Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Математическая модель мощных СВЧ полевых транзисторов для систем автоматизированного проектирования электронных устройств в многочастотных режимах

Диссертация: Математическая модель мощных СВЧ полевых транзисторов для систем автоматизированного проектирования электронных устройств в многочастотных режимах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Удовлетворить требованиям к сокращению сроков, снижению стоимости проектирования и повышению качества проектных работ при наблюдаемом в последнее время увеличении сложности радиотехнических устройств и росте требований к их параметрам и характеристикам невозможно без использования систем автоматизированного проектирования (САПР). К тому же интенсивное освоение в настоящее время монолитной… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Разработка математической модели мощных СВЧ ПТШ с учетом эффекта саморазогрева
    • 1. 1. Математические модели ПТШ для анализа многочастотных режимов работы СВЧ устройств
      • 1. 1. 1. Эквивалентные схемы
      • 1. 1. 2. Нелинейные модели источника тока стока
    • 1. 2. Математическая модель ПТШ с учетом эффекта саморазогрева
      • 1. 2. 1. Нелинейная модель ПТШ для анализа интермодуляционных искажений высоких порядков
      • 1. 2. 2. Анализ влияния температуры на физические параметры модели
      • 1. 2. 3. Моделирование саморазогрева канала
      • 1. 2. 4. Учет в модели ПТШ пробоя стока и влияния буферного слоя
    • 1. 3. Выводы
  • Глава 2. Моделирование статических и высокочастотных характеристик ПТШ с учетом эффекта саморазогрева
    • 2. 1. Моделирование ПТШ с учетом эффекта саморазогрева в системе автоматизированного проектирования электронных. устройств OrCAD
    • 2. 2. Моделирование выходных характеристик ПТШ с учетом эффекта саморазогрева
      • 2. 2. 1. Идентификация элементов тепловой подсхемы
      • 2. 2. 2. Идентификация параметров нелинейного источника тока стока
      • 2. 2. 3. Моделирование характеристик интегрального ПТШ с учетом эффекта саморазогрева
    • 2. 3. Моделирование высокочастотных характеристик ПТШ
    • 2. 4. Выводы
  • Глава 3. Исследование влияния эффекта саморазогрева ПТШ на характеристики усилителей мощности
    • 3. 1. Исследование влияния эффекта саморазогрева ПТШ на характеристики узкополосного усилителя с реактивными цепями согласования
      • 3. 1. 1. Анализ влияния эффекта саморазорева на малосигнальные характеристики узкополосного усилителя
      • 3. 1. 2. Анализ влияния эффекта саморазогрева при одночастотном и многочастотном воздействии большого сигнала
    • 3. 2. Исследование влияния эффекта саморазогрева ПТШ на характеристики УБВ
      • 3. 2. 1. Анализ влияния эффекта саморазорева на малосигнальные характеристики УБВ
      • 3. 1. 2. Анализ влияния эффекта саморазогрева при одночастотном и многочастотном воздействии большого сигнала
    • 3. 3. Выводы

Математическая модель мощных СВЧ полевых транзисторов для систем автоматизированного проектирования электронных устройств в многочастотных режимах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Удовлетворить требованиям к сокращению сроков, снижению стоимости проектирования и повышению качества проектных работ при наблюдаемом в последнее время увеличении сложности радиотехнических устройств и росте требований к их параметрам и характеристикам невозможно без использования систем автоматизированного проектирования (САПР). К тому же интенсивное освоение в настоящее время монолитной технологии изготовления сверхвысокочастотных интегральных схем (ИС) повысило требования к качеству проектирования ввиду трудности настройки и регулировки готовых схем. Поэтому в настоящее время происходит широкое внедрение САПР в практику электронной промышленности.

Полевые транзисторы с барьером Шотки (ПТШ) на основе арсенида галлия являются основными активными элементами современных электронных устройств с помощью которых осуществляется усиление и преобразование сигналов в гибридных и монолитных ИС СВЧ, что объясняется их отличной способностью усиливать сигналы. Мощные СВЧ полевые транзисторы более компактны и менее трудоемки в производстве по сравнению с вакуумными приборами, поэтому они перспективны для создания сверхвысокочастотных устройств среднего и большого уровней мощности, применяемых в радиолокации, связи, телевидении и других СВЧ системах.

Широкое применение ПТШ на основе GaAs в быстро развивающейся твердотельной СВЧ электронике потребовало разработки соответствующих математических моделей, адекватно описывающих его свойства. Поскольку работа усилительного прибора в составе устройств средней и большой мощности предполагает наличие существенно нелинейного режима, то для моделирования как одночастотных, так и многочастотных режимов работы необходим максимально полный учет нелинейных свойств транзистора в его математических моделях.

ПТШ применяются в различных активных электронных устройствах: усилителях мощности, малошумящих усилителях, генераторах, смесителях, переключателях, аттенюаторах, модуляторах, умножителях, ограничителях и других. При использовании ПТШ в системах многоканальной передачи информации, многочастотной радиолокации, радиоэлектронной борьбы (РЭБ) и т. п. приобретают первостепенное значение параметры и характеристики, описывающие многочастотный режим работы. Кроме этого, многочастотные параметры и характеристики имеют важное значение при решении задач, связанных с обеспечением электромагнитной совместимости (ЭМС) радиоэлектронных средств. Поэтому одной из актуальных задач современной твердотельной электроники является разработка и развитие адекватных математических моделей мощных СВЧ полевых транзисторов, пригодных для анализа многочастотных режимов работы электронных устройств.

Анализ известных математических моделей ПТШ показывает, что несмотря на их многообразие, только некоторые из них удовлетворяют требованиям моделирования многочастотных режимов работы электронных устройств (модели W.R. Curtice, S.A. Maas, В. А. Балдина, Б. К. Сивякова, M. Hirose). Однако они малопригодны для описания ПТШ средней и большой мощности, поскольку в них не учитывается эффект саморазогрева канала за счет выделяемой в нем мощности.

Целью работы является разработка математической модели мощных ПТШ с учетом эффекта саморазогрева для систем автоматизированного проектирования электронных устройств в многочастотных режимах работы.

Для достижения поставленной цели в работе решались следующие основные задачи:

— анализ существующих моделей ПТШ в виде эквивалентных схем с целью определения возможности их применения для моделирования многочастотных режимов работы мощных транзисторов;

— разработка математической модели мощного ПТШ для анализа нелинейных искажений многочастотных сигналов до 5-го порядка включительно с учетом эффекта саморазогрева;

— разработка методики включения разработанной модели в пакет программ проектирования электронных устройств OrCAD 9.0 (программа PSpice);

— исследование влияния эффекта саморазогрева на статические, переходные и высокочастотные характеристики ПТШ;

— анализ усиления одночастотных и многочастотных сигналов в типовых конструкциях СВЧ усилителей.

При разработке математической модели мощного ПТШ применены методы и результаты физики полупроводниковых приборов, теории математического моделирования, теории аппроксимации функций и теории радиотехнических цепей и сигналов. Для теоретического и экспериментального исследований ПТШ и усилителей использовались пакет программ проектирования электронных устройств OrCAD 9.0 и современная стандартная измерительная аппаратура.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. Предложена нелинейная модель 7-го порядка мощного ПТШ с учетом эффекта саморазогрева и влияния буферного слоя, позволяющая адекватно моделировать нелинейные искажения сигналов до 5-го порядка включительно.

2. В результате анализа влияния температурных зависимостей параметров разработанной модели на ВАХ ПТШ установлена возможность использования линейных аппроксимаций зависимостей тока насыщения, напряжения отсечки и высоты барьера Шотки от температуры для описания характеристик транзистора.

3. Предложен способ улучшения описания линейного участка выходной характеристики ПТШ в моделях, использующих для аппроксимации функцию гиперболического тангенса, путем введения дополнительного параметра.

4. Разработан метод экспериментального определения теплового сопротивления ПТШ, основанный на измерениях выходных характеристик транзистора на постоянном токе при двух значениях температуры его основания.

5. Предложена методика идентификации параметров модели ПТШ, обеспечивающая их определение с точностью, достаточной для адекватного описания статических и высокочастотных характеристик транзистора.

6. Установлено, что эффект саморазогрева оказывает наибольшее влияние на результаты расчета статических характеристик транзистора, определение положения рабочей точки, а также на его высокочастотные характеристики, уменьшая коэффициент прямой передачи сигнала и увеличивая коэффициент отражения от выхода.

7. Показано, что для узкополосного усилителя с согласованием реактивными цепями пренебрежение эффектом саморазогрева сказывается в наибольшей степени на расчете коэффициентов прямой и обратной передачи сигнала и степени согласования выхода с нагрузкой, а в случае усилителя бегущей волны (УБВ) основные изменения происходят в величине коэффициента усиления и значениях граничных частот рабочего диапазона.

8. Установлено, что при усилении одночастотного и двухчастотного сигналов в однокаскадном усилителе и УБВ влияние эффекта саморазогрева проявляется в основном в изменении уровней основного сигнала и в меньшей степени сказывается на относительных уровнях высших гармоник и комбинационных составляющих, причем его влияние возрастает с увеличением порядка побочного колебания.

Практическая значимость работы состоит в создании математической модели ПТШ с учетом эффекта саморазогрева, позволяющей анализировать нелинейные преобразования сложных сигналов в различных электронных устройствах: усилителях, смесителях, умножителях и других. Разработанная модель при включении ее в существующие системы автоматизированного схемотехнического проектирования повышает достоверность и точность моделирования мощных устройств, что позволит сократить сроки и стоимость проектирования.

Достоверность теоретических результатов обеспечивается фундаментальностью исходных уравнений и законов, используемых для построения математических моделей, корректностью упрощающих допущений и соответствием результатов расчета эксперименту, а там, где это возможно, данным, полученным другими авторами. Достоверность экспериментальных результатов обеспечена применением современной стандартной измерительной аппаратуры.

Результаты работы использованы при выполнении госбюджетных НИР СГТУ-241, СГТУ-248, СГТУ-261, выполняемых по программе фундаментальных работ Министерства образования РФ, хоздоговорной НИР х/д 985, выполненной по заказу ФГУП «НЛП «Алмаз».

На защиту выносятся:

1. Математическая модель мощных ПТШ, в которой для описания нелинейной зависимости тока стока от напряжения на затворе используется полином 7-го порядка и учтено влияние выделяемой в канале мощности на параметры модели, позволяет адекватно моделировать нелинейные режимы усиления и преобразования сигналов с учетом возбуждения высших гармонических и комбинационных колебаний до 5-го порядка включительно.

2. Метод экспериментального определения теплового сопротивления ПТШ, основанный на измерениях выходных характеристик транзистора на постоянном токе при двух значениях температуры его основания.

3. Методика идентификации параметров модели ПТШ, обеспечивающая определение параметров с точностью, достаточной для адекватного описания статических и высокочастотных характеристик транзистора.

4. Результаты численного анализа влияния эффекта саморазогрева ПТШ на статические и высокочастотные характеристики транзистора, спектральные 9 характеристики однокаскадного усилителя и УБВ при одночастотном и двухчастотном входных сигналах.

Основные научные результаты и положения диссертационной работы докладывались на следующих конференциях и семинарах: Международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения» (Саратов, 2000, 2002), Поволжской научно-технической конференции «Электротехнология на рубеже веков» (Саратов, 2001), 6-м семинаре-конференции IEEE MTT/ED/AP/CPMT Saratov-Penza Chapter Workshop «Машинное проектирование в прикладной электродинамике и электронике» (Саратов, 2002), научно-технической конференции ФГУП «НПП «Алмаз» «Электронные приборы и устройства СВЧ» (Саратов, 2001, 2002), научно-технической конференции ФГУП «НПП «Контакт» «Электронные приборы и устройства нового поколения: задачи и перспективы» (г. Саратов, 2001, 2002), а также на научных семинарах кафедры «Электротехника и электроника» СГТУ.

Основные результаты диссертационной работы заключаются в следующем:

1. Проведен анализ известных моделей ПТШ на основе GaAs, применяющихся в настоящее время в системах схемотехнического проектирования. Из рассмотренных моделей наиболее приемлемыми для анализа многочастотных режимов работы можно считать [9, 15, 19, 21]. Отмечено, что эти модели не позволяют адекватно рассчитывать нелинейные искажения 5-го порядка ввиду недостаточно высокой степени применяемого в них полинома для описания передаточной характеристики транзистора, а также они не учитывают эффект саморазогрева канала за счет протекающего по нему тока.

2. Предложена математическая модель источника тока стока, использующая полином 7-й степени для аппроксимации передаточной характеристики ПТШ, позволяющая адекватно моделировать вносимые транзистором нелинейные искажения до 5-го порядка включительно. Неизвестные коэффициенты полинома определяются путем решения системы линейных уравнений на основании измерений передаточной характеристики в четырех точках. В модели учтены температурные зависимости физических параметров транзистора: тока насыщения, потенциала барьера Шотки, напряжения отсечки. Для более точного описания линейного участка выходных ВАХ при низких значениях стокового тока и напряжения введен дополнительный параметр в аргумент гиперболического тангенса.

3. На основании анализа известных теоретических и экспериментальных данных о тепловых зависимостях физических параметров ПТШ обосновано применение линейных зависимостей тока насыщения, напряжения отсечки и высоты барьера Шотки от температуры для адекватного описания характеристик транзистора.

4. Предложен метод экспериментального определения теплового сопротивления ПТШ, основанный на измерениях выходных характеристик транзистора на постоянном токе при двух значениях температуры его основания, не требующий сложного специального оборудования, но обеспечивающий достаточную для практических целей точность.

5. Предложена методика идентификации параметров модели ПТШ, основанная на измерениях на постоянном токе и в рабочем СВЧ диапазоне с использованием процедуры оптимизации параметров с помощью пакета программ OrCAD 9.0 или аналогичных, которая обеспечивает их определение с точностью, достаточной для адекватного описания статических и высокочастотных характеристик транзистора.

6. Разработана методика включения нелинейной модели ПТШ с учетом эффекта саморазогрева в виде соответствующей эквивалентной схемы в систему проектирования электронных устройств OrCAD 9.0, что позволило получить самосогласованное решение электрической и тепловой задач в процессе моделирования.

7. Для интегрального ПТШ выполнена идентификация параметров предложенной модели транзистора на основании измерений ВАХ и малосигнальных s-параметров.

8. Проведен анализ влияния эффекта саморазогрева ПТШ на его статические и высокочастотные характеристики. Установлено, что саморазогрев транзистора оказывает наибольшее влияние на его статические характеристики. В высокочастотных характеристиках наблюдается уменьшение коэффициента прямой передачи и увеличение коэффициента отражения от выхода.

9. Исследовано влияние эффекта саморазогрева на спектральные характеристики выходного сигнала узкополосного усилителя с согласованием реактивными цепями и широкополосного УБВ при подаче на вход одночастотного и двухчастотного сигналов. Установлено, что эффект.

126 саморазогрева вызывает уменьшение коэффициента прямой передачи и увеличение коэффициента обратной передачи сигнала, а также влияет на значения входного и выходного импедансов в узкополосном усилителе, а в УБВвызывает снижение коэффициента прямой передачи и верхней частоты полосы усиления. В выходном спектре влияние эффекта саморазогрева выражается в снижении уровня гармоник основного сигнала и незначительном изменении амплитуд комбинационных составляющих спектра, причем наблюдается увеличение влияния с ростом порядка побочного колебания.

Таким образом, в диссертации решена задача создания математической модели мощных СВЧ полевых транзисторов с барьером Шотки для систем автоматизированного проектирования электронных устройств в многочастотных режимах работы, имеющая существенное значение для твердотельной электроники СВЧ.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. И.С. Радиотехнические цепи и сигналы. М.: Радио и связь, 1986. — 512 с.
  2. С.И. Радиотехнические цепи и сигналы: Учеб. для вузов по спец. «Радиотехника». М.: Высш. шк., 2000. — 462 с.
  3. Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления: Пер. с англ./Под ред. Д. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Канделуола. М.: Радио и связь, 1988. — 496 с.
  4. Н.З. Усилители СВЧ на полевых транзисторах. М.: Радио и связь, 1987.-200с.
  5. Ю.Л. Полупроводниковые СВЧ устройства: (Анализ и синтез). М.: Связь, 1978. — 256 с.
  6. Tajima Y., Wrona В., Mishima К. GaAs FET large-signal model and its application to circuit design/ЯЕЕЕ Trans, on Electron Devices. 1981. — V. 28, № 2. -P. 171−175.
  7. Kasprzak Т., A. Materka. Compact DC model of GaAs FET’s for large-signal computer calculations//IEEE J. Solid-State Circuits. 1983. — V. SC-18, № 4. -P. 211−213.
  8. Curtice W.R. A MESFET model for use in the design of GaAs integrated circuits//IEEE Trans, on Microwave Theory and Techniques. 1980. — V. MTT-28, № 5. — P. 4456−4480.
  9. Curtice W.R. GaAs MESFET modeling and nonlinear CAD//IEEE Trans, on Microwave Theory and Techniques. 1998. — V. 36, № 2. — P. 220−230.
  10. Rodrigez Tellez J., England P. A five-parameter DC GaAs MESFET model for nonlinear circuit design//IEE Proc. G. 1992. — V. 139, № 3. — P. 325−332.
  11. Statz H., Newmen P., Smith I.W., Pucel R.A., Haus H.A. GaAs FET device and circuit simulation in SPICE//IEEE Trans, on Electron Devices. 1987. — V. 34, № 2. — P. 160−169.
  12. Rodriguez Tellez J., Al-Daas M., Mezher K.A. Comparizon of nonlinear MESFET models for wideband circuit design//IEEE Trans, on Microwave Theory and Techniques. 1994. -V. 41, № 3. — P. 288−293.
  13. Hu Z.R., McKeown J.J., Brazil Т., Stewart J.A.C. Comparison of GaAs MESFET DC models// IEEE Int. Micr. Symp. Dig. 1990. — V. 1. — P. 311−314.
  14. Ahmed M.M., Ahmed N., Ladbrooke P.H. An improved DC model for circuit analysis programs for submicron GaAs MESFETV/IEEE Trans, on Electron Devices. 1997. — V. 44, № 3. — P. 360−363.
  15. Hirose M., Uchitomi N. A large-signal model of self-aligned gate GaAs FET’s for high-efficiency power-amplifier design//lEEE Trans, on Microwave Theory and Techniques. 1999. -V. 47, № 12. — P. 2375−2381.
  16. Maas S.A., Neilson D. Modeling MESFET’s for intermodulation analysis of mixers and amplifiers//IEEE Trans, on Microwave Theory and Techniques. -1990. -V. 38, № 12. P. 1964−1971.
  17. В.А. Балдин, Ю. А. Лазунин. Вольт-амперные характеристики полевых транзисторов с затвором Шотки//Радиотехника. 1990. — № 8. — С. 23−25.
  18. В.А. Балдин, Ю. А. Лазунин. Нелинейная модель ПТШ для проектирования управляющих устройств СВЧ//Радиоэлектроника. 1991. -№ 10. — С. 24−28.
  19. .К., Сивяков Д. Б. Нелинейная модель ПТШ для анализа искажений сигналов//Изв. высш. учеб. заведений. Электроника. 1998. — № 1. -С, 56−60.
  20. Paggi M., Williams P.H., Borrego J.M. Nonlinear GaAs MESFET modeling using pulsed gate measurements//IEEE Trans, on Microwave Theory and Techniques. 1998. — V. 36, № 12. — P. 1593−1597.
  21. A.A., Сивяков Б. К. Модели арсенидгаллиевых полевых транзисторов с барьером Шотки//Актуальные проблемы электронного приборостроения и машиностроения: Сб. науч. статей. Саратов: СГТУ, 2002. -С. 115−120.
  22. Parker А.Е., Skellern D.J. A realistic large-signal MESFET model for SPICE//IEEE Trans, on Microwave Theory and Techniques. 1997. — V. 45, № 9, P. 1638−1644.
  23. Selmi L., Ricco B. Modelling temperature effects in the DC I-V characteristics of GaAs MESFET’s//IEEE Trans, on Microwave Theory and Techniques. 1993. — V. 40, № 2. — P. 273−277.
  24. Wei C.-J., Tkachenko Y.A., Bartle D. An accurate large-signal model of GaAs MESFET which accounts for charge conservation, dispersion and self-heating//IEEE Trans, on Microwave Theory and Techniques. 1998. V. 46, № 11.-P. 1638−1644.
  25. Angelov I., Rorsman N., Stenarson J., Garsia M., Zirath H. An empirical table-based FET model//IEEE Trans, on Microwave Theory and Techniques 1999. -V. 47, № 12.-P. 2350−2357.
  26. Maas S.A., Nelson В., Tai D. Intermodulation in heterojunction bipolar transistors//IEEE Int. Micr. Symp. Dig. 1991. — V. 1. — P. 91−93.
  27. Caverly R.H. Distortion in broad-band gallium arsenide MESFET control and switch circuits//IEEE Trans, on Microwave Theory and Techniques. 1999. — V. 39, № 4. -P. 713−717.
  28. Yang Y., Jaehyok Y., Bumman K., Youngsik K., Myungkyu P. Measurement and modeling of two tone transfer characteristics of high power amplifiers//IEEE EuMC2000 proceeding, October 2000. 2000. P. 55−58.
  29. Bue F., Gaquiere C., Hue X., Boudart В., Crosnier Y., De Jaegar J.C., Carnez В., Pons D. Infleunce of recess and epilayers in the 26−40GHz band HEMT’s intermodulation//I EEE EuMC2000 proceeding, October 2000. 2000. — P. 102−104.
  30. F., Shimizu H., Takahashi H., Miyazawa S., Fukaya J. 4W GaAs MMIC power amplifier for PCS and W-CDMA base station//IEEE EuMC2000 proceeding, October 2000. 2000. — P. 454−456.
  31. .К., Гурьянов A.A. Моделирование нелинейных искажений высоких порядков в ПТШ//Актуальные проблемы электронного приборостроения: Материалы Междунар. науч.-техн. конф. Саратов: СГТУ, 2002. — С. 67−70.
  32. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Пер. с англ. М.: Мир, 1984. — 456 с.
  33. К.В. Шалимова. Физика полупроводников. М.: Энергия, 1976. — 416с.
  34. И.П. Основы микроэлектроники: Учеб. Пособие для вузов. 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2001. — 488 с.
  35. Ruch J.G., Fawsett W. Temperature dependance of the transport properties of gallium arsenid by a Monte-Carlo method//J. Appl Phys. 1970. — V. 41, № 9. — P. 3843−3849
  36. Fawsett W., Boardman A.D., Swain S. Monte-Carlo determination of electron transport properties in gallium arsenid//J. Phys. Chem. Sol. 1970. — V. 31, № 9.-P. 1963−1990.
  37. B.A., Данилин B.H., Евдокимов H.JI., Иванов А. И. Влияние перегрева канала на характеристики мощных полевых транзисторов с барьером ШоткиЮлектронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. Вып. 3(176). 1985.-С. 3−6.
  38. М.Е., Пожела Ю. К., Шур М.С. Эффект Ганна. М.: Сов. радио, 1975. — 288 с.
  39. Современные приборы на основе арсенида галлия: Пер. с англ. М.: Мир, 1991. -632 с.
  40. Rizzoli R., Lipparini A., Esposti V.D., Mastri F., Cecchetti С. Simultaneous thermal and electrical analysis of nonlinear microwave circuits//IEEE Trans, on Microwave Theory and Techniques. 1992. — V. 40, № 7. — P. 1446−1455.
  41. А.А., Сивяков Б. К. Эквивалентная схема ПТШ для расчета нелинейных СВЧ устройств с учетом тепловых процессовЮлектронные приборы и устройства СВЧ: Материалы науч.-техн. конф. Саратов: Изд. Сарат. ун-та, 2002. — С. 110−118.
  42. Gobert Y., Salmer G. Comparative behavior and performances of MESFET and HEMT as a function of temperature//IEEE Trans, on Electron Devices. 1994. -V. 41, № 3,-P. 299−305.
  43. Shoucair F.S., Ojala P.K. High-temperature electrical characteristics of GaAs MESFET’s (25−400°C)//IEEE Trans, on Electron Devices. 1992. — V. 39, № 7. — P. 1551−1557.
  44. Wong H., Liang C., Cheung N.W. On the temperature variation of threshold voltage of GaAs MESFET’s//IEEE Trans, on Electron Devices. 1992. -V. 39, № 7. — P. 1571−1577.
  45. Anholt R.E., Swirhun S.E. Experimental investigation of the temperature dependence of GaAs equivalent Circuit//IEEE Trans on Electron Devices. 1992. -V. 39, № 9. — P. 2029−2036.
  46. Г. Н. Методы расчета теплового режима приборов/Г. Н. Дульнев, В. Г. Парфенов, А. В. Сигалов. М.: Радио и связь, 1990. — 312 с.
  47. П.Д. Анализ и расчет тепловых режимов полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1967. — 266 с.
  48. Справочник конструктора РЭА: Общие принципы конструирования/ Под ред. Р. Г. Варламова. М.: Сов. Радио, 1980.- 480 с.
  49. А.А. Моделирование СВЧ схем с учетом эффекта саморазогрева ПТШ в системе ОгСАБЮлектротехнология на рубеже веков: Материалы науч.-техн. конф. Саратов: СГТУ, 2001. — С. 26−27.
  50. Crosnier Y., Gerard Н., Salmer G. Analysis and understanding of GaAs MESFET behaviour in power amplification//Proceedings of the IEEE. 1987. -V.134, № 1. — P. 7−16.
  51. Winslow T.A., Fan D., Trew R.J. Gate-drain breakdown effects upon the large signal performance of GaAs MESFET’s//IEEE Int. Micr. Symp. Dig. 1990. -V. 1. — P. 315−318.
  52. Fujii К., Hara Y., Yakabe Т., Yabe H. Accurate modeling for drain breakdown current of GaAs MESFET’s//IEEE Trans, on Microwave Theory and Techniques. 1999. — V. 47. — P. 516−518.
  53. Trew R.J., Mishra U.K. Gate breakdown in MESFET’s and HEMTs//IEEE Electron Device Lett. 1991. — V. 12, № 10 — P. 524−526.
  54. В.И. Основы радиоэлектроники. M.: Радио и связь, 1990.512 с.
  55. В.В. Анализ и оптимизация характеристик активных и пассивных микрополосковых СВЧ-устройств на персональных ЭВМ//Электронная техника. Сер. СВЧ-техника, вып. 2(466). 1995. — С. 45−53.
  56. В.Д. Система проектирования цифровых устройств OrCAD. -М.: Солон-Р, 2000, — 160 с.
  57. В.Д. Система сквозного проектирования электронных устройств DesignLab 8.0. М.: Солон, 2000. — 704 с.
  58. B.C. Электронная лаборатория на IBM PC. М.: Солон-Р, 1999.-506 с.
  59. В.Д. Система схемотехнического моделирования Micro-Cap 6. М.: Горячая линия-Телеком, 2001. — 344 с.
  60. А.А., Сивяков Б. К. Моделирование СВЧ схем с учетом эффекта саморазогрева ПТШ в системе ОгСАБ//Новые технологии на железнодорожном транспорте и в образовании: Сб. науч. статей. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2001. — С. 85−88.
  61. Hewlett-Packard Communication Components. Designer’s Catalog. Hewlett-Packard Company, 1998 (в электронном виде).
  62. Fukui H. Determination of the basic device parameters of a GaAs MESFET//Bell Syst. Tech. J. 1979. — V. 58, № 3. — P. 771−797.
  63. Д.Б. Математическое моделирование сверхвысокочастотных полевых транзисторов и монолитных интегральных схем в многочастотном режиме работы: Дисс.. канд. техн. наук. Саратов., 1998. — 180 с.
  64. Н.З. Линейные транзисторные усилители СВЧ. М.: Сов. радио, 1980.-368 с.
  65. Weinert F. Scattering parameters speed design of high- frequency transistor circuits//Electronics. 1966. — № 18. — P. 78−88.
  66. Froehner W.H. Quick amplifier design with scattering parameters//Electronics. 1967. — № 18. — P. 100−109.
  67. Разработка методов и комплекса программ проектирования широкополосных и сверхширокополосных транзисторных СВЧ усилителей мощности: Отчет о НИР/Руководитель А.В. Бутерин- №-ГРФ33 241- Инв. №А-25 369.- 1989.- 176 с.
  68. B.C. Транзисторные усилители СВЧ диапазона. Обзоры по электронной технике. Серия Электроника СВЧ, Вып. 5(617). М.: ЦНИИ Электроника, 1979. — 51 е.
  69. .К., Гурьянов А. А. Исследование влияния эффекта саморазогрева на характеристики ПТШ//Электронные приборы и устройства нового поколения: Материалы науч.-техн. конф. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2002.-С. 171−177.
  70. .К., Гурьянов А. А. Анализ нелинейных искажений одночастотных и двухчастотных сигналов в ПТШ//Актуальные проблемы электронного приборостроения: Материалы междунар. науч.-техн. конф. -Саратов: СГТУ, 2002. С. 78−81.
  71. Ayasly Y., Vorhaus J.Г., Mozzi R., Reynolds L. Monolithic GaAs traveling-wave amplifier//Electronics Letters. -1981. V. 17, № 12. — P. 413−414.
  72. Ayasly Y., Mozzi R.L., Vorhaus J.L., Reynolds L.D., Pucel R.A. Monolithic GaAs l-13GHz traveling-wave amplifier//IEEE Trans, on Microwave Theory and Techniques. 1982. — V. MTT-30, № 7. — P. 976−981.
  73. Strid E.W., Gleason K.R. A DC-12GHz monolithic GaAsFET distributed amplifier//IEEE Trans, on Microwave Theory and Techniques. 1982. — V. MTT-30, № 7. — P. 969−975.
  74. Niclas K.B., Wilser W.T., Kritzer T.R., Periera R.R. On theory and performance of solid-state microwave distributed amplifiers//IEEE Trans, on Microwave Theory and Techniques. 1982. — V. MTT-31, № 6. — P. 447−456.135
  75. Y., Reynolds L.D., Mozzi R.L., Hanes L.K. 2−20GHz GaAs traveling-wave power amplifier//IEEE Trans, on Microwave Theory and Techniques.- 1984. V. MTT-32, № 3. — P. 290−295.
  76. Beyer J.В., Prasad S.N., Becker R.C., Nordman J.E., Hohenwarter G.K. MESFET distributed amplifier design guidelines//IEEE Trans, on Microwave Theory and Techniques. 1984. — V. MTT-32, № 3. — P. 268−275.
  77. Ayasly Y., Miller S.W., Mozzi R., Hanes L.K. Capacitively coupled traveling-wave power amplifier//IEEE Trans, on Electron Devices. 1984. — V. ED-31, № 12. — P. 1937−1942.
  78. Niclas K.B., Pereira R.R., Chang A.P. A 2−18 GHz low-noise/high-gain amplifier module//Trans. on Microwave Theory and Techniques. 1989. — V. 37, № 1. — P. 198−207.
  79. Niclas K.B., Pereira R.R. On the design and performance of a 6−18 GHz three-tier matrix amplifier//Trans. on Microwave Theory and Techniques. 1989. -V. 37, № 7. — P. 1069−1077.
  80. Cioffi K.R. Broad-band distributed amplifier impedance-matching techniques//Trans. on Microwave Theory and Techniques. 1989. — V. 37, № 12. -P. 1870−1876.
  81. Deibele S., Beyer J.B. Attenuation compensation in distributed amplifier design//Trans. on Microwave Theory and Techniques. 1989. — V. 37, № 9.- P. 14 251 433.136
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?