Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Создание и исследование источников спонтанного излучения на основе узкозонных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений

Диссертация: Создание и исследование источников спонтанного излучения на основе узкозонных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Установлено, что при слабом уровне легирования магнием (количество вводимого в реактор Mg ~ 0.068 мкмоль/мин) во время роста методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений кристаллизуются слои InAs n-тапа проводимости с большей подвижностью за счет связывания нейтральных примесей магнием. При сильном уровне легирования магнием (количество вводимого в реактор Mg ~ 3.223 мкмоль/мин… Читать ещё >

Содержание

  • страница
  • ГЛАВА I. ИСТОЧНИКИ СПОНТАННОГО И КОГЕРЕНТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ, ДЛЯ СПЕКТРАЛЬНОГО ДИАПАЗОНА З-г-5 мкм (ОБЗОР)
  • Предварительные замечанния
    • 1. 1. Области применения источников излучения с длиной волны в диапазоне 3*5 мкм
    • 1. 2. Полупроводниковые материалы для изготовления излучателей
    • 1. 3. Светодиоды
    • 1. 4. Лазеры
  • Общие замечания о лазерах для спектрального диапазона 3*5 мкм
    • 1. 4. 1. Лазеры на основе соединений А4Вб
    • 1. 4. 2. Лазеры на основе соединений, А В
    • 1. 4. 3. Лазеры на основе соединений, А В
    • 1. 4. 4. Лазеры на основе соединений А3В6/А2В6, А3В5/А4В
    • 1. 5. Методики получения полупроводниковых структур А3 В обзор технологии роста кристаллов)
    • 1. 5. 1. Жидкофазная эпитаксия
    • 1. 5. 2. Хлоридно-гидридная эпитаксия
    • 1. 5. 3. Молекулярно-лучевая эпитаксия
    • 1. 5. 4. Газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений
    • 1. 5. 5. Газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений применительно к системе Ш-Ав-БЬ-Р
  • Выводы
  • Постановка задачи
    • ГЛАВАII. ВЫРАЩИВАНИЕ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ИНДИЯ МЕТОДОМ ГАЗОФАЗНОЙ ЭПШ^СШШМЕТАЛЛООРГАНИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ
  • Предварительные замечания
    • 2. 1. Технологическое оборудование и материалы для выращивания структур методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
    • 2. 2. Выращивание слоев арсенида индия. V,
    • 2. 2. 1. Выращивание слоев арсенида индия в реакторе планетарного типа
    • 2. 2. 1. Выращивание слоев арсенида индия в изготовленном реакторе горизонтального типа
    • 2. 3. Выращивание слоев InAsSb
    • 2. 4. Выращивание слоев InAsSbP
    • 2. 5. Исследование резкости гетерограниц в многослойных структурах
  • Выводы
    • ГЛАВА III. ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ И ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ИНДИЯ
  • Предварительные замечания
    • 3. 1. Фотолюминесцентные и гальваномагнитные свойства преднамеренно нелегированных структур
    • 3. 1. 1. Исследование преднамеренно нелегированных слоев арсенида индия
    • 3. 1. 2. Фотолюминесцентные свойства преднамеренно нелегированных слоев InAsSb
    • 3. 1. 3. Фотолюминесцентные и гальваномагнитные свойства преднамеренно нелегированных слоев InAsSbP
    • 3. 2. Фотолюминесцентные и гальваномагнитные свойства структур, легированных цинком и магнием

Создание и исследование источников спонтанного излучения на основе узкозонных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

.

В настоящей диссертации изложены результаты разработки технологии получения методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (МОГФЭ) гетероструктур ХпАэЗЬЛпАзЗЬР, методы создания светодиодов на их основе и исследования фотолюминесцентных, электрических свойств выращенных структур, а также электролюминесцентные характеристики светодиодов.

Одно из возможных применений содержащих сурьму узкозонных твердых растворов и гетероструктур на их основе — источники спонтанного и когерентного излучения для диапазона длин волн 3 + 5 мкм. Освоение этой области инфракрасного спектра исключительно важно для решения задач экологического мониторинга и медицинской диагностики. В настоящее время для создания источников спонтанного и когерентного излучения в средней инфракрасной области спектра используются как соединения типа А3В5, так и соединения на основе солей свинца (А4В6), и узкозонных твердых растворов Ь^СсГГе (А2В6). Однако, соединения А2В6 и А4В6 обладают низкой теплопроводностью, что делает крайне трудным изготовление светодиодов и лазеров с высокими значениями оптической мощности излучения. Кроме того, по сравнению с соединениями А3В5, материалы А2В6 и А4В6 обладают низкой механической прочностью. Вдобавок, в настоящее время для полупроводников А3В5 существуют подложки высокого качества. По указанным причинам л е соединения типа, А В предпочтительны для производства инфракрасных излучателей.

Для создания светодиодных структур, излучающих в диапазоне длин волн 3+5 мкм, главным образом, используются гетероструктуры 1пАб8Ь/1пА58ЬР [1−3]. Существование обширной области спинодального распада твердых растворов ¡-пАвБЬР и ограничение по условию молекулярности для состава жидкой фазы в системе ЬьАз-БЬ-Р [4] затрудняет достижение эффективного ограничения для носителей заряда в активной области излучающих структур, создаваемых методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ). Методом МОГФЭ возможно получение слоев InAsSbP как в области существования твердых растворов, так и в области составов, недоступной при кристаллизации методом ЖФЭ, что позволяет увеличить высоту барьеров для носителей заряда в гетероструктуре InAsSb/InAsSbP.

Согласно литературным источникам, значительное количество проведенных исследований было посвящено разработке лазеров на основе структур различных типов, полученных методами МОГФЭ и молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Применение квантовых ям и сверхрешеток, в сравнении с объемными структурами, позволило существенно улучшить характеристики источников когерентного излучения. Применение квантово-каскадных структур позволило сделать качественный рывок и получить генерацию когерентного излучения в области длин волн А, > 5 мкм [5] при комнатной температуреоднако, такие структуры не позволяют создавать лазеры эффективно работающие в спектральном диапазоне 3*5 мкм при комнатной температуре. Ведутся также работы по созданию лазеров на основе структур с квантовыми точками [6]. Для практических приложений необходима устойчивая работа источника излучения при комнатной температуре. Лазерные диоды в диапазоне длин волн 3*5 мкм работают устойчиво только при криогенных температурах (температуры жидких гелия и азота). По сравнению с лазерами светодиоды работают надежно вплоть до 180 °C [7] и менее чувствительны к колебаниям температуры. Исследованию светодиодов уделялось внимание значительно меньше. Обнаружено незначительное количество работ, посвященных выращиванию методами МЛЭ светодиодных структур, излучающих в указанном диапазоне. Еще реже для этой цели применялся метод МОГФЭ [8]. Данная работа посвящена проблеме создания светодиодов на основе узкозонных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, выращенных методом МОГФЭ, для спектрального диапазона 3.3 +4.5 мкм.

Целью данной работы являлась разработка технологии эпитаксиального синтеза узкозонных полупроводниковых гетероструктур InAsSb/InAsSbP методом МОГФЭ и создание на их основе светодиодов, работающих в диапазоне длин волн 3.3 *4.5 мкм при комнатной температуре.

Для достижения намеченной цели решались следующие промежуточные задачи: создание технологического оборудования для выращивания гетероструктур 1пАз ЗЬЛпАбЗЬР из газовой фазы с использованием металлоорганических соединений триметилиндия, триметилстибина, диэтилцинка и бисциклопентадиенил магния и гидридных газов арсина и фосфинаразработка технологии выращивания бинарного соединения 1пАз, тройных (1пАз8Ь), и четверных (1пАз8ЬР) твердых растворов и исследование их свойств в зависимости от условий выращивания;

— разработка методики легирования акцепторными примесями (цинком и магнием) слоев 1пАз, ЬьАзЗЪР и создание р-п-перехода в эпитаксиальных структурахисследование фотолюминесцентных и электрических свойств эпитаксиальных слоев ЬгАэ, 1пАз8Ь, ЬгАэЗЬР и гетероструктур на их основе;

— разработка постростовой технологии изготовления светодиодных и лазерных чипов (фотолитографический процесс, изготовление омических контактов) — исследование электролюминесцентных свойсв и ватт-амперных характеристик светодиодов, изготовленных на основе гомоструктур и гетероструктурисследование когерентной люминесценции в светодиодных гетероструктурах.

Научная новизна работы состоит в следующем:

1. На основе модели регулярных растворов проведены комплексные термодинамические расчеты элементного состава твердого раствора 1пА81×8Ьх в зависимости от соотношения компонентов в газовой фазе и температуры роста. Проведено сравнение расчетов с экспериментальными данными при температуре роста 600 °C и при более низких температурах (в интервале 540 < Т < 600 °С) в условиях неполного разложения арсина.

2. Методом МОГФЭ получены слои 1пА8]. х. у8ЬхРу как в области существования твердых растворов, так и в области составов, недоступной при кристаллизации в условиях, близких к равновесным. Разработана технология легирования слоев 1пАз1ху8ЬхРу акцепторными примесями (цинком и магнием). Измерены спектры фотолюминесценции преднамеренно нелегированных и легированных акцепторными примесями слоев 1пАз1.х.у8ЬхРу, и проведен их рентгено-структурный анализ.

3. Впервые исследовано легирование магнием слоев 1пАв и 1пАз8ЬР методом МОГФЭ и проведено комплексное исследование их гальваномагнитных свойств.

4. Разработана методика создания р-п-перехода методом МОГФЭ в узкозонных гетероструктурах 1пАз8Ь/1пА58ЬР.

5. Впервые на основе узкозонных гетероструктур ХпАзЗЬЯпАзБЬР с барьерными слоями 1пАз8ЬР, выращенными в области составов, недоступной для метода ЖФЭ, изготовлены светодиодные структуры, перекрывающие спектральный диапазон 3.3 *4.5 мкм.

Научная и практическая значимость работы заключается в следующем:

1. Разработана методика выращивания методом МОГФЭ гетероструктур 1пАз8Ь/1пАз8ЬР, включая область составов, недоступную при кристаллизации в условиях, близких к равновесным.

2. Разработана технология легирования магнием методом МОГФЭ слоев ХпАб и ГпАбЗЬР и проведено комплексное исследование электрических свойств выращенных слоев.

3. Разработана постростовая технология изготовления светодиодных чипов, включающая в себя процесс стандартной фотолитографии, вакуумное напыление омических контактов, и сборку чипов на стандартном корпусе ТО -18.

— 94. На основе узкозонных гетероструктур InAsSb/InAsSbP с барьерными слоями InAsSbP, выращенными в области составов, недоступной для метода ЖФЭ, изготовлены светодиодные структуры, перекрывающие спектральный диапазон 3.3+4.5 мкм. Были достигнуты следующие значения оптической мощности излучения светодиодов с плоской геометрией в импульсном режиме при токе 1.3 А: 1.2 мВт (А,= 3.45 мкм), 0.6 мВт (X = 3.95 мкм), 0.3 мВт (к = 4.25 мкм), 0.1 мВт (X = 4.5 мкм).

5. На основе светодиодной гетероструктуры InAs/InAsSbP создан источник когерентного излучения с длиной волны А,= 3.0+3.1 мкм при Т = 77 К, работающий в импульсном режиме.

Научные положения, выносимые на защиту.

I. Термодинамические расчеты, выполненные на основе модели регулярных растворов, позволяют предсказывать состав твердых растворов InAsixSbx, полученных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с использованием триметилиндия, арсина, триметилстибина при температурах роста, близких к 600 °C. Расхождение между экспериментальными и расчетными значениями мольной доли сурьмы в твердых растворах InAsi. xSbx не превышает величину 0.02. С понижением температуры роста необходимо вводить поправки, учитывающие неполное разложение арсина на отдельные компоненты.

П. Слои InAs^x.ySbxPy кристаллизуются как в области существования твердых растворов (0<у<0.39), так и в области составов, недоступной при выращивании в условиях, близких к равновесным (0.39<у<0.5), за счет неравновесного характера процессов кристаллизации методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений.

III. При слабом уровне легирования магнием (количество вводимого Mg ~ 0.068 мкмоль/мин) во время роста методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений кристаллизуются слои InAs п-типа проводимости с большей подвижностью за счет связывания нейтральных примесей магнием. При увеличении концентрации магния в газовом потоке от 0.068 до 3.223 мкмоль/мин) кристаллизуются сильно компенсированные слои InAs (степень компенсации варьируется от 0.2 до 0.66) с предельной концентрацией дырок р ~ 2*1018 см" 3 и с низкой подвижностью носителей заряда (ji ~ 50 см2/^ - с) при Т = 300 К).

IV. Квантовая эффективность излучательной рекомбинации в светодиодах с плоской геометрией, изготовленных на основе двойной гетероструктуры InAsSb/InAsSbP с эмиттерными слоями, выращенными в области составов, недоступной при кристаллизации в условиях, близких к равновесным (InAso.27Sb0.23Po.5 — при комнатной температуре Eg = 640 мэВ), увеличивается в 2.5 раза по сравнению с диодами, содержащими предельный для жидкофазной эпитаксии элементный состав барьерных слоев InAso.53Sbo.15Po.32 (Eg = 565 мэВ).

Апробация работы.

Материалы диссертационной работы Кижаева С. С. были представлены как на отечественных, так и международных конференциях: 1-я Городская студенческая научная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой наноэлектронике (Санкт-Петербург, 1997) — Mid-infrared Optoelectronics Materials and Devices Second International Conference (Prague, Czech Republic, 1998) — II Городская научная конференция студентов и аспирантов по физике полупроводников и полупроводниковой наноэлектронике (Санкт-Петербург, 1998) — Mid-infrared Optoelectronics Materials and Devices Fourth International Conference (Montpellier, France, 2001)? 11th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (Berlin, Germany, 2002), а также на научных семинарах лаборатории инфракрасной оптоэлектроники ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН.

Публикации.

Основное содержание диссертационной работы представлено в 16 печатных работах, из них 11 научных статей и 5 работ в материалах конференций, список которых приведен в конце данной работы.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы. Общий объем диссертации составляет 260 страниц, из них 150 страниц текста, 70 страниц с рисунками и 11 таблиц. Список цитируемой литературы включает в себя 228 наименований и занимает 29 страниц.

Основные результаты диссертационной работы могут быть выражены следующим образом.

• Создано технологическое оборудование и разработана технология выращивания гетероструктур InAsSb/InAsSbP из газовой фазы с использованием металл оорганических соединений триметилиндия, триметилстибина и гидридных газов арсина и фосфина.

• На основе модели регулярных растворов рассчитаны зависимости состава твердого раствора InAsj. xSbx от соотношений между компонентами в газовой фазе. При температуре 600 °C результаты расчетов и экспериментальные данные отличаются на величину Дх<0.02. С понижением температуры необходимо ввести поправки, учитывающие неполное разложение арсина на отдельные компоненты.

• Были получены изопериодные с InAs слои InAsj.x.ySbxPy как в области существования твердых растворов (0<у<0.39), так и в области составов, недоступной при кристаллизации в условиях, близких к равновесным (0.39<у<0.50). При этом слои были зеркально-гладкие, а содержание фосфора в твердой фазе составляло до 50%.

• Сужение спектров фотолюминесценции слоев InAs и суперлинейный рост интенсивности излучения с увеличением мощности возбуждения свидетельствует о достаточно высоком качестве материала. Исследования фотолюминесцентных свойств слоев InAsSb указывают на возможность создания на основе твердых растворов InAsi"xSbx (0<х<0.15) светодиодов для спектрального диапазона (3.3+4.5 мкм). Низкая интенсивность фотолюминесценции в слоях InAsSbP говорит о нецелесообразности применения твердых растворов InAsixySbxPy в качестве активной части светоизлучающей структуры.

• Установлено, что при слабом уровне легирования магнием (количество вводимого в реактор Mg ~ 0.068 мкмоль/мин) во время роста методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений кристаллизуются слои InAs n-тапа проводимости с большей подвижностью за счет связывания нейтральных примесей магнием. При сильном уровне легирования магнием (количество вводимого в реактор Mg ~ 3.223 мкмоль/мин) кристаллизуется сильно компенсированный p-InAs (степень компенсации 0.45) с предельной концентрацией дырок р ~ 2"1018 см'3 и с низкой подвижностью носителей заряда (ц ~ 50 см^/(В • с) при Т = 300 К).

• Получена генерация лазерного излучения в светодиодной гетероструктуре InAsAnAsSbP с толстой активной областью (^ 3 мкм) и проанализирован модовый состав спектра.

• На основе выращенных структур изготовлены светодиоды с плоской геометрией, обладающие следующими значениями оптической мощности излучения в импульсном режиме при токе 1.3 А: 1.2 мВт (Х,=3.45 мкм), 0.6 мВт (Х,=3.95 мкм), 0.3 мВт (Х=4.25 мкм), 0.1 мВт (Х,=4.5 мкм).

Основное содержание диссертации опубликовано в следующих работах:

1. С. С. Кижаев, Ю. П. Яковлев, InAs фотодиодные структуры, полученные методом эпитаксии из металлоорганических соединений // Тезисы докладов 1-ой Городской студенческой научной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой наноэлектронике, Санкт-Петербург, Россия, 28 ноября 1997 г., с. 33−34.

2. С. С. Кижаев, М. П. Михайлова, С. С. Молчанов, Н. Д. Стоянов, Ю. П. Яковлев. Выращивание InAs фотодиодных структур из металлоорганических соединений // Письма в ЖТФ, 1998, т. 24, вып. 7, с. 1−7.

3. S. Kizhayev, S. Molchanov, N. Zotova, М. Mikhailova, N. Stoyanov, A. Usikov, Y. Yakovlev. Characterization of InAs films grown by MOCVD at low temperatures // Abstracts of Mid-infrared Optoelectronics Materials and Devices Second International Conference, Prague, Czech Republic, 26−27 March, 1998, p. 32.

4. С. С. Кижаев, Ю. П. Яковлев. Люминесцентные свойства слоев InAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений // Тезисы докладов П-ой Городской научной конференции студентов и аспирантов по физике полупроводников и полупроводниковой наноэлектронике, Санкт-Петербург, Россия, 10−11 декабря 1998 г., с. 31.

5. Т. Н. Воронина, Н. В. Зотова, С. С. Кижаев, С. С. Молчанов, Ю. П. Яковлев. Люминесцентные свойства слоев InAs и р-п-структур на их основе, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений //ФТП, 1999, т. 33, вып. 10, с. 1168−1172.

6. Н. В. Зотова, С. С. Кижаев, С. С. Молчанов, Т. Б. Попова, Ю. П. Яковлев, Длинноволновые светодиоды (Я, = 3.4 — 3.9 мкм) на основе гетероструктур InAsSb/InAs, выращенных методом газофазной эпитаксии // ФТП, 2000, т. 34, вып. 12, с. 1462−1467.

7. Е. А. Гребенщикова, Н. В. Зотова, С. С. Кижаев, С. С. Молчанов, Ю. П. Яковлев, InAs/InAsSbP светоизлучающие структуры, выращенные методом газофазной эпитаксии // ЖТФ, 2001, т. 71, вып. 9, с. 58−60.

8. С. С. Кижаев, С. С. Молчанов, Н. В. Зотова, Е. А. Гребенщикова, Ю. П. Яковлев, Е. Hulicius, Т. Simicek, К. Melichar, J. Pangrac. Разъединенный гетеропереход в системе p-GaSb-n-InAsi.xSbx (0^ х < 0.18) // Письма в ЖТФ, 2001, т. 27, вып. 22, с. 66−72.

9. S.S. Kizhayev, N.V. Zotova, S.S. Molchanov, and Yu. P. Yakovlev. High power InAsSbP/InAsSb light emitting diodes grown by MOVPE // Abstracts of Mid-infrared Optoelectronics Materials and Devices Fourth International Conference, Montpellier, France, 1−4 April, 2001, p. 106.

10. S.S. Kizhayev, N.V. Zotova, S.S. Molchanov, and Y. P. Yakovlev, High power mid-infrared light emitting diodes grown by MOVPE /ЛЕЕ Proc. — Optoelectron., 2002, v. 149, No. l, p. 36−39.

11. S.S. Kizhayev, S.S. Molchanov, N.V. Zotova, B.V. Pushnyi, Yu. P. Yakovlev. Powerful InAsSbPAnAsSb light emitting diodes grown by MOVPE // Abstracts of 11th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, Berlin, Germany, 3−7 June, 2002, p. 125.

12. S.S. Kizhayev, S.S. Molchanov, N.V. Zotova, B.V. Pushnyi, Yu. P. Yakovlev. Powerful InAsSbP/InAsSb light emitting diodes grown by MOVPE // J. Cryst. Growth, 2003, v. 248, p. 296−300.

13. H.B. Зотова, С. С. Кижаев, С. С. Молчанов, Т. Н. Воронина, Т. С. Лагунова, Б. В. Пушный, Ю. П. Яковлев. Свойства светодиодов, изготовленных на основе структур InAsSbP/InAsSb, выращенных методом газофазной эпитаксии из меташюорганических соединений // ФТП, 2003, т. 37, вып. 8, с. 980−984.

14. Т. Н. Воронина, Т. С. Лагунова, С. С. Кижаев, С. С. Молчанов, Б. В. Пушный, Ю. П. Яковлев. Выращивание и легирование магнием слоев InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений // ФТП, в печати.

— 23 115. А. П. Астахова, Н. Д. Ильинская, А. Н. Именков, С. С. Кижаев, С. С. Молчанов, Ю. П. Яковлев. Одновременная интерфейсная и межзонная лазерная генерация в гетероструктуре ¡-пАзЛпАбЗЬР, выращенной методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений // Письма в ЖТФ, в печати.

16. А. П. Астахова, Н. Д. Ильинская, А. Н. Именков, С. С. Кижаев, С. С. Молчанов, Ю. П. Яковлев. Интерфейсная и межзонная лазерная генерация в гетероструктуре ЬгАзЛпАвЗЬР, выращенной методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений // ФТП, в печати.

В итоге желаю выразить свою признательность моим научным руководителям Яковлеву Юрию Павловичу и Пушному Борису Васильевичу за постоянное внимание к моей работе, техническую помощь и ценные рекомендации во время ее проведения.

Я также глубоко благодарен Зотовой Нонне Вячеславовне за помощь в исследованиях люминесцентных свойств и внимание к работе на всех ее этапах. Выражаю свою благодарность Ворониной Тамаре Ивановне и Лагуновой Тамаре Степановне за помощь в исследованиях гальваномагнитных свойствЯговкиной Марии Александровне, Поповой Татьяне Борисовне, Берту Борису Яковлевичу за измерения, соответственно, дифракционных кривых качания, элементного состава эпитаксиальных слоев и распределения элементов по толщине эпитаксиальных структур методом вторично-ионной масс-спектрометрииСоловьеву В.А. за помощь в исследованиях положения р-п-перехода в светодиодных структурах, Ильинской Наталье Дмитриевне и Гребенщиковой Елене Александровне за их деятельность по посгростовой обработке эпитаксиальных структурИменкову Альберту Николаевичу, Михайловой Майе Павловне, Астаховой Анастасии Павловне, Стоянову Николаю за полезные консультацииМолчанову Сергею Сергеевичу, Романову Вячеславу Витальевичу и Калюжному Николаю за моральную поддержку, а также всем сотрудникам лаборатории инфракрасной оптоэлектроники, кто проявлял внимание к данной работе.

— 232.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Для получения контактов высокого качества целесообразнее применение многослойных систем. Примером таких систем может быть контакт типа
  2. IV. 1.1. Светодиод в виде чипа квадратной формы с точечным контактом на лицевой стороне и сплошным контактом на тыльной стороне.
  3. В. Matveev, N. Zotova, S. Karandashov, M. Remennyi, N. Il’inskaya, N. Stus, V. Shustov, G. Talalakin, J. Malinen. InAsSbP/InAs LEDs for the 3.3−5.5 fim spectral range // IEE Proc. Optoelectron., 1998, v. 145, № 5, p. 254−256.
  4. А.А. Попов, M.B. Степанов, B.B. Шерстнев, Ю. П. Яковлев. 3.3 jum светодиоды для измерения метана // Письма в ЖТФ, 1997, т.23, № 21, с. 24−31.
  5. Н.Н. Gao, A. Krier, V. Sherstnev, Y. Yakovlev. InAsSb/InAsSbP light emitting diodes for the detection of CO and C02 at room temperature // J. Phys. D: Appl. Phys., 1999, v. 32, p. 1768−1772.
  6. A.H. Баранов, Б. Е. Джуртанов, A.M. Литвак, H.A. Чарыков, А. Г. Чернявский, B.B. Шерстнев, Ю. П. Яковлев. Об ограничениях на получение А3В5 твердых растворов // ЖНХ, 1990, т. 35, вып. 12, с. 3008−3012.
  7. С. Sistori, J. Faist, F. Capasso, A.Y. Cho. The quantum cascade laser. A device based on two-dimensional electronic subbands // Pure Appl. Opt. 1998, v. 7, p. 373−381.
  8. R.M. Biefeld, А.А. Allerman, S.R. Kurtz, K.C. Baucom. Progress in the growth of mid-infrared InAsSb emitters by metal-organic chemical vapor deposition//J. Cryst. Growth, 1998, v. 195, p. 356−362.
  9. R.H. Pierson, A.N. Fletcher, and E.S.C. Gantz. Catalog of infrared spectra for qualitative analysis of gases // Anal. Chem., 1956, v. 28, p. 1218−1239.
  10. P.T. Moseley, and Tofield. Solid State Gas Sensors. Bristol: Hilger, 1987.
  11. M. Razeghi. Optoelectronic Devices Based on III-V Compound Semiconductors Which Have Made a Major Scientific and Technological Impact in the Past 20 Years // IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics, 2000, v. 6, № 6, p. 1344−1354.
  12. R.W. France, S.F. Carter, J.R. Williams, K.J. Beales, and J.M. Parker. OH-Absoiption in Fluoride Glass Infra-red Fibres // Electron. Lett., 1984, v. 20, № 14, p. 607−608.
  13. Н.П Есина, H.B. Зотова и Д. Н. Наследов. Исследование электролюминесценции р-п переходов в арсениде индия // ФТТ, 1967, v. 9, № 5, с. 1324−1324.
  14. Н.П. Есина, Н. В. Зотова и Д. Н. Наследов. О механизме излучательной рекомбинации р-п переходов в арсениде индия // ФТП, 1968, v. 2, № 3, с. 370−373.
  15. Н.П. Есина, Н. В. Зотова и Д. Н. Наследов. Электролюминесценция р-п переходов в арсениде индия // ФТП, 1969, v. 3, № 9, с. 1370−1373.
  16. Krier A. Room temperature InAsxSbyPi.x.y light-emitting diodes for C02 detection at 4.2 цт // Appl. Phys. Lett, 1990, v. 56, № 24, p. 2428−2429.
  17. Н.В. Зотова, Н. П. Есина, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, Т. Д. Абишев. Длинноволновые неохлаждаемые светодиоды на основе твердых растворов InAsi.x.ySbxPy // Письма в ЖТФ, 1983, v. 9, № 7, с. 391−395.
  18. M.K. Рапу, A. Krier. Efficient 3.3 цт light emitting diodes for detecting methane gas at room temperature // Electron. Lett., 1994, v. 30, № 23, p. 1968−1969.
  19. Y. Mao, A. Krier. InAsSb p-n junction light emitting diodes grown by liquid phase epitaxy // J. Phys. Chem. Solids, 1995, v. 56, № 5, p. 759−766.
  20. Y. Mao, A. Krier. Uncooled 4.2 цт light emitting diodes based on InAso.91 SboWGaSb grown by LPE // Opt. Mater., 1996, v. 6, p. 55−61.
  21. Y. Mao, A. Krier. Efficient 4.2 цт light emitting diodes for detecting CO2 at room temperature // Electron. Lett., 1996, v. 32, № 5, p. 479−480.
  22. A.A. Попов, M.B. Степанов, B.B. Шерстнев, Ю. П. Яковлев. Светодиоды на основе InAsSb для детектирования СО2 (А,=4.3 jim) // Письма в ЖТФ, 1998, v. 24, № 15, с. 34−41.
  23. Н.Н. Gao, A. Krier, V. Sherstnev, Y. Yakovlev. InAsSbAnAsSbP light emitting diodes for the detection of CO and CO2 at room temperature // J. Phys. D: Appl. Phys., 1999, v. 32, p. 1768−1772.
  24. A.A. Popov, V.V. Sherstnev, Y.P. Yakovlev, A.N. Baranov, C. Alibert. Powerful midinfrared LEDs for pollution monitoring // Electron. Lett., 1997, v. 33, p. 86−87.
  25. Г. А. Сукач, П. Ф. Олексенко, А. Б. Богословская, Ю. Ю. Бшганец, В. Н. Кабаций. Тепловые и оже-процессы в р-п-переходах на основе гетероструюур GalnAs/InAs и InAsSbP/InAs // ЖТФ, 1997, т. 67, № 9, с. 68−71
  26. V.V. Sherstnev, A.M. Monahov, A. Krier, G. Hill. Superluminescence in InAsSb circular-ring-mode light-emitting diodes for CO gas detection // Appl. Phys. Lett., 2000, v. 77, № 24, p. 3908−3910.
  27. G.A. Sukach, A.B. Bogoslovskaya, P.F. Oleksenko, Yu. Yu. Bilynetz, V.N. Kabacij. Effect of Auger recombination on thermal processes in InGaAs and InAsSbP IR-emitting diodes // Infrared Phys. Technol., 2000, v. 41, p. 299−306.
  28. A. Krier, V.V. Sherstnev, H.H. Gao. A novel LED module for the detection ofH2S at 3.8 pm// J. Phys. D: AppL Phys., 2000, v. 33, p. 1656−1661.
  29. A. Krier, V.V. Sherstnev. LEDs for formaldehyde detection at 3.6 pm // J. Phys. D: Appl. Phys., 2001, v. 34, p. 428−432.
  30. М. Айдаралиев, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин. Отрицательная люминесценция в диодах на основе p-InAsSbP/n-InAs // ФТП, 2001, т. 35, № 3, с. 335−338.
  31. V.K. Malyutenko, O.Yu. Malyutenko, A.D. Podoltsev, I.N. Kucheryavaya, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus. Current crowding in InAsSb light-emitting diodes // Appl. Phys. Lett., 2001, v. 79, № 25, p. 4228−4230.
  32. H Mani, A. Joullie, J. Bhan, C. Schiller, J. Primot. The influence of supercooling on the liquid phase epitaxial growth of InAsi. xSbx on (100) GaSb substrates // J. Electroa Mater., 1987, v. 16, p. 289.
  33. H.B. Зотова, И. Н. Яссиевич. Оже-рекомбинация в p-InAs и твердых растворах GaxInixAs // ФТП, 1977, т. 11, № 10, с. 1882−1887.
  34. Н.М., Попов А. А., Сукач Г. А., Богословская А. Б. Тепловые процессы в светодиодных гетероструктурах на основе GalnAsSb // ФТП, 1994, т. 28, № 12, с. 2065−2072.
  35. J.R. Lindle, J.R. Meyer, С.А. Hoffman, F.J. Bartoli, G.W. Turner, H.K. Choi. Auger lifetime in InAs, InAsSb, and InAsSb InAlAsSb quantum wells // Appl. Phys. Lett, 1995, v. 67, p. 3153−3155.
  36. K.L. Vodopyanov, H. Graener, C.C. Philips. Mid infrared picosecond spectroscopy of MBE indium arsenide epilayers at 300 К // Semicond. Sci. Technol., 1993, v. 8, p. s300-s304.
  37. S. Kim, M. Erdtmann, D. Wu, E. Kaas, H. Yi, J. Diaz, M. Razeghi. Photoluminescence study of InAsSb/InAsSbP heterostructures grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition // Appl. Phys. Lett., 1996, v. 69, № 11, p. 1614−1616.
  38. M.J. Kane, G. Braithwaite, M.T. Emeny, D. Lee, T. Martin, and D.R. Wright. Bulk and surface recombination in InAs/AlAso.i6Sbo, 84 3.45 цт light emitting diodes // Appl. Phys. Lett., 2000, v. 76, № 8, p. 943−945.
  39. Landolt-Bomstein. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology: Volume 17a Physics of Group IV elements and Ш-V Compounds. Berlin: Springer, 1982.
  40. A.R. Beattie. Quantum efficiency in InSb // J. Phys. Chem. Solids, 1962, v. 23, p. 1049−1056.
  41. K.L. Vodopyanov, H. Graener, C. Philips, T.J. Tate. Picosecond carrier dynamics and studies of Auger recombination processes in indium arsenide at room temperature // Phys. Rev., 1992, B46, p. 13 194−13 200.
  42. Н.П. Есина, H.B. Зотова. Механизмы рекомбинации избыточных носителей тока в арсениде индия и твердых растворах на его основе // ФТП, 1980, т. 14, № 2, с. 316−322.
  43. M.E. Flatte, J.T. Olesberg, S.A. Anson, T.F. Boggess, T.C. Hasenberg, R.H. Miles, C.H. Grein. Theoretical performance of mid-infrared broken-gap multilayer superlattice lasers // Appl. Phys. Lett., 1997, v. 70, № 24, p. 3212−3214.
  44. D.G. Gevaux, A.M. Green, C.C. Philips. GalnSb/InAs/AlGaAsSb «W» quantum-well light-emitting diodes // Appl. Phys. Lett., 2001, v. 79, № 25, p. 4073−4075.
  45. R.Q, Yang. Infrared Laser Based on Intersubband transitions in quantum wells // Superlatt. Microstruct., 1995, v. 17, № 1, p. 77−83.
  46. J. Faist, F. Capasso, C. Sirtori, D. L. Sivco, J.N. Baillargeon, A.L. Hutchinson, S.N.G. Chu, A.Y. Cho. High power mid-infrared {X ~ 5 pm) quantum cascade lasers operating above room temperature // Appl. Phys. Lett., 1996, v. 68, № 26, p. 3680−3682.
  47. R.Q. Yang, B.H. Yang, D. Zhang, C.H. Lin, S.J. Murry, H. Wu, S.S. Pei. High power mid-infrared interband cascade lasers based on type-II quantum wells // Appl. Phys. Lett., 1997, v. 71, № 17, p. 2409−2411.
  48. Faist, F. Capasso, D.L. Sivco, A.L. Hutchinson, S.N.G. Chu, and A.Y. Cho: «Short wavelength (A,~3.4 pm) quantum cascade laser based on strained compensated InGaAs/AlInAs // Appl. Phys. Lett., 1998, v. 72, № 6, p. 680−682.
  49. Н.Г. Басов, Б. М. Вуль, Ю. М. Попов. Полупроводниковый квантово-механический генератор и усилители электромагнитных осцилляций // ЖЭТФ, 1959, т. 37, с. 587−588.
  50. Н.Г. Басов, О. Н. Крохин, Ю. М. Попов. // ЖЭТФ, 1961, т. 40, с. 1879−1880.
  51. Б.М. Вуль, А. П. Шотов, B.C. Багаев. Излучательная рекомбинация в вырожденном InSb // ФТТ, 1962, т. 4, с. 3676−3677.
  52. Д. Наследов, А. А. Рогачев, С. М. Рыбкин, Б. В. Царенков. Излучательная рекомбинация в GaAs // ФТТ, 1962, т. 4, с. 1062−1065.
  53. R.H. Hall, С.Е. Fenner, J.D. Kingsley, T.J. Soltys, and R.O. Carlson. Coherent light emission from GaAs p-n junction // Phys. Rev. Lett., 1962, v. 9, p. 366−378.
  54. MI. Nathan, W.P. Dumke, G. Burnus, E.H. Dill, GJ. Lasher. Stimulated emission of radiation from GaAs p-n junction // Appl. Phys. Lett., 1962, v. 1, p. 62−64.
  55. N. Holonyak, Jr., and S.F. Bevacqua. Coherent (visible) light emission from GaAsi-xPx junction // Appl. Phys. Lett., 1962, v. 1, p. 82−83.
  56. B.C. Багаев, Н. Г. Басов, Б. М. Вуль, Б. Д. Копиловский, О. Н. Крохин, Ю. М. Попов, Е. М. Маркин, А. Н. Хвощев, А. П. Шотов. Полупроводниковый квантовый генератор на основе р-n перехода в GaAs // Доклады Академии Наук СССР, 1963, т. 150, с. 275−278.
  57. И.И. Засавицкий, Б. Н. Мадионашвили, В. И. Погодин, А. П. Шотов. Влияние гидростатического давления на спектры излучения лазеров РЬ^п^е // ФТП, 1974, т. 8, № 4, с. 732−736.
  58. НИ. Засавицкий, Б. Н. Мадионашвили и А. П. Шотов. Инжекционный лазер непрерывного действия на основе РЪ8е // Письма в ЖТФ, 1975, т. 1,№ 7, с. 341−343.
  59. А.П. Шотов, О. И. Даварашвили, А. Б. Бабушкин. Лазерные гетероструктуры на основе твердых растворов Pbi.xSnxSei.yTey // Письма в ЖТФ, т. 5, с. 1488−1492.
  60. А.П. Шотов, А. А, Синятынский. РЬ81. х8ех лазеры с контролируемым профилем концентрации носителей, изготовленных методом молекулярной эпитаксии // Письма в ЖТФ, 1983, т. 9, № 14, с. 881−884.
  61. К.В. Вякин, А. П. Шотов. Оптические свойства эпитаксиальных пленок РЬ8е // ФТП, т. 14, № 7, с. 1331−1334.
  62. А.А. Синятынский, А. П. Шотов. Оптические свойства эпитаксиальных пленок РЬБ^ех // ФТП, 1982, т. 16, № 12, с. 2187−2190.
  63. Tarry H.A. Infra-red electroluminescense from CdxHgi. xTe diodes // Electron. Lett., 1986, v. 22, № 8, p. 416−418.
  64. Zucca R, Bajaj J and Blazejewski E. R. Light emission from HgCdTe diodes // J. Vac. Sei. Technol., 1988, A 6, p. 2728−2731.
  65. Bouchut P., Destefanis G., Chamonal J. P., Million A., Pelliciari B, Piaguet J. High-efFiciency infrared light emitting diodes made in liquid phase epitaxy and molecular beam epitaxy HgCdTe layers // J. Vac. Sei. Technol., 1991, B 9, p. 1794.
  66. Harman T.C. Optically pumped LPE grown Hgi. xCdxTe lasers// J. Electron. Mater., 1979, v. 8, № 2, p. 191−202.
  67. Giles N.C., Han J.W., Cook J.W. and Schetzina J.F. Stimulated emission at 2.8 pm from Hg-based quantum well structures grown by photoassisted molecular beam epitaxy// Appl. Phys. Lett., 1989, v. 55, p. 2026−2028.
  68. Mahavadi K. K, Lange M.D., Faurie J.P., J. Nagle. Photoluminescence CdTe/HgiyCdyTe/HgixCdxTe separate confinement heterostructures // Appl. Phys. Lett., 1989, v. 54, p. 2580−2582.
  69. H.Q. Le, J.M. Arias, M. Zandian, R. Zucca, Y.-Z. Liu. High-power diodelaser pumped midwave infrared HgCdTe/CdZnTe quantum-well lasers // Appl. Phys. Lett., 1994, v. 65, № 7, p. 810−812.
  70. J.M. Arias, M. Zandian, R. Zucca, and J. Singh. HgCdTe infrared lasers grown by MBE // Semicond. Sei. Technol., 1993, v. 8, p. S255 S260.
  71. Н.В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин. Когерентное излучение 3.9 мкм в р-п структурах на основе 1пАз8ЬР // Письма в ЖТФ, 1986, т. 12, вып. 23, с. 1444−1447.
  72. М. Айдаралиев, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин. Температурная зависимость параметров стимулированного излучения в р-п структурах на основе 1пА81×8Ьх Н Письма в ЖТФ, 1987, т. 13, вып. 6, с. 329−331.
  73. М. Айдаралиев, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин. Инжекционное когерентное излучение в ДГС ЬхА^ЬРЯпАбЛпАбЗЬР // Письма в ЖТФ, 1987, т. 13, вып. 9, с. 563−565.
  74. М.Ш. Айдаралиев, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин. Стимулированное излучение (3 3.3 мкм, 77 К) при инжекции тока в пластически деформированных ДГС ЬАзБЬРЛпАз // Письма в ЖТФ, 1988, т. 14, вып. 17, с. 1617−1620.
  75. A.H. Баранов, Т. Н. Данилова, О. Г. Ершов, А. Н. Именков, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев. Длинноволновые лазеры на основе InAsSbP/InAsSb для спектроскопии метана // Письма в ЖТФ, 1992, т. 18, выл. 22, с. 6−10.
  76. V.V. Sherstnev, A. Krier. Tuning characteristics of InAsSb continuous-wave lasers // Appl. Phys. Lett., 2002, v. 30, № 20, p. 3676−3678.
  77. N.V. Zotova, S.A. Karandashov, B.A. Matveev, N.M. Stus, G.N. Talalakin, M.A. Remennyi. Tunable mid-IR diode lasers based on InGaAsSb/InAsSbP DH // Spectroch. Acta Part, 1996, A 52, p. 857−862.
  78. D.S. Cao, Z.M. Fang, G.B. Stringfellow. Organometallic vapor-phase epitaxial growth of AlxGai. xSb and AlxGaixAsySbi"y // J. Ciyst. Growth, 1991, v. 113, p. 441−448.
  79. E.T.R. Chidley, S.K. Haywood, R.E. Mallard, N.J. Mason, R.J. Nicholas, P. J. Walker, R.J. WarBurton. GaSb Heterostructures grown by MOVPE // J. Cryst. Growth, 1988, v. 93, p. 70−78.
  80. H.K. Choi, S.J. Eglash, and G.W. Turner. Double-heterostructure lasers emitting at 3 pm with a metastable GalnAsSb active layer and AlGaAsSb cladding layers, Appl. Phys. Lett., 1994, v. 64, № 19, p. 2474−2476.
  81. S.J. Eglash, and H.K. Choi. InAsSb/AlAsSb double-heterostructure diode lasers emitting at 4 jim // Appl. Phys. Lett., 1994, v. 64, p. 833−855.
  82. H.K. Choi, G.W. Turner, and Z.L. Liau. 3.9-pm InAsSb/AlAsSb double-heterostructure diode lasers with high output power and improved temperature characteristics // Appl. Phys. Lett., 1994, v. 65, № 18, p. 2251−2253.
  83. D. Wu, B. Lane, H. Mohseni, J. Diaz, M. Razeghi. High power asymmetrical InAsSb/InAsSbP/AlAsSb double heterostructure lasers emitting at 3.4 pm // Appl. Phys. Lett., 1999, v. 74, № 9, p. 1194−1196.
  84. J.T. Olesberg, M.E. Flatte, BJ. Brown, C.H. Grein, T.C. Hasenberg, S.A. Anson, and T.F. Boggess. Optimization of active regions in midinfrared lasers // Appl. Phys. Lett., 1999, v. 74, № 2, p. 188−190.
  85. G.P. Agrawal, N.K. Dutta. Long-Wavelength Semiconductor Lasers. -New York: Van Nostrand Reinhold, 1986.
  86. H.K. Choi, G.W. Turner, and H.Q. Le. InAsSb/InAlAs strained quantum-well lasers emitting at 4.5 pm // Appl. Phys. Lett., 1995, v. 66, № 26, p. 3543−3545.
  87. H.K. Choi and G.W. Turner. InAsSb/lnAJLAsSb strained quantum-well diode lasers emitting at 3.9 p. m // Appl. Phys. Lett., 1995, v. 67, № 3, p. 332−334.
  88. S.R. Kurtz, R.M. Biefeld, L.R. Dawson, K.C. Baucom, and A.J. Howard. Midwave (4 pm) infrared lasers and light-emitting diodes with biaxially compressed InAsSb active regions // Appl. Phys. Lett., 1994, v. 64, № 7, p. 812−814.
  89. B. Lane, D. Wu, A. Rybaltowski, H. Yi, J. Diaz, and M. Razeghi. Compressively strained multiple quantum well InAsSb lasers emitting at36 pm grown by metal-organic chemical vapor deposition // Appl. Phys. Lett., 1997, v. 70, № 4, p. 443−445.
  90. B. Lane, Z. Wu, A. Stein, J. Diaz, and M. Razeghi. InAsSb/fnAsP strained-layer superlattice injection lasers operating at 4.0 pm grown by metal-organic chemical vapor deposition // Appl. Phys. Lett., 1999, v. 74, № 23, p. 3438−3440.
  91. Lane, S. Tong, J. Diaz, Z. Wu, M. Razeghi. High power InAsSb/InAsSbP electrical injection laser diodes emitting between 3 and 5 pm // Materials Science and Engineering, 2000, B74, p. 52−55.
  92. H.K. Choi, G.W. Turner, M.J. Manfra, M.K. Connors. 175 K continuous wave operation of InAsSb/InAlAsSb quantum-well diode lasers emitting at 3.5 pm// Appl. Phys. Lett., 1996, v. 68, p. 2936−2938.
  93. Wilk, M. El Gazouli, M. El Skouri, P. Christol, P. Grech, A.N. Baranov, A. Joullie. Type-II InAsSb/InAs strained quantum-well laser diodes emitting at 3.5 pm // Appl. Phys. Lett., 2000, v. 77, № 15, p. 2298−2300.
  94. F. Capasso, C. Gmachl, D.L. Sivco, A.Y.Cho. // Phys. World, 1999, v. 12, p. 27
  95. J.R. Meyer, C.A. Hofman, F.J. Bartoli, L.R. Ram-Moham. Type-II quantum-well lasers for the mid-wavelength Infrared // Appl. Phys. Lett., 1995, v. 67, p. 757−759.
  96. R.Q. Yang. Mid-infrared interband cascade lasers based on type II heterostructures // Microelectron. J., 1999, v. 30, p. 1043−1056.
  97. R. Kohler, C. Gmachl, A. Tredicucci, F. Capasso, D.L. Sivco, S.N.G. Chu, A.Y. Cho. Single-mode tunable, pulsed, and continuous wave quantum-cascade distributed feedback lasers at X = 4.6−4.7 pm // Appl. Phys. Lett., 2000, v. 76, № 9, p. 1092−1094.
  98. J.T. Olesberg, M.E. Flatte, T.C. Hasenberg, C.H. Grein. Mid-infrared InAs/GalnSb separate confinement heterostructure laser diode structure // J. Appl. Phys., 2001, v. 89, № 6, p. 3283−3289.
  99. P. Christol, M. E1 Gazouli, P. Bigenwald, A. Joullie. Performance simulation of 3.3 pm interband laser diodes grown on InAs substrate // Physica E 14,2002, p. 375−384.
  100. Z. Shi. GaSb-PbSe-GaSb double heterostructure midinfrared lasers // Appl. Phys. Lett, 1998, v. 72, № 11, p. 1272−1274.
  101. Tietjen J.J., Amick J.A. The Preparation and Properties of Vapor-Deposited Epitaxial GaAsixPx Using Arsine and Phosphine // J. Electrochem. Soc., 1966, v. 113, № 7, p. 724−728.
  102. Davey J.E., Pankey T.J. J. Epitaxial GaAs Films Deposited by Vacuum Evaporation//Appl. Phys., 1968, v. 39, p. 1941−1948.
  103. Arthur J.R. J. Interaction of Ga and As2 molecular beams with GaAs surfaces // Appl. Phys., 1968, v. 39, № 8, p. 4032−4034.
  104. Manasevit H.M. Single-crystal gallium arsenide on insulating substrates // Appl. Phys. Lett., 1968, v. 12, № 4, p. 156−159.
  105. Y. Seki, K. Tanoo, K. Iida, E. Ichiki. Properties of Epitaxial GaAs Layers from a Triethyl Gallium and Arsine System // J. Electrochem. Soc., 1975, v. 122, p. 1108−1112.
  106. G.B. Stringfellow. Thermodynamic aspects of organometallic vapor phase epitaxy // J. Cryst Growth, 1983, v. 62, № 2, p. 225−229.
  107. R. Hovel, N. Brianese, A. Brauers, P. Balk, M. Zimmer, M. Hostalek, L. Pohl. Growth of InP with novel In and P precursors // J. Cryst. Growth, 1991, v. 107, pp. 355−359.
  108. G.B. Stringfellow. Organometallic Vapor Phase Epitaxy: Theory and Practice. Boston: Academic Press, 1989.
  109. B.J. Baliga and S.K. Ghandhi. Heteroepitaxial InAs Grown on GaAs from Triethylindium and Arsine // J. Electrochem. Soc., 1974, v. 121, № 12, p. 1642−1650
  110. M.J. Chemg, H.R. Jen, C.A. Larsen, G.B. Stringfellow, H. Lundt and P.C. Taylor. MOVPE Growth of GalnAsSb // J. Crystal Growth, 1986, v. 77, p. 408−417
  111. S.K. Haywood, R.W. Martin, N.J. Mason and P.J. Walker. Growth of InAs by MOVPE: A comparative study using arsine, tertiarybutylarsine, and phenylarsine // J. Cryst Growth, 1989, v. 97, p. 489−496.
  112. S.K. Haywood, R.W. Martin, N.J. Mason and P.J. Walker. Growth of InAs by MOVPE using TBAs and TMIn // Journal of Electronic Materials, 1990, v. 19, № 8, p. 783−788.
  113. M. Masi, H, Simka, K.F. Jensen, T.F. Kuech, and R. Potemski. Simulation of carbon doping of GaAs during MOVPE // J. Cryst. Growth, 1992, v. 124, p. 483.
  114. R.J. Egan, T.L. Tansley, V.W.L. Chin. Growth of InAs from monoethylarsine // J. Cryst. Growth, 1995, v. 147, p. 19−26.
  115. D.M. Speckman and J.P. Wendt. Vapor deposition of high-purity GaAs epilayers using monoehyl arsine // Appl. Phys. Lett., 1990, v. 56, p. 1134−1136.
  116. S.J. Bass. Silicon and Germanium doping of epitaxial gallium arsenide grown by the trimethylgallium-arsine method // J. Cryst. Growth, 1979, v. 47, p. 613−618.
  117. C.H. Chen, G.B. Stringfellow and R.W. Gedridge. Triisopropylindium: decomposition study and use for low temperature growth of InAs // J. Cryst. Growth, 1993, v. 126, p. 309−316.
  118. K.T. Huang, Yu Hsu, R.M. Cohen, G.B. Stringfellow. OMVPE growth of InAsSb using novel precursors // J. Cryst. Growth, 1995, v. 156, p. 311−319.
  119. Y. Iwamura, H. Shigeta, N. Watanabe. In-Depth Profile of Electrical Property of InAs Epitaxial Layer Grown on Semi-Insulating GaAs by Low-Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition // Jpn. J. Appl. Phys., 1993, v. 32, p. L368-L370.
  120. S. P. Watkins, C. A. Tran, R. A. Ares, G. Soerensen. High mobility InAs grown on GaAs substrates using tertiarybutylarsine and trimethylindium // Appl. Phys. Lett., 1995, v. 66, № 7, p. 882−884.
  121. S. P. Watkins, C. A. Tran, G. Soerensen, H. D. Cheung, R. A. Ares, Y. Lacroix, M. L. W. Thewah. Characterization of Very High Purity
  122. As Grown Using Trimethylindium and Tertiaiybutylarsine // J. Electronic Materials, 1995, v. 24, № ll, p. 1583−1590.
  123. Y. Lacroix, C. A. Tran, S. P. Watkins, M. I. W. Thewalt Low-temperature photoluminescence of epitaxial InAs // J. Appl. Phys., v. 80, № 11, p. 6416−6424.
  124. Y. Lacroix, S. P. Watkins, C. A. Tran, M. L. W. Thewalt. Sharp excitonic photoluminescence from epitaxial InAs // Appl. Phys. Lett., 1995, v. 66, № 9, p. 1101−1103.
  125. G. Nataf, C. Verie. Epitaxial Growth of InAs^Sbx alloys by MOCVD // J. Ciyst. Growth, 1981, v. 55, № 1, p. 87−91.
  126. P.K. Chiang, S.M. Bedair. Growth of InSb and InAs^Sb* by OM-CVD // J. Electrochem. Soc.: Solid-State Science AND Technology, 1984, v. 131, № 10, p. 2422−2426.
  127. T. Fukui, Y. Horikoshi. Qrganometallic VPE Growth of InAsi"xSbx // Jap. J. Appl. Phys., 1980, v. 19, № 1, p. L53−56.
  128. R. Biefeld. The preparation of InSb and InAsixSbx by metalorganic chemical vapor deposition // J. Cryst. Growth, 1986, v. 75, p. 255−263.
  129. K. T. Huang, Yu Hsu, R.M. Cohen, G.B. Stringfellow. OMVPE growth of InAsSb using novel precursors // J. Cryst Growth, 1995, v. 156, p. 311−319.
  130. W.J. Duncan, A.S.M. Ali, E.M. Marsh, P.C. Spurdens. Metalorganic vapor phase epitaxy growth of InPAsSb alloys lattice matched to InAs // J. Cryst. Growth, 1994, v. 143, p. 155−161.
  131. П.И. Баранский, В. П. Клочков, И. В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника: Справочник. Киев: Наукова Думка, 1975
  132. У.М. Кулиш. Рост и электрофизические свойства пленок полупроводников (жидкофазная эпитаксия). Элиста: Калмыцкое книжное издательство, 1976.
  133. S. Glasstone. Textbook of Physical Chemistry. New York: Second Edition, Fifteenth Printing, VanNostrand Co., 1965, p. 642−643.
  134. E. Woelk, H. Jurgensen, R. Rolph, T. Zielinski. Large scale production of indium antimonide film for position sensors in automobile engines // J. Electron. Mater., 1995, v. 24, № 11. p. 1715−1718
  135. M.B. Panish, M. Ilegems. Phase equilibria in ternary III-V systems. -New York: Progress in Solid State Chemistry./Eds. H. Reiss, J.O. McCaldin Pergamon, 1972, v. 7. p. 39−83.
  136. G.B. Stringfellow. Calculation of ternary and quaternary III-V phase diagrams // J. Ciyst. Growth, 1974, v. 27, p. 21−34.
  137. G.B. Stringfellow, M.J. Cherng. OMVPE growth of GaAs^Stv. solid composition.// J. Cryst. Growth. 1983, v. 64, № 2, p. 413−415.
  138. D.R. Stull, G.C. Sinke. Thermodynamic Properties of the elements. -Washington: American Chemical Society, 1956.
  139. K. Kajiyama. Vapor Pressure Dependence of the Relative Composition of III-V Mixed Crystals in Vapor Phase Epitaxy // J. Electrochem. Soc., 1976, v. 123, № 3, p. 423−425.
  140. L.D. Landau, E.M. Lifshits. Elasticity. Oxford: Pergamon, 1972.
  141. Handbook of Electronic Materials. New York: IFI, 1971, v. 2.
  142. B.B. Романов, Э. В. Иванов, A.H. Именков, H.M. Колчанова, К. Д. Моисеев, Н. Д. Стоянов, Ю. П. Яковлев. Светодиоды на основе твердых растворов InAsSbP предельного состава для спектрального диапазона 2.6−2.8 цт // Письма в ЖТФ, 2001, т. 27, № 14, с. 80−87.
  143. Koukitu, Н. Seki. Thermodynamic analysis of the MOVPE growth of quaternary III-V alloy semiconductors, J. Cryst. Growth, 1986, v. 76, p. 233−242.
  144. R.M. Biefeld, C.R. Hills, S.R. Lee. Strain relief in compositionally graded InASxSbix/InSb strained-layer superlattices grown by MOCVD // J. Cryst. Growth, 1988, v. 91, p. 515−526.
  145. О. А. Аллаберенов, H.B. Зотова, Д. Н. Наследов, JI.Д. Неуймина. Фотолюминесценция n-InAs // ФТП, 1970, т. 4, вып. 10, р. 1939−1942.
  146. Н. Ito and Т. Ishibashi. Impurity, Defects, and Diffusion in Semiconductors: Bulk and Layered Structures // Mater. Res. Soc. Symp.
  147. Proc. (Boston, MA: Materials Research Society, 1989), v. 163, p. 887 /edited by D.J. Wolfbrd, J. Bernholc, and E.E. Haller.
  148. C.H. Goo, W.S. Lau, T.C. Chong, L.C. Tan, P.K. Chu. High oxygen and carbon contents in GaAs epilayers grown below a critical substrate temperature by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett., 1996, v. 68, № 6, p. 841−843.
  149. J.W. Huang, J.M. Ryan, K.L. Bray, and T.F. Kuech. Controlled Oxygen Incorporation in Indium Gallium Arsenide and Indium Phosphide Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy // J. Electron. Mater., 1995, v. 24, № 11, p. 1539−1546.
  150. Z.M. Fang, K.Y. Ma, D.H. Jaw, R.M. Cohen, G.B. Stringfellow. Photoluminescence of InSb, InAs, and InAsSb grown by organometallic vapor phase epitaxy // J. Appl. Phys., 1990, v. 67, № 11, p. 7034−7039.
  151. Y. Iwamura, K. Masubuchi, M. Noya, and N. Watanabe // Abstracts of Mid-Infrared Optoelectronics Materials and Devices Second International Conference, Prague, Czech Republic, 26−27 March, 1998, p. 10.
  152. M. Kondo, C. Anayama, H. Sekiguchi, T. Tanahasni. Mg-doping transients during metalorganic vapor phase epitaxy of GaAs and AlGalnP // J. Ciyst. Growth, 1994, v. 141, p. 1−10.
  153. A.W. Nelson, L.D. Westbrook. A study of p-type dopants for InP grown by adduct MOVPE // J. Ciyst. Growth, 1984, v. 68, p. 102−110.
  154. R. Winterhoff, P. Raisch, V. Frey, W. Wagner, F. Scholz. Control of dopant distribution profiles in GalnP laser diodes with Mg- and Se-doped AllnP cladding layers // J. Ciyst. Growth, 1998, v. 195, p. 132−137.
  155. G.J. Bauhuis, P.R. Hageman, P.K. Larsen. Heavily doped p-type AlGalnP grown by metalorganic chemical vapor deposition // J. Ciyst. Growth, 1998, v. 191, p. 313−318.
  156. M. Ohkubo, J. Osabe, T. Shiojima, T. Yamaguchi, T. Ninomiya. Magnesium-doped InGaAs using (CsHsCsH^Mg: application to InP-based HBTs // J. Ciyst. Growth, 1997, v. 170, p. 177−181.
  157. L.R. Weisberg. // J. Appl. Phys., 1962, v. 33, № 5, p. 1817.
  158. H.F. Matare. Defect Electronics in Semiconductors. New York: Wiley-Interscience, 1971.
  159. M.H. Cohen, J. Jortner. Effective Medium Theory for the Hall Effect in Disordered Materials. // Phys. Rev. Lett., 1973, v. 30, № 15, p. 696−698.
  160. С.Г. Конников, B.A. Соловьев, B.E. Уманский, A.A. Хусаинов, B.M. Чистяков, И. Н. Яссиевич. Ток, индуцированный электронным зондом в полупроводниковых гетероструктурах // ФТП, 1987, т. 21, р. 1648−1653
  161. .И., Халфин В. Б., Казаринов Р. Ф. Об одной особенности инжекции в гетеропереходе // ФТТ, 1966, т.8, № 10, с. 3102.
  162. Н.А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов. Внутренние оптические потери в полупроводниковых лазерах // ФТП, т. 38, вып. 3, стр. 374−381.
  163. М Р С М Krijn. Heterojunction band offsets and effective masses in III-V quaternary alloys // Semicond. Sci. Technol., 1991, v. 6, p. 27−31.
  164. T. Fukui, Y. Horikoshi. Organometallic VPE Growth of InAsi.x.ySbxPy on InAs // Japan. J. Appl. Phys., 1981, v. 20, № 3, p. 587−591.
  165. Т.Н. Glison, J.R. Hauser, M.A. Littlejohn, C.K. Williams. // J. Electron. Mater., 1978, v. 7, p. 1.
  166. I. Vurgaftman, J.R. Meyer. Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys // J. Appl. Phys., 2001, v. 89, № 11, p. 5815−5875,
  167. Н.П. Есина, H.B. Зотова. Механизмы рекомбинации избыточных носителей тока в арсениде индия и твердых растворах на его основе // ФТП, 1980, т. 14, вып. 2, с. 316−322.
  168. Esaki L. New phenomenon in narrow germanium p-n junctions, Phys. Rev., 1958, v. 109, p. 603.
  169. Rhoderick B.H. Metal-Semiconductor Contacts. London: Oxford, 1980.
  170. A. Krier, V.V. Sherstnev. Powerful interface light emitting diodes for methane gas detection // J. Phys. D: Appl. Phys., 2000, v. 33, p. 101−106.
  171. А.Н. Баранов, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, A.A. Рогачев, Ю. М. Шерняков, Ю. П. Яковлев. Генерация когерентного излучения в квантово-размерной структуре на одном гетеропереходе // ФТП, 1986, т. 20, вып. 12, с. 2217.
  172. Т.Н. Данилова, А. Н. Именков, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев. Лазеры на основе двойных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, излучающие в спектральной области 3−4 мкм. Часть I. // ФТП, 2000, т. 34, вып. 11, с. 1396−1403.
  173. Т.И. Воронина, Т. С. Лагунова, М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев, А. Е. Розов, Ю. П. Яковлев. Истощение инверсного электронного канала на гетерогранице Ii-типа в системе p-GalnAsSb/p-InAs // ФТП, 1998, т. 32, № 2, с. 215−220.
  174. Т.Н. Данилова, О. Г. Ершов, Г. Г. Зегря, А. Н. Именков, М. В. Степанов, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев. Поляризацияизлучения лазеров на основе двойной гетеростру ктуры ТпАзЗЬЛп/^ЬР // ФТП, 1995, т. 29, вып. 9, с. 1604−1609.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?