Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Исследование коррозии металлсодержащих халькогенидных стекол методами вольтамперометрии и эквивалентометрии

Диссертация: Исследование коррозии металлсодержащих халькогенидных стекол методами вольтамперометрии и эквивалентометрии
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Сопоставление вольтамперометрических и эквивалентометрических результатов исследования коррозионных процессов при химическом и электрохимическом растворении металлсодержащих халькогенидных стекол продемонстрировало вытравливание наноструктур на основе однотипных структурных элементов, связанных с индивидуальными соединениями. Полученные данные указывают на то, что в областях эвтектических… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Природа стеклообразного состояния диэлектриков и полупроводников
    • 1. 2. Особенности строения оксидных и халькогенидных стекол
    • 1. 3. Области стеклообразования и диаграммы состояния металлсодержащих теллуридных и селенидных систем
      • 1. 3. 1. Система таллий — германий — теллур
      • 1. 3. 2. Система таллий — мышьяк — теллур
      • 1. 3. 3. Система медь — мышьяк — теллур
      • 1. 3. 4. Система медь — мышьяк — селен
      • 1. 3. 5. Система таллий — мышьяк — селен
      • 1. 3. 6. Система таллий — мышьяк — селен — теллур
    • 1. 4. Особенности химического растворения халькогенидных стекол
      • 1. 4. 1. Химическая и коррозионная стойкость металлов и полупроводников
      • 1. 4. 2. Кинетика химического растворения стеклообразных халькогенидов
      • 1. 4. 3. Дифференцирующее растворение — химический метод фазового анализа твердых веществ
      • 1. 4. 4. Селективное растворение стекол и поликристаллов в органических и неорганических растворителях
    • 1. 5. Вольтамперометрическое исследование халькогенидных стекол
      • 1. 5. 1. Теоретические основы и разновидности вольтамперометрии
      • 1. 5. 2. Локальный электрохимический анализ
      • 1. 5. 3. Пастовая технология вольтамперометрии
        • 1. 5. 3. 1. Особенности электродов из углеродистых материалов
        • 1. 5. 3. 2. Типы электродных реакций на УПЭЭ
        • 1. 5. 3. 3. Применение УПЭЭ в фазовом анализе и при определении степени окисления элементов
    • 1. 6. Краткие
  • выводы по обзору литературы и постановка цели работы
  • Глава 2. ЭКВИВАЛЕНТОМЕТРИЯ ТАЛЛИЙСОДЕРЖАЩИХ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКОЛ
    • 2. 1. Химический эквивалент и его использование в качестве параметра для оценки особенностей строения стекол
      • 2. 1. 1. Методика эквивалентометрии халькогенидных стекол при их растворении в растворе щелочи
      • 2. 1. 2. Качественный анализ продуктов растворения стекол систем
  • Т1 — As — Se и TlAsSe2 — TlAsTe2 в растворе КОН
    • 2. 2. Результаты эквивалентометрического исследования халькогенидных стекол
      • 2. 2. 1. Химический эквивалент стекол системы Т1 — As — Se
      • 2. 2. 2. Химический эквивалент стекол системы TlAsSe2 — TlAsTe
  • Глава 3. ВОЛЬТАМПЕРОМЕТРИЯ ТАЛЛИЙ- И МЕДЬСОДЕРЖАЩИХ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКОЛ
    • 3. 1. Методические основы вольтамперометрии стеклообразных полупроводников
      • 3. 1. 1. Методика вольтамперометрии массивных образцов стекол
      • 3. 1. 2. Методика вольтамперометрии стекол с использованием пастового электрода
    • 3. 2. Результаты вольтамперометрического исследования халькогенидных стекол
      • 3. 2. 1. Вольтамперометрия стекол системы Т1 — Ge — Те
      • 3. 2. 2. Вольтамперометрия стекол системы Т1 — As — Те
      • 3. 2. 3. Вольтамперометрия стекол системы Т1 — As — Se (сечение As2Se3 — Tl2Se)
      • 3. 2. 4. Вольтамперометрия стекол системы Т1 — As — Se — Те сечение TlAsSe2 — TlAsTe2)
      • 3. 2. 5. Вольтамперометрия стекол системы Си — As — Т. е.'
      • 3. 2. 6. Вольтамперометрия стекол системы Си — As — Se
  • ВЫВОДЫ

Исследование коррозии металлсодержащих халькогенидных стекол методами вольтамперометрии и эквивалентометрии (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность работы. На протяжении многих десятков лет проблема коррозии металлов была и остается одной из основных и важнейших в современной химии. Поскольку так до сих пор и не найдено универсального действенного средства, которое раз и навсегда покончит с коррозией, эта тема нисколько не утрачивает своей актуальности.

Количество научных работ, посвященных самым разным аспектам коррозии и методам борьбы с ней, с каждым годом только увеличивается. Вместе с тем очень мало уделяется внимания проблемам коррозии в химически агрессивных средах и проблемам электрохимической коррозии кристаллических и стеклообразных полупроводниковых сплавов, без которых немыслим прогресс в современной электронике и оптике. В особенности это касается стеклообразных полупроводниковых сплавов, у которых впереди большое технологическое будущее. Очень мало работ посвящено химической коррозии стеклообразных полупроводников и практически отсутствуют работы, связанные с электрохимической коррозией указанных материалов. Здесь, помимо проблем самой коррозии, свой отпечаток накладывает специфика объекта исследования. Достаточно лишь сказать, что до сих пор нет четкого определения понятия стекла и нет единой теории его строения.

Интерес к халькогенидным полупроводниковым стеклам возник уже достаточно давно. Широкий поиск в этом направлении сильно стимулировался интересом к средам, прозрачным в инфракрасной области спектра, средам для записи информации, а также их отличительными свойствами, например, существованием двух состояний проводимости. В настоящее время, в связи с бурным развитием высоких технологий, интерес к халькогенидным стеклам усилился. Они уже нашли применение как резисторы в некоторых специальных случаях, например в качестве термисторов в управляющих схемах ядерных реакторов. Халькогенидные полупроводниковые стекла широко используются в инфракрасной оптике, лазерной технике, в системах копирования бумажных носителей информации, в стекловолоконной связи. Благодаря имеющимся у этих стекол трем замечательным свойствам — фотостимулированному изменению поглощения и показателя преломления, фотокристаллизации и различию между темновой и фотопроводимостьюэто весьма перспективные материалы для создания оптических запоминающих устройств нового поколения.

До настоящего времени, в связи с практическим применением халькогенидных стекол, их исследование часто ограничивалось изучением физических свойств. Из химических свойств систематически исследована только кинетика химического растворения в растворах щелочей и отчасти в растворах окислителей, сульфидов щелочных металлов и органических веществ. Нами предложено переместить акцент в направлении применения химических и электрохимических методов для исследования стекол. Электрохимические методы анализа уже достаточно давно и заслуженно относятся к группе незаменимых и продолжают интенсивно развиваться. Интерес к этим методам, и в частности к вольтамперометрии, обусловлен тем, что электрохимические методы дают возможность сравнительно просто получить широкую информацию о кинетике электродных процессов, фазовом, элементном составе и дефектности твердых тел, о составе исследуемых растворов. Одно из наиболее ценных качеств этих методов — высокая чувствительность. В настоящее время вольтамперометрия оказалась вполне конкурентоспособной по отношению к известным физическим методам анализа, что обусловлено сравнительно низкой стоимостью одного определения, достаточной простотой и доступностью аппаратной части и качеством получаемой информации.

Вольтамперометрия относится к классическим методам исследования и включает в себя различные электрохимические методы анализа, основанные на изучении поляризационных или вольтамперных кривых, то есть кривых зависимости силы проходящего через раствор тока от напряжения между индикаторным электродом и неполяризуемым электродом сравнения. Ни один из вольтамперометрических методов ранее не применялся для исследования стеклообразных объектов.

Химические и электрохимические методы могут дать информацию о строении стекол, не вполне доступную физическим методам. Это должно быть ясно исходя из структурной ультрамикронеоднородности стекол на уровне среднего порядка, блочной структуры стекол. Блоки нанометрических размеров, или наноструктуры, в стеклах не обладают геометрическим порядком и вследствие этого для их исследования лучше должны подойти не физические, а химические методы. То обстоятельство, что химические связи между наноструктурами и внутри наноструктур не эквивалентны по энергии, приводит к возможности селективного вытравливания отдельных составных частей стекол.

Целью работы являлось исследование характеристик процессов химической и электрохимической коррозии халькогенидных стекол и экспериментальное подтверждение микронеоднородного строения стекол ранее не применявшимися химическими и электрохимическими методами.

В соответствии с поставленной целью были определены следующие главные задачи:

1. Показать возможность использования вольтамперометрии и эквивалентометрии для исследования процессов химической и электрохимической коррозии стеклообразных полупроводников и проведения физико-химического анализа тройных стеклообразных систем на примере селенидных и теллуридных металлсодержащих стекол и стеклокристаллов.

2. Разработать методики и подобрать условия химического и электрохимического селективного вытравливания из стеклообразной сетки отдельных наноструктур в процессе химической и электрохимической коррозии халькогенидных стекол.

3. Выявить возможные связи и закономерности между полученными экспериментальными вольтамперометрическими и эквивалентометрическими коррозионными характеристиками и качественным и количественным составом металлсодержащих халькогенидных стекол.

Научная новизна. Главные элементы новизны в диссертации:

1. Впервые методами эквивалентометрии, твердофазной и пастовой вольтамперометрии исследован характер химического и электрохимического растворения стеклообразных полупроводников в процессе их коррозионного разрушения.

2. Впервые показана возможность проведения физико-химического анализа полупроводниковых стекол в широком диапазоне составов с помощью вольтамперометрии. Установлена зависимость между составом стекол и вольтамперометрическими и эквивалентометрическими характеристиками их коррозионного разрушения в агрессивных средах.

3. Впервые установлена корреляция между концентрационными зависимостями вольтамперометрических и эквивалентометрических характеристик процесса коррозии стекол халькогенидных систем и особенностями их диаграмм состояния.

Основные защищаемые положения:

1. Методы вольтамперометрии и эквивалентометрии могут использоваться для оценки коррозионных характеристик халькогенидных стекол и проведения их физико-химического анализа.

2. Разработанные твердофазная и пастовая технологии вольтамперометрического исследования процесса электрохимической коррозии позволяют проводить вольтамперометрический анализ как низкоомных, так и высокоомных полупроводниковых стекол.

3. При химической и электрохимической коррозии металлсодержащих халькогенидных стекол происходит вытравливание наноструктур на основе однотипных структурных элементов, связанных с элементными веществами и их устойчивыми соединениями. В областях эвтектических составов у халькогенидных стекол наблюдается смена структурно-химических особенностей наноструктур, из которых состоят их стеклообразные сетки.

Практическая значимость работы:

1. Установленные эквивалентометрические характеристики коррозии тройных таллийсодержащих халькогенидных стекол позволяют определить наиболее вероятные механизмы их химического коррозионного растворения в агрессивных средах. Полученные данные могут быть использованы при разработке химических методов обработки поверхности халькогенидных стекол, которые применяются для изготовления фоторезисторов, носителей информации, элементов копировальных устройств, стекловолоконной оптики, оптических фильтров и т. д.

2. Полученные коррозионные вольтамперометрические характеристики тройных таллийи медьсодержащих стекол могут быть использованы при конструировании ионоселективных и других электрохимических датчиков на основе халькогенидных стекол.

3. Разработанные вольтамперометрические и эквивалентометрические методы исследования могут быть использованы как для получения структурно-химической информации о строении стекол, так и при соответствующей автоматизации для применения в процессах обработки и контроля качества поверхности стеклообразных полупроводников.

Апробация результатов работы. Основные положения и результаты работы были доложены и обсуждены: на постоянных научных семинарах Калининградского государственного университета (2001;2002 гг., Калининград, Россия), на VIII межвузовской научной конференции профессорско-преподавательского состава (2001 г., Калининград, Россия), на XIX Международной конференции по аморфным и микрокристаллическим полупроводникам (2001 г., Ницца, Франция), на XIX Международном конгрессе по стеклу (2001 г., Эдинбург, Шотландия), на I Амурской межрегиональной научно-практической конференции (2001 г., Благовещенск, Россия), на ХШ Международном симпозиуме по неорганическим стеклам ISNOG (2002 г., Пардубице, Чехия), на III-V Международной конференции молодых ученых и студентов (2002;2004 гг., Самара, Россия), на конференции по некристаллическим неорганическим материалам CONCIM-2003 (2003 г., Бонн, Германия), на V Всероссийской конференции по анализу объектов окружающей среды «ЭКОАНАЛИТИКА-2003» с международным участием (2003 г., Санкт-Петербург, Россия), на Международной научной конференции, посвященной 90-летию высшего рыбохозяйственного образования в России «Инновации в науке и образовании — 2003» (2003 г., Калининград, Россия), на конференции, посвященной памяти Норберта Крайдла NKMC-2004 (2004 г., Тренчин, Словакия), в межвузовском тематическом сборнике научных трудов «Актуальные проблемы неорганической и аналитической химии» (2005 г., Калининград, Россия).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 19 печатных работ.

Объём и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, трех глав, выводов и списка цитируемой литературы. Работа изложена на 126 страницах, включает 14 таблиц и 38 рисунков.

Список литературы

насчитывает 130 наименований отечественных и зарубежных авторов.

выводы.

1. Впервые методами вольтамперометрии и эквивалентометрии оценены коррозионные характеристики халькогенидных стекол и проведен физико-химический анализ металлсодержащих стеклообразных халькогенидных систем.

2. Разработана твердофазная технология вольтамперометрического исследования процесса электрохимической коррозии теллуридных низкоомных стекол. Показано, что характеристики вольтамперограмм стекол металлсодержащих систем Tl-Ge-Te, Tl-As-Te и Cu-As-Te связаны с селективным вытравливанием наноструктур стекол при их коррозионном электрохимическом растворении.

3. Разработана пастовая технология вольтамперометрического исследования процесса электрохимической коррозии селенидных высокоомных стекол. Установлено, что характеристики вольтамперограмм стекол металлсодержащих систем Tl-As-Se по сечению As2Se3-Tl2Se и Tl-As-Se-Te по сечению TlAsSe2-TlAsTe2 связаны с селективным электрохимическим вытравливанием наноструктур стекол на основе индивидуальных соединений.

4. Проведено эквивалентометрическое исследование стекол системы Tl-As-Se по сечениям As2Se3-Tl и As2Se3-Tl2Se и осуществлен качественный анализ продуктов коррозии стекол в щелочных растворах. Установлено, что стекла системы Tl-As-Se сечения As2Se3-Tl2Se с доэвтектическими составами в результате коррозионных процессов растворяются в щелочных растворах с выпадением осадка. Стекла с более высоким содержанием Tl2Se растворяются в растворах щелочи практически без остатка.

5. Показано, что на концентрационной зависимости молярных масс химических эквивалентов стекол системы Tl-As-Se сечения As2Se3-Tl2Se при их коррозионном растворении в растворах щелочи экстремумы соответствуют стеклам в областях эвтектики и соединения TlAsSe2. Сравнение экспериментальных и теоретических химических эквивалентов позволило установить области составов стекол, из которых в результате коррозионных процессов в щелочных растворах преимущественно селективно вытравливаются наноструктуры на основе соединений As2Se3 и TlAsSe2.

6. Сопоставление вольтамперометрических и эквивалентометрических результатов исследования коррозионных процессов при химическом и электрохимическом растворении металлсодержащих халькогенидных стекол продемонстрировало вытравливание наноструктур на основе однотипных структурных элементов, связанных с индивидуальными соединениями. Полученные данные указывают на то, что в областях эвтектических составов у стекол происходит смена структурно-химических особенностей наноструктур, из которых состоят их стеклообразные сетки.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А. А. Химия стекла. Л.: Химия, 1970. — 352 с.
  2. Химическая энциклопедия. Т. 4. М.: Изд-во «Большая Российская энциклопедия», 1995. — 639 с.
  3. Химия твердого тела / Под ред. 3. У. Борисовой. Л.: Изд-во Ленингр. ун-та, 1965.-С. 12−16.•у
  4. Я. А. Введение в химию полупроводников. М.: Высшая школа, 1975. -302 с.
  5. А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. М.: Мир, 1986.-С. 137−295.
  6. V. A., Minaev V. S., Timoshenkov S. Р, Popov A., Popescu М., Shpotyuk О. I. Semiconducting Chalcogenide Glass I. London: Publishing House «Academic Press», 2004.-P. 97- 137.
  7. E. В. О стеклообразующей способности расплавов вблизи эвтектических составов // Физ. и химия стекла, 1987. Т. 13. — № 1. — С. 145 — 149.
  8. В. А. Влияние химических и фазовых равновесий на средний порядок и физико-химические свойства халькогенидных стекол: Автореф. дисс. докт. хим. наук. -СПб: СПбГУ, 1999.-34 с.
  9. Н. Мембранные электроды. Л.: Химия, 1979. — С. 267 — 268.
  10. О. В., Порай-Кошиц Е. А. О принципах разработки общей теории стеклообразного состояния // Физ. и химия стекла, 1977. Т. 3. — № 4. — С. 408 — 412.
  11. М. М. Стекло: Структура, свойства, применение // Соросовский образовательный журнал, 1996. Т. 4. — № 3. — Режим доступа: http://www.pereplet.ru/obrazovanie/stsoros/60.html.
  12. . Т. Халькогенидные стекла. Энергетический спектр и структура. В кн.: Стеклообразное состояние. — Л.: Наука, 1983. — С.82 — 86.
  13. Борисова 3. У. Некоторые вопросы строения халькогенидных стекол по данным измерения электропроводности. В кн.: Стеклообразное состояние. — Ереван: Изд-во Армянской ССР, 1970. — Т. V, вып. I. — С. 89 — 94.
  14. С. А. Изменение электрических свойств халькогенидных стекол при переходе в кристаллическое состояние. В кн.: Стеклообразное состояние. — Ереван: Изд-во АН Армянской ССР, 1970.-Т. V, вып. 1.-С. 100 -103.
  15. В. А. Структурные особенности халькогенидных стекол // Физ. и химия стекла, 1993. Т. 19. — № 2. — С. 226 — 233.
  16. Я. Н., Заргарова М. И., Акперов М. М. Диаграмма состояния системы GeTe TI Те // Изв. АН СССР. Неорг. Материалы, 1969. — Т. 5. — № 9. — С. 1657 — 1658.
  17. Н. А., Бабанлы М. Б., Саттар-Заде И. С. Тройная взаимная система Т12Те + Ge = 2Т1 + GeTe // Изв. АН СССР. Неорг. Материалы, 1982. Т. 18. — № 5. — С. 764 — 768.
  18. Борисова 3. У., Панус В. Р., Апыхтин Н. Н., Фокина Т. С. Стекла в системе Ge -Те Т1//Физ. и химия стекла, 1979.-Т. 5.-МЗ.-С. 308 — 313.
  19. Н. X., Банкина В. Ф., Лев Е. Я., Сысоева Л. М., Соколова Н. Ф. Исследование системы GeTe Cu2Te // Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1970. — Т. 6. — № 5.-С. 864- 867.
  20. Борисова 3. У. Халькогенидные полупроводниковые стекла. Л.: Изд-во Ленингр. ун-та, 1983. — 344 с.
  21. Н. X., Банкина В. Ф., Порецкая Л. В. и др. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. М.: Наука, 1975. — 220 с.
  22. Г. 3. Стеклообразование и фазовые равновесия в халькогенидных системах. Двойные и тройные системы. М.: Наука, 1984. — 176 с.
  23. Г. М., Панус В. Р., Кожина И. И., Ячневская И. А. Взаимодействие компонентов в системах As2Te3 TITe и As2Te3 — Т12Те // Журн. неорг. химии, 1975. — Т. 20.'-№ 11.-С. 3052 — 3055.
  24. В. М., Кириленко В. В., Щелоков Р. Н., Воробьев Ю. И. Исследование системы TI As — Те по разрезу Т1 — As2Te3 // Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1980. — Т. 16.-№ 4.-С. 652 — 654.
  25. В. В., Никитина В. К., Дембовский С. А. Стеклообразование и особенности химического взаимодействия в халькогенидных системах As2X3 Т12Х // Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1975. — Т. 11. — № 11. — С. 1929 — 1935.
  26. В. В., Никитина В. К., Дембовский С. А. Система As2Te3 Т12Те // Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1975.-Т. 11.-№ 11.-С. 1970 — 1973.
  27. Борисова 3. У., Панус В. Р., Викторовский И. В., Орлова Г. М. Стеклообразование в системе As Те — Т1 // Физ. и химия стекла, 1976. — Т. 2. — № 1. — С.47 52.
  28. В. М., Кириленко В. В., Щелоков Р. Н., Самохов В. А., Беликова Н. Г. Система Т1 As — Те /У Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1982. — Т. 18. — № 5. — С. 781 -787.
  29. В. Р., Алимбарашвили Н. А., Борисова 3. У. Стеклообразование в системе As Те — Си // Физ. и химия стекла, 1975. — Т. 1. — № 3. — С. 221 — 225.
  30. М., Андерко К. Структура двойных сплавов. М.: Мир, 1962. — Т. 1 и И. -1.488 с.
  31. С. А., Нужная Н. П. Диаграмма состояния системы As Se // Журн. неорг. химии, 1964. — Т. 9. — № 9. — С. 660 — 664.
  32. А. М., Харьюзов В. А. Диэлектрические свойства и структура халькогенидных стекол систем As Se и Ge — Se. — В кн.: Стеклообразное состояние. Труды V Всесоюзного совещания. — JL: Наука, 1971. — С. 370−373.
  33. П. П., Тураев Э. Ю., Андреев А. А., Мелех Б. Т. Структура ближнего порядка стеклообразных и кристаллических сплавов Si Те и Ge — Те, изученная методами ЯГР и электронной спектроскопии // Физ. и химия стекла, 1979. — Т. 5. — № 6. — С. 659 -662.
  34. А. С., Кириленко В. В., Попов Б. И., Дембовский С. А., Никитина В. К., Лужная Н. П. Диаграмма состояния системы As2Se3 Cu2Se // Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1972. — Т. 8. — № 1. — С. 73 — 79.
  35. С. А., Кириленко И. А., Хвостенко А. С. Система As2Se3 Tl2Se // Журн. неорг. химии, 1969. — Т. 14. — № 9. — С. 2561.
  36. И. А., Самохов В. А., Беликова Н. Г., Щелоков Р. Н., Медведев А. В. Система AsSe TISe // Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1982. — Т. 18. — № 6. — С. 917 -921.
  37. И. А., Самохов В. А., Беликова Н. Г., Щелоков Р. Н., Медведев А. В. Система TlAsSe2 Se // Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1982. — Т. 18. — № 6. — С. 923 -928.
  38. И. А., Самохов В. А., Беликова Н. Г., Щелоков Р. Н., Медведев А. В. Система Tl2Se As // Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1982. — Т. 18. — № 9. — С. 14 871 488.
  39. И. А., Самохов В. А., Беликова Н. Г., Щелоков Р. Н., Медведев А. В. Система TlAsSe2 Tl // Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1982. — Т. 18. — № 9. — С. 1489 -1493.
  40. М. С., Байдаков JI. А. Химическая связь и локальная структура в таллийсодержащих халькогенидных стеклах по данным диэлькометрии // Физ. и химия стекла, 1983.-Т. 9.-№ 4. С. 449 — 460.
  41. И. В., Байдаков JI. А. Концентрационная зависимость магнитной восприимчивости полупроводниковых стекол псевдобинарного разреза AsSe15 Tl // Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1971. — Т. 7. -№ 2. — С. 214 — 218.
  42. В. А., Байдаков Л. А. Магнитная восприимчивость полупроводниковых стекол системы As Se — Tl // Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1974. -Т. 10.-№ 6.-С. 983 -987.
  43. Г. М., Кожина И. И., Фунтиков В. А. Взаимодействие в системах T1AsS2 -TlAsSe2, TlAsSe2 TlAsTe2 и T1AsS2 — TlAsTe2 // Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1984. -Т. 20.-№ 2.-С. 226 -231.
  44. JI. А., Фунтиков В. А. Исследование магнитных свойств стеклообразных полупроводниковых систем TlAsS2 TlAsSe2, TlAsSe2 — TlAsTe2, TlAsS2 -TlAsTe2 // Журн. прикл. химии, 1977. — Т. 50. — № 11. — С. 2449 — 2452.
  45. Жук Н. П. Курс теории коррозии и защиты металлов. М.: Металлургия, 1976. -472 с.
  46. JI. И. Теоретическая электрохимия. М.: Высшая школа, 1975. — С. 516 — 524.
  47. Н. Д. Теория коррозии и защиты металлов. М.: Изд-во АН СССР, 1959.-591 с.
  48. Г. Г., Реви Р. У. Коррозия и борьба с ней. Введение в коррозионную науку и технику. Л.: Химия, 1989. — С. 70 — 88.
  49. Борисова 3. У. Химия стеклообразных полупроводников. Л.: Изд-во Ленингр. ун-та, 1972.-С. 206 -235.
  50. В. А., Плесков Ю. В. Электрохимия полупроводников. М.: Наука, 1965.-338 с.
  51. К. Травление кристаллов: Теория, эксперимент, применение. М.: Мир, 1990.-492 с.
  52. М. Д., Мамедов С. Б., Цвентарный С. В. Кинетика растворения стеклообразного сульфида мышьяка в растворах щелочи и аминов // Журн. прикл. химии, 1987. Т. 60. — № 4. — С. 727 — 731.
  53. Е. В., Шемякина Т. С., Вандышева И. В., Школьникова А. М. Кинетика растворения стекла T1AsS2 в кислых окислительных средах // Физ. и химия стекла, 1990.-Т. 16.-№ 2.-С. 303 305.
  54. Е. В., Бакулина В. В., Школьникова А. М. Кинетика растворения стекла AgAsS2 в кислых окислительных средах // Физ. и химия стекла, 1991. Т. 17. — № 4. — С. 677 — 679.
  55. В. В. Дифференцирующее растворение химический метод фазового анализа//Журн. анал. химии, 1989.-Т. 44.-№ 7.-С. 1177 — 1189.
  56. С. А., Мамедов С. Б., Михайлов М. Д. Кинетика растворения пленок сульфида мышьяка в растворах аммиака, метиламина и диметиламина // Журн. прикл. химии, 1988. -Т. 61. -№ 7. С. 1459 — 1463.
  57. . А., Грибов А. И Полупроводники германий и кремний. М.: Металлургиздат, 1961. — 150 с.
  58. Полупроводники / Под ред. Н. Б. Хеннея. М.: Изд-во иностр. лит-ры, 1962 — С. 454−457,639.
  59. Р. Б. Растворение кристаллов: Теория и практика. Л.: Недра. Ленингр. отд-ние, 1979.-272 с.
  60. Д., Уэст Д. Основы аналитической химии. М.: Мир, 1979. — Т. 1. — С. 5470.
  61. . А. Теоретические основы электрохимических методов анализа. М.: Высшая школа, 1975. — С. 192 — 204.
  62. В. П. Аналитическая химия. Ч. 2. Физико-химические методы анализа. М.: Высшая школа, 1989. — С. 220 — 226.
  63. Ю. С. Физико-химические методы анализа. М.: Химия, 1973. — С. 434
  64. А. К., Пилипенко А. Т., Пятницкий И. В., Рябушко О. П. Физико-химические методы анализа. М.: Высшая школа, 1968. — С. 209 — 227.
  65. X. 3., Нейман Е. Я., Слепушкин В. В. Инверсионные электроаналитические методы. М.: Химия, 1988. — 240 с.
  66. Галюс 3. Теоретические основы электрохимического анализа. М.: Мир, 1974. -С. 502- 526.
  67. В. В., Стифатов Б. М., Нейман Е. Я. Локальный электрохимический анализ // Журн. анал. химии, 1994. Т. 49. — № 5. — С. 911 — 919.
  68. В. Н., Сагельникова С. В., Амирханова Ф. А., Гусаков В. Н., Кудашева Ф. X. Вольтамперометрия органических нитросоединений на модифицированных угольных пастовых электродах // Башк. хим. журн, 1997. Т. 4. — № 3 -С. 54 — 56.
  69. М. Р. Электрохимия углеродных материалов. М.: Наука, 1984. — С. 102−110.
  70. Brainina Kh., Neiman Е. Electroanalytical stripping methods in chemical analysis. -N.-Y.: John Wiley, 1993.-V. 126.- 198 p.
  71. Г. К., Майстренко В. Н. Муринов Ю. И. Вольтамперометрия с модифицированными и ультрамикроэлектродами. М.: Наука, 1994. — 239 с.
  72. Концентрирование следов органических соединений / Под ред. Н. М. Кузьмина. -М.: Наука, 1990.-64 с.
  73. Г. К. Обновляемый электрод в вольтамперометрии // Зав. лаборатория, 1997.-Т. 63.-№ 4.-С. 1−8.
  74. X. 3., Нейман Е. Я. Твердофазные реакции в электроаналитической химии. М.: Химия, 1982. — 264 с.
  75. Yao С. L., Park К. Н., Bear J. L. Chemically modified carbon paste electrode for chronoamperometric studies. Reduction of oxygen by tetrakis (|i-2-anilinopyridinato)dirhodium (II, III) chloride // Anal. Chem, 1989. Vol. 61, № 3. — P. 279 — 282.
  76. Miki K., Ikeda Т., Todoriki S., Senda M. Bioelectrocatalysis at NAD-depended dehydrogenase and diaphorase-modified carbon paste electrodes containing mediators // Anal. Sci., 1989. Vol. 5, № 3. — P. 269 — 274.
  77. Liu К. E., Abruna H. D. Electroanalysis of aromatic aldehydes with modified carbon paste electrodes // Anal. Chem, 1989. Vol. 61, № 23. — P. 2599 — 2602.
  78. Lu’bert Karl-Heinz, Beyer Lothar, Casabo Janme, Perez-Jimenez Consuelo. Voltammetric behaviour of silver ions at a carbon paste electrode in the presense of 2,5,8— trithia9.-m-cyclophane //Electroanalysis, 1998. Vol. 10, № 12. — P. 860 — 862.
  79. Kulys J., Schuhmann W., Schmidt H. L. Carbon-paste electrodes with incorporated lactate oxidase and mediators // Anal. Lett., 1992. — Vol. 25, № 6. — P. 1011 — 1024.
  80. Khodari M. Voltammetric determination of the antidepressant trimipramine at a lipid-modified carbon-paste electrode // Electroanalysis, 1993. Vol. 5, № 5−6. — P. 521 — 523.
  81. M. Б., Урицкая А. А., Китаев Г. А., Мелликов Э. Я., Крункс М. И. Анализ сульфидов меди разных степеней окисления методом вольтамперометрии с пастовым электродом // Зав. лаборатория, 1984. Т. 50. — № 1. — С. 17 -19.
  82. М. Б., Дроздова Т. А., Китаев Г. А. Электрохимический фазовый анализ пленок и порошков CdS // Зав. лаборатория, 1983. Т. 49. — № 10. — С. 7 — 9.
  83. М. Б., Петров А. Н., Жуковский В. М. Изучение оксидных фаз методом ИВ с УПЭЭ//Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1980.-Т. 16.-№ 10.-С. 1789 1792.
  84. X. 3., Лесунова Р. П., Евсеева М. А. Исследования пастового электрода для определения серебра различных степеней окисления // Зав. лаборатория, 1971. Т. 37. -№ 12.-С. 1414−1418.
  85. Л. Н., Коц Е. А., Григорьева М. Ф. Определение металлического железа, магнетина и вюстита с помошыо УПЭЭ // Журн. анал. химии, 1990. Т. 45. — № 2. -С. 338.
  86. X. 3., Видевич М. Б. Электрохимический фазовый анализ // Зав. лаборатория, 1985. Т. 51. — № 1. — С. 3 — 8.
  87. М. И., Каменев А. И., Агасян П. К. Электропревращения теллура на сложном настовом электроде // Вестн. МГУ: Сер. Химия, 1975. Т. 16. — № 5. — С. 586 -589.
  88. Ф., Штулик К., Юлакова Э. Инверсионная вольтамперометрия. М.: Мир, 1980.-С. 148 — 156.
  89. М. И., Каменев А. И., Агасян П. К. К определению Se (IV) на графитовых электродах волътамперометрическими методами // Журн. анал. химии, 1976. Т. 31. -№ 8. -С. 1476−1481.
  90. Р. М.-Ф., Гинзбург Г. И. Полярографы и их эксплуатация в практическом анализе и исследованиях. М.: Химия, 1988. — С. 17 — 19.
  91. Т. А., Ройзенблат Е. М., Каламбет Г. А., Носачева В. В. Особенности инверсионно-вольтамперометрического определения селена на твердых электродах // Журн. анал. химии, 1977. Т. 32. — № 2. — С. 293 — 297.
  92. Adams R. N. Carbon paste electrode // Anal. Chem., 1958. V. 30, № 12. — P. 1576.
  93. H. А., Медянцева Э. П., Будников Г. К. Угольный пастовый электрод как датчик в вольтамперометрическом анализе // Журн. анал. химии, 1993. Т. 48. — № 6. -С. 980- 983.
  94. А. И., Лунев М. И., Агасян П. К. Изучение электрохимических превращений селена на пастовых электродах вольтамперометрическим методом // Журн. анал. химии, 1977. Т. 32. — № 3. — С. 550 — 555.
  95. В. А., Анисимова Н. С. Эквивалентометрия стекол // Материалы пост, научн. семинаров КГУ «Проблемы биологических и химических наук». Калининград: Изд-во КГУ, 2001. -С. 69−72.
  96. В. А. Основные понятия общей, неорганической и аналитической химии для биоэкологов: Учебное пособие. Калининград: Изд-во КГУ, 2002. — С. 144 — 146.
  97. В. А. Химический эквивалент и его использование в качестве параметра для оценки особенностей строения халькогенидных стекол II Физ. и химия стекла, 1996. Т. 22. — № 3. — С. 286 — 290.
  98. А. А. Химия и технология селена и теллура. М.: Высшая школа, 1961.-С. 207 -214.
  99. И. И. Ермаков А. Н. Аналитическая химия селена и теллура. М.: Наука, 1971.-251 с.
  100. Funtikov V. A., Rumiancev V. A. The Voltamperometry of the Glassy Semiconductors // Abstracts of 19th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors. Nice, France, 2001. — Tu-P 7/6.
  101. Funtikov V. A., Rumiancev V. A. The Voltamperometry of Glasses //Proceedings of XIX International Congress on Glass, Edinburgh, Scotland. Edinburgh, 2001. — V. 2. — P. 722 -723.
  102. В. А., Румянцев В. А. Вольтамперометрия стеклообразных материалов// Проблемы географических, биологических и химических наук: Материалы постоянных научных семинаров КГУ, Калининград: Изд-во КРУ, 2001. — Ч. 1. — С. 66 — 69.
  103. В. А., Фунтиков В. А. Вольтамперометрия стекол систем Tl-Ge-Te и Т1-As-Te // Химия и химическое образование на рубеже веков: Материалы I Амурской межрегиональной научно-практической конференции. Благовещенск: Изд-во БГПУ, 2001. -С. 109−110.
  104. В. А., Румянцев В. А. Вольтамперометрия стекол систем Tl-Ge-Te, Т1-As-Te и Cu-As-Te // Сборник научных трудов, посвященный 25-летию образования химического факультета КГУ. Калининград: Изд-во КГУ, 2002. — С. 55 — 56.
  105. В. А., Румянцев В. А. Анодная и катодная вольтамперометрия теллуридных металлсодержащих стекол // Проблемы биологических и химических наук: Материалы постоянных научных семинаров КГУ. Калининград: Изд-во КГУ, 2002. — Ч. 1. -С. 41 -44.
  106. В. А., Румянцев В. А. Новые аспекты применения вольтамперометрии // Актуальные проблемы современной науки: Труды III Международной конференции молодых ученых и студентов. Самара, 2002. — С. 97 — 98.
  107. Funtikov V. A., Rumiancev V. A. The Voltamperometry of Glasses of Systems Cu-As-Te, Tl-Ge-Te and Tl-As-Te // Proceedings of XIIIth International Symposium on Non-Oxide Glasses and New Optical Classes. Pardubice, Czech Republic, 2002. — P. 216−219.
  108. Funtikov V. A., Rumiancev V. A. Voltamperometrical investigation of telluride glasses // Bulletin of the V. Tarasov’s Center of Chemotronics of Glass. 2003. — № 3. — P. 159 — 162.
  109. В. А., Бузулева О. В., Диксене А. М., Румянцев В. А. Исследование халькогенидных стекол химическими методами // Известия КГТУ, 2005. № 7. — С. 173 -177.
  110. А., Журинов М. Ж., Жданов С. И. Электрохимия селена, теллура и полония. Алма-Ата: Наука, 1989. — 172 с.
  111. В. А., Лайнер В. И., Ерусалимчик И. Г. Исследование электрохимического поведения теллура // Электрохимия, 1969. Т. 5. — № 3. — С. 304 — 308.
  112. А. А. Аналитическая химия мышьяка. М.: Наука, 1976. — С. 77 — 85.
  113. Е. А., Ерусалимчик И. Г. Электрохимия германия и кремния. М.: Госхимиздат, 1963. — С. 29 — 87.
  114. Turner D. R. Electroplating metal contacts on Ge and Si // J. Electrochem. Soc., 1959. -V. 106,№ 9.-P. 786.
  115. Gerischer H., Mindt W. The mechanism of the decomposition of semiconductors by electrochemical oxidation and reduction // Electrochem. Acta, 1968. V. 13. — P. 1329.
  116. В. А. Электрохимия полупроводников. Барнаул: Изд-во Алт. ун-та, 2002.-С. 54- 68.
  117. Н. М. Аналитическая химия таллия. М.: Изд-во АН СССР, 1960. — С. 112−113.
  118. Медь / Под ред. В. Н. Подчайнова, Л. Н. Симонова. М.: Наука, 1990. — С. 121
  119. К. Статистика в аналитической химии. Пер. с нем. М.: Мир, 1969. -247 с.
  120. Л. 3. Математическая обработка результатов эксперимента. Справочное руководство. -М.: Наука, 1971. 192 с.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?