Пленки в форме полуплоскости Несплошные пленки
Удельная электропроводность, обусловленная первыми двумя механизмами, согласно теории Фукса и Зондхаймера выражается через удельную объемную проводимость а0, толщину d, среднюю длину Г свободного пробега электрона, вероятность р зеркального отражения электрона от поверхности пленки, число п электронов проводимости на единицу объема и среднюю скорость v электрона на поверхности Ферми. Согласно… Читать ещё >
Пленки в форме полуплоскости Несплошные пленки (реферат, курсовая, диплом, контрольная)
Пусть г — линейный размер зерна пленки, /° — расстояние между зернами, заполненное диэлектриком, образованным предварительным быстрым окислением. При наложении электрического поля проводимость осуществляется туннелированием электронов от зерна к зерну. Для слабых электрических полей высота потенциального барьера, в предположении прямоугольное™ его формы, аппроксимируется работой выхода (р электронов из металла.
(е2 Л
Исходная удельная электропроводность ан пленки выражается согласно известной формуле.
ехр——— определяет количество электронов, преодолевающих барьер;
^ erkT)
e, h, m — постоянные, характеризующие электрон. Тогда исходная удельная электропроводность определится как.
Из формулы (3.5) следует, что сопротивление несплошной металлической пленки будет непрерывно возрастать с течением времени.
Сплошные пленки. В сплошных ноликристаллических металлических пленках электрическое сопротивление обусловлено действием трех механизмов:
- 1) изотропного рассеяния на фононах и точечных дефектах;
- 2) рассеяния на внешних поверхностях и на дислокациях;
- 3) рассеяния на границах зерен.
Удельная электропроводность, обусловленная первыми двумя механизмами, согласно теории Фукса и Зондхаймера выражается через удельную объемную проводимость а0, толщину d, среднюю длину Г свободного пробега электрона, вероятность р зеркального отражения электрона от поверхности пленки, число п электронов проводимости на единицу объема и среднюю скорость v электрона на поверхности Ферми. Согласно данным К. А. Чопры1 зависимость имеет вид.
1 Чопра К. А. Электрические явления в тонких пленках / пер. с англ, под ред. Т. Д Шермергора. М.: Мир, 1972.
- 1 См.: Физика тонких пленок. Т. 6.
- 2 Ермолаев Л. А., Мочалов А. И., Чистяков Ю. Д. Пленочные резисторы и их применение // Сб. научных трудов, но проблемам микроэлектроники (Химическая серия). М.: МИЭТ, 1972. Вып. XI. С. 144−160.
- 3 Берри Р. у Холл Гаррис М. Тонкопленочная технология / пер. с англ. М.: Энергия, 1972.
Рис. 3.6. Исходная топология одиночной прямоугольной полоски,
лежащей на подложке.