Химическое осаждение пленок нитрида и карбонитрида бора из паров летучих соединений бора
Диссертация
Гидрированные полупроводники — это новый класс аморфных полупроводниковых материалов, начало которым положено в середине семидесятых годов работами по гидрированному аморфному кремнию Sr. Il Оказалось, что при введении в аморфный кремний атомарного водорода, замыкающего на себя «болтающиеся» связи, свойства этого материала коренным образом изменяются: резко (на несколько порядков) уменьшается… Читать ещё >
Содержание
- 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
- 1. 1. Области применения и физико-химические свойства слоев нитрида и карбонитрида бора
- 1. 2. Методы характеризации фаз в системах В-Ы и В-С-Ы
- 1. 3. Процессы осаждения из газовой фазы, используемые для получения слоев нитрида и карбонитрида бора
- 1. 3. 1. Синтез пленок нитрида бора осаждением из газовой фазы в системах с боразином
- 1. 3. 2. Газофазные процессы осаждения слоев карбонитрида бора
- 1. 3. 3. Исследование термической стабильности слоев гидрированного нитрида бора
Список литературы
- Мильвидский М.Г., Уфимцев В. Б. Полупроводниковые материалы на современном этапе развития твердотельной электроники // Неорган, материалы. 2000. Т.36. N3. С.360−368.
- Мильвидский М.Г. Актуальные проблемы технологии и материаловедения полупроводников // Материаловедение. 1997. № 5. С.36−48.
- Kawaguchi М., Bartlett N. Syntheses, structure and intercalation chemistry of B/C/N materials based on the graphite network // Ed. Nakajima T. Fluorine-Carbon and FluorideCarbon Materials // Marcel Dekker, Inc. 1995. P. 187−238.
- Самсонов Г. В. Неметаллические нитриды. // M.: Металлургия. 1969.264с.
- Косолапова Т.Я. Карбиды // М.: Металлургия. 1968. 299с.
- Самсонов Г. В., Виницкий И. М. Тугоплавкие соединения // М.: Металлургия. 1976. 558с.
- Гнесин Г. Г. Бескислородные керамические материалы // Киев.: Техника. 1987. 152с.
- Лавренко В.А., Гогоци Ю. Г. Коррозия конструкционной керамики // М.: Металлургия. 1989. 200с.
- Турчанин А.Г., Турчанин М. А. Термодинамика тугоплавких соединений карбидов и карбонитридов //М.: Металлургия. 1991. 352с.
- Raj R. Fundamental research in structural ceramics for service near 2000 °C // J. Am. Ceram. Soc. 1993. V.76. N9. P.2147−2174.
- Батыгина Э.И., Батыгин B.H. Нитрид бора. Свойства и применение в электронике. // Обзоры по электронной технике. 1971. № 19 (320). 30с.
- Эльбор в машиностроении // под ред. Лысанова B.C. Лениниград.: Машиностроение. 1978. 280с.
- Голубев А.С., Курдюмов А. В., Пилянкевич А. Н., Нитрид бора. Структура, свойства, получение//Киев.: Наукова думка. 1987. 199с.
- Полиморфные модификации углерода и нитрида бора. // Справочник под ред. Курдюмова А. В., Малоголовеца В. Г., Новикова Н. В., Пилянкевича А. Н., Шульмана Л. А. М., Металлургия. 1994. 318с.
- Veprek S. The search for novel, superhard materials // J. Vac. Sci. Technol. 1999. V. A17. N5. P.2401−2420.
- Богатырева Г. П., Зусманов E.P., Котова H.B., Маевский В. М., Ройцин А. Б. Физические свойства нитрида бора под воздействием агрессивных сред //
- Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1997. № 10. С.99−109.
- Панасюк А.Д., Фоменко B.C., Глебова Г. Г. Стойкость неметаллических материалов в расплавах //Киев.: Наукова думка. 1986. 352с.
- Konyashin I., Bill J., Aldinger F. Plasma-assisted CVD of cubic boron nitride // Adv. Mater. Chem. Vap. Deposition. 1997. Y.3. N5. P.239−255.
- Davis R.F. Current status of the research on Ш-V mononitride thin films for electronic and optoelectronic application // Ed. Freer R. The Physics and Chemistry of Carbides, Nitrides andBorides. Series S: Applied Sciences. 1990. V.185. P.653−669.
- Edgar J.H. Prospects for device implementation of wide band gap semiconductors // J. Mater. Res. 1992. V.7. N1. P.235−252.
- Kapoor V.J., Skebe G.G. Boron nitride thin insulating films on GaAs compound semiconductors //Mat. Sci. Forum. 1990. V.54/55. P.353−374.
- Yamaguchi E. Thin film boron nitride for semiconductor application // Mat. Sci. Forum. 1990. V.54/55. P.329−352.
- Wentorf R.H. Cubic form of boron nitride // J.Chem. Phys. 1957. V.26. N4. P.956.
- Bundy F.P., Wentorf R.H. Direct transformation of hexagonal boron nitride to denser forms //J. Chem. Phys. 1963. V.38. N5. P. 1144−1149.
- Wentorf R.H. Synthesis of the Cubic Form of Boron Nitride // J. Chem. Phys. 1961. V.34. N3. P. 809−812.
- Wentorf R.H. Condensed system at high pressure and temperatures // J.Phys.Chem. 1959. V.63. Noll. P. 1934−1940.
- Corrigan F.R., Bundy F.P. Direct Transition among the allotropic forms of boron nitride at high pressures and temperatures // J. Chem. Phys. 1975. V.63. N9. P.3812−3820.
- Мазуренко A.M., Лысенко А. А. О граничных условиях и особенностях превращения гексагонального нитрида бора в кубический // Изв. Акад. Наук БССР, Сер. Физ.-мат. Наук. 1978. № 6. С. 108−110.
- Сирота Н.Н., Мазуренко A.M. Кинетика превращения графитоподобного нитрида бора в кубическую модификацию // ДАН СССР. 1978. Т.241. № 4. С.884−887.
- Сирота Н.Н., Кофман Н. А. Полиморфные а—(3 превращения нитрида бора // ДАН СССР. Т.249. № 6. С. 1346−1348.
- Верещагин Л.Ф., Гладкая И. С., Дубицкий Г. А., Слесарев В. Н. Синтез монокристаллов кубического нитрида бора в системах, содержащих водород // Изв. АН СССР. Неорган. Матер. 1979. Т. 15. № 2. С.256−259.
- Mishima О., Yamaoka S., Fukunaga О. Crystal growth of cubic boron nitride by temperature difference method at «55 kbar and *1800°C // J. Appl. Phys. 1987. V.61. P.2822−2825.
- Kagamida M., Kanda H., Akaishi M., Nukui A., T. Osawa T., Yamaoka S. Crystal growth of cubic boron nitride using U3BN2 solvent under high temperature and pressure // J. Cryst. Growth. 1989. V.94. P.261−269.
- Соложенко B.JI., Леонидов В .Я. К термодинамике превращения графитоподобной модификации нитрида бора в кубическую // ЖФХ. 1988. Т.62. N11. С.3145−3146.
- Соложенко В.Л. О фазовой диаграмме нитрида бора // ДАН СССР. 1988. Т.301. № 1. С.147−149.
- Соложенко В.Л., Чайковская И. Я., Соколов А. Н., Шульженко А. А. Термодинамические характеристики кубического нитрида бора в интервале 298−930К//ЖФХ. 1987. Т.61. № 3. С.801−803.
- Соложенко В.Л., Ячменев В. Е., Вильковский В. А., Соколов А. Н., Шульженко А. А. Теплоемкость и термодинамические функции монокристаллов кубического нитрида бора в интервале 4—300 К // ЖФХ. 1987. Т.61. № 10. С.2816−2818.
- Соложенко В.Л., Ячменев В. Е., Вильковский В. А., Петруша И. А. Теплоемкость и термодинамические функции поликристаллического кубического BN при 4 — 300 К //Изв. АН СССР. Неорган, матер. 1989. Т.25. № 1. С. 160−162.
- Соложенко В.Л., Чайковская И. Я., Петруша И. А. Термодинамические характеристики поликристаллического нитрида бора при 300-—1600К // Изв. АН СССР. Неорган.Матер. 1989. Т.25. № 10. С. 1672−1675.
- Лустерник В.Е., Соложенко В. Л. Теплоемкость и термодинамические функции монокристаллов сфалеритного нитрида бора в диапазоне 300—1100К // ЖФХ. 1992. Т.66. № 5. С. 1186−1191.
- Гавричев К.С., Горбунов В. Е., Соложенко В. Л., Тотрова Г. А., Голушина Л. Н. Теплоемкость и термодинамические функции ромбоэдрического BN при 15—ЗООК //ЖФХ. 1992. Т.66. № 10. С.2824−2828.
- Gavrichev K.S., Solozhenko V.L., Gorbunov V.E., Golushina L.N., Totrova G.A., Lazarev V.B. Low-temperature heat capacity and thermodynamic properties of four boron nitride modifications // Thermochim. Acta. 1993. V.217. P.77−89.
- Solozhenko V.L. Thermodynamics of dense boron nitride modifications and a new phase P, T diagram for BN // Thermochim. Acta 1993. V.218. P.221−227.
- Соложенко В.Л. Термодинамические характеристики графитоподобных модификаций нитрида бора в диапазоне 300−1700К // ЖФХ. 1993. Т.67. № 8. С. 1580−1582.
- Леонидов В. Я, Тимофеев И. В., Лазарев В. Б., Бочко A.B. Энтальпия образования вюрцитного нитрида бора // ЖНХ. 1988. Т.ЗЗ. N6. С.1597−1600.
- Леонидов В.Я., Тимофеев И. В., Соложенко В. Л., Родионов И. В. Энтальпия образования кубического нитрида бора // ЖФХ. 1987. Т.61. N10. С. 2851−2852.
- Леонидов В.Я., Тимофеев И. В., Соложенко В. Л. Калориметрия реакции с фтором в бомбе. Энтальпии образования графитоподобного, кубического и вюрцитного нитрида бора // Термодинамика химических соединений. Горький. 1988. С. 16−18.
- Solozhenko V.L., Turkevich V.Z. Thermoanalytical study of the polymorphic transformation of cubic into graphite-like boron nitride // J. Therm. Anal. 1992. V.38. P.1181−1188.
- Solozhenko V.L. Thermoanalytical study of the polymorphic transformations of wurtzitic boron nitride modification into graphite-like ones // J. Therm. Anal. 1995. V.44. N1. P.97−103.
- Solozhenko V.L., Will G., Hupen H., Elf F. Isothermal Compression of Rhombohedral Boron Nitride Up to 14 GPa // Solid State Commun. 1994. V.90. P. 65−67.
- Solozhenko V.L., Will G., Elf F. Isothermal compression of hexagonal graphite-like boron nitride up to 12 GPa // Solid State Commun. 1995. V.96. N1. P. 1−3.
- Solozhenko V.L., Hausermann D., Mezouar M., Kunz M. Equation of state of wurtzitic boron nitride to 66 GPa // Appl. Phys. Lett. 1998. V.72. N14. P. 1691−1693.
- Solozhenko V.L., Peun T. Compression ans thermal expansion of hexagonal graphite-like boron nitride up to 7 GPa and 1800 К // J. Phys. Chem. Solids. 1997. V.58. N9. P.1321−1323.
- Solozhenko V.L. Thermodynamics of dense boron nitride modifications and a new phase-P, T diagram for BN // Thermochim. Acta 1993. V.218. P.221−227.
- Solozhenko V.L. New concept of BN phase diagram: An applied aspect // Diamond Relat. Mater. 1994. V.4. N1. P. 1−4.
- Solozhenko V.L. Current trends in the phase diagram of boron nitride // J. Hard. Mater. 1995. V.6. P.51−65.
- Solozhenko V.L., Turkevjch, Holzapfel W.B. Refined Phase Diagram of Boron Nitride // J. Phys. Chem. B. 1999. V.103. P.2903−2905.
- Demazeau G. Growth of Cubic Boron Nitride by Chemical Vapor Deposition and High-Pressure High-Temperature Synthesis // Diamond Relat. Mater. 1993. V.2. N2−4. P. 197−200.
- Sachdev H., Haubner R., Noth H, Lux B. Investigation of the c-BN/h-BN phase transformation at normal pressure // Diamond Relat. Mater. 1997. V.6. P.286−292.
- Albe K. Theoretical study of boron nitride modifications at hydrostatic pressures // Phys.Rev. V. B55. N10. P.6203−6210.
- Fukunaga O. The equilibrium phase boundary between hexagonal and cubic boron nitride //DiamondRelat. Mater. 2000. V.9. P.7−12.
- Курдюмов A.B., О дефектах упаковки в графитоподобном нитриде бора // Кристаллография. 1975. Т.20. № 5. С.969−973.
- V.V.Khvostov, LYu. Konyashin, E.N.Shouleshov, V.G.Babaev, M.B.Guseva. Surface modification of boron nitride in hydrogen plasma // Appl. Surf. Sci. 2000. V.157. P.178−184.
- Самсонов Г. В., Портной К. И., Сплавы на основе тугоплавких соединений // Москва.: Оборонгиз. 1961. 304с.
- Шахнес Ю.А., Кауфман В. Г. Исследование работы опытно-промышленной установки электролизного борирования с тиглем из карбонитрида бора // Сб. Методы получения, свойства и применения нитридов. Киев. 1972. С173−177.
- Akkerman Z.L., Efstathiadis Н., Smith F.W. Thermodinamic modeling of atomic bonding in covalent Cx (BN)i.x alloys // Proced. Mat. Res. Soc. Symp. 1996. V.410. P.217−222.
- Tateyama Y., Ogitsi Т., Kusakabe K., Tsuneyuki S. Proposed synthesis path for heterodiamondBC2N. //Phys. Rev. 1997. V. B55. N16. P. R10161-R10164.
- Hegemann D., Riedel R., Oerh C. Influence of single-source precursors on PACVD-derived boron carbonitride thin films. // Thin Solid Films. 1999. V.339. P. 154−159.
- Watanabe M.O., Itoh S., Mizushima K., Sasaki T. Electrical properties of BC2N thin films prepared by chemical vapor deposition. // J. Appl. Phys. 1995. V.78. N4. P.2880−2882.
- Watanabe M.O., Sasaki Т., Itoh S., Mizushima K. Structural and electrical characterization of BC2N thin films. // Thin Solid Films. 1996. V.281/282. P.334−336.
- Kaner R.B., Kouvetakis J., Warble C.E., Sattler M.L., Bartlett N. Boron-Carbon-Nitrogen materials of graphite-like structure // Mater. Res. Bull. 1987. V.22. N3. P.399−404.
- Liu A.Y., Wentzcovitch R.M., Cohen M.L. Atomic arrangement and electronic structure ofBC2N//Phys Rev. 1998. V. B39. N3. P. 1760−1765.
- Kawaguchi M. B/C/N Materials Based on the Graphite Network I I Adv. Mater. 1997. V.9. N8. P.615−625.
- Perrone A., Caricato A.P., Luches A., Dinescu M., Ghica C., Sandu V., Andrei A. Boron earbonitride films deposited by pulsed laser ablation // Appl. Surf. Sci. 1998. Y.133. P.239−242.
- Косолапова Т.Я., Андреева T.B., Бартницкая Т. Б., Гнесин Г. Г., Макаренко Г. Н., Осипова И. И., Прилуцкий Э. В. Неметаллические тугоплавкие соединения. М.: Металлургия. 1985. 928с.
- Панасюк А.Д., Фоменко B.C., Глебова Г. Г. Стойкость неметаллических материалов в расплавах. Справочник. //Киев.: Наукова думка. 1986. 352с.
- Ивановский A. JL, Швейкин Г. П. Квантовая химия в материаловедении. Неметаллические тугоплавкие соединения и неметаллическая керамика. Екатеринбург: Изд-во „Екатеринбург“. 2000. 339с.
- McKenzie D.R., Sainty W.G., Green D. Synthesis and properties of boron nitride. // Mater. Sci. Forum. 1990. V.54/55. P. 193−206.
- Mirkarimi P.B., McCarty K.F., Medlin D.L. Review of advanced in cubic boron nitride film synthesis. // Mater. Sci. Engin. 1997. V. R21. P.47−100.
- Brame E.G., Margrave J.L., Meloche V. W. Infra-red spectra of inorganic solids П. Oxides, nitrides, carbides, andborides //J. Inorg. Nucl. Chem. 1957. V.5. P.48−52.
- Li P.-C., Lepie M.P. Infrared transmission of pyrolytic boron nitride // J. Amer. Ceram. Soc. 1965. V.48. N5. P.277−278.
- Geick R., Perry C.H., Rupprecht G. Normal modes in hexagonal boron nitride // Phys. Rev. 1966. V. 146. N2. P.543−547.
- Чукалин В.И., Чуканов H.B., Гуров C.B. и др. Структурные особенности и ИК-спектры поглощения ультрадисперсного нитрида бора // Порошковая металлургия. 1988. № 1. С.85−91.
- Гудкова И.Ю., Раевский А. В., Розенберг А. С., Чуканов Н. В. О некоторых структурных особенностях дисперсного нитрида бора // Поверхность. Физ., хим., механ. 1988. № 8. С.61−69.
- Чукалин В.И., Чуканов Н. В., Гуров С. В., Структурные искажения в ультрадисперсном нитриде бора // ДАН СССР. 1989. Т.307. № 6. С.1376−1380.
- Чукалин В.И., Чуканов Н. В., Гуров С. В., Троицкий В. Н., Филатова Н. Е., Резникова Т. В., Домашнева Е. П. Структурные особенности и ИК-спектры поглощения ультрадисперсного нитрида бора//Порошк. металлург. 1988. № 1. С.85−91.
- Чуканов Н.В., Кумпаненко И. В., Эволинский В. П., Лосев В. В., Ипполитова С. Ф., Бондаренко С. П. Зависимость ширины ИК-спектральных полос от размеров молекулярных образований, имеющих двухмерную квазипериодическую структуру /Поверхность. 1997. № 9. С.65−69.
- Малоголовец В.Г., Якименко В. М., Петруша И. А. Спектры ИК-поглощения монокристаллами кубического нитрида бора // Синтетические алмазы. 1976. № 2. С.10−12.
- Lin P., Deshpandey С., Doerr H.J., Bunshah R.F., Chopra K.L., Yankar V. Preparation and properties of cubic boron nitride coatings // Thin Solid Films. 1987. Y.153. P.487−496.
- Накамото К., Инфракрасные спектры неорганических и координационных соединений//М.: Мир. 1966. 411с.
- Kim I.-H., Kim K.-S., Kim S.-H., Lee S.-R. Synthesis of cubic boron nitride films using a helicon wave plasma and reduction of compressive stress // Thin Solid Films. 1996. V.290−291. P. 120−125.
- Friedmann T.A., Mirkarimi P.B., Medlin D.L., McCarty K.F., Klaus E.J., Boehme D., Johnsen H.A., Mills M.J., Ottesen D.K. Ion-assisted pulsed laser deposition of cubic boron nitride films // J. Appl. Phys. 1994. V.76. N5. P.3088−3101.
- Mirkarimi P.B., McCarty K.F., Cardinale G.F., Medlin D.L., Ottesen D.K., Johnsen H.A. Substrate effect in cubic boron nitride film formation // J. Vac. Sci. Technol. 1996. V. A14. N1.P.251−255.
- Hackenberger L.B., Pilione L.J., Messier R, Lamaze G.P. Effect of stoichiometry on the phases present in boron nitride thin films // J. Vac. Sci. Technol. 1994. V. A12. N4. Pt.l. PI 569−1576.
- W.J.Lehmann, I.Shapiro. Characteristic frequencies of alkyldiboranes // Spectrochem. Acta. 1961. V.17. N4. P.396−411.
- NMutsukura, K.Akita. Infrared absorption spectroscopy measurements of amorphous CNX films prepared in CH4/N2 r.f. discharge // Thin Solid Films. 1999. V.349. P. 115−119.
- Корсунский Б.Л., Пепекин В. И. На пути к нитриду углерода. // Успехи химии. 1997. Т.66. № 11. С.1003−1014.
- Kuzuba Т., Era К., Ishii Т., Sato Т. A low frequency raman active vibration of hexagonal boron nitride // Solid State Commun. 1978. V.25. N111. P.863−865.
- Halverson W.D., Tetreault T.G., Hirvonen J.K. Ion assisted synthesis of boron nitride coatings//Mater. Sci.Forum. 1990. V.54/55. P.71−110.
- Nemanich R.J., Solin S.A., Martin R.M. Light scattering study of boron nitride microcrystals//Phys. Rev. 1981. V. B23. N12. P.6348−6356.
- Hoffman D.M., Doll G.L., Eklund P.C. Optical properties of pyrolytic boron nitride in the energy range 0.05−10eV //Phys. Rev. 1984. V. B 30. N10. P.6051−6056.
- Eremets M.I., Gauthier M., Polian A., Chervin J.C., Besson J.M., Dubitskii G.A., Semenova Ye. Ye. Optical properties of cubic boron nitride // Phys. Rev. 1995. V. B52. N12. P. 8854−8863.
- Cholet V., Vandenbulcke L., Rouan J.P., Baillif P., Erre R. Characterization of boron nitride films deposited from BCI3-NH3-H2 mixtures in chemical vapour infiltration conditions//J. Mater. Sci. 1994. V29. P. 1417−1435.
- Filipozzi L., Derre A., Conard J., Piraux L., Marchand A. Local order and electrical properties of boron carbonitride films // Carbon. 1995. V.33. N12. P.1747−1757.
- Dekempeneer E., Wagner V., Gibson P., Meneve J., Kuypers S. et al. Tribology and microstructure of PACVD B-N-C coatings // Diamond Film Technol. 1997. V7. N3. P.181−193.
- Popov C., Saito K., Ivanov В., Koga Y., Fujiwara S., Shanov V. Chemival vapor deposition of BC2N films and their laser-induced etching with SF6 // Thin Solid Films. 1998. V.312. P.99−105.
- Polo M.C., MartinezE., Esteve J., Andujar J.L. Preparation of B-C-N thin films by r.f. plasma assisted CVD // Diamond Relat. Mater. 1998. V.7. P.376−379.
- Tuinstra F., Koenig J.L. Raman spectrum of graphite // J. Chem. Phys. 1970. V.53. N3. P. 1126−1130.
- Moon K.-T., Mm D.-S., Kim D.-P. A route to boron nitride via simply prepared borazine precursor//Bull. Korean Chem. Soc. 1998. V.19. N2. P.222−226.
- JCPDS International Center for Diffraction Data. 1988. USA. Y.9. Card N 12.
- JCPDS International Center for Diffraction Data. 1988. USA. V.34. Card N 421.
- JCPDS International Center for Diffraction Data. 1988. USA. V.25. Card N 1033.
- JCPDS International Center for Diffraction Data. 1988. USA. V. 15. Card N 500.
- JCPDS International Center for Diffraction Data. 1988. USA. V.18. CardN 251.
- JCPDS International Center for Diffraction Data. 1988. USA. V.26. Card N 773.
- JCPDS International Center for Diffiaction Data. 1988. USA. V.6. Card N 555.
- JCPDS International Center for Diffraction Data. 1988. USA. V.41. Card N 1487.
- Thomas J.Jr., Weston N.E., O’Connor Т.Е. Turbostratic boron nitride, thermal transformation to ordered-layer-lattce boron nitride // J. Amer. Chem. Soc. 1963. V.84. N24. P.4619−4622.
- Andreev Yu.G., Lundstrom T. In-plane lattice-parameter and crystallite-size determination in a turbostratic graphite-like structure // J. Appl. Cryst. 1994. V.27. P.767−771.
- Шарутшн Б.Н., Кравчик A.E., Ефременко M.M., Маментьев Р. Ю., Тупицина Е. В., Осмаков А. С. Анализ структуры пиролитического нитрида бора // ЖПХ. 1990. № 8. С.1698−1701.
- Gladkaya I.S., Kremkova G.N., Slesarev V.N. Turbostratic boron nitride (BNt) under high pressures and temperatures // J. Less-Common. Met. 1986. V. l 17. P.241−245.
- Т.Я.Косолапова, Г. Н. Макаренко, Т. И. Серебрякова, Э. В. Прилуцкий и др. О природе карбонитрида бора. I. Исследование условий получения карбонитрида бора // Порошковая металлургия, 1971. N1. С.27−33.
- Badzian A.R. Cubic boron nitride diamond mixed crystals // Mat. Res. Bull. 1981. V.16. P.1385−1393.
- Yu J., Wang E.G. Turbostratic boron carbonitride film and its field-emitting behavior //Appl. Phys. Lett. 1999. Y.74. N20. P.2948−2950.
- Solozhenko V.L., Will G., Elf F. Isothermal compression of haxagonal graphite-like boron nitride up to 12GPa // Solid State Commun. 1995. Y.96. N1. P. 1−3.
- Solozhenko V.L., Turkevich V.Z. Phase stability of graphitelike BC4N up to 2100K and 7GPa // J. Amer. Ceram. Soc. V.80. N12. P.3229−3232.
- Donner W., Dosch H., Ulrich S., Ehrhardt H., Abernathy D. Strain relaxation of boron nitride thin films on silicon // Appl. Phys. Lett. 1998. V.73. N6. P.777−779.
- Мильвидский М.Г., Чалдышев В. В. Наноразмерные атомные кластеры в полупроводниках новый подход к формированию свойств материалов // Физ. Техн. Полупровод. 1998. Т.32. № 5. С.513−522.
- Shindo D., Hiraga К. High-Resolution Electron Microscopy for Materials Science // Springer. 1998. 190p.
- Huang J.Y., Yasuda H, Mori H. HRTEM and EELS studies on the amorphization of hexagonal boron nitride induced by ball milling // J. Am. Ceram. Soc. 2000. V.83. N2. P.403−409.
- Lin S.-h., Brown I.M., Feldman B.J. Electron spin resonance in microcrystalline cubic boron nitride/amorphous hydrogenated boron nitride mixed phase thin films // Solid State Commun. 1995. V.96. N6. P.421−425.
- Ichiki Т., Amagi S., Yoshida T. Initial stage of cubic boron nitride film growth from vapor phase // J. Appl. Phys. 1996. V.79. N8. P.4381−4387.
- Konyashin I., Inkson В., Bill J., Aldinger F., Khvostov V., Bregadze A. Deposition of cubic boron nitride in hydrogen plasma // Adv. Mater. Chem. Vap. Deposition. 1998. V4. N4. P. 125−129.
- Medlin D.L., Friedmann T.A., Mirkarimi P.B., Rez P., Mills M.J., McCarty K.F. Microstructure of cubic boron nitride thin films grown by ion-assisted pulsed laser deposition//J. Appl. Phys. 1994. V.76. N1. P.295−303.
- Rother В., Weissmantel C., Leonhardt G. X-ray photoelectron spectroscopy at ion-plated boron nitride // phys. stat. sol. (a). 1987. V.100. P.553−557.
- Okamoato M., Yokoyama H., Osaka Y. Formation of cubic boron nitride film on Si with boron buffer layers // Jpn. J. Appl. Phys. 1990. V.29. N.5. P.930−933.
- Montero I., Galan L., Osorio S.P., Martinez-Duart J.M., Perriere J. Structural properties of BN thin films obtained by plasma -enchanced chemical vapour deposition // Surf. Interface Analysis. 1994. V.21. P.809−813.
- Nonogaki R, Yamada S., Wada T. Preparation of boron nitride films by multi-source plasma CVD method//Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. 1997. V. B121. P.121−124.
- Watanabe M.O., Itoh S., Mizushima K. Bonding characterization of BC2N thin films // Appl. Phys. Lett. 1996. V.68. N21. P.2962−2964.
- Kawaguchi M., Kawashima Т., Nakajima T. Syntheses and Structures of new graphite-like materials of composition BCN (H) and BC3N (H) // Chem Mater. 1996. V.8. P.1197−1201.
- Moijan I., Conde O., Oliveira M., Vasiliu F. Structural characterization of CxByNz (x=0.1 to x=0.2) layers obtained by laser-driven synthesis // Thin Solid Films. 1999. V.340. P.95−105.
- Demin V.N., Asanov I.P., Akkerman Z.L. Chemical vapor deposition of pyrolytic boron nitride from borazone // J. Vac. Sci. Technol. 2000. V. A18. N1. P.94−98.
- Arya S.P.S., D’Amico A. Preparation, properties and application of boron nitride thin films // Thin Solid Films. 1988. V.157. N2. P.267−282.
- Dana S.S. The properties of low pressure chemical vapor deposited boron nitride thin films//Mater. Sci. Forum. 1990. V.54/55. P.229−260.
- Nakamura K. Preparation of boron nitride thin films by chemical vapor deposition. // Mater. Sci. Forum. 1990. V.54/55. P. 111−140.
- Paine R.T., Narula C.K., Synthetic routes to boron nitride. Chem. Rev. 1990. V.90. P.73−91.
- Yarbrough W.A. Current research problems and opportunities in the vapor phase synthesis of diamond and cubic boron nitride // 1991. J.Vac.Sci.Technol. V. A9. N3. P. l 145−1152.
- Vel L., Demazeau G., Etourneau J. Cubic boron nitride: synthesis, physicochemical properties and applications//Mater. Sci. Engin. 1991. V. B10. P. 149−164.
- Yoshida T. Vapour phase deposition of cubic boron nitride // Diamond Relat Mater. 1996. V.5. P.501−507.
- Bewilogua R. Preparation and characterization of cubic boron nitride and carbon nitride films // Science. 1996. N280. P.213−218.
- Kulisch W., Reinke S. Modeling of c-BN thin film deposition // Diamond Relat. Mater. 1997. V.7. N2. P. 105−138.
- Sano M., Aoki M. Chemical vapour deposition of thin films of BN onto fused silica and sapphire // Thin Solid Films. 1981. V.83. P.247−251.
- Takahashi T., Itoh H., Kuroda M. Structure and properties of CVD-BN thick film prepared on carbon steel substrate // J. Cryst. Growth. 1981. V.53. P.418−422.
- Motojima S., Tamura Y., Sugiama K. Low temperature deposition of hexagonal BN films by chemical vapour deposition // Thin solid films. 1982. V.88. P.269−274.
- Matsuda T., Uno N, Nakae H., Hirai T. Synthesis and structure of chemical vapour-deposited boron nitride // J. Mater. Sci. 1986. V.21. P.649−658.
- Matsuda T., Nakae H., Hirai T. Density and deposition rate of chemical-vapour-deposition boron nitride////J. Mater. Sci. 1988. V.23. P.509−514.
- Matsuda T. Stability to moisture for chemically vapour-deposited boron nitride I III J. Mater. Sci. 1989. V.24. P.2353−2358.
- Sugiama K., Itoh H. Chemical vapor deposition of turbostratic and hexagonal boron nitride//Mater. Sci. Forum. 1990. V.54/55. P.141−152.
- Patibandla N., Lithra K. Chemical vapor deposition of boron nitride // J. Electrochem Soc. 1992. V.139. N.12. P.3558−3565.
- Sugino N., Kawasaki S., Tanioka K., Shirafuji J. Electron emission characteristics of boron nitride films synthesized by plasma -assisted chemical vapor deposition // J. Vac. Sci. Technol. 1998. V. B16. N3. P. 1211−1214.
- Sugino N., Tanioka K., Kawasaki S., Shirafuji J. Electron emission from nanocrystalline boron nitride films synthesized by plasma -assisted chemical vapor deposition//DiamondRelat. Mater. 1998. V.7. P.632−635.
- Matsumoto S., Nishida N., Akashi K., Sugai K. Preparation of BN films by r.f. thermal plasma chemical vapor deposition // J. Mater. Sci. 1996. V.31. N3. P.713−720.
- Schaffnit C., Thomas L., Rossi F., Hugon R. Pauleau Y. Plasma assisted chemical vapour deposition of BN coatings: effect of the experimental parameters on the structure ofthe films// Surf. Coat. Tech. 1996. V.87/88. N1−1. P.402−208.
- Choi B.-j. Chemical vapor deposition of hexagonal boron nitride films in the reduced pressure // Mater. Sci. Bull. 1999. V.34. N14/15. P.2215−2220.
- Rand M.J., Roberts J.F. Preparation and properties of thin film boron nitride // J. Electrochem. Soc. 1968. V.115. N4. P.423−429.
- Karnezos M. Boron-Nitrigen-Hydrogen thin films // Mater. Sci. Forum. 1990. V.54/55. P.261−276.
- Hirayama M., Shohno K. CVD-BN for boron diffusion in Si and its application to Si devices//J. Electrochem. Soc. 1975. V.122. N12. P. 1671−1676.
- Murarka S.P., Chang C.C., Wang D.N.K., Smith T.E. Effect of growth parameters on the CVD of boron nitride and phosphorus-doped boron nitride // J. Electrochem. Soc. 1979. V. 126. N11. P. 1951−1957.
- Adams A.C., Capio C.D. The chemical deposition of boron-nitrogen films //J. Electrochem. Soc. 1980. V.127. N2. P.399−405.
- Hyber S.B., Yep T.O. Structure and properties of boron nitride films grown by high temperature reactive plasma deposition // J. Electrochem. Soc. 1976. V.123. N11. P. 1721−1724.
- Miyamoto H., Hirose M., Osaka Y. Structural and electronic characterization of discharge-produced boron nitride //Jpn. J.Appl. Phys. 1983. V.22. N4. P. L216-L218.
- Yuzurina T.H., Hess D.W. Structural and optical properties of plasma-deposited boron nitride films // Thin Solid Films. 1986. V. 140. P. 199−207.
- Andujar J.L., Pascual E., Aguiar R, Bertran E., Bosch A., Fernandez J.L., Gimeno S., Lousa A., Varela M. Optical and structural characterization of boron nitride thin films // Diamond Relat. Mater. 1995. V.4. P.657−660.
- Zedlitz R., Heintze M., Schubert M.B. Properties of amorphous boron nitride thin films // J. Non-Cryst. Solid. 1996. V. 198−200. P.403−406.
- Polo M.C., elMekki M.B., Andujar J.L., Mestres N., Pascual J. Optical study of boron nitride thin films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition // Diamond Relat. Mater. 1997. V.6. P. 1550−1554.
- Dekempeneer E.H.A., Meneve J., Kuypers S., Smeets J. Microstructure and mechanical properties of a-Bl-xNx:H films prepared by r.f. PACVD // Surf. Coat. Technol. 1995. V.74/75. P.399−404.
- Carreno M.N.P., Bottecchia J.P., Pereyra I. Low temperature plasma enhanced chemical vapour deposition boron nitride // Thin Solid Films. 1997. V.308/309. P.219−222.
- Nakamura K. Preparation and properties of amorphous boron nitride films by molecular flow chemical vapor deposition // J.Electrochem. Soc. 1985.V. 132. N7. P. 1757−1762.
- Nakamura K. Preparation and properties of boron nitride films by metal organic chemical vapor deposition // J.Electrochem. Soc. 1986. V.133. N6. P. 1120−1123.
- Maya L. Plasma-enhanced chemical vapor deposition of boron nitride using polimeric cyanoborane as source // J. Amer. Ceram. Soc. 1992. V.75. N7. P. 1985−1987.
- Veprek S. Plasma-induced and plasma-assisted chemical vapour deposition // Thin Solid Films. 1985. V.130. P. 135−154.
- Lugovsky G., Tsu D.Y., Kim S.S., Markunas R.J., Fountain G.G. Formation of thin film dielectrics by remote plasma-enchanced chemical vapor deposition (remote PECVD) //Appl.Surf.Sci. 1989. V.39. P.33−56.
- Alexandrov S.E., Remote PECVD: a route to controllable plasma deposition // J.Phys.1. Coll.CS. 1995. V.5. P. C5−567-C5−582.
- McDaniel A.H., Allendorf M.D. The reactions of BC13 and NH3 relevant to the CVD of boron nitride //Electrochem. Soc. Procced. 1997. V.97−25. P.40−48.
- Chayahara A., Yokoyama H., Imura T., Osaka Y. Function of substrate bias potential for formation of cubic boron nitride films in plasma CVD technique // Jpn. J. Appl. Phys. 1987. V.26. N9, P. L1435-L1436.
- Chayahara A., Yokoyama H., Imura T., Osaka Y., Fujisawa M. Reflectance spectra of BN materials in the vacuum ultraviolet // Jpn. J. Appl. Phys. 1988. V.27. N3. P.440−441.
- Chayahara A., Yokoyama H., Imura T., Osaka Y. Properties of BN thin films deposited by plasma CVD // Appl. Surf. Sci. 1988. V.33/34. P.561−566.
- Osaka Y., Chayahara A., Yokoyama H., Okamoto M., Hamada T., Imura T., Fijisawa M Characterization of BN thin films deposited by plasma CVD // Mater. Sci. Forum 1990. V.54/55. P.277−294.
- Zhang X., Yue J., Chen G., Yan H. Study on stress and strain of cubic boron nitride thin films // Thin Solid Films. 1998. V.315. P.202−206.
- Zhang X., Yue J., Chen G., Yan H., Liu W. Stress analysis in cubic boron niride films by X-ray diffraction using sin2i|/ method // Acta Phys. Sinica. 1998. V.7. N1. P.61−67.
- Ma X., Yang J., He D., Chen G. Temperature effect on growth of boron nitride thin films by a hot filament assisted rf plasma chemical vapor deposition // Thin Solid Films. 1998. V.322. P.37−40.
- Komatsu S., Moriyoshi Y., Kasamatsu M., Yamada K. High-pressure phases of boron nitride grown by laser-assisted plasma chemical vapor deposition from BCl3+NH3+H2+Ar //J. Appl. Phys. 1991. V.70. N11. P.7078−7084.
- Konyashin I., Aldinger F., Babaev V., Khvostov V., Guseva M. et al. The mechanism of cubic boron nitride deposition in hydrogen plasmas // Thin Solid Films. 1999.1. V.355/356. P.96−104.
- Shapoval S.Y., Petrashov V.N., Popov O.A., Westner A.O., Yoder M.D., Lok CK.C. Cubic boron nitride films deposited by electron cyclotron resonance plasma // Appl. Phys. Lett. 1990. V.57. N18. P.1885−1886.
- Okamoto M., Utsumi Y., Osaka Y. Formation and properties of cubic boron nitride films on tungsten carbide by chemical vapor deposition // Jpn. J. Appl. Phys. 1992. V.31. P. 3455−3460.
- Ichiki Т., Yoshida T. Preparation of cubic boron nitride films by low pressure inductively coupled plasma enhanced chemical vapor deposition // Appl. Phys. Lett. 1994. V.64. N7. P.851−853.
- Ichiki Т., Momose Т., Yoshida T. Effects of the substrate bias on the formation of cubic boron nitride by inductively coupled plasma enhanced chemical vapor deposition // J. Appl. Phys. 1994. V.75. N3. P. 1330−1334.
- Волков В.В., Григорьев В. А., Багрянцев Г. И. Боразин исходное вещество для получения нитрида бора // Методы получения, свойства и применение нитридов / Под ред. Самсонова Г. В. Киев. 1972. С.79−85.
- Волков В.В., Багрянцев Г. И., Мякишев К. Г. Синтез боразина реакцией борогидрида натрия с хлористым аммонием // ЖНХ. 1970. Т. 15. № 11. С.2902−2906.
- Волков В.В., Пухов А. А., Мякишев К. Г. Получение боразина реакцией тетрагидробората натрия с хлоридом аммония после предварительной механической активации реакционной смеси // Изв. СОАН СССР. Сер. Хим. наук. 1983. Т.7. № 3. С. 116−123.
- Hough W.V., Schaeffer G.W., Dzurus М., Stewart А. С The preparation, identification and characterization of N-trialkylborazoles // J. Am. Chem. Soc. 1955. V.77. N4. P. 864−86.
- Stock A., Pohland E. Borwasserstoffe, IX.): B3N3H6 // Ber. Deut. Chem. Ges. 1926. V.59. N9. P.2215−2223.
- Laubengayer A.W., Moews P.C., Jr., and Porter R.F. The condensation of borazine to polycyclic boron-nitrogen frameworks by pyrolytic dehydrogenation // J. Am. Chem. Soc. 1961. V.83.N6. P. 1337−1342.
- Adams A.C. Characterization of films formed by pyrolysis of borazine // J. Electrochem. Soc. 1981. V.128. N6. P. 1378−1379.
- King P.L., Pan L., Pianetta P., Shimkunas A., Mauger P., Seligson D. Radiation damage in boron nitride X-ray lithography masks // J. Vac. Sci. Technol. V. B6. N1. P. 162−166.
- Kouvetakis J., Patel V.V., Miller C.W., Beach D.B. Composition and structure of boron nitride films deposited by chemical vapor deposition from borazine // J. Vac. Sci. Technol. 1990. V. A8. N6. P.3929−3933.
- Демин B.H., Басов А. И., Аккерман З. Л. Газофазное осаждение пиролитического нитрида бора пиролизом боразина // Неорган, матер. 1998. Т.34. № 8. С.986−989.
- Mokhtari М&bdquo- Park H.S., Roesky H.W., Johnson S.E., Boise W» Conrad J.5 Plass W. Processing of blue boron nitride thin filmswith a solid gas reaction // Chem. Eur. J. 1996. V.2. N10. P. 1269−1274.
- Rye R.R. Hot filament activated chemical vapor deposition of boron nitride // J. Vac. Sci. Technol. 1991. V. A9. N3. P. 1099−1103.
- Угаров M.B., Агеев В. П., Конов В. И. Химическое осаждение пленок нитрида бора из газовой фазы, стимулированное импульсами УФ излучения эксимерного KrF —лазера//Квантоваяэлектроника. 1995. Т.22. № 7. С.706−710.
- Агеев В.П., Конов В. И., Угаров М. В. Лазерное осаждение пленок нитрида бора из боразин-аммиачных газовых смесей // Изв. АН. Сер. Физич. 1997. Т.61. № 8. С. 1596−1605.
- Ugarov M.V., Ageev V.P., Karabutov A.V., Loubnin E.N., Pimenov S.M., Bensaoula A. Laser-induced modification of electron field emission from nanocrystalline diamond films // J. Appl. Phys. 1999. V.85. N12. P.8436−8440.
- Савельев A.A., Пухов A.A., Вишняков Б. А., Сулимин А. Д., Ищенко А. П. Свойства пленок нитрида бора, полученных разложением боразина в ВЧ-плазме // Физ. хим. обраб. матер. 1981. № 2. С.85−88.
- Shanfield S., Wolfson R. Ion beam synthesis of cubic boron nitride // J. Vac. Sci. Technol. 1983. V. A1. P.323−325.
- Halverson W., Quinto D.T., Effect of charge neutralization on ion-beam-deposited boron nitride films//J. Vac. Sci. Technol. 1985. V. A3. N6. P.2141−2146.
- Nguyen S.V., Nguyen Т., Treichel H., Spindler O. Plasma-assisted chemical vapor deposition and characterization of boron nitride films // J.Electrochem.Soc. 1994. У.141. N6. P. 1633−1638.
- Белый В.И., Смирнова Т. П., Соловьев А. П., Яшкин И. Л., Храмова Л. В., Мараховка И.И Плазмохимические методы получения нитридов кремния и бора на антимониде индия//Микроэлектроника. 1986. Т.15. № 2. С.146−149.
- Смирнова Т.П., Яшкин И. Л., Храмова Л. В., Кичай В. Н., Бакланов П. Ю. Получение слоев нитрида бора из боразола // Неорган. Матер. 1991. Т.27. № 9. С. 1826−1831.
- Смирнова Т.П., Храмова Л. В., Яшкин И. Л., Бакланов П. Ю., Кичай В. Н., Сысоева Н. П. Получение слоев нитрида бора при непрямой высокочастотной активации боразола//Неорган, матер. 1992. Т.28. № 7. С. 1414−1419.
- Smirnova Т.Р., Jakovkina L.V., Jashkin I.L., Sysoeva N.P., Amosov Ju.I. Boron nitride films prepared by remote plasma-enhanced chemical vapour deposition from borazine (B3N3H6) // Thin Solid Films. 1994. V.237. P.32−37.
- Смирнова Т.П., Terauchi M., Sato F., Shibata K., Tanaka M. Структура пленок нитрида бора, полученных методом газофазного химического осаждения из боразина в режиме удаленной плазмы // Химия в интересах устойчивого развития. 2000. Т.8. № 1−2. С.275−279.
- Емелькин В.А., Серебренников Г. П., Амосов Ю. И., Чернов А. А. Синтез упрочняющих покрытий на основе кубического нитрида бора в послесвечении СВЧ-разряда//Неорган, матер. 1995. Т.31. № 8. С.1065−1071.
- Kim S.-H., Kim I.-H., Kim K.-S. Preparation of cubic boron nitride thin film by the helicon wave plasma enhanced chemical vapor deposition // Appl.Phys.Lett., 1996. V.69. N26. P.4023−4025.
- Kim I.-H., Kim K.-S., Kim S.-H., Lee S.-R. Synthesis of cubic boron nitride films using a helicon wave plasma and reduction of compressive stress // Thin Solid Films. 1996. V.290−291. P.120−125.
- Kim I.-H., Kim S.-H., Kim K.-B. Delamination mechanism in relation to adhesion of cubic boron nitride // J. Vac. Sci. Technol. V. A16. N4. P.2295−2299.
- Kim K.-B., Kim S.-H. Characterization of boron nitride film synthesized by helicon wave plasma-assisted chemical vapor deposition // Diamond Relat. Materials. 2000. V.9. P.67−72.
- Gorbatkin S.M., Burgie R.F., Oliver W.C., Barbour J.C., Mayer T.M., Thomas M.L. Boron nitride thin film deposition using electron cyclotron resonance microwave plasmas //J.Vac.Sci.Technol. V. A11. N4. P.1863−1869.
- Paisley M.J., Bourget L.P., Davis R.F. Boron nitride thin films by microwave ECR plasma chemical vapor deposition // Thin Solid Films. 1993. V.235. P.30−34.
- Аранович Г. Л., Вишняков Б. А., Савельев A.A., Сулимин А. Д. Модель роста нитридных пленок в ВЧ-разряде // Физ. хим. обработки материалов. 1982. № 5. С.39−42.
- Stolle R., Wahl G. Deposition of boron nitride films from BB’B' '-Trichloroborazine // J.Phys. IV. Coll. C5. 1995. V.5. P. C5−761-C5−768.
- Schmolla W., Hartnagel H.L. Amorphous BN films produced in a double-plasma reactor for semiconductor application // Solid State Electronics. 1983. V.26. N.10. 931−939.
- Phani A.R., Roy S., Rao V.J. Growth of boron nitride thin films by metal-organic chemical vapour deposition // Thin Solid Films. 1995. V.258. N½. P.21−25.
- Jorg A., Neuschutz D., Zimmermann E. Kinetics of chemical vapour deposition of boron nitride from a gas mixture of trimethylborazine, ammonia and hydrogen at 900 to 1050 °C and 1 Bar total pressure//J.Phys. IV. Coll. C5. 1995. V.5. P. C5−167-C5−174.
- Jorg A., Zimmermann E., Schierling M., Cremer R., Neuschutz D. Constitution and deposition mechanism of hexagonal boron nitride formed by CVD from Trimethylborazine//Electrochemical Society Proc. 1997. V.97−25. P.504−511.
- Kiel F., Cotarelo M., Delplancke M.P., Winand R. Comparison of the properties of BN films synthesized by inductively coupled r.f. and microwave plasmas // Thin Solid Films. 1995. V.270. P. 118−123.
- Kuhr M., Freudenstein R, Reinke S., Kulisch W., Dollinger G., Bergmaier A. Hydrogen incorporation during nucleation and growth of c-BN films // Diamond Relat. Materi. 1996. V.5. P.984−989.
- Freudenstein R., Reinke S., Kulisch W. Investigation of the nucleation layer in c-BN growth // Diamond Relat. Mater. 1997. V.6. P.584−588.
- Freudenstein R., Reinke S., Kulisch W. The influence of hydrogen on nucleation and growth of cubic boron nitride films // Surf. Coat. Technol. 1997. V.97. P.270−274.
- Devi G.S. Deposition of boron nitride using a III-V precursor 1,3,5-isopropylborazine // IndJ.Chem. 1994. V.33A. P168−169.
- Бадян А., Немыски Т., Аппенхеймер С., Олькусник Э. Кристаллическая структура в системе бор-углерод-азот // Химическая связь в полупроводниках и полуметаллах. Изд. «Наука и техника», Минск. 1972. 456с.
- Kouvetakis J., Sasaki Т., Shen С., Hagiwara R. et al., Novel aspects of graphite intercalation by fluorine and fluorides and new В /С, C/N and B/C/N materials based on the graphite network// Synthetic Metals. 1989. V.34. P. 1−7.
- Moore A.W., Strong S.L., Doll G.L., Dresselhaus M.S. et al. Properties and characterization of codeposited boron nitride and carbon materials // J.Appl. Phys. 1989. V.65.N12. P.5109−5117.
- Bessmann T.M. Chemical vapor deposition in the boron-carbon-nitrogen system // J. Am. Ceram. Soc. 1990. V.73. N8. P.2498−2501.
- Saugnas F., Teyssandier F., Marchand A. Characterization of C-B-N solid solutions deposited from a gaseous phase between 900° and 1050 °C // J Am. Ceram. Soc. 1992. V.75. N.l. P.161−169.
- Derre A., Filipozzi L., Bouyer F., Marchand A. Parametric study of the chemical vapour depositin of carbon-boron-nitrogen compounds // J. Mater. Soc. 1994. V.29. P. 1589−1594.
- Filipozzi L., Piraux L., Marchand A., Derre A., Adouard A., Kinany-Alaoui M. Unusual behavior of the magnetoresistance of boron carbonitride films at low temperature //J. Mater. Res. 1997. V.12. N.7. P. 1711−1721.
- Kawaguchi M., Sugiyama A. Syntheses and Characterization of graphite-like material of composition BC6N2(H) //Mater. Sci. Res. Inter. 1997. V.3. N2. P.88−93.
- Kawaguchi M., Wakukawa Y. Synthesis of graphite-like material of composition BC6N by CVD at high temperature // Carbon. 1999. V.37. P. 147−163.
- Yu J., Wang E.G., Xu G. Synthesis and characterization of B-C-N on molybdenum // J. Mater. Res. 1999. V.14. N3. P. 1137−1141.
- Wang E.G. A new development in covalently bonded carbon nitride and related materials//Adv. Mater. 1999. V.ll. N13. P.1129−1133.
- Montasser K., Hattori S., Morita S. Transparent B-C-N thin films formed by plasma chemical vapour deposition//Thin SolidFilms. 1984. V.117. P.311−317.
- Montasser K., Hattori S., Morita S. Characterization of hard transparent B-C-N-H thin films formed by plasma chemical vapor deposition at room temperature // J. Appl. Phys. 1985. V.58. N8. P.3185−3189.
- Montasser R., Morita S., Hattori S. A promising boron-carbon-nitrogen thin film // Mat. Sci. Forum. 1990. V.54/55. P.295−312.
- Yamada M., Nakaishi M., Sugishima K. Improvements of stress controllability and radiation resistance by adding carbon to boron-nitride // J. Electrochem. Soc. 1990. V. 137. N7. P.2242−2246.
- Dekempeneer E.H.A., Meneve J., Kuypers S., Smeets J. Tribological properties of r.f. PACVD amorphous B-N-C coatings // Thin Solid Films. V.281/282. P.331−333.
- Hegemann D., Riedel R., DreBler W., Oehr C., Schindler B., Brunner H. Boron carbonitride thin films by PACVD of single-source precursors // Adv. Mater. Chem. Vap. Deposition. 1997. V.3. N5. P.257−262.
- Bath A., van der Put P. J., Lepley B. Study of boron nitride gate insulators grown by low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition on InP // Appl. Surf. Sci. 1989. V.39. P. 135−140.
- Bath A., van der Put P.J., Becht J.G.M., Schooman J., Lepley B. Plasma enhanced chemical vapor deposition and characterization of boron nitride gate insulators on InP // J. Appl. Phys. 1991. V.70. N.8. P.4366−4370.
- Bath A., Baehr O., Barrada M., Lepley B., van der Put P.J., Schoonman J. Plasma enhanced chemical vapour deposition of boron nitride onto InP // Thin Solid Films. 1994. V.241. P.278−281.
- Konyashin I., Loeffler J., Bill J., Aldinger F. PACVD nano-crystalline B-C-N thin films obtained by use of a organoboron precursor // Abstr. book. 7th Eur. Conf. on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Tours. France. 1996. P.8.104.
- Loeffler J., Konyashin I., Bill J., Uhlig H., Aldinger F. PACVD nano-crystalline B-C-N thin films obtained by use of an organoboron precursor // Diamond Relat. Mater. 1997. V.6. P.608−611.
- Loeffler J., Konyashin I., Bill J., Aldinger F. A novel approach to deposition of cubic boron nitride coatings // Thin Solid Films. 1997. V.308/309. P. 101−106.
- Baehr O., Thevenin P., Bath A., Koukab A., Losson E., Lepley B. Preparation of boron nitride thin films by microwave plasma enhanced CVD, for semiconductor applications//Mater. Sci. Engin. 1997. V. B46. P. 101−104.
- Boudiombo J., Baehr O., Boudrioua A., Thevenin P., Loulergue J.C., Bath A. Modes of propagating light waves in thin films of boron nitride deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition // Mater. Sci. Engin. 1997. V. B46. P.96−98.
- Abdellaoui A., Bath A., Bouchikhi В., Baehr O. Structure and optical properties of boron nitride thin films prepared by PECVD // Mater. Sci. Engin. 1997. V. B47. P.257−262.
- Phani A.R., Devi G.S., Roy S" Rao V.J. MOCVD growth of boron nitride films from single source III-V precursor // J. Chem Soc., Chem Commun. 1993. N8. P.684−685.
- Levy R.A., Mastromatteo E., Grow J.M., Paturi V., Kuo W.P., Boeglin H.J., Shalvoy R, Low pressure chemical vapor deposition of B-N-C-H films from triethylamine borane complex//J. Mater. Res. 1995. V.10. N2. P.320−327.
- Levy R.A., Ravindranath C., Krasnoperov L.N., Opyrchal J., Ramas E.S. Porous vycor membranes modified by chemical vapor deposition of boron nitride for gas separation//J. Electrochem. Soc. 1997. V.144. N1. P.349−353.
- Boo J.-H., Rohr C" Ho W. MOCVD of BN and GaN thin films on silicon: new attempt of GaN growth with BN buffer layer // J. Cryst. Growth. 1998. V. 189/190. P.439−444.
- Rohr C., Boo J.-H., Ho W. The growth of hexagonal boron nitride thin films on silicon using single source precursor // Thin Solid Films. 1998. V.322. P.9−13.
- Boo J.-H., Rohr С., Ho W. Growth of boron nitride thin films on silicon substrates using new organoboron precursors//phys. stat. sol. (a) 1999. V.176. P.705−710.
- Kawaguchi M., Nozaki K., Kita Y., Doi M. Photoluminescence characteristics of BN (C, H) prepared by chemical vapour deposition. // J. Mater. Sci. 1991. V.26. P.3926−3940.
- Yokoshima S., Goto Т., Hirai T. Dielectric properties of BN-C thick films prepared by chemical vapor deposition. // Proceed. 28th Symposium on the Basic Science of Ceramics, Fukuoka, Japan. 1990. P. 116.
- Maya L. Semiconducting amorphous film containing carbon, nitrogen and boron. // J. Electrochem. Soc. 1988. V.135. N5. P.1278−1281.
- Maya L. Aminoborane polymers as precursors of C-N-B ceramic materials. // J. Am. Ceram. Soc. 1988. V.71. P. 1104−1109.
- Мякишев К.Г., Горбачева И. И., Волков B.B., Ястребов С. И. Механохимический способ синтеза гидразин-бис-борана и триметиламинборана // Изв. СО АН СССР. Сер. хим. наук. 1979. Т.7. № 3. С. 10−14.
- Волков В.В., Мякишев К. Г., Трофимова Т. Н. Механохимический синтез и физико-химическое исследование диэтиламинборана // Изв. СО АН СССР. Сер. хим. наук. 1982. Т.7. № 3. С.45−50.
- Мякишев К.Г. Механохимический синтез в химии гидридов бора // Диссертация на соис. учен, степени д.х.н. 1993.
- Konyashin I., Loeffler J., Bill J., Aldinger F. A novel approach to deposition of cubic boron nitride coatings // Thin solid films. 1997. V.308−309. P. 101−106.
- Гриценко B.A., Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах // Новосибирск: ВО «Наука». 1993. 280с.
- Аккерман З.Л., Храмова Л. В., Смирнова Т. П., Белый В. И. Физико-химическая модель дегидрирования слоев нитрида кремния // Неорган, матер. 1990. Т.26. № 5. С.988−992.
- Аккерман З.Л., Храмова Л. В., Смирнова Т. П., Белый В. И. Применение физико-химической модели для анализа кинетики дегидрирования слоев нитрида кремния // Неорган, матер. 1990. Т.26. № 5. С.993−995.
- Smirnova Т.Р., Yakovkina L. V. The mechanism of dehydrogenation of SiNx: H films // Thin solid films. 1997. V.293. P.6−10.
- Akkerman Z.L., Efstathiadis H., Smith F.W. Thermal stability of diamondlike carbon films//J. Appl. Phys. 1996. V.80. P.3068−3075.
- Basa D.K., Smith F.W. Annealing and crystallization processes in a hydrogenated amorphous Si С alloy film // Thin solid films. 1990. V. 192. P. 121−133.
- Dana S.S., Maldonado J.R. Low pressure chemical vapor deposition boro-hydro-nitride films and their use in x-ray masks // J. Vac. Sci. Technol. 1986. V. B4. N1. P.235−239.
- Johnson W.A., Levy R.A., Resnick D.J. et.al. Radiation damage effects in boron nitride mask membranes subjected to x-ray exposures // J. Vac. Sci. Technol. B. 1987. V.5. N1. P.257−261.
- Levy R.A., Resnick D.J., Frye R.C. et.al. An improved boron nitride technolody for synchrotron x-ray masks // J. Vac. Sci. Technol. B. 1988. V. 6. N1. P.154−161.
- А.В.Ржанов, КК. Свиташов, А. И. Семененко и др. // Основы эллипсометрии. Новосибирск. Наука. 1978. 424 с.
- Б.М.Аюпов, Е. Ф. Титова, Н. П. Сысоева. Программное обеспечение эллипсометрических измерений в системе пленка подложка // Электронная техника. Сер. Микроэлектроника. 1985. Вып. З (115). С. 126−129.
- Грановский В. Л. Электрический ток в газе. // М.: Наука. 1971. 235 С.
- Русанов В.Д., Фридман А. А. Физика химически активной плазмы. // М.: Наука. 1984.
- Sugiyama К., Itoh H. Chemical vapor deposition of turbostratic and hexagonal boron nitride//Mater. Sci. Forum. 1990. V.54/55. P. 141−152.
- Crawford B.L., Edsall J.T. Infra-red and raman spectra of polyatomic molecules. VI. Triborinetriamine, B3N3H6. //J. Chem. Phys. 1939. V.7. P.223−226.
- Термодинамические свойства индивидуальных веществ. // Под. ред. Глушко В. П., Гурвич Л. В. и др. М.: «Наука», 1978. Т.1. Книга 2.
- Moulder J.F., Stickle W.F., Sobol Р.Е., Bomben K.D., ed. by Chastain J. // Handbook of X-Ray Photoelectron Spectroscopy. Perkin-Elmer, Eden Prairie, Minnesota. 1992.
- R’Mili M., Massardier V., Merle P., Vincent H, Vincent C. The effect of thermal exposure on the strength distribution of B4C coated carbon fiber. // Carbon. 1999. V.37. P. 129−145.
- Saugnac F., Teyssandier F., Marchand A. Characterization of C-B-N solid solutions deposited from a gaseous phase between 900° and 1050 °C. // J. Am. Ceram. Soc. 1992. V.75. P. 161−169.