Часто использованные обозначения и аббревиатуры

А, а а da/dCl

Ех

Е₂

Ео

Е_т

кЕ/2

ф.

(р

<п, <�Р

К"

м₂

• 0,
• 02
• 00
• 0

<7/.

F_d

(dEJdx)n

U₀

N

т и С_т

• — энергия связи атома на поверхности.
• — радиус экранирования заряда атомного ядра.
• — степень ионизации положительных (+) или отрицательных (-) атомов.
• — дифференциальное сечение рассеяния в элемент телесного угла d?l.
• — энергия налетающего иона после столкновения с атомом мишени.
• — энергия, переданная первичным ионом атому мишени после столкновения.
• — энергия ионизации.
• — энергия налетающей частицы (первичного иона).
• — наиболее вероятная энергия в энергетическом спектре.
• — ширина энергетического спектра на половине высоты (полуширина).
• — работа выхода электрона.
• — азимутальный угол эмиссии вторичной частицы, волновые функции стационарных состояний атома.
• — потенциал ионизации вторичного атома.
• — коэффициент вторичной ионной эмиссии.
• — масса атомов мишени.
• — угол отклонения налетающего иона от первоначального направления после столкновения с атомом мишени.
• — угол между первоначальным направлением налетающего иона и направлением движения атома мишени (атома отдачи) после столкновения.
• — угол падения первичных ионов на мишень по отношению нормали к поверхности мишени.
• — полярный угол эмиссии вторичной частицы.
• — сечение столкновения.
• — распыляемые площади поверхностей компонент гетерогенной мишени в момент получения суммарного ЭСВИ.
• — энергия первичного иона, поглощенная мишенью на единице глубины распыляемого слоя.
• — средняя энергия, теряемая первичным ионом на единице пути в мишени.
• — поверхностный потенциальный барьер.
• — плотность атомов мишени.
• — параметры сечения торможения.
• — заряды ядер сталкивающихся атомов.

Z •С, Z, 2'? R, R_p

S

Jp

• — соответственно длина пути и проективный пробег первичной частицы в веществе.
• — коэффициент распыления поверхности ускоренными ионами.
• — плотность тока первичного ионного пучка.

АЗП — анализатор с задерживающим полем.

АЦЗ — анализатор типа «цилиндрическое зеркало».

ВИЭ — вторичная ионная эмиссия.

ВИМС — вторичная ионная масс-спектрометрия.

ГКР — гигантское комбинационное рассеяние.

ДМЭ — дифракция медленных электронов.

ДОБЭ — дифракция отраженных быстрых электронов.

ДЭНЭ — дифракция электронов низкой энергии.

ИП — ионная пушка.

КПО — коллективные поверхностные осцилляции (электронов).

КОЧ — коэффициент относительной чувствительности.

КЭЧ — коэффициент элементной чувствительности.

ЛКТР — линейная каскадная теория распыления.

МА — масс-анализатор (масс анализ).

МДП — молекулярно-динамическое приближение.

МРС — модель разрыва связей.

МЭО — модели электронного обмена.

НИИЯФ ТПУ — научно-исследовательский институт ядерной физики при Томском политехническом университете.

ИНС ИС ИЭ ИЭ ВИЭ ОДЗ ОП ПВА ПИМ ПП ппс ПСА ПЭМ РФА РФЭС РМИ.

• — ионно-нейтрализационная спектроскопия.
• — изотопическое смещение.
• — изотопический эффект.
• — изотопический эффект во вторичной ионной эмиссии.
• — область допустимых значений.
• — объемные плазмоны.
• — первично выбитые атомы.
• — полевой ионный микроскоп.
• — поверхностные плазмоны.
• — приближение парных столкновений.
• — полусферический анализатор.
• — полевой электронный микроскоп.
• — рентгеновский фазовый анализ.
• — рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия.
• — рассеяние медленных электронов.
• — резерфордовское обратное рассеяние.

POP.

РЭМ СБИС СВВ смви СИР стс сэи сяо ТДС тдп тис тс тсд тсгв тэм тээ УФЭС эго эмсви ЭМСВИ УР ЭОС ЭСВА эсви ЭА эго эп яо ээм.

• — растровая электронная микроскопия.
• — сверхбольшие интегральные схемы.
• — сверхвысокий вакуум.
• — спектр масс вторичных ионов.
• — спектроскопия ионного рассеяния.
• — сверхтонкая структура.
• — силы электрического изображения.
• — спектроскопия ядер отдачи.
• — термодесорбционная спектроскопия.
• — термодинамический подход.
• — тонкопленочная система.
• — тонкая структура.
• — термостимулированная десорбция.
• — термостимулированное газовыделение.
• — туннельный электронный микроскоп.
• — термоэлектронная эмиссия.
• — ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия.
• — электронография на отражение.
• — энерго-масс-спекгрометрия вторичных ионов.
• — энерго-масс-спектрометрия вторичных ионов с угловым разрешением.
• — электронная оже-спектроскопия.
• — энергетические спектры вторичных атомов (синоним ЭРВА — энергетические распределения вторичных атомов).
• — энергетические спектры вторичных ионов (синоним ЭРВИ — энергетические распределения вторичных ионов).
• — энергоанализатор.
• — электронография на отражение.
• — электронная пушка.
• — ядра отдачи.
• — электронно-эмиссионная микроскопия.