. Разработана прецизионная экспериментальная установка для автоматизированного исследования термостимулированных процессов ионизации донорных центров в полупроводниках (АИТП).

2. Впервые с использованием АИТП разработана методика экспериментального определения набора донорных уровней в запрещенной зоне широкозонного полупроводника даже при близких энергиях залегания уровней. Показано, что предложенная методика позволяет вместо интегральной кривой ТСЛ экспериментально получить: а) полный спектр индивидуальных пиков ТСЛ, соответствующий ионизации всех присутствующих в полупроводнике донорных центровб) экспериментально определять относительную концентрацию донорных центров каждого типа.

3. Намечен подход к прямому экспериментальному определению энергии ионизации донорных центров.

4. Определены уровни залегания собственных и примесных донорных дефектов в запрещенной зоне широкозонного полупроводника состава ZnS: Cu, Ag, Cl. Установлено, что энергия активации уровня, соответствующего дефекту Vs* EaVs. = 0,29эВ, энергия активации уровня, соответствующего дефекту Cls* EaCls. =0,46эВ. Энергии активации Еа =0,55эВ соответствует двум дефектам: Ag* и (CuZnVs)*.

5. Определены возможные оптические переходы в полупроводнике состава ZnS: Cu, Ag, Cl. Установлено, что набору длин волн, имеющих место в спектре фотолюминесценции, соответствуют следующие оптические переходы: X «450 нм: VZn' - Си», AgZn' - Vs" - X" 500 нм: VZn' - Cls", AgZn' -Agi*, CuZn' - Си-*, Agzn' - (CuZnVs)'- X * 550 нм: CuZn' - Cls', (CuiVZn)' - Cu *- X «610 нм: (CuiVzn)' - Vs*- X «660 нм: (CuiVZn)' - Cls*.

6. Проведен термодинамический анализ зависимости дефектной ситуации в полупроводнике состава ZnS: Cu, Ag, Cl от общего содержания серебра.

Выявлены закономерности изменения концентрации собственных и примесных дефектов от количества серебра, внедренного в полупроводник. 7. Предложен комплекс физико-химических методов, позволяющих устанавливать природу центров свечения, присутствующих в электролюминофорах сложного состава.

Показать весь текст

Список литературы

  1. A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. -М.: Высшая школа, 1971. — 336 с.
  2. . Оптические процессы в полупроводниках. М Мир. 1973.
  3. А., Дин П. Светодиоды. М.: Мир- 1979.
  4. Georgobiani A.N. The construction of light emitting diodes of the base of wide gap II-VI semiconductor compounds //J. Lumen. Ill 1991. V.48−49. P. 839−844.
  5. Butkhuzi T.G., Georgobiani A.N. Eltazarov B.T. Khulordava T.G. Kotl-jarevsky M.B. Blue light emitting diodes on the base of ZnSe senile crystals//!. F Crystal Growth. 1992. — V. l 17. — P. 1055−1058.
  6. JI.Я., Некерман Ф. М., Петошина Л. Н. Люминофоры. М.: Химия.- 1966.-232с.
  7. Georgobiani A.N., Togua P. A. Low voltage electroluminescence of ZnS due to an acusto-electric nostability //J. Lumin. 1972. — № 5. — P. 14−20.
  8. Ю.Н. Деградационные процессы в электролюминесценции твердых тел. Л.: Наука. — 1983. — С. 122.
  9. Destriau G. Recherehes sur les scintillations des sulphures de zinc aux rayons// Y. de Chimie Phys. 1936. — V.33. — P. 587.
  10. Destriau G. Recherhes experimentales sum les action du champ electngue sur les sulfures phosphonescents. //Y. de Chimie Phys. 1937. V.34. P.117−124.
  11. A.H., Бочков Ю. В., Кисель И. И., Сысоев А. А., Чилая Г. С. Электролюминесценция объемных кристаллов ZnS //Изв. АН СССР. Сер Физика. 1965. — Вып. 2. — Т. 18 — С. 347−349.
  12. А.Н., Фок М.В. Процесс, определяющий зависимость средней яркости электролюминесценции от напряжения // Оптика и спектроскопия. 1961. — Вып. 2. — Т. 10 — С. 188−193.
  13. А.Н., Бочков Ю. В., Чилая Г. С. Электролюминесценция инекоторые оптические характеристики монокристаллов сульфида цинка//Труды ФИАН. 1970. Т. 50. С. 60−91.
  14. А.Н., Рамбиди Н. П., Тодуа ПА., Шестаков Е. Ф. Эльтаза-ров Б.Т. Электролюминесценция МДП-структур CdS/пленка Ленгмюр-Блодже/Аи //Краткие сообщения по физике. 1987. — № 9. — С. 46−49.
  15. Georgobiani A.N. Eltazarov В.Т., Pamhidi N.G.- Todua P.A. Padiative and electrical properties of CdS /Langmuir-Blodgett film /Au MIS structure //J. Molec. Electronics. 1988. — V.4. — P. 49−53.
  16. Georgobiani A.N., Mach R, Yu., Bockow V., Selle B. Physical properties of Schottky diodes on ZnS single crystals //Phys. Stat. Sol. (a). 1979. -V.53.-P. 263−270.
  17. Allen J.W., Livingstone A.W., Turvey K. Electroluminescence in reverse-biased zinc selenide Shottky diodes //Sol. State Electron. 1972. — V.15, № 12.-P. 1363−1369.
  18. Gordon N.T., Ryall M.D., Allen J.W. Electroluminescence in reverse-biased ZnS: Mn Shottky diodes //Appl. Phys. Lett. -1979. V.35, № 9. — P. 691−692.
  19. Vlasenko N.A., Gergel A.N. On the mechanism of DC electroluminescence in pCuxS nZnS: Mn, Cu, CI film structures //Phus. Stat. Sol. 1968/ Vol. 26. P. K66K81.
  20. J. S., Williams F. Е. -JECS, 1956, v. 105, p. 342.
  21. Prener J. S" Williams F. E. Phys. Rev., 1956, v. 101, p, 1427.
  22. Prener J. S., Williams F. E. J. Chem. Phys., 1956, v. 25, p. 361.
  23. Prener J. S., Williams F. E. J. Phys. rad., 1956, v. 17, p. 667.
  24. Prener J. S, Weil D. J. -JECS, 1959, v. 106, p. 409.
  25. Schon M. Z. Physik, 1942, vol. 19, p. 463.
  26. Rlasens H.A. Nature, 1946, v. 158, p. 306.
  27. Bowers R., Melamed S.T. Phys. Rev., 1955. V. 99. p. 178.
  28. Lambe J, Click W. -Phys. Rev., 1956, v. 98. p 209.
  29. J., Click W. -J. Phys. rad. 1956. v. 17. p 663.
  30. Lambe J. Phys. Rev., 1955. v. 98. p. 985.
  31. Aven M.N., Halsted R.E.-Phys. Rev., 1965. v. 137, p. 228.
  32. Shionoya Sh. Techn. Repts of ISSP, ser. A, N 376.
  33. Saum G. A., Glaenzer R. H., DuckerJ. E. -JPCS, 1969, v. 30. p. 2447.
  34. Zalm P. Phyl. Res. Repts, 1956, v. 11, p. 353.
  35. В. В. В сб.: Оптика и спектроскопия. Т. 1. M.-JL: АН СССР. 1963, с. 249.
  36. Williams G. F. Brit. J. Appl. Phys., 1955, v. 4, p. 97.
  37. Shionoya Sh., Amano K. J. Chem. Phys., v. 25, p. 380.
  38. И. А., Толстой H. A. В сб.: Оптика и спектроскопия. Т. 1 М.-Л.: АН СССР, 1963, с. 257.
  39. В. Л., Туницкая В. Ф. ОС, 1960, т. 9, с. 223.
  40. Антонов-Романовский В. В. Кинетика фотолюминесценции кристал-лофосфоров. М.: Наука, 1966.
  41. F. // Wien. Ber., Abt, II a, 1930, P.139, 353.
  42. Randall J., Wilkins M.N.F. // Proc. Roy. Soc., 1945, A184, P. 347, 366, 390.
  43. Garlik A., Wilkins M.N.F. // Proc. Roy. Soc., 1945, A184, P. 408.
  44. Антонов-Романовский B.B. // Известия АН СССР, 1946,10, c.477.
  45. Антонов-Романовский B.B. // Сб. Оптика и спектроскопия, Т. 1, М.Л.АН СССР, 1963, с. 207.
  46. J.J., Schwed P.J. // J. Chem. Phys., 1955, V. 23, P. 652.
  47. R.H. // J. App. Phys., 1964, V. 35, P. 568.
  48. De Muer D. // Physics, 1970, V. 48, P. 1.
  49. Urbach F. Preparation and characteristics of Solid Luminescent Materials, Symposium, N.Y., 1948.
  50. Ч.Б. // Труды ИФА АН ЭССР, 1955, Т. 3, с. 17.
  51. L. // J. App. Phys., 1953, V.24, P.1306.
  52. A., Brauer A. // Phys. Rev., 1960, V. 117, P. 408.
  53. V. В., Zhdan A. G. // Solid Stat. Electr, 1970, V. 13. P. 69.
  54. R. // Chem. Phys. Lett., 1971, V. 11, P. 371.
  55. И. A. // ЖЭТФ, 1954, Т. 26, с. 697.
  56. A. // Czech. J. Phys. 1954, V. 4, P. 9.
  57. B. // Canad. J. Chem., 1954, V. 32, P. 214.
  58. W. // Phillips Res. Rev., 1958, V. 13, P. 515.
  59. IJ. // J. Phys. С (Solid State Physics), 1969, V. 2, P. 2181.
  60. R.H. // Phys. Rev., 1950, V. 80, P. 655.
  61. A.A., Янсонс Я. Л., Витол И. К. // Известия АН СССР, сер. физ., 1969, Т. 33, с. 977.
  62. А.А., Кулис П. А. // Уч. зап. ЛГУ им. П. Стучки, 1974, Т. 208.
  63. Н., Hofinann D. // J. Phys. Chem. Solids, 1966, V. 27, P. 509.
  64. H., Hofinann D. // Phys. Kond. Materie, 1966, V. 5, P. 39.
  65. H., Nelkowski H., Hofmann D., Muller B. // Internat. Conf. Luminescence, Budapest, 1966, preprint 6, V. 2, P. 188.
  66. Э.И. Некоторые вопросы теории люминесценции кристаллов, М.-Л., 1951.
  67. .М. Электролюминофоры постоянного тока. Ставрополь: Изд-во АО «Пресса», 1996. — 225 с.
  68. Okajima К., Sakao Н. On the Sweep Curve, Sport Movement ive Force in the TIE Method.// Trans. 1.1. M. 1968. 9. 325−330.
  69. .Т., Стоянова Л. Ф. и др. Термодинамические свойства селе-нидов и теллуридов свинца, кадмия и цинка и возможность проведения экспресных измерений методом ЭДС.// Сб. трудов АН СССР. Научный совет по термодинамике. Баку, 1975. С. 130−138.
  70. . М. Электролюминофоры, возбуждаемые постоянным электрическим полем (теория, синтез, применение): Дисс. докт. хим. наук. Ставрополь, 1985, 387 с.
  71. В.Н., Грыцив В. И. Диаграммы состояния систем на основе полупроводниковых соединений А2В6. Киев: Наукова думка, 1982. -166 с.
  72. Г. Н. Автореф. дис. канд. тех. наук. 1958. — 17 с.
  73. B.C., Баталин Г. И. Применение метода ЭДС для определения активностей в металлических растворах.// Укр. хим. журнал. 1975. Т.41. № 1. С. 130−138.
  74. И.Б., Гейдерих В. А. Регистрация ионов различного заряда в водных растворах методом мгновенного фиксирования ЭДС// Электрохимия. 1987 Т17,№ 3, С.353−356.
  75. В.А., Куценок И. Б. Кинетика установления стационарного значения ЭДС гальванических элементов амальгамного типа// ЖФХ, 1981. Т.54. № 4. с.1068−1061.
  76. В.И. Исследование влияния условий обработки ZnO на концентрации собственных дефектов и обусловленные ими люминесцентные свойства. Автореф. канд. дисс. Ставрополь. 2001.
  77. Simmons J.G., Taylor G.W. Nonequalibrium steady state statistics and associated effects for insulators and semiconductors containing an arbitrary distribution of trap. // Phys. Rev. B: Sol. Stat., 1971, V. 4, N. 2, P. 502 -511.
  78. А.П., Федорус г. А., Размадзе А. К. Некоторые особенности термически стимулированной проводимости в cdS монокристаллах. // Физ. тв. тела, 1960, Т. 2, № 6, с. 1141 — 1147.
  79. А.А., Витол И. К. Моделирование рекомбинационных явлений и научного эксперимента. // Известия АН СССР. Сер. физ. 1971, Т. 35, № 7, с. 1301 1304.
  80. Cowell Т.А.Т., Woods J. The evaluation of thermally stimulated current curves. // Brit. J. Appl. Phys., 1967, Vol. 18, p. 1045 1051.
  81. J. Т., Wilkins M. T. Phosphorescence and electron traps.// Proc. Roy. Soc. (London) — 1945, V. A184, N. 999, P. 365−407.
  82. Bube R.H. Infrared quenching and a unified description of photoconductivity phenomena in cadmium sulfide and selenide // Phys. Rev., 1955, V. 99, N4, P. 1105- 1116.
  83. Boer K.W., Oberlander S., Voigt J. Uber die Auswertung von leitfahig-keits-glowkurwen. // Ann. Phys., 1958, F. 7, Bd. 2, N ¾, S. 130 145.
  84. Simmons J.G., Taylor G.W. High field isothermalcurrents and thermally stimulated in insulators having discrete trapping levels// Phys. Rev. B: Sol. Stat, 1972, V. 5, N. 4, P. 1619 1629.
  85. Ч.Б. К теории термического высвечивания. // Докл. АН СССР. Сер. Физ. 1955, т. 101, № 4, с. 641 — 644.
  86. Ч.Б. Исследование центров захвата в щелочно-галоидных кри-сталлофосфорах. «Тр. Ин-та физ. и астрон. АН ЭССР», 1955, № 3, с. 388.
  87. Kaeting Р. N. Thermally stimulated emission and conductivity peaks in the CdSe temperature dependent trapping gross sections. // Proc. Phys. Soc., 1961, V. 78, Pt. 6 (1), N. 506, P. 1408 1416.
  88. Land P.L. New methods of determining electron trap parameters from thermoluminescent or conductivity «Glow curves» // J. Phys. Chem. Sol. 1969, V. 30, N7, P. 1681 -1692.
  89. .К., Тетюева P.H. // Измерительная техника, 1960, № 6, с.30.
  90. А.Н. Исследования в области температурных измерений // Труды комитета стандартов, мер и измерительных приборов при СМ СССР, 1961, вып.51, (III), с. 172.
  91. Н.А., Барковский А. Г., Чечик Н. О., Елисеев. Р. Е. Фотоэлектронные приборы. — М.: Наука, 1965.
  92. В., Бернгард Ф. Фотоэлектронные умножители. — М.: Гос-энергоиздат, 1961.
  93. Curie D, Curie G. // J. Phys. Rad, 1955, V. 16, P. 199.
  94. Кампе-Немм А. А. Автоматическое двухпозиционное регулирование // Наука. М. 1967.
  95. С.А. Физика и химия соединений А2В6. М.: Мир — 1970. -525 с.
  96. Ю.Н. Деградационные процессы в электролюминесценции твердых тел. JL: Наука. — 1983. с. 122.
  97. Физика соединений AnBIV // Под. ред. А. Н Георгобиани, М.К. Шейк-мана М.: Наука, Гл. ред. физ-мат. лит., 1986. 320 с.
  98. П.В. Физическая химия твердого тела. Кристалы с дефек-тами.-М.: Высшая школа 1993. 352с.
  99. И.К. Электролюминесценция кристаллов. -М. 1 974 279 с.
  100. А.Н. Электролюминесценция кристаллов //Труды ФИАН, исследования по люминесценции. 1963. -с. 3−23.
  101. В.В., Чиркин Л. К., Шинков А. Д. Полупроводниковые приборы. М.: Высшая школа, 1973. — 398 с.
  102. И.К., Ковалев А. Б., Косяченко Л. А., Кокин С. В. Электролюминесцентные источники света. /Под ред. И. К. Верещагина. М.: Энергоиздат. 1990. — с. 27.
  103. О.В. Действие контактных детекторов- влияние температуры на генерируемый контакт //Электролюминесцентные источники света. /Под ред. И. К. Верещагина. М.: Энергоиздат. — 1990. — с. 45−62.
  104. Л.А. Внутризонная люминесценция полупроводников //Изв. АН СССР. Сер. Физика. 1985. — Т. 49, № 10. — С. 1934−1939.
  105. О.Н., Люмичев И. Я., Николаев Ю. Н. и др. Прикладная электролюминесценция. — М.:1974. 413 с.
  106. Н.Н., Кревс В. Е., Средин В. Г. Полупроводниковые твердые растворы и их применение /Справочные таблицы. М.: Военное изд-во Министерства обороны СССР. 1982. — 207с.
  107. О.Н., Королев A.JL, Паранин Г. А., Пекерман Ф. М. Электролюминофоры, возбуждаемые постоянным электрическим током. -Светотехника, 1976. -№ 12. с.3−4.
  108. Н.А., Куриленко Б. В., Цыркунов Ю. А. Электролюминесцентные тонкопленочные излучатели и их применение. Киев, 1981. -22с.
  109. И.Г. Прохождение тока через тонкие диэлектрические пленки/В кн.: Технология тонких пленок. Справочник. Т.2./Под ред. Л. Майселея, Р. Глента.- М.: Советское радио, 1977. с. 345−339.
  110. Н.А. Фото- и электролюминесценция пленок. Тарту, 1973. — Вып.315. — с.3−68.
  111. Фок М. В. Введение в кинетику кристаллофосфоров. М.: Наука, 1966.
  112. .И., Корнилов В. В. // Измерительная техника, 1966, № 9, с.46.
  113. М., Окадо К. // В сб. Методы измерения температуры, Изд-воИЛ, 1954, с 195.
  114. Н.Н. Исследования в области температурных измерений // Труды комитета стандартов, мер и измерительных приборов при СМ СССР, 1961, вып.51, (III), с. 89.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?