Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Нелинейно-оптическая диагностика материалов микроэлектроники

Диссертация: Нелинейно-оптическая диагностика материалов микроэлектроники
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

При исследовании фазового перехода ферромагнетик-парамагнетик в тонких пленках манганата Ьао^Сао.зМпОз обнаружен эффект гигантского фотиндуцированного магнетосопротивленияпоказано, что электрические г и оптические свойства этих пленок зависят от структуры, а частности, для эпитаксиальной пленки с трехмерной кристаллизацией порог возникловения фотоиндуцированных эффектов по интенсивности лазерного… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Базовый формализм и экспериментальные методики исследования генерации второй гармоники
    • 1. 1. Феноменологическое описание параметров оптической второй гармоники (нелинейной поляризации, поля ВГ)
      • 1. 1. 1. Роль симметрии среды, учет поверхности
      • 1. 1. 2. Анизотропия квадратичной нелинейной поляризации
      • 1. 1. 3. Формализм функции Грина описания генерации ВГ
    • 1. 2. Экспериментальные методики исследования поверхности, границ раздела и тонких пленок, основанные на явлении генерации второй оптической гармоники
      • 1. 2. 1. Азимутальная анизотропия и поляризационные измерения
      • 1. 2. 2. Спектроскопия оптической второй гармоники
      • 1. 2. 3. Гипер-рэлеевское рассеяние
      • 1. 2. 4. Микроскопия ГВГ
      • 1. 2. 5. Интерферометрия оптической второй гармоники
        • 1. 2. 5. 1. Активная интерферометрия ВГ
        • 1. 2. 5. 2. Пассивная интерферометрия ВГ
      • 1. 2. 6. Гармоники высоких порядков
      • 1. 2. 7. Методика «накачки-пробы» для исследования нелинейно-оптических процессов с временным разрешением
      • 1. 2. 8. Системы регистрации и лазерные источники
  • Глава 2. Генерация второй гармоники в сегнетоэлектрических материалах
    • 2. 1. Исследование микрокристаллической структуры керамических и текстурированных сегнетоэлектрических пленок
      • 2. 1. 1. Некогерентный сигнал (на примере пленок Pbx (ZrTi)03)
    • X. 2.1.2. Симметрийный анализ (на примере эпитаксиальных пленок
  • РЬТЮз)
    • 2. 2. Нелинейно-оптическая диагностика состояния поляризации в сегнетоэлектрических пленках
      • 2. 2. 1. Электроиндуцироваане эффекты при ГВГ в пленках ЦТС
      • 2. 2. 2. Микроскопия ГВГ для диагностики состояния поляризации
      • 2. 2. 3. Сопоставление данных нелинейно-оптического анализа с другими методиками
      • 2. 3. Исследование динамики переключения поляризации в тонких сегнетоэлектрических пленках
      • 2. 3. 1. Переключение сегнетоэлектрической поляризации в наносекуидиом режиме как основа функционирования современных элементов памяти и модуляторов
      • 2. 3. 2. Переключение сегнетоэлектрической поляризации в наносекундном режиме
  • Глава 3. Генерация второй гармоники в тонких органических пленках
    • 3. 1. Структура и нелинейно-оптические свойства ленгмюровских пленок С6о
      • 3. 1. 1. Особенности формирования пленок фуллеренов, оптические и нелинейно-оптические свойства
      • 3. 1. 2. Инетрферометрия ВГ для исследования пленок модифицированных фуллеренов
      • 3. 1. 3. Гипер-рэлеевское рассеяние в пленках фуллеренов
    • 3. 2. Самоорганизующиеся мономолекулярные слои на поверхности металлов
      • 3. 2. 1. Формирование самоорганизующихся моиомолекулярных слоев и их свойства
      • 3. 2. 2. Особенности нелинейно-оптического отклика в монослоях, сформированных па поверхности металла
      • 3. 2. 3. Экспериментальное исследование олиготиофепов с различным числом тиофеновых колец N и размерные эффекты в самоорганизующихся мономолекулярных слоях
  • Глава 4. Генерация оптических гармоник при отражении от поверхности кремния и
  • Л^ МОП-структур
    • 4. 1. Феноменологическое описание электроиндуцированиых оптических гармоник в МОП-структурах
      • 4. 1. 1. Нелинейная поляризация и поле ВГ
      • 4. 1. 2. Распределение электростатического поля внутри полупроводника
      • 4. 1. 3. Зависимость интенсивности гармоник от приложенного напряжения: влияние параметров полупроводника
      • 4. 1. 4. ЭОГ с учетом фотоипдуцированных процессов (нелинейно-оптическая фотомодуляция (НОФМ))
    • 4. 2. Экспериментальное исследование оптических гармоник при отражении от поверхности кремния и МОП-структур
      • 4. 2. 1. ВГ в МОП-структуре: зависимости от приложенного напряжения и спектроскопия
      • 4. 2. 2. Электромодулированная вторая гармоника (ЭВГ): влияние частоты модуляции и приложенного напряжения, спектроскопия ЭВГ
      • 4. 2. 3. Исследование электроиндуцированных эффектов при генерации оптических гармоник высоких порядков
    • 4. 3. Нелинейно-оптическая методика бесконтактного определения поверхностного потенциала термоокисленного кремния

    § 4.4. Нелинейно-оптическая методика бесконтактного определения пространственного распределения поверхностного потенциала и плотности поверхностных состояний на основе фотомодуляцни второй гармоники (ФМВГ).

    4.4.1. Экспериментальные зависимости интенсивности ВГ от приложенного напряжения в условиях фотомодуляции.

    4.4.2. Измерение параметров МОП-структуры.

    Глава 5. Исследование структурных фазовых переходов.

    § 5.1. Сегнетоэлектрический фазовый переход в пленках ЦТС.

    § 5.2. Структурные фазовые переходы.

    5.2.1. Поверхностный фазовый переход: общие подходы.

    5.2.1.1. Поле ВГ на упорядоченной поверхности: переход порядок-порядок (реконструкция).

    5.2.1.2. Поле ВГ на несоразмерной поверхности: переход соразмерная/несоразмерная поверхность.

    5.2.1.3. ВГ на неупорядоченной поверхности, переход порядок-беспорядок.

    5.2.1.4. Изменение параметров ВГ при поверхностных фазовых переходах первого и второго рода.

    5.2.2. Экспериментальное исследование поверхностных и приповерхностных фазовых переходов.

    5.2.2.1. Приповерхностный фазовый переход в кристалле SrTi03(l 10).

    5.2.2.2. Фазовый переход в поверхностном слое (на границе раздела металл/жидкость).

    5.2.2.3. Фазовый переход в электроосажденном эпитаксиальном слое.

    § 5.3 Исследование фазового перехода типа металл-изолятор и парамагнетик-ферромагнетик.

    5.3.1.Экспериментальное исследование фотоиндуцированпого фазового перехода в пленках LCMO.

    5.3.2.Механизм возникновения магнитоиндуцированпой ВГ и ее связь с фазовым переходом.

    Глава 6. Исследование наноструктур.

    § 6.1 Сегнетоэлектрическне наноструюуры.

    6.1.1 Сегнетоэлектрическне наноструюуры на основе пористого кремния. .213 6.1.2. Сегнетоэлектрическне наноструктуры на основе пористого оксида алюминия.

    § 6.2 Композитные наноструктуры.

    6.2.1 Композитные наноструктуры с отрицательным дифференциальным сопротивлением: структура, электрические свойства.

    6.2.2 Эффекты оптического усиления в наноструктурах, состоящих из металлических наночастиц.

    6.2.3 Экспериментальное исследование генерации ВГ в мультислоях Cu/Cu20.

    6.2.4 Результаты моделирование оптических свойств мультислоев Cu/Cu20.

    § 6.3 Полупроводниковые наноструюуры.

    6.3.1 Полупроводниковые наноструюуры на основе кремния.

    6.3.2 Экспериментальное исследование периодических квантовых ям Si/Si02.

    6.3.3 Эффекты размерного квантования в периодических квантовых ямах Si/Si02.

Нелинейно-оптическая диагностика материалов микроэлектроники (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

где Ё (со) напряженность электрического поля волны накачки, а второе слагаемое определяет отклик среды на удвоенной частоте. Поляризация среды зависит не только от напряженности величины Ё (со), но и от величины Так возникает градиента разложение электрического поляЁ (со). нелинейной поляризации по мультнполям: Pi2(o) Pi2(o) P (2(o) Первое слагаемое в этом выражении представляет собой (1.2) дипольную поляризацию, описанную в формуле (1.1), второе описывает квадрупольную поляризацию: P (2(o)=:xЁ{(o)ЧЁ ((iy). При этом каждое последующее слагаемое в выражениях (1.1) и (1.2) много меньше предыдущего. Для оценки дипольных восприимчнвостей можно пользоваться соотношениями х1/а/, Х (1/а/)" Х (1/-а/)" где напряженность внутриатомного поля, для квадрупольных z (о)Ж" «» где г боровский радиус. Л, — длина волны основной частоты. Именно для дипольного отклика справедливы оценки (Т* эффективности процесса среды генерации х ВГ, приведенные выше. Для центроснмметричной нелинейная поляризация является квадрупольной, поэтому эффективность ГВГ падает еще на 6 8 порядков. Все сказанное выше относилось к объему: среда рассматривалась как однородная центроснмметрнчпая (или нецентроснмметрнчная) в бесконечной области пространства.

Введение

границы пртщипиально меняет симметрию, поскольку у нескольких вдоль приповерхностных к слоев элементарная ячейка во деформирована нормали поверхности вследствие различия взаимодействии с внешними (со стороны поверхности) и внутренними (со стороны объема) атомами. Особенно интересной с точки зрения ГВГ является граница центроснмметричной (в объеме) среды. Объем центроснмметричной среды описывается квадрупольной поляризацией, а приповерхностные слои дипольной поляризацией Р (2со) Р" - (2со) х" Дю)(со), (1.3) поскольку онп являются областью с нарушенной инверсией. Это означает, что для такой среды объемная ГВГ является относительно слабой, а поверхностная относительно сильной (в пересчете на единицу объема среды). Если учесть, что объемы, которые описываются поверхностной (дипольной) вещества восприимчивостью и объемной (квадрупольной), также отличаются на несколько порядков, то сигналы от объема и поверхности оказываются сравнимыми, поэтому ста1ювится возможной диагностика приповерхностного слоя толщиной в несколько периодов кристаллической рещетки (1−5 нм). Суммарная нелинейно-оптическая поляризация при этом записывается в виде P (2ш) P+PЧ2ю) x£(co)£(ю) xадV£(co). Необходимо (электрического учесть, что под поля, действием поля внешних (1.4) факторов и магнитного механических напряжений) центросимметричная среда теряет центр инверсии. В этом случае в нелинейной поляризации среды появляется днпольпый вклад, определяемый нелинейными процессами более высоких порядков (с Е обобщенным полем): Р (2сй, Н) РxS?(co)?((u)). (1.5) «v из Другой практически важный случай связан с диагностикой тонких пленок. Если на подложку из центросимметрнчного материала нанести тонкую пленку нецентроснмметричных молекул, упакованных также пецентросимметрнчным образом, то определяющим будет днпольпый вклад от пленки: Р2сй) х (со)?(сй). (1.6) При этом становится возможной (объемная) диагностика сверхтонких пенок. При уменьшении толщины пленки до монослоя различие между объемом и поверхностью предыдущему. Для квадрупольной пленки на квадрупольной подложке оба объемных вклада, и от пленки (а), и от подложки (Р), одного порядка, так же как и вклады от границ.

Основные результаты и выводы работы состоят в следующем: I. Разработаны самосогласованные процедуры расчета нелинейно-оптического отклика для некоторых типов слоистой среды, которые могут быть применены для решения обратных задач по восстановлению параметров этих сред. Построены модели, описывающие нелинейно-оптические процессы, включая процессы, индуцированные внешним воздействием и представляющие практическую ценность в технологических процессах (нагрев, наложение постоянного электрического и магнитного поля, химическая обработка поверхности и т. п.). Рассмотрены, в частности, следующие системы:

1. самоорганизующийся монослой (СОМ) органических молекул на поверхности металла, для которого учтены симметрия слоя, диполь-диполыюе взаимодействие молекул слоя, а также их взаимодействие с подложкойлинейные и нелинейно-оптические свойства учитываются самосогласованно;

2. мультислойная система, состоящая из пар полупроводник/композит, причем последний является системой металлических наночастиц, внедренных в матрицу полупроводникалинейные и нелинейно-оптические свойства мультислойной системы учитываются самосогласованнодля композита при расчете восприимчивостей используется обобщенная модель Максвелла-Гарнетта, при расчете оптического отклика учитывается многолучевая интерференция волн накачки и ВГ.

3. МОП-струкгура,.

II. Разработаны методики нелинейно-оптической диагностики сегнетоэлектри-ческих материалов, использующихся для создания элементов сегнетоэлектри-ческих запоминающих устройствопределить пределы чувствительности методики при использовании лазерных источников и приемников излучения различных типовна основе разработанных методик измерены параметры исследуемых материалов:

1. разработана методика ГВГ диагностики структуры топких эпитаксиальных сегнетоэлектрических пленках, которая по чувствительности, пространственному разрешению и точности сравнима или превосходит применяемые в настоящее время методики реитгеноструктурного анализав частности чувствительность методики к определению разупорядочеиности микрокристаллитов составляет 0.5°- к определению доли микрокристаллитов неосновной ориентации — 0.02.

2. разработан нелинейно-оптический микроскоп изображения, позволяющий получать нелинейно-оптические изображения пленок, а также локальные петли гистерезиса второй гармоники, на основе которых рассчитываются локальные петли диэлектрического гистерезисапространственное разрешение микроскопа составляет 0.4 мкм;

3. разработана методика ГВГ диагностики динамики переключения сегнетоэлектрической поляризациина основе которой показана возможность переключения сегнетоэлектрической поляризации в тонких (50 нм) пленках БСТ в квазилинейном режиме с постоянной времени порядка 1 не (это означает, что пленки БСТ могут быть использованы в качестве материала электро-оптического модулятора, который обеспечивает модуляцию оптического сигнала с частотой 1 ГГц).

III. Разработана методика нелинейно-оптической диагностики тонких органических плепок как материалов молекулярной электроники, имеющих перспективы применения для создания молекулярных устройств, таких как молекулярные транзисторы, органические светоизлучателина основе разработанных методик измерены параметры исследуемых материалов:

1. разработана методика совместной активной и пассивной интерферометрии, на основе которой получены нелинейные восприимчивости ленгмюровских пленок фуллеренов и модифицированных фуллеренов, включая монослоипоказана необходимость и достаточность интерферометрических нелинейно-оптических измерений при исследовании нелинейно-оптического отклика самоорганизующихся монослоев (СОМ) на металлической подложке,.

2. разработана методика гипер-рэлеевского рассеяния исследования структуры тонких неоднородных пленок, на основе которой измерены параметры неоднородностей ленгмюровских пленок фуллеренов и модифицированных фуллеренов, включая монослои;

IV. Разработана методика нелинейно-оптической диагностики наноструктур различного типа (сегнетоэлектрических, полупроводниковых, композитных) — на основе разработанных методик измерены параметры исследуемых материалов: 1. разработана методика определения фазового состояния наноструктур, сформированных в пористых мембранах, на основе исследования зависимостей параметров ВГ от угла падения и угла рассеянияпоказано, что ЦТС кристаллизуется из прекурсора в сегнетоэлектрической фазе в порах размером до 100 нм, при уменьшении размера происходит лишь частичная кристаллизация в сегнетофазе с одновременным образованием аморфной фазы;

2 разработана экспериментальная методика совместных линейных и нелинейно-оптических исследований композитных мультислойных наноструктур для использования в технологическом процессе для контроля за их формированиемна основе этой методики рассчитаны эффективная нелинейная восприимчивость структур, коэффициента отражения и интенсивности ВГ в зависимости от чиста слоев.

V. Разработаны методика нелинейно-оптической диагностики параметров Р МОП-структурна основе разработанных методик измерены параметры исследуемых материалов:.

1. Обнаружен и исследован эффект нелинейно-оптической фотомодуляции в МОП-структурах на основе кремния, предложено феноменологическое описание этого эффекта;

2. На основе эффекта нелинейно-оптической фотомодуляции предложен метод измерения потенциала плоских зон, а также плотности поверхностных состояний и поверхностного потенциала;

3. Обнаружены электроидуцированные эффекты при генерации гармоник высоких порядков, разработана методика совместного исследования МОП структур гармониками 2-го, 3-го и 4-го порядков, которая позволяет, основываясь на различном механизме фотоидуцированных эффектов в этих гармоников и различной глубине проникновения волн гармоник позволяет.

Л проводить профилирование области пространственного заряда ИОПструткуры.

VI. Исследованы возможности метода ГВГ для исследования структурных фазовых переходов, в частности поверхностных фазовых переходов, а также исследованы фазовые переходы в функциональных материалах (сегнетоэлектрических пленках, пленках, обладающих переходом металл-диэлектрик и колоссальным магнетосопротивлением).

1. экспериментально обнаружен приповерхностный структурный фазовый переход в кристалле титаната стронция с температурой, превышающей на 45 градусов температуру Кюри для фазового перехода в объеме кристалла;

2. при исследовании фазового перехода ферромагнетик-парамагнетик в тонких пленках манганата Ьао^Сао.зМпОз обнаружен эффект гигантского фотиндуцированного магнетосопротивленияпоказано, что электрические г и оптические свойства этих пленок зависят от структуры, а частности, для эпитаксиальной пленки с трехмерной кристаллизацией порог возникловения фотоиндуцированных эффектов по интенсивности лазерного излучения 1пор существенно ниже, чем у пленок с послойным нанесением, у последних при К 1пор и Т<�Тс зависимость интенсивности ВГ от температуры описывается степенной функцией с критической экспонентой Р=0.34±-0.05.

Заключение

.

Общим итогом работы является разработка экспериментальных и теоретических основ нелинейно-оптической диагностики материалов микро-, нанои оптоэлектроники, а также разработка индустриально-применимых методик определения параметров материалов и структур электроники.

Показать весь текст

Список литературы

  1. , Н., Нелинейная оптика. М.: Мир, 1966.
  2. Bloembergen, N.- Chang, R.K.- Jha, S.S.- Lee, C.H., Optical second-harmonic generation in reflection from media with inversion symmetry, Phys. Rev., 1968, v. 174, p. 813.
  3. Ахманов, C. A- Хохолов P.B., Проблемы нелинейной оптики. М., 1964.
  4. Jha, S.S.- Bloembergen, N., Nonlinear Optical susceptibilities in group-IV and III-V semiconductors, Phys. Rev., 1968, v. 171, p. 891.
  5. The International Technology Roadmap for Semiconductors, Semiconductor Industry Association (SIA), San Jose, 1999.
  6. Optical metrology roadmap for the semiconductor, optical, and data storage industries, Ed. Duparre, A.- Singh, В., Proceedings of SPIE, 2001, v. 4449.
  7. Herman I., Optical diagnostics for thin film processing, Academic Press, 1996, 783 P
  8. Tom, H. W. K.- Heinz, T. F.- Shen, Y. R., Second-harmonic reflection from silicon surfaces and its relation to structural symmetry, Phys. Rev. Lett. 1983, v. 51, p. 1983.
  9. , O.A.- Мишина, Е.Д.- Нелинейное электроотражение в германии и кремнии, ДАН СССР, 1984, т. 274, с. 62.
  10. Downer, М.- Dadap, J. Lowell, J. К., Characterization of an external silicon interface using optical second harmonic generation, US Patent No. 5 557 409, 1996.
  11. Some, D.I.- Reinhorn, S.- Almogy, G., Laser scanning wafer inspection using nonlinear optical phenomena, US Patent Application, No. 20 020 109 110, 2002.
  12. Technology roadmap for nanoelectronics, European Commission, 1ST programme, 2004, www.cordis.lu.
  13. Matsuura, D.- Kanemitsu, Y.- Kushida, Т.- White C. W.- Budai, J. D.- Meldrum, A., Optical characterization of CdS nanocrystals in A1203 matrices fabricated by ion-beam synthesis, Appl. Phys. Lett. 2000, v. 77, p. 2289.
  14. Lee, M. W.- Twu, H. Z.- Chen, C.-C.- Chen, C.-H., Optical characterization ofwurtzite gallium nitride nanowires, Appl. Phys. Lett., 2001, v. 79, p. 3693.
  15. Dai, L.- Chen, X. L.- Zhang, X. N.- Jin, A. Z.- Zhou, Т.- Ни, B. Q.- Zhang Z., Growth and optical characterization of Ga203 nanobelts and nanosheets, J. Appl. Phys. 2002, v. 92, p. 1062.
  16. Kirilyuk, A.- Rasing, Th.- Doudin, В.- Ansermet, J.-Ph., Nonlinear magneto-optical response of Co/Cu multilayered nanowires, J. Appl. Phys., 1997, v. 81, p. 4723.
  17. Murzina, T.V.- Kravets, F.F.- Misuryaev, T.V.- Aktsipetrov, O. A, Second harmonic generation studies of magnetic nanogranular films exhibiting giant magnetoresistance, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng., 2003, v. 5221, c. 41.
  18. Beermann, J.- Bozhevolnyi, S. I.- Coello, V., Second-harmonic far-field microscopy of random metal nanostructures, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng., 2003, v. 5118, p. 530.
  19. Bergman, J.G., Molecular mechanics of the ferroelectric to paraelectric phase transition in LiNb03 via optical second harmonic generation, С hem. Phys. Lett., 1976, v. 38, p. 230.
  20. , С.Ю.- Веневцев, НЛО., Метод исследования генерации второй гармоники в микроскопических монокристаллах и его применение к сегнетоэлектрикам BaTi03 и КЫЪОз, Кристаллография, 1975, т. 20, с. 475.
  21. , О.А.- Апухтина, С.А.- Никулин, А.А.- Воротилов, К.А.- Мишина, Е.Д.- Сигов, А.С., Генерация отраженной второй гармоники и фазовый переход в тонких сегнетоэлектрических пленках, Письма в ЖЭТФ, 1991, v. 54, р. 562.
  22. Gopalan, V.- Raj, R., Domain structure and phase transitions in epitaxial КМЮз thin films studied by in situ second harmonic generation measurements, Appl. Phys. Lett. 1996, v. 68, p. 1323.
  23. Barad, V.- Lettieri, J.- Theis, C.D.- Schlom, D.G.- Jiang, J.C.- Pan X.Q., Probing domain microstructure in ferroelectric Bi4Ti30i2 thin films by optical second harmonic generation, J. Appl. Phys. 2001, v. 89, p. 1387.
  24. , С. К.- Heinz, Т. F.- Rieard, D.- Shen, Y. R., Detection of molecular monolayers by optical second-harmonic generation, Phys. Rev. Lett., 1981, v. 46, p.1010.
  25. Heinz, T. F.- Chen, С. K.- Ricard, D.- Shen, Y. R., Spectroscopy of molecular monolayers by resonant second-harmonic generation, Phys. Rev. Lett., 1982, v. 48, p. 478.
  26. , О.А.- Ахмедиев, H.H.- Мишина, Е.Д.- Новак, В.Р., Генерация второй гармоники в ленгмюровском монослое, Письма в ЖЭТФ, 37, 175 (1983).
  27. Kumagai, К.- Sakamoto, К.- Usami, К.- Arafune, R.- Nakabayashi, Y.- Ushioda, S., Molecular orientation of liquid crystal monolayers on polyimide films exposed to linearly polarized UV light, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 1999, v. 38, p. 3615.
  28. Rasing Th.- Shen, Y. R., Orientation of surfactant molecules at a liquid-air interface measured by optical second-harmonic generation, Phys. Rev. A, 1985, v. 31, p. 537.
  29. Eisert, F.- Dannenberger, O.- Buck, M., Molecular orientation determined by second-harmonic generation: Self-assembled monolayers, Phys. Rev. B, 1998, v. 58, p. 10 860.
  30. Czubatyj, W.- Ovshinsky, S. R.- Strand, D. A.- Klersy, P.- Kostylev, S.- Pashmakov, В., Composite memory material comprising a mixture of phase-change memory material and dielectric material, US Patenet No 5 825 046, 1998.
  31. Wicker, G.C., Nonvolatile high-density high-performance phase-change memory, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng., 1999, v. 3891, p. 2.
  32. Bruneau, J. M.- Bechevet, В.- Valon, В.- Armand, M. F., Optical properties of phase-change materials for optical recording, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng., 1997, v. 3109, p. 42.
  33. Heinz, Т. F.- Loy, M. M. Т.- Thompson, W. A., Study of Si (l 11) surfaces by optical second-harmonic generation: Reconstruction and surface phase transformation, Phys. Rev. Lett., 1985, v. 54, p. 63.
  34. Lim, D.- Downer, M. C.- Ekerdt, J. G.- Arzate, N.- Mendoza, B. S.- Gavrilenko, V. I.- Wu, R. Q.- Optical Second Harmonic Spectroscopy of Boron-Reconstructed Si (OOl), Phys. Rev. Lett., 2000, v. 84, p. 3406.
  35. Tang, Y.- Simpson, L. J.- Furtak, Т. E., Ag (lll) surface reconstruction studied by optical second-harmonic generation, Phys. Rev. Lett. 1991, v. 67, No. 20, p. 2814.
  36. Rasing, Th.- Shen, Y. R.- Kim, M. W.- Grubb, S., Observation of molecular reorientation at a two-dimensional-liquid phase transition, Phys. Rev. Lett. 1985, v. 55, p. 2903.
  37. Lin, S.- Meech, S. R., Orientational phase transitions in merocyanine monolayers on acidic aqueous subphases, Langmuir, 2000, v. 16, p. 2893.
  38. Aktsipetrov, O. A.- Misuryaev, Т. V.- Murzina, Т. V.- Blinov, L. M.- Fridkin, V. M.- Palto, S. P., Optical sccond-harmonic generation probe of two-dimensional ferro-electricity, Optics Lett., 2000, v. 25, p. 411.
  39. M. Straub, R. Vollmer, and J. Kirschner, Surface magnetism of ultrathin y-Fe films investigated by nonlinear magneto-optical Kerr effect, Phys. Rev. Lett., 1996, v. 77, p. 743.
  40. Aktsipetrov, O.A., Nonlinear magneto-optics in magnetic nanoparticles, Colloids and Surf. A, 2002, v. 202, p. 165.
  41. Шен, И.Р., Принципы нелинейной оптики, пер. с англ., М., Наука, 1989, 561 стр.
  42. Armstrong J.A., Bloembergen N., Ducuing J., Pershan P. S., Interactions between light waves in a nonlinear dielectric, Phys. Rev., 1962. v. 127. p. 1918.
  43. Guyot-Sionnest, P.- Shen Y.R., Bulk contribution in surface second-harmonic generation, Phys. Rev. В, 1988. v.38. p. 7985.
  44. Govorkov, S. V- Emel’yanov, V.I.- Koroteev, N.I.- Petrov G.I.- Shumay, I.L.- Yakovlev V.V., Inhomogeneous deformation of silicon surface layers probed by second-harmonic generation in reflection, J. Opt. Soc. Am. B, 1989, v. 6, p. 1117.
  45. Bagchi A., Barrera R.G., Rajagopal A.K. Perturbative approach to the calculation of the electric field near a metal surface, Phys. Rev. B, 1979, v. 20, p.4824.
  46. Goldstein, H., Classical Mechanics, Cambrige, Addison-Wesley Press, 1970.
  47. , О.А.- Баранова, И.М.- Есиков, Д.А.- Кулюк, Jl.Jl.- Мишина, Е.Д.- Струмбан, Э.В.- Цицану, В.И.- Рацеев, С.А., Нелинейно-оптический отклик поверхности в центросимметричных полупроводниках, ДАН СССР, 1987, т. 294, е.
  48. , А.А.- Петухов, А.В., Гигантская вторая гармоника на поверхности металла: флуктуационный механизм диффузности и деполяризации излучения, ДАН СССР, 1989, с. 87−91.
  49. Aktsipetrov, О.А.- Keller, О.- Pedersen, К.- Nikulin, A.A.- Novikova, N.N., Fedyanin, А.А., Surface-enhmaced second-harmonic generation in C6o-coated silver island films, Phys. Lett. A, 1993, v. 179, p. 149.
  50. Борн, M- Вольф, Э, Основы оптики, M., Наука, Мир, 1973, 856 с.
  51. Maker, P.D.- Terhune, R.W.- Nisenoff, М.- Savage, С.М., Effects of dispersion and focusing on the production of optical harmonics, Phys. Rev. Lett. 1962, v. 8, p. 21.
  52. Yeganeh, M. S.- Qi, J.- Culver, J. P.- Yodh, A. G.- Tamargo, M. C., Interference in reflected second-harmonic generation from thin nonlinear films, Phys. Rev. B, 1992, v. 46, p. 1603.
  53. Clays, K.- Persoons, A., Hyper-Rayleigh scattering in solution, Phys. Rev. Lett., 1991, v. 66, 2980.
  54. , О.А.- Воротилов, К.А.- Климкин, Д.А.- Мишина, Е.Д.- Никулин, А.А.- Сигов, А.С.- Федяшш, А.А.- Девиллерс, М.А.С.- Расинг, Т., Генерация второй оптической гармоники в тонких пленках сегнетоэлектрической керамики, ФТТ, 1996, т. 38, с. 3101.
  55. Aktsipetrov, О.А.- Fedyanin, A.A.- Klimkin, D.A.- Nikulin, A.A.- Mishina, E.D.- Sigov, A.S.- Vorotilov, К.А.- Devillers, M.A.C.- Rasing, Th., Optical second harmonic generation studies of thin ferroelectrics films, Ferroelectrics, 1997, v. 190, p. 143.
  56. Vorotilov, K.A.- Yanovskaya, M.I.- Dorohova, O.A., Integrated Ferroelectrics, 1993, v. 3, p. 33.
  57. A.B., Лалетин P.А., Бурханов А. И., Сигов A.C., Воротилов K.A. Микросистемная техника, № 4, с. 16 (2002).
  58. Bottomley, D. J.- Lupke, G.- Mihaychuk, J.G.- Van Driel, H.M., Determination of the crystallographic orientation of cubic media to high resolution using optical harmonic generation, J. Appl. Phys. 1993, v. 74, p. 6072.
  59. G.G. Malliaras, H.A. Wierenga, Th. Rasing, Study of the step structure of vicinal Si (110) surfaces using optical second harmonic generation, Surf. Sci., 1993, v. 287/288, p. A413.
  60. Hollering R.W.J.- Barmentlo, M., Symmetry analysis of vicinal (111) surfaces by optical second-harmonic generation, Optics Comm. 1992, v. 88, p. 141.
  61. M. Klee, A. De Veirman, P. Van De Weijer, U. Mackens, H. Van Hal. Philips J. Res. 1993, v. 47, p. 263.
  62. Kolb, G.- Salbert, Th.- Abstreiter, G., Raman-microprobe study of stress and crystal orientation in laser-crystallized silicon, J. Appl. Phys., 1991, v. 69, p. 3387.
  63. Sreenivas, K.- Bjormander, C.- Grishin, A.M.- Rao, K.V., Ferroelectric properties of epitaxial PbTi03/YBa2Cu3075/SrTi03 thin film heterostructure, Microelectronic
  64. Engineering, 1995, v. 29, p. 119.
  65. Biirgel, A.- Kleemann, W.- Bianchi, U.- Optical second-harmonic generation at interfaces of ferroelectric nanoregions in SrSi03: Ca, Phys. Rev. В 1996, v. 53, p. 5222−5230.
  66. Warren, W.L.- Al-Shareef, H.N.- Dimos, D.- Tuttle, B.A.- Pike G. E, Driving force behind voltage shifts in ferroelectric materials, Appl. Phys. Lett. 1996, v. 68, p.1681.
  67. Uesu, Y.- Kurimura, S.- Yamamoto Y., Optical second harmonic images of 90° domain structure in ВаТЮз and periodically inverted antiparallel domains in LiTa03, Appl. Phys. Lett. 1995, v. 66, p. 2165.
  68. Kirilyuk, V- Kirilyuk, A, — Rasing, Th., A combined nonlinear and linear magneto-optical microscopy, Appl. Phys. Lett. 1997, v. 70, p. 2306.
  69. Е.Д., Шерспок Н. Э., Воротилов К. А., Певцов Е. Ф., Сигов А. С., Расинг Т. Микроскопия второй оптической гармоники для локальной диагностики состояния поляризации в тонких пленках ЦТС, Микроэлектроника, 2001, т.ЗО, с. 446.
  70. М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы (пер. с английского под ред. В. В. Леманова и Г. А. Смоленского), М., Мир, 1981.
  71. Burmistrova P.V., Sigov A.S., Vasiliev A.L., Vorotilov K.A. and Zhigalina O.M. Effect of Lead Content on the Microstructure and Electrical Properties of So-Gel PZT Thin Films. Ferroelectric^, 2002, vol. 271, pp. 51−56.
  72. , T.P.- Исаков, Д.В.- Ивлев- Процессы поляризации кристаллов ниобата-стронция в импульсных полях- ФТТ, 2003, т. 45, № 8, с. 1463.
  73. A.R.- Composition-control of magnetron-sputter-deposited (Ba^Sri^)Tii+>03+z thin films for voltage tunable devices, Appl. Phys. Lett., 2000, v. 76, p. 625.
  74. Li, S.- Eastman, J. A.- Vetrone, J. M.- M. Foster, C.- Newnham, R. E.- Cross, L. E., Dimension and Size Effects in Ferroelectrics, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 1997, v. 36, p. 5169.
  75. Chang, W.- Gilmore, С. M.- Kim, W.-J.- Pond, J. M.- Kirchoefer, S. W.- Qadri, S.
  76. B.- Chirsey, D. В., Influence of strain on microwave dielectric properties of (Ba, Sr) Ti03 thin films, J. Appl. Phys., 2000, v. 87, 3044.
  77. Kavalerov, V.- Fujii, Т.- Inoue, M., Observation of highly nonlinear surface-acoustic waves on single crystal lithium-niobate plates by means of an optical sampling probe, J. Appl. Phys., 2000, v. 87, p. 907.
  78. Heinz, T. F.- Chen, С. K.- Ricard, D.- Y. R. Shen, Optical second-harmonic generation from a monolayer of centrosymmetric molecules adsorbed on silver, Chem. Phys. Lett., 1981, v. 83, p. 180.
  79. Richmond G. L., Surface second-harmonic generation from sulfate ions adsorbed on silver electrodes, Chem. Phys. Lett., 1984, v. 106, p. 26.
  80. , Т. Т.- Von Raben, K. U.- Murphy D. V.- Chang, R. K.- Laube, B. L., Surface enhanced Raman scattering and second-harmonic generation from CN*лcomplexes and SO «4 on Ag electrodes during oxidation-reduction cycles, Surf. Sci., 1984, v. 143, p. 369.
  81. , O.A.- Бартенев, В.Я.- Мишина, Е.Д.- Петухов, А.В., Гигантское комбинационное рассеяние и генерация второй гармоники на поверхности. Квантовая электроника, 1983, т. 10, с. 1113.
  82. Murphy, D. V.- Von Raben, К. U.- Chen, Т. Т.- Owen, J. F.- Chang, R. K.- Laube, B. L. Surface enhanced second-harmonic generation from Ag electrodes and adsorbates during electrochemical cycling, Surf. Sci., 1983, v. 124, No. 2−3, p. 529.
  83. Heinz, T. F.- Tom, H. W. K.- Shen, Y. R., Determination of molecular orientation of monolayer adsorbates by optical second-harmonic generation, Phys. Rev. A, 1983, v. 28, p. 1883.
  84. , O.A.- Ахмедиев, H.H.- Баранова, И.М.- Мишина, Е.Д.- Новак В. Р., Исследование структуры пленок Ленгмюра-Блоджетг методом генерации второй гармоники, ЖЭТФ, 1985, т. 89, с. 911.
  85. Vuillaume, D.- Lenfant S., The metal/organic monolayer interface in molecular electronic devices, Microelectr. Eng., 2003, v. 70, p. 539.
  86. Pearson, C.- Moore, A. J.- Gibson, J. E.- Bryce, M. R.- Petty, M. C., A field effect transistor based on Langmuir-Blodgett films of an Ni (dmit)2 charge transfer complex, Thin Solid Films, 1994, v. 244, p. 932.
  87. Paloheimo, J.- Kuivalainen, P.- Stubb, H.- Vuorimaa, E.- Yli-Lahti, P.,
  88. Molecular field-effect transistors using conducting polymer Langmuir-Blodgett films, Appl. Phys. Lett. 1990, v. 56, p. 1157.
  89. Khanarian, G.- Langmuir-Blodgett films and non-linear optics, Thin Solid Films, 1987, v. 152, No. 1−2, p. 265.
  90. Han, K.- Lu, X.- Xu, J.- Ma, S.- Wang, W., Second harmonic generation investigation on molecular orientation in Langmuir-Blodgett films poled by an electric field, Optics Commun. 1998, v. 152, No. 4−6, p. 371.
  91. Kroto, H.W., Heath, J.R., O’Brien, S.C., Curl, R.F.- Smalley, R.E., C60: Buckminsterfullerene, Nature, 1985, v. 318, p. 162.
  92. Murayama, H.- Fullerene as a Practical Material for Commercial Usage, In «Technical Proceedings of the 2004 Nanotechnology Conference and Trade Show», 2003, Boston, Computational Publications, v.3, p.334.106. http://www.sesres.com/Fullerenes.asp
  93. Cheetham A.K.- Grubstein, P. S.H.- Nanomaterials and vanture capital (Market report) — Nanotoday, No. 12,2003.
  94. Информационный бюллетень ПЕРСТ, 2002, № 2 (10), см. также http://perst.isssph.kiae.ru/Inform/perst/2002/210/perst.htm
  95. Al-Mohamad, A., Allaf, A. W., Fullerene-60 thin films for electronic applications, Synthetic Metals, 1999, v. 104, p. 39.
  96. Koehler, M.- Roman, L. S.- Inganas, O.- Da Luz, M. G. E.- Space-charge-limited bipolar currents in polymer-Сбо diodes, J. Appl. Phys., 2002, v. 92, p. 5575.
  97. Shimada, Т.- Koma, A., Electron spectroscopy of C6o thin film FET structures, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 2002, v. 41, p. 2724.
  98. Cheng, H.-C.- Hong, W.-K.-. Tarntair, F.-G- Chen, K.-J.- Lin, J.-B.- Chen, K.-H.- Chen, L.-C., Integration of thin film transistor controlled carbon nanotubes for field emission devices, Electrochem. Solid-State Lett. 2001, v. 4, p. H5.
  99. Li, G. Z.- Peng, J.- Minami, N., Electroluminescence of fullerene C6o-doped poly (methyl methacrylate), J. of Luminescence, 2001, v. 93, p. 173.
  100. Koopmans, В.- Janner, A.-M.- Jonkman, H. Т.- Sawatzky, G. A.- Van der Woude, F., Strong bulk magnetic dipole induced second-harmonic generation from C60, Phys. Rev. Lett., 1993, v. 71, p. 3569.
  101. Liu, Y.- Jiang, H.- Wang, W.- Li, Y.- Zheng, J., Second-harmonic signal through the orientational phase transition in fullerene films, Phys. Rev. B, 1994, v. 50, p. 4940.
  102. Wilk, D.- Johannsmann, D.- Stanners, C.- Shen, Y. R., Second-harmonic generation from C60 thin films at 1.064 pm, Phys. Rev. B, 1995, v. 51, p. 10 057.
  103. Williams, G.- Moore, A. J.- Bryce, M. R.- Lvov Y. M.- Petty M. C., Langmuir-Blodgett films of the fullerenes C70 and C60, Synth. Met., 1993, v. 56, p. 2955.
  104. Berzina, T. S.- Troitsky, V. I.- N eilands, О. Y a.- S udmale I. V.- N icolini С., Deposition of uniform fullerene films by LB technique, Thin Solid Films, 1995, v. 256, p. 186.
  105. Zhu, D.- Zhu, C.- Xu, Y.- Long, C., Liu, Y.- Han, M.- Yao, Y.- Zhao X.- Xia, X., Langmuir-Blodgett films of fullerene derivatives, Thin Solid Films, 1996, v. 284−285, p. 102.
  106. Wang, P.- Metzger R. M.- Chen, В., Stable monolayers of fullerene derivatives, Thin Solid Films, 1998, v. 327−329, p. 96.
  107. Mishina, E.D.- Misuryaev, T.V.- Nikulin, A.A.- Novak, V.R.- Rasing, Th.- Aktsipetrov, O.A., Hyper-Rayleigh scattering from Langmuir films оf Сбо and its derivatives, J. Opt. Soc. Am. B, 1999, v. 16, p. 1692.
  108. Guo, Z.- Li, Y.- Bai, F.- Yan, J.- Ge, Z.- Zhu, D.- Si, J.- Ye, P.- Wang, L.- Li Т., Langmuir-Blodgett films and optical second-harmonic generation of a crowned 60. fulleropyrrolidine, J. Phys. Chem. Sol., 2000, v. 61, p. 1089.
  109. Mirkin, C. A.- Caldwell W. В., Thin film, fullerene-based materials, Tetrahedron, 1996, v. 52, p. 5113.
  110. , G. В.- Yakovenko, S. A.- Yurova, Т. V.- Khanin V. V.- Soldatov E. S., Effect of compression of a stearic acid monolayer on interfacial binding of copper ions and cluster formation, Supramolecular Sci, 1997, v. 4, No. 3−4, p. 349.
  111. Aviran, A.- Rathner, M.A., Molecular rectifiers, Chem. Phys. Lett. 1974, v. 29, p. 277.
  112. Lee, I.- Lee, J.W.- Greenbaum, E., Biomolecular Electronics: Vectorial Arrays of Photosynthetic Reaction Centers, Phys. Rev. Lett. 1997, v. 79, p. 3294.
  113. Gamier, F.- Hajlaoui, R.- Yassar, A. P., Srivastava, All-polymer field-eefect transistor realized by printing technique, Science, 1994, v. 265, p. l684.
  114. Eisert, F.- Dannenberg, O.- Buck, M., Molecular orientation determined by second-harmonic generation: Self-assembled monolayers, Phys. Rev. B, 1998 v. 58, p. 10 860.
  115. Rebentrost, F., Second-harmonic generation and Effect of adsorbates for free-electron metal and semiconductor surfaces, Progress in Surf. Sci. 1995, v. 48, p. 71.
  116. A.V. Petuhov, On the origin of surface second harmonic anisotropy on Ag (lll) at low frequencies, Surf. Sci. 1996, v. 347, p. 143.
  117. Ishida, H.- Petukhov, A. V.- Leibsh, A.- Surface anisotropy in optical second harmonic generation II. Embedding approach to Al (lll) and vicinal Al (001) surfaces, Surf. Sci., 1995, v. 340, p.l.
  118. Yamamoto, M.- Kinoshita, M.- Kakiuchi, Т.- Structure of the Pt (ll Illiquid interface: a first-principles:RHNC calculation, Electrochim. Acta, 2000, v. 46, p.165.
  119. Ye, P.-Y.-R Shen- Local-field effect on linear and nonlinear optical properties of adsorbed molecules, Phys. Rev. B, 1983, v. 28, No. 4, p. 4288.
  120. W. Bagchi, R. G. Barrera, and R. Fuchs, Local field effects in optical reflectance adsorbed overlayers, Phys. Rev. B, 1982, v. 25, p. 7086.
  121. Vernbandt, Y.- Thienpont, H.- Veretennicoff, I.- Rikken, G.L.J., Optical response of conjugated polymers, Phys. Rev. В 1993, v. 48, p. 8651.
  122. Geiger, F., Marowsky, G., Optical second-harmonic generation from oligothio-phene films, Chem. Phys. Lett. 1996, v. 254, p. 179.
  123. Sundholm, D.- Rizzo, A.- Jorgensen, P., Multiconfiguration self-consistent field quadratic response calculations of the two-photon transition probability rate constants for argon, J. Chem. Phys., 1994, v. 101, p. 4931.
  124. F. Kouki, P. Spearman, P. Valat, G. Horowitz, F. Gamier, Experimental determination of excitonic levels in a-oligothiophenes, J. Chem. Phys., 2000, v. 113, p. 385.
  125. Z. Xu, Y. Dong, Probing the dielectric property of organic molecules at solid-liquid interfaces using reflection second harmonic generation, Surf. Sci. 2000, v. 445, p. L65.
  126. Van Overstraeten R.J., Declerck G.J., Muls P.A., IEEE Trans. Electron. Devices, 1973, v. ED-20, No.12, p. l 154−1158.
  127. Зи C.M. Физика полупроводниковых приборов. Пер. с англ. М.: Мир, 1984. 456 с.
  128. , Е.Н.- Головин, С.В.- Изв. Вузов. Электроника, 1998, № 4, с. 95.
  129. С. G., Brattain W. Н. Physical theory of semiconductor surfaces. Phys.Rev. 1955, v.99, No 2, p. 376.
  130. Karmalkar S., Bhatt K.N. The shifted-rectangle approximation for simplifying the analysis of ion-implanted MOSFETs and MESFETs, Sol. St. Electron., 1991, v. 34.р.681.
  131. Е.Н., Борисов С. Н., Леженин В. П., Лукин С. В. Экспесс-метод контроля зарядовых свойств иоино-легированных структур металл-окисел-полупроводник, Письма в ЖТФ, 2000, т.26, No. 21, с. 76.
  132. Terman L.M. An investigation of surface states at a silicon/silicon oxide interface employing metal-oxide-silicon diodes, Sol. St. Electron., 1962, v. 5, p. 285.
  133. Groeseneken G., Maes H.E., Beltran N., De Keersmaecker R.F. A reliable approach to charge-pumping measurements in MOS transistor, IEEE Trans, on Elect. Dev, 1984, v. ED-31,No. l, p. 42.
  134. Winokur P. S., Schwank J.R., Mcwhorter P.J., Dressendorfer P.V., Turpin D.C. Correlating and radiation response of MOS capacitors and transistors, IEEE Trans, on Nucl. Sci., 1984, v. NS-31. No 6, p. 1453.
  135. Characterization Methods for Submicron MOSFETS (Kluwer International Series in Engineering and Computer Science, 352) by H. Haddara (Editor), Kluwer Academic Publisher, 1996.
  136. Jajatissa A. H., Yamaguchi Т., Nasu M., Aoyama M. Spectroscopic ellipsometry of SIMOX (Separation by implanted oxygen): thickness distribution of buried oxide and optical properties of top-Si layer. Jpn. J. Appl. Phys., 1977, v.36, p. 2581.
  137. Sohgawa M., Agata M., Kanashima Т., Yamashita K., Eriguchi K., Fujimoto A., Okuyama M. Nondestructive and contactless monitoring technique of Si surface stress by photoreflectance. Jpn. J. Appl. Phys. 2001, v. 40, p. 2844.
  138. Aspnes D. E. Third-derivative modulation spectroscopy with low-field electroreflectance. Surf. Sci., 1973, v. 37, p. 418.
  139. Agata M., Eada H., Maida O., Eriguchi K., Fujimoto A., Kanashima Т., Okuyama M., Optical characterization of gate oxide charging damage by photoreflectance spectroscopy, Jpn. J. Appl. Phys., 2000, v.39, p. 2040.
  140. Downer- M. Dadap, J. I., Lowell- J. K., Characterization of an external silicon interface using optical second harmonic generation, United States Patent 5 557 409 (1996).
  141. Momoze, H.S.- Nigam, Т.- Yoshitomi, Т.- Ohguro, Т.- Nakamura, A.- Saito, M.- Iwai, H- 1.5 nm direct-tunneling gate oxide Si MOSFET’s. IEEE Trans. Electron. Dev., 1996, v. ED-43, p. 1233−1242.
  142. Farmer, K. R.- Andersson, M. O.- Engstrom, O., Tunnel electron induced charge generation in very thin silicon oxide dielectrics, Appl. Phys. Lett., 1991, v.58, No. 23, p. 2666.
  143. Mihaychuk, J. G.- Shamir, N.- Van Driel, H. M.- Multiphoton photoemission and electric-field-induced optical second-harmonic generation as probes of charge transfer across the Si/Si02 interface. Phys. Rev. B, 1999, v. 59, p. 2164−2173.
  144. Shamir, N.- Mihaychuk, J. G.- Van Driel, H. M.- Trapping and detrapping of electrons photoinjected from silicon to ultrathin Si02 overlayers. I. In vacuum and in the presence of ambient oxygen, J. Appl. Phys, 2000, v. 88, p.896.
  145. Aktsipetrov, О.A.- Fedyanin, A.A.- Mishina, E.D.- Rubtsov, A.N.- Van Hasselt, C.W.- Devillers, M.A.C.- Rasing, Th., Dc-electric-field-induced second-harmonic generation in Si (l 11)-Si02-Cr MOS structures. Phys. Rev. B, 1996, v. 54, p. 1825.
  146. Aktsipetrov, O.A.- Fedyanin, A.A.- Mishina, E.D.- Rubtsov, A.N.- Van Hasselt, C.W.- Devillers, M.A.C.- Rasing, Th., Probing the silicon-silicon oxide interface of Si (l 11)-Si02-Cr MOS structures by dc-electric-field-induced Second Harmonic
  147. Generation, Surf. Sci., 1996, v. 352−354, p. 1033.
  148. R.W. Kempf, P.T. Wilson, E.D. Mishina, O.A. Aktsipetrov, M.C. Downer. Third and fourth harmonic generation at Si-SiC>2 interfaces and in Si-Si02-Cr MOS structures. Appl. Phys. B, 68, 325 (1999).
  149. Lee, Y.-S.- Anderson, M.H.- Downer, M.C., Fourth-harmonic generation at a crystalline GaAs (OOl) surface, Opt. Lett., 1997, v. 22, p. 973.
  150. Lee Y.-S.- Downer, M.C., Reflected fourth-harmonic radiation from a centrosym-metric crystal, Opt. Lett., 1998, v. 23, p. 918.
  151. Nicollian E.H. and Brews J.R. MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology. Wiley New-York, 1982. — P.576.
  152. Kingston, R.H.- Neustadter, S.F., Calculation of the space charge, electric field, and free carrier concentration at the surface of a semiconductor, J. Appl. Phys. -1955, v.26, p.718.
  153. Dadap, J. I.- Wilson, P. Т.- Anderson, M. H.- Downer, M. С.- Тег Веек, M., Femtosecond carrier-induced screening of dc electric-field-induced second-harmonic generation at the Si (001)-Si02 interface, Opt. Lett., 1997, v. 22, p. 901.
  154. Kronik, L.- Shapira, Y., Surface photovoltage phenomena: theory, experiment, and applications, Surf. Sci. Reports, 1999, v. 37, p. 1.
  155. H. Ltith: Surfaces and Interfaces of Solids (Springer, Berlin) 2nd ed., 1993
  156. J.I. Dadap, Z. Xu, X.F. Hu, M.C. Downer, N.M. Russelt, J.G. Ekerdt, O.A. Aktsipetrov: Second-harmonic spectroscopy of a Si (001) surface during calibrated variations in temperature and hydrogen coverage, Phys. Rev. B, 1997, v. 56, p. 13 367.
  157. Vardeny, Z.- Strait, J.- Pfost, D.- Tauc, J.- Abeles, В., Picosecond photoinduced transmission associated with deep traps in phosphorus-doped a-Si: H, Phys. Rev. Lett., 1982, v. 48, p. 1132.
  158. W. Daum, H- J. Krause, U. Reichel, and H. I bach, I dentification о f strained silicon layers at Si-Si02 interfaces and clean Si surfaces by nonlinear optical spectroscopy, Phys. Rev. Lett. 1993, v. 71, p. 1234.
  159. D. Lim, M. C. Downer, and J. G. Ekerdt, Second-harmonie spectroscopy of bulk boron-doped Si (001), Appl. Phys. Lett. 2000, v. 77, p. 181.
  160. Y. Jiang, P. T. Wilson, M. C. Downer, C. W. White, and S. P. Withrow, Optical second-harmonic spectra of Si (001) with H and Ge adatoms: First-principles theory and experiment, Appl. Phys. Lett. 2001, v. 78, p. 766.
  161. E.D.Mishina, N. Tanimura, S. Nakabayashi, O.A. Aktsipetrov, M. Downer, Pohotomodulated second harmonic generation at silicon-silicon oxide interface: from modeling to aplication, Jap. J. Appl. Phys. 2003, v. 42, Parti, Noll, p. 6731.
  162. M.Cardona: Modulation spectroscopy, (Academic Press, NY, 1969).
  163. Aktsipetrov, O. A.- Fedyanin, A. A.- Golovkina, V. N.- Murzina, Т. V., Optical second-harmonic generation induced by a dc electric field at the Si-Si02 interface, Opt. Lett. 1994, v. 19, p. 1450.
  164. Ohlhoff, C.- Lupke, G.- Meyer, C.- Kurz, H., Static and high-frequency electric fields in silicon MOS and MS structures probed by optical second-harmonic generation, Phys. Rev. B, 1997, v. 55, p. 4596.
  165. Справочник по лазерам, ред. Прохоров A.M., M. Советское радио, 1978.
  166. Berkovic, G.- Shen, Y.R.- Marowsky, G.- Steinhoff, R., Interference between second-harmonic generation from a substrate and from an adsorbate layer, J. Opt.
  167. Soc. Am. В, 1989, v. 6, p. 205.
  168. Rasing, Th.- Priem, A.- Van Hasselt, C. W.- Devillers, M. A. C., In situ characterization of Si02 etching with second harmonic generation and ellipsometry, Surface Science, 1996, v. 352−354, p. 612.
  169. Liipke, G., Characterization of semiconductor interfaces by second-harmonic generation, Surf. Scie. Report, 1999, v. 35, p. 75.
  170. О.А., Апухтина C.B., Никулин А. А., Воротилов K.A., Мишина, Е.Д. Сигов. А.С.- Генерация отраженной второй гармоники и фазовый переход в тонких сегнетоэлектрических пленках- Письма в ЖЭТФ, 1991, т. 54, с. 563.
  171. Shank, С. V.- Yen, R.- Hirlimann, S., Femtosecond-time-resolved surface structural dynamics of optically excited silicon, Phys. Rev. Lett., 1983, v. 51, p. 900.
  172. Kolb, D.M., Structure studies of metal electrodes by in-situ scanning tunneling microscopy, Electrochem. Acta, 2000, v. 45, p. 2387.
  173. E. Bauer. In Structure and Dynamics of Surfaces II (Ed. W. Schommers, P. Von Blanckenhagen), Springer-Verlag, Berlin, 1985, p. 115−179.
  174. Etgens, V.H.- Alves, M.C.M.- Tadjeddine, A., In situ surface X-ray diffraction studies of electrochemical interfaces at a high-energy third-generation synchrotron facility, Electrochim Acta, 1999, v. 45, p. 591.
  175. E.D.Mishina, A.I. Morosov, Th. Rasing, Q.-K. Yu, S. Nakabayashi, Nonlinear optics for surface phase transitions, Appl. Phys. B, 2002, v. 74, p. 765.
  176. Mishina, E.- Ohta, N.- Yu, Q.-K.- Nakabayashi, S., Dynamics of surface reconstruction and electrodeposition studied in-situ by second harmonic generation, Surf. Sci., 2001, v. 494, p. L748.
  177. Dadap, J. I.- Doris, В.- Deng, Q.- Downer, M. C.- Lowell, J. K.- Diebold, A. C., Randomly oriented Angstrom-scale microroughness at the Si (100)/Si02 interface probed by optical second harmonic generation, Appl. Phys. Lett., 1994, v. 64, p. 2139.
  178. , А.П.- Милюков, С. А.- ФТТ, 1983, т. 25, с. 2617.
  179. Persson, В. N. J., Surf. Sci. Report, Ordered structures and phase transitions in adsorbed layers, 1992, v. 15, p. 1.
  180. Bewick, M. Flieshman, H.R. Tsirsk, Trans. Farad. Soc., 1962, v. 58, p. 2200.
  181. Varela, F.E.- Grassa, L.M.- Vilche, J.R., Kinetics and mechanism of the electroreduction of anodic layers formed on lead in 5 M H2SO4 at 25 °C, Electrochim. Acta, 1992, v. 37, p. 1119.
  182. Dzhavakhidze, P.G.- Kornyshev, A.A.- Liebsch, A.- Urbakh, M., Theory of second-harmonic generation at the metal-electrolyte interface, Phys. Rev. В 1992, v. 45, p. 9339.
  183. , B.B.- Гриднев, C.A.- Ухии, E.B., Низкочастотные упругие свойства, динамика доменов и спонтанное кручение в области ферроэластического фазового перехода, ФТТ, 2001, т. 44, с. 1106.
  184. Mirlad, S.- Pettinger, В.- Lipkowski, J.- Sulfate adsorption at Au (l 11) electrodes: an optical second harmonic generation study, Surf. Sci. 1995, v. 335, p. 264.
  185. Zei, M.S.- Scherson, D.A.- Lehmpfunh, G.- Kolb, D.M., The structure of H2S04 monolayers on Au (111), J. Electroanal. Chem., 1987, v. 229, p. 99.
  186. Giesen, M.- Kolb, D.M., Influence of anion adsorption on the step dynamics on Au (111) electrodes, Surf. Sci. 2000, v. 468, p. 149.
  187. Magnussen, O.M.- Hagebock, J.- Hotlos, J.- Behm, R.J., In-situ scanning-tunneling-microscopy observations of a disorder-order phase-transition, Faraday Discuss. 1992, v. 94, p.329.
  188. Z. Shi, J. Lipkowski, S. Mirwald, B. Pettinger, Electrochemical and secondлharmonic generation study of SO «4 adsorption at the Au (lll) electrode, J. Electroanal. Chem., 1995, v. 396, p. l 15.
  189. Koper, M. T.M.- Lukkien, J.J., Modeling the butterfly: the voltammetry of (VW 3) R30° and p (2×2) overlayers on (111) electrodes, J. Electroanal. Chem., 2000, v. 485, p. 161.
  190. M. Innocenti, S. Cattarin, M. Cavallini, F. Loglio and M. L. Foresti, Characterisation of thin films of CdS deposited on Ag (lll) by EC ALE. A morphological and photoelectrochemical investigation, J. Electroanal. Chem., 2002, v. 532, No. 1−2, p. 219.
  191. Niinisto, L., Atomic layer epitaxy, Current Opinion in Solid State and Materials Science, 1998, v. 3, No. 2, p. 147.
  192. Suggs, D.W.- Stickney, J.L.- Studies of the surface structures formed by the alternated electrodeposition of Cd and Те on the low-index planes of Au: II. STM studies, Surf. Sci., 1993, v. 290, No 3, p. 375−387.
  193. Schultze, J.W.- Dikkertmann, D., Potentiodynamic desorption spectra of metallic monolayers of Cu, Bi, Pb, Tl, and Sb adsorbed at (111), (100), and (110) planes of gold electrodes, Surf. Sci. 1976, v. 54, p. 489.
  194. T. Hachiya, H. Honbo, K. Itaya, Detailed underpotential deposition of copper on gold (III) in aqueous solutions, J. Electroanal. Chem., 1991, v.315, p. 275.
  195. J. Zhang, Y.-E. Sung, P. A. Rikvold, and A. Wieckowski, Underpotentialdeposition of Cu on Au (lll) in sulfate-containing electrolytes: A theoretical and experimental study, J. Chem. Phys., 1996, v. 104, p. 5699.
  196. Toney, M. F.- Howard, J. N.- Richer, J.- Borges, G. L.- Gordon, J. G.- Melroy O. R., Electrochemical deposition of copper on a gold electrode in sulfuric acid: resolution of the interfacial structure, Phys. Rev. Lett., 1995, v. 75, p. 4472.
  197. P.A. Rickvold, G. Brown, N.A. Novotny, A. Wieckowski, Colloids and Surfaces A, 1998, v. 134, p. 3.
  198. P.A.Rikvold, A.Wieckowski. In Thin Films and Phase Transitions on Surfaces, Ed. M. Michailov, Sofia, 1996.
  199. Von Helmolt, R.- Wecker, J.- Holzapfel, В.- Schultz, L.- Samwer, K., Giant negative magnetoresistance in perovskitelike La2/3Bai/3MnOx ferromagnetic films, Phys. Rev. Lett., 1993, v. 71, p. 2331.
  200. S. Jin, Т.Н. Tiefel, M. McCormack, R.A. Fastnacht, R. Ramesh, L.H. Chen, Thousandfold resistivity change in magnetoresistive La-Ca-Mn-0 films, Science, 1994, v. 264, p. 413.
  201. А.И. Абрамович, A.B. Мичурин, Колоссальное магнитосопротивление при комнатной температуре монокристалла Lai/3Ndi/3Sri/3Mn03, ФТТ, 2000, т. 42, с. 2052.
  202. Т. Nachtrab, S. Heim, М. MoCle, R. Kleiner, О. Waldmann, R. Koch, P. Muller, T. Kimura, Y. Tokura, Intrinsic spin valves in the layered manganite LaMSri.6Mn207 Phys. Rev. B, 2002, v. 65, p. 12 410.
  203. С. H. Ahn, J.-M. Triscone J. Mannhart, Electric field effect in correlated oxide systems, Nature, 2003, v. 424, p. 1015.
  204. Rao, G.H.- Sun, L.R.- Liang, J.K.- Zhou, W.Y.- Cheng, X.R., Giant magnetoresistance effect in bulk Lai/3Ndi/3Cai/3Mn03 at low field, Appl. Phys. Lett., 1996, v. 69, No. 3, p. 424.
  205. Moshnyaga, V.- Giske, A.- Samwer, K- Mishina, E.- Tamura, Т.- Nakabayashi, S.- Belenchuk, A.- Shapoval, O.- Kulyuk, L., Giant negative photoconductivity in La0.7Ca0.3MnO3 thin films, J. Appl. Phys., 2004, v. 95, p.7360.
  206. Moshnyaga, V.- Khoroshun, I.- Sidorenko, A.- Petrenko, P.- Weidinger, A.-
  207. Zeitler, M.- Rauschenbach, В.- Tidecks, R.- Samwer, K., Preparation of rare-earth manganite-oxide thin films by metalorganic aerosol deposition technique, Appl. Phys. Lett., 1999, v. 74, p. 2842.
  208. Moshnyaga, V.- Damaschke, В.- Shapoval, O.- Belenchuk, A.- Faupel, J.- Lebedev, О. I.- Verbeeck, J.- Van Tendeloo, G.- Miicksch, M.- Tsurkan, V.- Tidecks R.- Samwer, K., Nature Materials 2003, v. 2, No. 4, p.247.
  209. Kim, К. H.- Gu, J. Y.- Choi, H. S.- Park, G. W.- Noh, T. W., Frequency shifts of the internal phonon modes in La0.?Ca о .3Mn03, 1996, v. 77, No. 9, p.
  210. MitchellD, J. F.- Argyriou, N.- Jorgensen, J. D.- Hinks, D. G.- Potter, C. D.- Bader S. D., Charge derealization and structural response in layered Lai.2Sri.8Mn207: Enhanced distortion in the metallic regime, Phys. Rev. В 1997, v. 55, p. 63.
  211. Pan, R.-P.- Wei, H. D.- Shen, Y. R., Optical second-harmonic generation from magnetized surfaces, Phys. Rev. B, 1989, v. 39, p. 1229.
  212. Perebeinos, V.- Allen, P.B., Multiphonon resonant Raman scattering predicted in LaMn03 from the Franck-Condon process via self-trapped excitons, Phys. Rev. B, v. 64, p. 64, p. 85 118.
  213. Aktsipetrov O.A., Nonlinear magneto-optics in magnetic nanoparticles, Colloids and Surfaces A, 2002, v. 202, p. 165.
  214. Zhao, Y. G.- Li, J. J.- Shreekala, R.- Drew, H. D.- Chen, C. L.- Cao, W. L.- Lee, С. H.- Rajeswari, M.- Ogale, S. В.- Ramesh, R.- Baskaran, G.- Venkatesan, Т., Ultrafast laser induced conductive and resistive transients in Еа0.7Сао.зМпОз:
  215. Charge transfer and relaxation dynamics, Phys. Rev. Lett. 1998, v. 81, p. 1310.
  216. Lobad, A. I.- Taylor, A.J.- Kwon, C.- Trugman, S.A.- Gosnell T.R., Laser induced dynamic spectral weight transfer in La0.7Ca0.3MnO3, Chem. Phys. 2000, v. 251, p. 227.
  217. Liou, J.-C.- Lau, К. M.- Slow relaxation and electric field quenching of persistent conductivity in GaAs metal-semiconductor field-effect transistors with different buffer layer structures, Appl. Phys. Lett., 1987, v. 51, No. 24, p. 2010.
  218. Reed, M. A.- Honig A.- Luminescence excitation mechanisms in CdS from dependence of photoluminescence and thermoluminescence on persistent conductivity stored charge state, J. Luminescence, 1984, v. 31−32, Part 1, p. 415.
  219. Huhtinen, H.- Laiho, R.- Lahderanta, E.- Vlasenko, L. S.- Vlasenko, M. P.- Zakhvalinskii, V.S., Photoinduced formation of ferromagnetic clusters in Lao.9Cao.iMn03 thin films, Phys. Rev. В., 2000, v. 62, No. 17, p. 11 614
  220. Okimoto, Y.- Ogimoto, Y.- Matsubara, M.- Tomioka, Y.- Kageyama, Т.- Hasegawa, Т.- Koinuma, H.- Kawasaki, M.- Tokura, Y., Direct observation of photoinduced magnetization in a relaxor ferromagnet, Appl. Phys. Lett., 2002, v. 80, p. 1031.
  221. Fiebig, M.- Frohlich, D.- Lottermoser, Th.- Pavlov, V. V.- Pisarev, R.V.- Weber, H.-J- Second harmonic generation in the centrosymmetric antiferromagnet NiO, Phys. Rev. Lett., 2001, v. 87, p.137 202.
  222. Arovas, D.P.- Guinea, F- Some aspects of the phase diagram of double-exchange systems Phys. Rev. B, 1998, v. 58, No. 14, p. 9150.
  223. Berger, A.- Campillo, G.- Vivas, P.- Pearson, J. E.- Bader, S. D.- Baca, E.- Prieto, P.- Critical exponents of inhomogeneous ferromagnets, J. Appl. Phys., 2002, v. 91, p. 8393.
  224. Buessem, W.R.- Cross, L.E.- Goswami, A. K., J. Am. Ceram. Soc. Phenomenological theory of high permittivity in fine-grained barium titanate, 1966, v. 49, p. 33.
  225. Scott, J. F.- Pas de Araujo, C.A., Ferroelectric memories, Science, 1989, v. 246, p. 1400.
  226. Li, S.- Eastman, J.A.- Vetrone, J.M.- Fodter, C.M.- Newman, R.E.- Cross, L.E., Dimension and size effects in ferroelectrics, Jap. J. Appl. Phys. 1997, v. 36, p. 5169.
  227. Huang, H.- S un, С .Q.- T ianshu, Z.- H ing, P., G rain-size e ffect оn ferroelectric Pb (Zr!^Ti^)03 solid solutions induced by surface bond contraction, Phys. Rev. B, 2001, v. 63, p. l84112.
  228. Ducharme, S.- Palto, S.P.- Blinov, L.M.- Fridkin, V. M., Physics of two-dimensional ferroelectric polymers, AIP Conf. Proc., 2000, v. 535, p. 354.
  229. Chattopadhyay, S.- Ayyub, P.- Palkar, V.R.- Multani, M., Size-induced diffuse phase transition in the nanocrystalline ferroelectric PbTi03, Phys. Rev. B, 1995, v. 52, p. 13 177.
  230. J.C.Hulteen, C.R.Martin. In: Nanoparticles and Nanostructured Films (Ed. J.H.Fendler), Wiley-VCH, Weinheim, Germany, 1998, p. 235−260.
  231. , В.Г.- Курдюков, Д.А.- Медведев, A.B.- Певцов, А.Б.- Сорокин, JI.M.- Хатчисон, Дж., Структурные и фотонные свойства нанокомпозитов onan-GaN, ФТП, 2001, т. 35, с. 1376.
  232. , J.M.- Борисов, Б.Ф.- Черная, Е.В.- Шеляпин, А.В.- Нассар, М.М.- Кумзеров, Ю.А., Акустические исследования плавления и затвердевания галлия, введенного в матрицу опала, ФТТ, 2000, т. 42, с. 184.
  233. Vorotilov, K.A.- Yanovskaya, M.I.- Turevskaya, E.P.- Sigov, A.S., Sol-gel derived ferroelectric thin films: avenues for control of microstructural and electric properties, J. Sol-Gel Science and Technology, 1999, v. 16, p. 109.
  234. Btirgel, A.- Kleemann, W.- Bianchi, U., Optical second-harmonic generation at interfaces of ferroelectric nanoregions in SrSi03: Ca, Phys. Rev. B, 1996, v. 53, p. 5222.
  235. , A.H.- Тимошенко, В.Ю.- Окушн, X.- Ватанабе, X., Сравнительное исследование оптических свойств пористого кремния и оксидов SiO и Si02, ФТП, 1999, т. 33, с. 322.
  236. Pintilie, L.- Pintilie, I., Ferroelectrics: new wide-gap materials for UV detection, Mat. Sci. Eng. B, 2001, v. 80, p. 388.
  237. Chen, C.K.- Heinz, T.F.- Ricard, D.- Shen, Y.R., Surface-enhanced second-harmonic generation and Raman scattering, Phys. Rev. B, 1983, v. 27, p.1965.
  238. Chang, L.L.- Stiles, P.J.- Esaki, L.- Electron tunneling between a metal and a semiconductor: characteristics of Al-Al203-SnTe and -GeTe junctions, J. Appl. Phys., 1967, v. 38, p. 4440−4445.
  239. Esaki, L., New Phenomenon in Narrow Germanium p-n Junctions, Phys. Rev., 1958, v. 109, p. 603.
  240. Leonard F.- Tersoff, J., Negative differential resistance in nanotube devices, Phys. Rev. Lett., 2000, v. 85, p. 4767.
  241. Switzer, J. A.- Hung, C.-J.- Huang, L.-Y.- Switzer, E. R.- Kammier, D. R.- Golden, T. D.- Bohannan, E. W., Electrochemical self-assembly of copper/cuprous oxide layered nanostructures, J. Am. Chem. Soc., 1998, v. 120, p. 3530.
  242. Switzer, J. A.- Hung, C.-J.- Bohanman, E. W.- Shumsky, M. G.-Golden, T. D.- Van Aken, D.C., Electrodeposiaiotn of quantum-confinced metal/semiconductornanocomposites, Adv. Mater., 1997, v. 9, p. 334.
  243. Wang, D.-S.- Kerker, M., Enhanced Raman scattering by molecules adsorbed atthe surface of colloidal spheroids, Phys. Rev. B, 1981, v. 24, p. 1777.
  244. Wang, D.-S.- Kerker, M., Absorption and luminescence of dye-coated silver and gold particles, Phys. Rev. B, 1982, v. 25, p.2433.
  245. Wetzel H., Pettinger В., Wenning U., Surface-enhanced raman scattering from ethylenediaminetetraacetic-disodium salt and nitrate ions on silver electrodes, Chem. Phys. Lett., 1980, v. 75, p. 173.
  246. , O.A.- Мишина, Е.Д., Фотоактивация гигантской второй гармоники и гигантского комбинационного рассеяния, Письма в ЖЭТФ, 1983, т. 38, с. 422−426.
  247. О.А., Мишина Е. Д., Мурзина Т. В., Петухов А. В., Петухова А. Л., Механизм фотоактивации и закон Бунзена-Роско в гигантском комбинационном рассеянии и гигантской второй гармонике, Письма в ЖЭТФ, 1987, т. 45, с. 407−410.
  248. О.А., Мишина Е. Д., Мурзина Т. В., Петухов А. В., Петухова А. Л., Фотоактивация гигантского комбинационного рассеяния и гигантской второй гармоники, ЖЭТФ, 1988, т.84, с. 207−216.
  249. Peyser, L.A.- Vinson, А.Е.- Bartko, А.Р.- Dickson, R.M. Photoactivated fluorescence from individual silver nanoclusters, Science, 2001, v. 291, p. 103.
  250. Tominaga, J.- Mihalcea, C.- Buchel, D.- Fukuda, H.- Nakano, Т.- Atoda, N.- Fuj’i, H.- Kikukawa, Т., Local plasmon photonic transistor, Appl. Phys. Lett. 2001, v. 78, p. 2417.
  251. Mishina, E.D.- Nagai, K.- Barsky, D.- Nakabayashi, S., Optical properties of self-assembled Cu/Cu20 multilayered structure studied in-situ during deposition, Phys. Chem. Chem. Phys., 2002, v. 4, p. 127.
  252. E.D. Mishina, K. Nagai, S. Nakabayashi, Self-assembled Cu/Cu20 multilayers: deposition, structure and optical properties, Nano Letters, 1, 401 (2001).
  253. E. W. Bohannan., L.-Y. Huang, F.S. Miller, M.G. Shumsky, J.A. Switzer, In situ electrochemical quartz crystal microbalance study of potential oscillations duringthe electrodeposition of Cu/Cu20 layered nanostructures, Langmuir, 1999, v. 16, p. 813.
  254. D.W. Lynch., W.R. Hunter, in E. Palik., (ed.), Handbook of optical constants of solids I, Academic Press, San Diego, 1998.
  255. Wierenga, H.A.- Prins, M.W.J.- Rasing, Th., Magnetization-inducedoptical second-harmonic generation from magnetic multilayers, Physica B, 1995, v. 204, p. 281.
  256. Aktsipetrov, O.A.- Elyutin, P.V.- Nikulin, A.A.- Ostrovskaya, E.A., Size effects in optical second-harmonic generation by metallic nanocrystals and semiconductor quantum dots: The role of quantum chaotic dynamics, Phys. Rev. B, 1995, v. 51, p. 17 591.
  257. Bohren, C.F.- Huffman, D.R., Absorstion and Scattering of light by Small Particles, Willey, New York, 1983.
  258. Barber, P.W.- Chang, R.K.- Massoudi, H., Electrodynamic calculations of the surface-enhanced electric intensities on large Ag spheroids, Phys. Rev. B, 1983, v. 27, p. 7251.
  259. Tougaard, S.- Kraaer, J., Inelastic-electron-scattering cross sections for Si, Cu, Ag, Au, Ti, Fe, and Pd, Phys. Rev. B, 1991, 43, 1651.
  260. Sipe, J.E.- Boyd, R.W., Nonlinear susceptibility of composite optical materials in the Maxwell Garnett model, Phys. Rev. A, 1992, v. 46, p. 1614.
  261. Haus, J.W.- Kalyaniwalla, N.- Inguva, R.- Bloemer, M.- Bowden, C.M.- Nonlinear-optical properties of conductive spheroidal particle composites, J. Opt. Soc. Am. B, 1989, v. 6, p.797−807.
  262. Chandra, R.- Taneja, P.- Ayyub, P.- Optical properties of transparent nanocrystalline Cu20 thin films synthesized by high pressure gas sputtering Nanostructured Materials, 1999, v. 11, No. 4, p. 505−512.
  263. Iyer, S.S.- Xie, Y.-H., Light emission from silicon, Science 260,40 (1993)
  264. B.Abeles, T. Tiedje, Amorphous semiconductor superlattices, Phys. Rev. Lett., 1983, v. 51, p. 2003.
  265. E.A., Заяц A.B., Пудонин Ф. А., Спектр электронных состоянийв ультратонких аморфных сверхрешетках Si/Si02, ФТТ, 1991, т. 33, с. 197.
  266. Keller О., Lui A., Zayats A., Characterization of the linear optical properties of a multiple quantum well structure in the sheet-model approximation, Optics Commun. 1994, v. 110, p. 604.
  267. Zayats A.V.- Repeyev Yu.A.- Nicogosan D.N.- Vinogradov, E.A., Radiative recombination in short-period a-Si/Si02 superlattices, J. of Luminescence, 1992, v. 52, p. 335.
  268. Lockwood, D.J.- Lu, Z.H.- Baribeau, J.-M., Quantum confined luminescence in Si/Si02 superlattices, Phys. Rev. Let., 1996, v. 76, p. 539.
  269. Chemla, D.S.- Miller, D.A.B.- Smith, P.W.- in Semiconductors and Semimetals, V. 24, ed. R. Dingle, Academic Press, inc., 1989.
  270. Bottomley, D. J.- Lupke, G.- Ledgerwood, M. L.- Zhou, X. Q.- van Drie, H. M-. Second harmonic generation from SimGe» superlattices, Appl. Phys. Lett., 1993, v. 63, p. 2324.
  271. Fiore, A.- E. Rosencher, B. Vinter, D. Weill, and V. Berger, Second-order optical susceptibility of biased quantum wells in the interband regime, Phys. Rev. B, 1995, v. 51, p. 13 192.
  272. Bodlaki, D.- Freysz, E.- Borguet, E., Infrared second harmonic generation spectroscopy of Ge (l 11) interfaces, J. Chem. Phys., 2003, v. 119, p. 3958.
  273. , O.A.- Заяц, A.B.- Мишина, Е.Д.- Рубцов, А.Н.- Ионг, В.- Хассельт, К.- Девиллерс, А.- Расинг, Т., Генерация резонансной второй гармоники в периодических квантовых ямах Si/Si02, ЖЭТФ, 1996, т. 109, с. 1240.
  274. А.Ф., Пудонин Ф. А., Стопачинский В.Б., Crystallization of the Si-Si02 superlattices stimulated by a uniaxial periodic potential, Письма в ЖЭТ, 1987, т. 46, с. 443.
  275. Khurgin J., Coulomb enhancement of ultrafast nonlinearities in quantum-wellstructure, J. Opt. Soc. Am. B, 1992, v. 9, p. 157.
  276. Lu Z.H., Lockwood D.J., Baribeau J.-M., Quantum confined luminescence in Si/Si02 structures, Proceedings of 7-th International Conference on Modulated semiconductor Structures, Madrid, 1995, Wordbookl, p.312.
  277. J., Zavetova M., Кос S., On the role of hydrogen in a-Si, J. of Non-Crystalline Solids, 1980, v. 37, p. 15.
  278. Alay, J. L.- Vandervorst W., Model for the emission of Si+ ions during oxygen bombardment of Si (100) surfaces, Phys.Rev. В 1994, v. 50, p. 15 015.
  279. Moss, Т., Optical properties of semiconductors, Plenum, New-York, 1961.
  280. , В.И.- Самоорганизация упорядоченных дефектно-деформационных микро- и наноструктур на поверхности твердых тел под действием лазерного излучения- Квантовая электроника, 1999, т. 28, № 1, с. 218.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?