Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Теплофизические свойства легированного кремния

Диссертация: Теплофизические свойства легированного кремния
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

К фундаментальным свойствам полупроводников относится теплопроводность. Теплопроводность /4/ является одним из структурно-чувствительных параметров к примесям и дефектам кристаллической решетки. Поэтому теплопроводность может быть дополнительным методом для исследования природы и поведения примесей с глубокими энергетическими уровнями в решетке кремния. Исследования температурной зависимости… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА. I. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЛЕГИРОВАННОГО КРЕШИЯ
    • 1. 1. Основные свойства глубоких примесных центров в кремнии. «
    • 1. 2. Методы исследования примесных центров дефектов) в полупроводниках
    • 1. 3. Теплопроводность как метод исследования примесных центров.»
    • 1. 4. Теория теплопроводности твердых тел
      • 1. 4. 1. Теплопроводность идеальных кристаллов
      • 1. 4. 2. Влияние точечных дефектов на теплопроводность твердых тел
    • 1. 5. Теплофизические свойства кремния
  • ГЛАВА II. МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЯ ТЕШКШЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ЛЕГИРОВАННОГО КРЕШИЯ
    • 2. 1. Общие сведения о методах измерения. теплопроводности твердых тел и выбор методики
    • 2. 2. Общие сведения о методах измерения теплоемкости твердых тел при низких температурах и выбор методики
    • 2. 3. Описание экспериментальных установок
      • 2. 3. 1. Ячейка для измерения теплопроводности
      • 2. 3. 2. Методика измерения теплопроводности
      • 2. 3. 3. Погрешности измерения теплопроводности
    • 2. 4. Ячейка для измерения теплоемкости
      • 2. 4. 1. Методика измерения теплоемкости
      • 2. 4. 2. Погрешности измерения теплоемкости. ."
    • 2. 5. Методика изготовления образцов и контроль их качества. вывода
  • ГЛАВА. III. ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕПЛСШЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ЛЕГИРОВАННОГО КРЕМНИЯ
    • 3. 1. Теплопроводность исходного кремния
    • 3. 2. Влияние высокотемпературного отжига на, теплопроводность «чистого» кремния
    • 3. 3. Температурная зависимость теплопроводности кремния легированного примесями с глубокими уровнями
    • 3. 4. Резонансное рассеяние фононов на, тяжелых примесных атомах золота и родия. …""
      • 3. 4. 1. Низкотемпературная аномалия температурной зависимости теплоемкости легированного кремния
    • 3. 5. Машинная обработка экспериментальных данных по теплопроводности и обсуждение результатов
      • 3. 5. 1. Рассеяние фононов на примесях, при, низких температурах
      • 3. 5. 2. Рассеяние фононов на.легирующих.примесях при температурах больших 90 К. вывода. ЮЗ
  • ГЛАВА 1. У. НЕКОТОРЫЕ ПРАКТИЧЕСКИЕ
  • ПРИЛОЖЕНИЯ РЕЗУЛЬТАТОВ ИССЛЕДОВАНИЯ ТЕШШИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ЛЕГИРОВАННОГО КЕЕШИЯ
    • 4. 1. Теплопроводность низкоомного.кремния.легированного примесями золота, серы и никеля
    • 4. 2. О возможности определения природы глубоких примесных центров в кремнии методом теплопроводности
    • 4. 3. О возможности получения диэлектрических материалов с высокой теплопроводностью при низких, температурах
    • 4. 4. Исследование кинетики распада твердого раствора кремний — золото. вывода

Теплофизические свойства легированного кремния (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Кремний является одним из основных материалов широко применяющихся при производстве полупроводниковых приборов. Для придания кремнию необходимых электрофизических свойств он специально легируется элементами Ш, У групп таблицы Менделеева. Эти примесные атомы образуют в запрещенной зоне кремния примесные уровни расположенные «близко» к границам зон так называемые мелкие энергетические уровни. Однако при термических процессах изготовления приборов на основе кремния возможно его загрязнение примесными атомами с высокими коэффициентами диффузии, способных быстро проникать в глубь кристалла и создавать точечные дефекты. Эти примесные атомы (в основном элементы 1, П, УМП групп таблицы Менделеева) образуют примесные уровни расположенные «далеко» от границ зон так называемые глубокие энергетические уровни. Наличие в запрещенной зоне кремния глубоких энергетических уровней существенным образом меняет электрофизические свойства, в частности, ухудшает их. Особенно сильно их влияние на эксплуатационные свойства мощных силовых диодов, высоковольтных, высокочастотных и импульсных полупроводниковых приборов. Исследования выявили, что большая часть атомов этих примесей находится в электрически неактивном состоянии, определение которых практически недоступно широко распространенным методам — измерению фотопроводимости, эффекта Холла, емкостной спектроскопии и т. д. /1−3/.

К фундаментальным свойствам полупроводников относится теплопроводность. Теплопроводность /4/ является одним из структурно-чувствительных параметров к примесям и дефектам кристаллической решетки. Поэтому теплопроводность может быть дополнительным методом для исследования природы и поведения примесей с глубокими энергетическими уровнями в решетке кремния. Исследования температурной зависимости теплопроводности может дать информацию о взаимодействии примесей между собой и дефектами кристаллической решетки. Так как изучаемые примесные атомы существенно отличаются по своим параметрам (масса и ионные радиусы) от соответствующих параметров кремния, концентрация (растворимость) этих тс примесей определяется большим диапазоном изменения от 10 см*" 3 до I01® см" 3 то можно ожидать, что в температурной зависимости теплофизических свойств могут быть аномалии шш другие эффекты предсказываемые теорией. Исследования температурной зависимости теплофизических параметров, в частности, теплопроводности кремния легированного примесями с глубокими уровнями позволяют проверить теорию рассеяния фононов на точечных дефектах.

Актуальность проблемы. Теория глубоких примесных состояний в полупроводниках в настоящее время разработана слабо в связи с тем, что очень мало сведений о характере взаимодействия примесных атомов между собой и кристаллической решеткой, почти отсутствуют сведения о природе электрически неактивных состояний этих примесей в кристаллической решетке. Предполагается /5/, что глубокие уровни образуются путем взаимодействия примесей и точечных дефектов кристаллической решетки. Поэтому получение новых экспериментальных результатов о поведении примесных атомов с глубокими энергетическими уровнями в решетке кремния представляет актуальную задачу.

Одной из важнейших задач, возникающих при изготовлении полупроводниковых приборов на основе кремния является разработка новых или исследование возможности применения существующих методов для обнаружения и идентификации (в особенности электрически неактивных) примесей с глубокими энергетическими уровнями.

Работа посвящена экспериментальному изучению влияния примесных атомов с глубокими энергетическими уровнями на теплопроводность и теплоемкость кремния в интервале температур 4−300 К, а также изучению влияния высокотемпературного отжига на теплопроводность «чистого» и легированного кремния.

Цель работы:

— конструирование и градуировка установок для измерения теплофизических свойств твердых тел в интервале температур 4−300 К;

— исследование температурной зависимости теплопроводности кремния легированного примесными атомами с глубокими уровнями в интервале температур 4−300 К;

— исследование влияния тяжелых примесных атомов золота, родия и рения на низкотемпературную теплоемкость;

— определение возможности применения метода теплопроводности для обнаружения природы и поведения примесных атомов с глубокими уровнями в кремнии.

Научная новизна:

I. Впервые, в широком интервале температур исследовано влияние примесных атомов золота, цинка, серы, никеля, родия, рения и палладия на теплопроводность кремния.

2. Впервые обнаружена низкотемпературная аномалия теп-лофизических свойств кремния легированного золотом, родием и никелем.

3. Установлено, что теплопроводность кремния легированного примесными атомами с глубокими уровнями зависит от типа и наличия в кремнии примесей с мелкими уровнями.

4. Исследовано влияние ИК света на теплопроводность кремния легированного серой и никелем. Установлено, что возникающая при этом «добавочная» теплопроводность зависит от примеси.

Практическая значимость. Полученные экспериментальные результаты по теплофизическим свойствам кремния легированного примесями с глубокими уровнями могут быть использованы для: обнаружения примесных атомов с глубокими уровнями в кремнииисследования кинетики распада твердых растворов типа полупроводник легирующая примесьполучения мате-, риалов с высокой теплопроводностью и низкой электропроводностьюрасчета тепловых режимов, необходимых при разработке приборов на основе кремния.

Основные защищаемые положения.

1. Температурная зависимость теплопроводности кремния легированного примесными атомами с глубокими уровнями зависит от легирующей примеси.

2. Уменьшение теплопроводности кремния легированного примесными атомами с глубокими уровнями обусловлено: а) рассеянием фононов на растворенных атомахб) рассеянием фононов на скоплениях и ассоциациях примесных атомов, а также на комплексах возникающих при диффузионном легировании;

3. Возможность обнаружения и исследования примесных атомов с глубокими уровнями путем измерения температурной зависимости теплопроводности.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы обсуждались на научных семинарах Отдела теплофизики АН Уз ССР и докладывались на П Всесоюзном совещании по глубоким примесным центрам в полупроводниках (г.Ташкент, 1980) — I Всесоюзном совещании по неразрушающим методам контроля (г.Фергана, 1981 г.) — УП Всесоюзной конференции по тешюфи-зическим свойствам веществ (г.Ташкент, 1982 г.) — УП Республиканской конференции молодых физиков (г.Фергана, 1982 г.).

Публикатщи. По теме диссертации опубликовано 8 работ.

Объем, структура и краткое содержание диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав и выводов, заключения и списка литературы.

Основные результаты полученные при выполнении данной диссертационной работы сводятся к следующему:

1. Впервые изучено влияние высокотемпературного отжига не теплопроводность «чистого» и предварительно легированного примесями с мелкими уровнями кремния в интервале температур 4−300 К. Установлено, что теплопроводность кремния, при высокотемпературном отжиге, определяется температурой отжига, состоянием поверхности и наличием в исходном кремнии примесей. Обнаружено, что образующиеся термодефекты (при скоростях охлаждения ^ 10 град/с) не стабильны и, практически, распадаются при комнатных температурах.

2. Впервые исследовано влияние глубоких примесных атомов на температурную зависимость теплопроводности «чистого» кремния в интервале температур 4−300 К. Установлено, что возникающее при легировании кремния, добавочное теплосопро-тивление зависит от легирующей примеси и его концентрации. Наибольшее значение теплосопротивления наблвдается в кремнии легированном золотом, наименьшее в кремнии легированном цинком.

3. Показано, что при одинаковых условиях легирования кремния примесными атомами золота, серы, никеля, цинка, родия, рения, палладия температурная зависимость теплопроводности определяется примесным атомом и его взаимодействием с кристаллической решеткой кремния. В температурной зависимости теплопроводности кремния легированного примесными атомами золота, родия и никеля впервые обнаружены низкотемпературные аномалии, обусловленные особенностями рассеяния фононов на этих примесных центрах.

4. В температурной зависимости теплоемкости кремния легированного примесными атомами золота, родия и рения впервые обнаружена низкотемпературная аномалия связанная с возникновением резонансных волебаний примесных атомов.

5. Впервые изучено влияние глубоких примесных центров на теплопроводность электронного и дырочного кремния. Обнаружено, что добавочное тепловое сопротивление, возникающее при легировании кремния примесными атомами золота, серы и никеля, определяется легирующей примесью, ее концентрацией, а также типом (р или п) исходного материала.

6. На примере электронного кремния легированного примесными атомами серы и никеля впервые исследовано влияние Ж света на теплопроводность кремния. Выяснено, что теплопроводность кремния в этом случае, при одинаковых условиях легирования, определяется легирующей примесью.

7. На примере электронного кремния легированного золотом впервые исследовано влияние низкотемпературного отжига на теплопроводность кремния. Показано, что путем измерения теплопроводности возможно исследование кинетики распада твердых полупроводниковых растворов.

8. На основе анализа экспериментальных результатов и численных расчетов в модели Каллавея, Кагана, Иосилевского предложена модель взаимодействия примесных атомов с кристаллической решеткой, объясняющих весь комплекс полученных результатов по влиянию глубоких примесных центров на тепло-физические свойства кремния.

Выражаю искреннюю благодарность моим научным руководителям П. К. Хабибуллаеву, члену-корреспонденту АН Уз ССР и А. Т. Мамадалимову, к.ф.м.н., за предложенную тему исследовании, постоянную помощь и внимание при выполнении диссертационной работы. Считаю своим приятным долгом выразить искреннюю благодарность А. Г. Варфаламееву (ВНИИФТРИ), B.C. Оскотскому, Л. Н. Васильеву (ЛФШ АН СССР), Т. Тилляеву (ШФ АН Уз ССР), а также многим сотрудникам Отдела теплофизики Академии наук УзССР, принявшим активное участие в обсуждении и выполнении исследований.

Положения и выводы, защищаемые в диссертации опубликованы в следующих работах:

1. Вахабов Д. А., Кахаров С. С., Мамадалимов А. Т., Игамбердыев Х. Т., Хабибуллаев П. К. О теплопроводности кремния легированного золотом.- ДАН Уз ССР, 1980, I, с.35−36.

2. Игамбердыев Х. Т., Мамадалимов А. Т. Теплопроводность кремния легированного примесями с глубокими уровнями. Второе Всесоюзное совещание по глубоким примесным центрам в полупроводниках. Тезисы докладов, Ташкент, 1980, с. 169.

3. Игамбердыев Х. Т., Мамадалимов А. Т., Хабибуллаев П. К. Теплопроводность как метод контроля качества полупроводников и полупроводниковых материалов.- Первое Всесоюзное Межвузовское совещание по неразрушающим методам контроля. Тезисы докладов. Фергана, 1982. с. 269.

4. Вахабов Д. А., Закиров С. Г., Игамбердыев Х. Т. Физические свойства кремния легированного теллурем. — Четвертая республиканская конференция молодых физиков. Фергана, 1982, с. 121.

5. Игамбердыев Х. Т., Мамадалимов А. Т., Хабибуллаев П. К. О теплоемкости кремния легированного золотом и родием.-ДАН УзССР, 1982, В 12, с.19−20.

6. Вахабов Д. А., Закиров А. С., Игамбердыев Х. Т., Мамадалимов А. Т., Хабибуллаев П. К. Теплофизические свойства кремния легированного примесями с глубокими уровнями.-Седьмая Всесоюзная конференция по теплофизическим свойствам веществ. Ташкент, 1982, с.193−194.

7. Игамбердыев Х. Т., Мамадалимов А. Т., Хабибуллаев П. К. Исследование теплопроводности легированного кремния. Изв. АН УзССР, 1983, № 2, с.39−42.

8. Игамбердыев Х. Т., Мамадалимов А. Т., Хабибуллаев П. К. Влияние высокотемпературного отжига на теплопроводность кремния легированного золотом. ДАН УзССР, 1983, № 7.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Н.Ф., Кощевой Ю. А. Измерения параметров полупроводниковых материалов. М.,"Металлургия", 1970.
  2. А.Т., Усманов Т. А., Хабибуллаев П. К. Определение параметров глубоких центров в полупроводниках методами изотермической релаксации темновой и фотости-мулированной емкости.- Изв. АН УзССР, сер. физическая, 1980, Л 4, с. 48, Л 5, с. 40.
  3. Л.С. Емкостные методы исследования полупроводников. Л., пНаука", 1972.
  4. B.C., Смирнов И. А. Дефекты в кристаллах и теплопроводность. Л., «Наука», 1972.
  5. С., Бахадырханов М. К., Тешабаев А. Т. Некоторые особенности глубоких уровней различной природы в кремнии.- В сб. научных трудов ТашГУ, 1981, с.21−23.
  6. Stoneham А’Щ. Theory of defekt д. п Solids, Clarendon Press, Oxford, 1975.
  7. К.Д., Литовченко H.M., Меркер Р. Полупроводниковая техника и микроэлектроника. Киев, «Наукова Думка», 1977.
  8. .И., Конорова Л. Ф. Термические закалочные дефекты в германии и кремнии.-В сб. научных трудов ТашГУ, 1981, с.69−71.
  9. .В., Васильев А. В., Рудинская С. А., Смагулова С. А., Смирнов Л. С. 0 роли центров аннигиляции радиационных дефектов в полупроводниках.- Физика и техника полупроводников, 1975, т.9, Л I, с.186−188.
  10. А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках." М., &bdquo-Мир", 1977.
  11. М.С., Оксенгендлер Б. Л. 0 кристаллохимическом подходе к эффекту Яна Теллера.- ДАН УзССР, 1978, № 2, с.31−33.
  12. Н.А., Машовец Т. В., Рыбкин С. М. К вопросуоб определении энергии активации уровней примесных центров и дефектов структуры в полупроводниках.- Физика твердого тела, 1962, т.4, 1Ь 10, с.2849−2853.
  13. Woodbyry Н, Н., Tyler W.W. Properties of Germanium doped manganess. Phys. Rev, 1955, v100,H 2, pp.659−662.
  14. B.M. Методы исследования термоэлектрических свойств полупроводников. М., пАтомиздат", 1968.
  15. С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.,"Физматгиз", 1963.
  16. A.A., Мамадалимов А. Т. Зависимость фотоответа в примесной области спектра при низких температурахот степени компенсации образцов.- Физика и техника полупроводников, 1975, т.9, № 8, с.1609−1611.
  17. ЯМР и ЭПР спектроскопия. Под ред. Декабрула Л. Л., М., &bdquo-Мир", 1964.
  18. Иванов-Омский В.И., Коломиец Б. Т., Мельник В. М., Огородников В. К. Магнитная восприимчивость
  19. Физика твердого тела, 1969, т. II, 6, с. 2563.
  20. В.И. Магнитные измерения. М.,"МГУ", 1969.
  21. Д.М., Зевин Л. С. Рентгеновская дифрактометрия, М. ,&bdquo-ГЖШ", 1963.
  22. И.Б. Физические основы рентгеноспектроскопии. М., &bdquo-МГУ", 1956.
  23. В.В. Спектральная зависимость коэффициента поглощения в кремнии с примесью золота.- Физика и техника полупроводников, 1972, т.6, Л 5, с.940−943.
  24. Р. Фотопроводимость твердых тел. М.,"ИЛ", 1962.
  25. В.Т. В кн. Рассеяние энергии при колебаниях упругих систем. М., Изд. АН СССР, 1963, с.149−158.
  26. В.Н., Глазов В. М. Микротвердость металлов и полупроводников. М.,"Металлургия", 1969.
  27. Травление полупроводников. Перевод с английского. М., &bdquo-Мир", 1965.
  28. Прямые методы исследования дефектов в кристаллах полупроводников. Сб.статей. М. ,&bdquo-Мир", 1965.
  29. А.С., Пушкарский А. С., Горбачев В. В. Теплофизи-ческие свойства полупроводников. М.,"Атомиздат", 1972.
  30. И.А., Тамарченко В. И. Электронная теплопроводность в металлах и полупроводниках. Л.,"Наука", 1977.
  31. Дж., Голюсмиб Г. Теплопроводность полупроводников. М.,"ШГ", 1963.
  32. JI.C. Физика полупроводников. М., &bdquo-Советское радио", 1967.
  33. Р. Квантовая теория твердых тел. М., пИЛ", 1956.
  34. Ludwig W., Pick R.H. Scattering of phonons at defect planes in the simple cubic lattice. Phys. State Solid, l967, v19,H1,pp 313*316.
  35. Klemens P.G. Anharmonic attennuations of locatired lattice vibration. Phys. Rev., 1961, v122,N2, pp 443−444.
  36. Callaway J. Effects of point impecfection of thermal conductivity. Phys. Rev., 1960, v120,N4,pp 1149−1153.
  37. Callawey J. Model for lattice thermal conductivity low temperatures. Phys. Rev., 1959, v113,N4,pp 1046−1051.
  38. Holland M.G. Analysic of lattice thermal cohductivity. Phys. Rev., 1963, v132,N6,pp 2461−2473.
  39. Ю., Иосилевский Я. Об аномальном поведении теплоемкости кристаллов с тяжелыми примесными атомами.-Письма в журн.эксп.и теор. физики, 1963, т.45,с.819−821.
  40. Pohl R.O. Thermal conductivity and phonon resonance scatterring. Phys. Rev. lett., 1963, v8,N12,pp 481−483.
  41. Glassbrener G.J., Slack G.A. Thermal conductivity of silicon and germaniym from 3K to the melting point. Phys. rev., 1964, v134,pp 1059−1064.
  42. Д.Г., Алиев М. И. Рассеяние фононов в легированных кремниии и германии.- ДАН АзССР, 1966, т.22, № 8, с.26−28.
  43. М.И., Фистуль В. И., Араслы Д. Г. Исследование теплопроводности сильно легированного германия.-Физика твердого тела, 1964, т.6, № 12, с.3700−3701.
  44. А.В. Влияние различных примесей на теплопроводность решетки германия.- Физика твердого тела, 1967, т.8, с.2439−2441.
  45. Slack G.A. Thermal conductivity of pure and. inpure silicon, silicon carbid and diamond. J Appl Phys., 1964, v35"PP 3460−3466.
  46. .М., Чудновский А. Ф. Теплопроводность полупроводников., М., тНаука", 1972.
  47. Morris R.G., Hust J.С. Thermal conductivity measurement of silicon from 30 to 425 K. Phys. Rev., 1961, v124, N5, pp 1426−1430.
  48. Morris R.G., Martin J.J. Thermal diffisivity of silicon, germanium and cupum. Phys. Rev., 1968, v167, N 3, pp 765 782.
  49. Keyes R.W. Specifick heat studies of heavity doped Si: P. Phys. Rev B, 1975, v12,N6,pp 2539−2541.
  50. Fulkerson W., Moore J. Tfaermal conductivity electrical resistivity and seebeck. Phys. Rev., 1968, v 167, N3, pp 765−782.
  51. Beers D.G., Abeles B. Proc.Int.conf. on the physics of semiconductors. Exoper, p.41., Institure of physics and physical. London, 1962.
  52. Keues R.W. Low -temperature thermal resistance of n-type germanium and silicon. Phys.Rev., 1961, v122, N 4, PP 11 711 179.
  53. Berman R. Experimental cryophysics, end F. E Hoare L.G., Jackson and Kusst. Buutter Woords, London, 1961.
  54. М.И. Теплопроводность полупроводников. Баку, Изд. АН АзССР, 1963.
  55. А.Ф. Теплообмен в дисперсных средах. М., нГостехиздат", 1954.
  56. В.А. Экспериментальное определение процессов . теплообмена. М., иЭнергия", 1964.
  57. Л.Л., Фрайман Ю. Е. Теплофизический свойства плохих проводников тепла. Минск, 1974.
  58. И.К. Исследование теплопроводности твердых тел в интервале 80−500 К.- Приборы и техника эксперимента, 1962, J6 3, с. 176−178.
  59. Slack G.D. Thermal conductivity of CaF2, MpF, CaCl2 and ZnP2. Phys.Rev., 1961, v122,N5,pp 1451−1460.
  60. Ebrahim J. Thermal diffisivity measurement of amall chips. J Phys.1970,D3,N2,pp 236−239.
  61. А.Г. Измерение теплопроводности твердых тел. М., пАтомиздат", 1973.
  62. Е.Д., Смирнов И. А., Петров А. В., Мойжес Б. Я. Плавленный кварц как образцовый материал при измерении теплопроводности.- Физика твердого тела, I960, т.2, Л 4, с.738−746.
  63. Г. М. Тепловые измерения. Л., Машгиз", 1957.
  64. B.C. Теплофизические свойства материалов ядерной техники. М., пАтомиздат", 1968.
  65. А.Ф. Прибор для быстрых испытаний теплопроводности изоляционных материалов.- Заводская лаборатория, 1961, т.27, Л 5, с.578−579.
  66. Л.А. Определение коэффициента теплопроводности при квазистационарном режиме.- Заводская лаборатория, 1952, т.18, Ш 10, с.1260−1263.
  67. B.C. Скоростной метод определения теплофизических свойств материалов. Л. Энергия", 1971.
  68. Пак М.И., Осипова В. Д. Квазистационарный метод комплексного определения теплофизических свойств твердых тел в широком температурном интервале.- Теплоэнергетика, 1967, Л 6, с.73−76.
  69. А.В. Физика полупроводников. М., Нзд. АН СССР, 1957.
  70. Г. К. Экспериментальная техника в физике низких температур. М., нФизматгиз", 1961.
  71. Ю.А. Измерение температуропроводности методом радиальных температурных волн в цилиндре.- Измерительная техника, I960, Л 5, с.29−32.
  72. А.В. Теория теплопроводности. М.,"Высшая щкола", 1967.
  73. Е.С. Теплофизические измерения в монотонном режиме. Л.,"Энергия", 1973.
  74. М.М., Термометрия и калориметрия' . М., ."МГУ", 1954.
  75. В.А., Шейндлин А. Е. Исследования термодинамических свойств веществ. М.,"Госэнергоиздат", 1963.
  76. Д.Н. Исследование термодинамических свойств веществ методами адиабатической калориметрии. М.,"ИВТАН", 1982.
  77. П.Г., Ицкович Е. С., Кострюков В. Н., Мирская Г. Г. Самойлов Б.Н. Термодинамические исследования при низких температурах. Измерение теплоемкости твердых тел и жидкостей между 12−300 К.- Журнал физической химии, 1954, т.28, Js 3, с.459−464.
  78. .Н. Точная калориметрия. М., Изд. стандартов, 1973.
  79. Н.П., Орлова М. П. Точная калориметрия при низких температурах.- Измерительная техника, 1974, Л 7, с.29−32.
  80. В.П., Серегин Э. А., Скуратов С. И. Адиабатический калориметр малого размера для измерения истинной теплоемкости в интервале 12−340 К.- Журнал физической химии, 1963, т.36, с.312−315.
  81. .Г., Воробьев А. Ф. Высокочувствительный калориметр с германиевым термометрами сопротивления и полупроводниковыми термопарами для измерения тепловых эффектов в растворах.- Журнал физической химии, 1972, т.46, № 9, с.2445−2446.
  82. В.Г., Чашкин Ю. Р., Шавадрин A.M. Низкотемпературный калориметр для измерения теплоемкости твердых тел.- Труды метрологических институтов СССРД971, вып. 129, C. III-II3.
  83. V/est E.D. Anadiahatic calorimete for the randle 30 to 500 C. J Res NBS, 1957, v60,N4,pp 309−313.
  84. М.П., Королев Я. А., Хейфел Л. М. Автоматизация измерении теплоемкости в интервале температур 4,2−273 К.-Журнал физической химии, 1980, т.54, $ I, с.246−247.
  85. Л.PI., Лусте О. А. Микрокалориметрия. Львов, иВща школа", 1981.
  86. Э., Прайт А. Микрокалориметрия. Применение в физической химии и биологии. М., нШ", 1963.
  87. Е.Н. Дифференциальный сканирующий адиабатический микрокалориметр ДАСМ-1м.- Приборы и техника эксперимента, 1974, № 6, с.221−223.
  88. Ю.Р., }Еданович В.А., Подрезов В. П. Устройство для измерения теплопроводности.- Авторское свид.$- 2902II от 20.10.1969.
  89. О.А., Френкель И. М. Автоматическое регулирование адиабатических условий.- Труды метрологических институтов СССР, 1971, вып. 192, c. I9S-203.
  90. О.А. Метрологические основы теплофизических измерений. М., Изд. стандартов, 1972.
  91. .И. Диффузия в полупроводниках. М., нФизматгиз',' 1963.
  92. В.М., Земсков B.C. Физико-химические основы легирования полупроводников, М.,.Наука", 1967.
  93. .И., Бахадырханов М. К., Еуликов Г. С. Компенсированный кремний. Л., ."Наука", 1972.
  94. Verma G.S. Role of oxygen in the phonon conductivity of17 3
  95. Si containing 5"f0 oxyden atoms per cm. Phys.Rev., 1978, v18,pp 5993−5907.
  96. White G.K. Thermal conductivity Ge of Si at low temperature. Phys.Rev., 1956, v103,N3,pp 569−574.
  97. .В., Лебедев А. А., Мамадалимов А. Т., Урун-баев Б.М., Усманов Т. А. Исследование параметров уровней железа в п- емкостными методами.- Физика и, техника полупроводников, 1980, т.14, М 10, с.2050−2053.
  98. Р. Теплопроводность твердых тел. М.,", Мир", 1979.
  99. Д.Г., Алиев М. И., Фистуль В. И. Теплопроводность германия сильно легированного мышьяком и галлием.-Изв.АзССР, 1965, В 5, с.103−106.
  100. М.С. Физические явления в кремнии легированном элементами платиновой группы. Ташкент, пФАН", 1983.
  101. Kendall D.L. Semiconductor Si. The electrical society.1969,N4,PP358−361.
  102. В.Л., Хондарь Г. А. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках. Киев, чНаукова Думка", 1969.
  103. Ludwig R. W, Paramagnetic resonance study of deep donor in silicon. Phys.Rev., 1965, v137,N5,PP 1520−1527.
  104. A.H., Аутст Г. P. 0 влиянии силовых постоянных на свойства кристаллов с примесными атомами.- Физика твердого тела, 1967, т.9, $ 8, с.2196−2205.
  105. .И., Конорова Л. Ф. Термические закалочные дефекты в германии и кремнии.- В сб. научных трудов ТашГУ, 1981, с.69−73.
  106. А.А., Мамадалимов А. Т., Хабибуллаев П. К. Неконтролируемые глубокие центры в кремнии.- В сб. научных трудов ТашГУ, 1981, с.59−62.
  107. Л.Ф. Об аномалиях эффекта Холла в германии, компенсированном термическими дефектами.- Физика твердого тела, 1978, т.20, JS 8, с.2507−2509.
  108. Л.Ф. Термические закалочные дефекты в кремнии.- Физика твердого тела, 1974, т.16, № 2, с.547−549.
  109. В.И. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов. М.,"Металлургия", 1977.
  110. .И., Андреев В. М., Гарбузов Д. З., Трукан М. К. Излучательная рекомбинация в эпитаксиальном компенсированном арсениде галлия.- Физика и техника полупроводников, 1970, т.6, В 10, с.2015−2021.
  111. П.М., Петровский В. М., Фистуль В. И. Методы исследования кинетики распада пересыщенных твердых растворов.-Заводская лаборатория, 1976, т.42,№ 6,с.696−698.
  112. С.И., Негрескул В. В. В сб.пИсследования по полупроводникам", Кишинев, «„Картя Молдавлитгиз“, 1965, с.128−135.
  113. А.З., Шуман В. Б. Влияние комплексообразования на распад твердого раствора кремний-золото.- Физика твердого тела», 1970, т.12, 7, с.2177−2180.
  114. Ю.И., Малкович Р. Ш. Распад твердого раствора золота в кремнии.- Физика твердого тела, 1967, т.9, lh 3, с.505−510.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?