Низкотемпературная термолюминесценция и рентгенолюминесценция монокристаллов анионодефектного оксида алюминия

Несмотря на то, что ТЛ анионодефектногоб-Al2O3 была объектом многих работ ее механизм нельзя считать достаточно ясным. Причиной тому часто является большое расхождение экспериментальных данных относительно положения и интенсивностей пиков ТЛ. Физической причиной подобной ситуации является высокая радиационная стойкость кристаллов оксида алюминия, которая, практически исключает образование радиационных дефектов структуры при облучении рентгеновскими или гамма лучами и приводит только к перераспределению электронов и дырок между различными собственными и примесными дефектами, созданными в кристалле в процессе роста и дальнейшей обработки. Как содержание примесей, так и условия роста и обработки не эквивалентны в различных экспериментах. Во многих случаях проявляются только основные пики ТЛ, соответствующие наиболее общим примесям и внедренным дефектам.

Настоящий раздел посвящен изучению мелких ловушек, существующих в кристаллах б-Al2O3. Эти ловушки при облучении кристаллов способны захватывать носители зарядов (электроны и дырки), которые при нагревании высвобождаются с уровней захвата и рекомбинируют с центрами свечения. Локализация носителей зарядов на мелких ловушках может приводить к возникновению дополнительных центров окраски, которые проявляются только в процессе облучения при низких температурах.