Фазовые переходы, оптическая бистабильность и образование сверхструктур в полупроводниках Пайерлсовского типа
Большинство имеющихся моделей термодинамически равновесного структурного фазового перехода пайерлсовского типа рассматривают взаимодействие атомов в кристаллической решетке в гармоническом приближении, а зависимость интеграла перекрытия электронных волновых функций соседних атомов от межатомного расстояния предполагают линейной. Вместе с тем, большие смещения атомов при фазовом переходе… Читать ещё >
Содержание
- Глава 1. Динамика ширины запрещенной зоны электронного спектра и концентрации электронно-дырочных пар пайерлсовского полупроводника в световом поле
- 1. 1. Гамильтониан и электронный спектр системы
- 1. 2. Оператор дипольного момента
- 1. 3. Динамическое уравнение для параметра порядка термодинамически неравновесной системы Пайерлса
- 1. 4. Выражение для обобщенной диссипативной силы, характеризующей релаксацию приведенной амплитуды фрелиховской фононной моды? благодаря фонон-фононному и фонон-электроиному взаимодействиям
- 1. 5. Вывод кинетического уравнения для концентрации электронно-дырочных пар пайерлсовского полупроводника, взаимодействующего с излучением
1.6.Уравнение динамики для параметра порядка фазового перехода металл-полупроводник и кинетическое уравнение для концентрации электронно-дырочных пар п пайерлсовского полупроводника при возбуждении электронно-дырочных пар в глубину зоны проводимости монохроматическим световым полем.
1.7.Стационарное устойчивое решение уравнений для приведенной амплитуды фрелиховской фононной моды? и концентрации электронно-дырочных пар п.
1.8.Поведение параметров и п пайерлсовского полупроводника на начальном этапе эволюции при сгупенькообразном включении светового поля.
1.9.Поведение параметров? и п пайерлсовского полупроводника на конечном этапе эволюции при сгупенькообразном включении светового поля.
1.10. Обсуждение возможности экспериментальной проверки полученных теоретических результатов и сравнение развитой теории с имеющимся экспериментом по фотоиндуцированному фазовому переходу полупро-водник-мегалл в пленке двуокиси ванадия на подложке.
1.11 .Заключительные замечания.
Глава 2. Фотоиндуцированный фазовый переход и безрезонаторная оптическая бистабильность в полупроводниках с перестраиваемым электронным спектром.
2.1.Основные уравнения для приведенной амплитуды фрелиховской фононной моды и концентрации электронно-дырочных пар п пайерлсовского полупроводника в стационарном режиме.
2.2.Уравнение, связывающее концентрацию электронно-дырочных пар п и ширину запрещенной зоны е электронного спектра системы.
2.3.Связь между шириной запрещенной зоны электронного спектра е и интенсивностью светового поля I в случае, когда наиболее вероятная энергия фотонов близка к е.
2.4. Критерий существования и основные характеристики фото индуцированного фазового перехода и безрезонаторной оптической биста-бильности.
2.5.Фотоиндуцированный фазовый переход в монохроматическом световом поле в случае, когда наиболее вероятная энергия фотонов близка к ширине полной пайерлсовской зоны.
2.6.Фотоиндуцированный фазовый переход в световом поле с конечной шириной оптического спектра в случае, когда наиболее вероятная энергия фотонов близка к ширине полной пайерлсовской зоны.
2.7.Связь между интенсивностью светового поля и концентрацией электронов в зоне Проводимости в неупорядоченной системе.
2.8.Критерии существования фото индуцированного фазового перехода в неупорядоченной системе.
2.9.Сравнение теории фотоиндуцированного фазового перехода в полупроводниках с перестраиваемым электронным спектром с экспериментальными даными по сульфиду кадмия и аморфному дисульфиду германия.
2.10. Заключительные замечания.
Глава 3. Фотоиндуцированная сверхструктура с пространственно модулированной шириной запрещенной зоны электронного спектра пайерлсовского полупроводника.
3.1.Гамильтониан системы.
3.2.Электронный спектр пространственно однородной системы Пайер-лса.
3.3.Электронный спектр пространственно неоднородной системы Пайер-лса.
3.4.Уравнения равновесия для приведенной амплитуды фрелиховской фо-нонной моды и параметра модуляции? ширины запрещенной зоны электронного спектра пайерлсовского полупроводника.
3.5. Образование периодической сверхструктуры при температуре Т=0.
З.б.Образование периодической сверхструктуры при температуре
3.7.Связь между приведенной амплитудой фрелиховской фононной моды? и интенсивностью I монохроматического светового поля при фотовозбуждении неравновесных электронов в глубину зоны проводимости.
3.8.0бсуждение полученных результатов.
3.^Заключительные замечания.
Глава 4. Индуцированная постоянным электрическим полем термодинамически равновесная сверхструктура с пространственно модулированной шириной запрещенной зоны электронного спектра.
4.1 .Электронный спектр.
4.2.Поведение параметра порядка фазового перехода металл-полупроводник вблизи критической точки.
4.3.Образование гетеросгруктуры в поверхностном одноатомном слое пайерлсовского материала.
4.4.Численные оценки и обсуждение полученных результатов.
Глава 5. Образование сверхрешетки фаз при равновесном фазовом переходе металл-полупроводник в монокрнсталлических пленках двуокиси ванадия на подложке.
5.1.Свободная энергия системы пленка-подложка.
5.2.0бразование полупроводниковых монодоменов.
5.3.Температурная зависимость пространственного периода сверхрешетки фаз.
Список литературы
- Артеменко C.H., Волков А. Ф., Зайцев —Зотов С.В. Квази — одномерные полупроводники с волной зарядовой плотности // УФН. 1996, 166, 4, 434 439.
- Gruner G. The dynamics of charge — density waves // Rev. Mod. Phys. 1988, 60, 4, 1129−1181.
- X—ray emission and absorption study of the quasi—one— dimensional oxide conductors K03M0O3 and Li^gMogO^ // Phys. Rev. В 1997, 56, 3, 1284−1289.
- Еременко Д.В., Зайцев —Зотов C.B., Кузнецов А. В., Трофимов В. Н. Нелинейная низкотемпературная намагниченность квазиодномерного проводника Ко (3Мо03 с волнами зарядовой плотности // Письма в ЖЭТФ. 1998, 68, 3 —4, 281−286.
- Mingliang Tian, Zhiqiang Мао, Jing Shi, Zhang Yuheng. Thermal hysteresis, threshold and dynamics of charge — density waves at low temperatures in blue bronzes (К1хАх)0,з^оОз (A=T1 or Na) // Phys. Rev. В 1997, 55, 4, 2107−2113.
- Синченко А.А., Латышев Ю. И., Зыбцев С. Г., Горлова И. Г. Локальная спектроскопия отражения носителей на границе нормальный металл — пайерлсовский проводник К0 3М0О3 // ЖЭТФ. 1998, ИЗ, 5, 1830−1842.
- Mantel О.С., Bal C.A.W., Langezaal С., Dekker С., Van der Zant H.SJ. Shding charge—density—wave transport in micron sized wires of Rb0i3MoO3 // Phys. Rev. В 1999, 60, 8, 5287 — 5294.
- Ван дер Зант Х. С. Дж., Мантель О. С., Руттен П.В.Ф., Деккер К. Электрический транспорт в микроструктурах с волнами зарядовой плотности // УФН. 1998, 168, 2, 179—184.
- Mantel О.С., Van der Zant H.SJ.,. Steinfort AJ., Dekker C., Traeholt C., Zandbergen H.W. Thin films of the charge— density—wave oxide Rb0,3MoO3 by pulsed—laser deposition // Phys. Rev. В 1997, 55, 7, 4817 4824.
- Saito К., Уататша Y., Kitagawa H., Yoshida D., Mitani T. t Sorai M. Thermodanamic metal—insulator transition in a
- Yagi K., Teraucih h., Kuroda N. Ueda K., Sugimoto T. Structural phase transition in (Nme4)TCNQ3 // J. Phys. Soc. Jap. 1999, 68, 12, 3770−3773.
- Yoshida D., Kitagawa H., Mitani T., Itoh T., Nakasuji K. Filling control of 1—D band of TCNQ in H—bonded organic— inorganic hybrid system // Synth. Metals. 1997, 86, 1—3, 2105−2106.
- Eldridge J.E., Lin Y., Mayadunne T.C., Montgomery L.K., Ka— ganov S., Miebach T. Resonant Raman scattering from a charge —density—wave system TTF —TCNQ // Sol. St. Comm. 1998, 105, 7, 427 431.
- Matsuda K., Tanda S., Shiobara M., Okajima Y. f Yamaya K., Hatakenaka N. Quantum collective dynamics of charge — density waves in quasi — one — dimensional orthorhombic TaS3 // J. Phys. Soc. Jap. 2000, 69, 4, 1251 -1252.
- Preobrazhensky V.B., Taldenkov A.N., Shabanov S.Yu. Transition to a highly conducting state in mesoscopic o—TaS3 samples // Phys. Lett. A 1997, 228, 4 5, 311 — 316.
- Zhan X., Brill J.W. Frequency and voltage dependence of the complex shear compliance of TaS3: A relaxation analysis // Phys. Rev. B 1997, 56, 3, 1204- 1212.
- Zaitsev—Zotov S.V., Remenyi G., Monceau P. Zero — temperature limits of nonlinear conduction of the quasi—one — dimensional conductor TaS3 with charge — density waves // Phys. Rev. B 1997, 56, 11, 6388−6391.
- Надь Ф.Я., Иткис М. Е. Энергетический спектр возбуждений в квазиодномерных проводниках с волной зарядовой плотности // Письма в ЖЭТФ. 1996, 63, 4, 246 — 250. h 24. Sinchenko АА, Latyshev Yu.I., Zybtsev S.G., Gorlova I.G.,
- Monceau P. Point—contact spectroscopy of the charge— density—wave gap along the chains in NbSe3 // Phys. Rev. В 1999, 60, 7, 4624 4628.
- Чашка Х.Б., Бычко В А., Оболенский MA, Хасан Раид, Белецкий В. И. Нестационарные эффекты в NbSe3, интеркалированном водородом // Физ. низ. температур. 1998, 24, 1, 47 52.
- Lemay S.G., De lind Van Wijngaarden M.C., Adelman T.L., Thome R.E. Spatial distribution. of charge —density—wave phase slip in NbSe3 // Phys. Rev. В 1998, 57, 20, 12 781−12 791.
- Чашка Х.Б., Бычко BA, Оболенский MA, Хасан Раид, Белецкий В.И., Бастеев АВ., Прожимак АН. Особенностивлияния водорода на ВЗП —переход в NbSe3 // Физ. низ.температур. 1997, 23, 7, 746 752.
- Harrison N., Balicas L., Brooks J.S., Sarrao J., Fisk Z. Thermodynamic evidence for bulk charge—density—wave rigidity in NbSe3 // Phys. Rev. В 2000, 61, 21, 14 299−14 302.
- Hufner S., Claessen R., Reinert F. T Baumgarten C. f Finteis Th., Straub Th., Muller F. t Steiner P. Photoemission experiments on low—dimensional metals // Поверхность. 1998, 8 — 9, 34 — 39.
- Requardt H. t Lorenzo J.E., Currat R., Monceau P., Hennion B. t Berger H., Levy F. Structural study of the charge —density— wave modulation of isoelectronicaly doped (TaixNbxSe4)2I (0.1% < x < 1.2%) // J. Phys.: Condens. Matter. 1998, 10, 29, 6505−6514.
- Lorenzo J.E., Currat R., Monceau P., Hennion В., Berger H., Levy F. A neutron scattering study of quasi —one —dimensional conductor (TaSe4)2I // J. Phys.: Condens. Matter. 1998, 10, 23, 5039 5068.
- Бугаев AA, Захарченя Б. П., Чудновский Ф. А Фазовый переход металл—полупроводник и его применение. Л.: Наука, 1979. 183 с.
- Мотт Н.Ф. Переходы металл—изолятор. М.: Наука, 1979. 343 с.
- Зайцев P.O., Кузьмин Е. В., Овчинников С. Г. Основные представления о переходах металл—диэлектрик в соединениях 3d — металлов // УФН. 1986, 148, 4, 603 — 636.
- Белашенков Н.Р., Карасев В. Б., Солунин АА, Хахаев ИА, Цибадзе К.Ш., Чудновский ФА. Электронные неустойчивости в полупроводниковой фазе диоксида ванадия // ФТТ. 1994, 36, 8, 2475 2478.
- Бугаев АА., Клочков АВ. Необратимые изменения в пленке двуокиси ванадия при пикосекундном лазерном воздействии // ФТТ. 1984, 26, 8, 3487 3489.
- Копаев Ю.В., Мокеров В. Г. Механизм фазовых переходов в окислах ванадия и титана // ДАН СССР. 1982, 264, 6, 1370 — 1374.
- Шадрин Е.Б., Ильинский АВ. О природе фазового перехода металл—полупроводник в диоксиде ванадия // ФТТ. 2000, 42,6,1092−1099.
- Фотиев АА, Волков В. А, Капусткин В. К. Оксидные ванадиевые бронзы. М.: Наука, 1978. 176 с. 1. С)
- Дмитриев А.В., Журавлев Н. А., Волков В. Л. ВЗП и электрические свойства одномерного проводника Nao^V^C^ типа р // ФТТ. 1990, 32, 11, 3420 3422.
- Попова М.Н. Инфракрасная спектроскопия новых спин— пайерлсовских соединений // УФН. 1999, 169, 3, 353 —355.
- Konstantinovic М J., Popovic Z.V., Vasilev A.N., Isobe M., Ueda Y. First evidence for charge ordering in NaV205 from Raman spectroscopy // Sol. St. Comm. 1999, 112, 7, 397−402.
- Zhang Jiandi, Ismail, Rous PJ., Baddorf A.P., Plummer E.W. Periodic lattice distortion accompanying the charge —density— wave transition for Sn/Ge (111) // Phys. Rev. В 1999, 60, 4, 2860−2863.
- Baddorf A.P., Jahns V., Zhang Jiandi, Carpinelli J.M., Plummer E.W. Periodic lattice distortion accompanying the (3×3) charge—density—wave phase of Sn/Ge (111) // Phys. Rev. В 1998, 57, 8, 4579 4583.
- Nakagawa Т., Okuyama H., Nishijima M., Aruga T. Surface, charge density waves on In/Cu (001) using STM and ARPES // Met. Inst. Sci. and Ind. Res. Osaka Univ. 2000, 57, 226 — 227.
- Hosaka N., Tachibana H., Shiga N., Matsumoto M., Tokura Y. Photoinduced phase transformation in polythiophene // Phys. Rev. Lett. 1999, 82, 8, 1672−1675.
- Garcia—Bach M.A., Valenti R., Klein DJ. Spin—Peierls vs Peierls distortion in a family of conjugated polymers // Phys. Rev. B 1997, 56, 4, 1751−1761.
- Watanade M., Nogami Y., Oshima K., Mori H., Tanaka S. Novel pressure — induced 2kf CDW state in organic low—dimensional compound 9-(BEDT-TTF)2CsCo (SCN)4 // J. Phys. Soc. Jap. 1999, 68, 8, 2654 2663.w>
- Ishida Masahiko, Mori Takenhiko, Shigekawa Hidemi. Surface charge — density wave on the one—dimensional organic conductor 6 — (BEDT—TTF)2PF6 // Phys. Rev. B 1999, 60, 3, 596 599.
- Biskup N. Perenboom J .A. A J., Brooks J.S., Quails J.S. Argument for charge density wave subphases in the ground state of a — (BEDT—TTF)2KHg (SCN)4 // Sol. St. Com. 1998, 107, 9, 503 507.
- Kawamoto T., Mori T., Kitagawa H., Mitani T., Misaki Y., Tanaka K. Raman investigation of the one—dimensional organic conductor with half-filled band (TTM—TTP)I3 // J. Phys. Soc. Jap. 1999, 68, 11, 3748 3749.
- Mori T., Kawamoto T., Yamaura J., Enoki T., Misaki Y., Yamabe T., Mori H., Tanaka S. Metal—insulator transition in the or—t-ganic metal (TTM—TTP)I3 with a one—dimensional half—filled band // Phys. Rev. Lett. 1997, 79, 9, 1702−1705.187 V
- Hyai P., Zheng H., Nasu K. Theory for photoinduced ionic— neutral structural phase transition in quasi one — dimensional organic molecular crystal TTF —CA // J. Phys. Soc. Jap. 2000, 69,6,1788−1800.
- Dushchac V., Kasiyan A. Effect of pressure on electrical conductivity in organic quasi—one—dimensional crystals // Phys. Low-Dimens. Struct. 1995, 10−11, 281−286.
- Uji S., Brooks J.S., Takasaki S., Yamada J., Anzai H. Origin of rapid oscillation in the metallic phase for the organic conductor (TMTSF)2C104 // Sol. St. Com. 1997, 103, 7, 387−392.
- Kobayashi Nobuko, Ogato Masao. Coexistence of SDW and CDW in quarter—filled organic conductors // J. Phys. Soc. Jap. 1997, 66, 11, 3356−3359.
- Латышев Ю.И. Квантовая интерференция движущейся ВЗП на колоннообразных дефектах, содержащих магнитный поток // УФН. 1999, 169, 8, 924−926.
- Boehme М., Kipp L., Skibowski М. Electronic localization in momentum space during charge density wave phase transition in lT-TaS2 // Sol. St. Com. 1999, 112, 2, 101 -104.
- Becker В J., Mydosh JA, Kohgi M., Iwasa K. Strongly coupled charge—density wave transition in single crystal Lu5lr4Si10 // Phys. Rev. В 1999, 59, 11, 7266−7269.
- Hess C. r Le Toure C., Schlenker C., Dumas J., Groult D., Marcus J. Localisation effects in the Peierls state of the quasi— two —dimensional compounds (P02)4(WD)2m (m>8) // Synth. Metals. 1997, 86, 1−3, 2419−2422.
- Scholz GA Charge—density wave behaviour in intercalated single crystal Nb3Te4 // Solid State Ionics. 1997, 100, 1—2, 135−141.
- Prodan A., Hla S.W., Marincovic V., Bohm H., Boswell F.W., Bennett J.S. Scanning tunneling microscope study of charge— density—wave modulation in NbTe4 // Phys. Rev. В 1998, 57, 11,6235 6238.
- Straub Th., Ciaessen R., Finteis Th., Steiner P., Huftier S., Oglesby C.S., Bucher E. On the Peierls transition in 2H—NbSe2 // Physica B. 1999, 259 261, 981−982.
- Karutz F.O., Von Schutz J.U., Wachtel H., Wolf H.C. Opticaly reversed Peierls transition in crystals of Cu (dicyanoquinonediimine)2 // Phys. Rev. Lett. 1998, 81, 1, 140−143.
- Кригер Ю.Г. Структурная неустойчивость одномерных систем как основа физического принципа функционирования устройств молекулярной электроники // Ж. Струк. Химии. 1999, 40, 4, 734 767.
- Пайерлс Р. Квантовая теория твердых тел. М.: Иност.лит., 1956. 259 с.
- Berggren K.F., Huberman В.А. Peierls state far from equilibrium • // Phys. Rev. В 1978, 18, 7, 3369−3375.
- Елесин В.Ф., Капаев В. В., Копаев Ю. В. К теории неравновесных фазовых переходов // ЖЭТФ. 1976, 71, 2(8), 714 — 726.
- Капаев В.В., Копаев Ю. В., Молотков С. Н. Нетепловой механизм лазерного отжига полупроводников и образование сверхструктуры // Микроэлектроника. 1983, 12, 6, 499 — 511.
- Копаев Ю.В., Меняйленко В. В., Молотков С. Н. Неравновесные фазовые переходы в ковалентных полупроводниках под воздействием мощного лазерного излучения // ФТТ. 1985, 27, И, 3288 3294.
- Андреев А.В., Емельянов В. И., Ильинский ЮА. Кооперативные явления в оптике: Сверхизлучение. Бистабильность. Фазовые переходы. М.: Наука, 1988. 287 с.
- Бугаев АА., Гудялис В. В., Захарченя Б. П., Чудновский ФА. Селективность фотовозбужденного фазового перехода металл —полупроводник в двуокиси ванадия при инициировании его пикосекундными импульсами // Письма в ЖЭТФ. 1981, 34, 8, 452−455.
- Falkovsky L.A., Mishchenko E.G. Lattice deformation from interaction with electrons heated by ultrashort laser pulse // Pisma v ZHETF. 1997, 66, 3, 195−199.
- Koshino Kazuki, Ogawa Tetsuo. Domino effects in photoinduced structural change in one — dimensional systems // J. Phys. Soc. Jap. 1998, 67, 7, 2174−2177.с>
- Mori Такао, Ogawa Kyohei, Yoshida Ken—ichi, Miyano Ken— jiro, Tomioka Yasuhide, Tokura Yoshinori. Spatial properties of the photoinduced transition in Рг^уСа^з-МпОз // J. Phys. Soc. Jap. 1997, 66, 11, 3570 3576.
- Schmitt H., Von Schutz J.U., Wachtel H., Wolf H.C. Light, pressure and stress induced phase transitions of deuterated Cu (DCNQJ)2 radical ion salts // Synth. Metals. 1997, 86, 1−3, 2257 2258.
- Копаев Ю.В., Меняйленко B.B., Молотков C.H. Бесстолк— новительная динамика неравновесного фазового перехода полупроводник-металл // ЖЭТФ. 1985, 89, 4(10), 1404 — 1415.
- Суслов И.М. О возможном механизме лазерного отжига // Письма в ЖЭТФ. 1984, 39, 12, 547−550.
- Стопачинский В.Б., Суслов И. М. Осцилляторные эффекты в фотостимулированной реконструкции поверхности // ЖЭТФ. 1986, 91, 1(7), 314−317.
- Емельянов В.И., Уварова И. Ф. Электронно— деформационно—тепловая неустойчивость и фазовый переход полупроводник—металл под действием лазерного излучения с образованием сверхструктур // ЖЭТФ. 1988, 94, 8, 255 269.
- Emel’yanov V.I., Babak D.V. Ultrafast laser—induced transitions on the surface of semiconductors to a cold—liquid state or a new crystal phase // Laser Physics. 1997, 7, 2, 514 — 523.
- Мамин Р.Ф. Возникновение гетерофазных структур вблизи фазовых переходов в фотосегнетоэлектриках // ЖЭТФ. 1997, 111, 4, 1465−1476.
- Ахманов С.А., Емельянов В. И., Коротеев H.H., Семиногов В. Н. Воздействие мощного лазерного излучения на поверхность полупроводников и металлов: нелинейно — оптические эффекты и нелинейно—оптическая диагностика // УФН. 1985, 147, 4, 675 745.
- Шель Э. Самоорганизация в полупроводниках. М.: Мир, 1991. 464 с.
- Маделунг О. Физика твердого тела: локализование состояния. М.: Наука, 1985. 184 с.
- Боголюбов H.H.,.Боголюбов Н. Н (мл.) Введение в квантовую статистическую механику. М.: Наука, 1984. 384 с.
- Бонч—Бруевич В. Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1990. 296 с.
- Лифшиц Е.М., Питаевский Л. П. Физическая кинетика. М.: Наука, 1979. С. 342.
- Боголюбов H.H. (мл.), Садовников Б. И., Шумовский A.C.
- Математические методы статистической механики модельных систем. М.: Наука, 1989. 296 с.
- Ахиезер А.И., Пелетминский C.B. Методы статистической физики. М.: Наука, 1977. 368 с.
- Лифшиц Е.М., Питаевский Л. П. Статистическая физика, ч.2. М.: Наука, 1978. С. 65.
- Ахманов С.А., Дьяков Ю. Е., Чиркин A.C. Введение в статистическую радиофизику и оптику. М.: Наука, 1981. С. 42.
- Клышко Д.Н. Физические основы квантовой электроники. М.: Наука, 1986. С. 22.9> 99. Давыдов A.C. Теория твердого тела. М.: Наука, 1976. 639 с.
- Кузовлев Ю.Е., Соболева Т. К., Филиппов А. Э. Структура и эволюция зародышей новой фазы при фазовых переходах первого рода // ЖЭТФ. 1993, 103, 3, 1742−1761.
- Гиббс X. Оптическая бистабильность. Управление светом с помощью света. М.: Мир, 1988. 520 с.
- Хаджи П.И., Гайван С .Л. Безрезонаторная оптическая бистабильность в тонкой пленке полупроводника при возбуждении экситонов и биэкситонов // Квантовая электроника. 1996, 23, 11, 1009−1012.
- Хаджи П.И., Федоров Л. В. Особенности взаимодействия УКИ резонансного лазерного излучения с тонкими пленками полупроводника // Квантовая электроника. 1999, 29,1,61−65.
- Хаджи П.И., Ляхомская К Д. Самоотражение в системе экситонов и биэкситонов в полупроводниках // Квантовая электроника. 1999, 29, 1, 43 — 48.
- Хаджи П.И., Русанов А. М., Гайван С. Л. Безрезонаторная оптическая бистабильность тонкой пленки полупроводника в экситонной области спектра // Квантовая электроника. 1999, 27, 3, 262 264.
- Хаджи П.И., Ткаченко Д. В., Гайван С. Л. Особенности стационарного пропускания (отражения) тонкой пленки полупроводника в экситонной области спектра // Квантовая электроника. 1999, 27, 3, 265 — 268.
- Ротару А.Х., Трончу В. З. Нелинейное стационарное и нестационарное распространение света в прямозонных полупроводниках при связывании двух экситонов в биэкситон // ЖЭТФ. 1997, 112, 5(11), 1778−1790.
- Сайко А.П. Оптическая бистабильностъ во флуктуирующей резонансной среде // Квантовая электроника. 1998, 25, 3, 259−261.
- Есипов С.Э. Нелинейная волна сильного поглощения в оптически бистабильной среде. Проблема отбора скорости // ЖЭТФ. 1990, 97, 3, 1031−1040.
- Парканский Б.Ш., Ротару А. Х. Оптические гистерезисы, переключения и самопульсации при резонансном возбуждении экситонов в полупроводниках // ЖЭТФ. 1991, 99, 3, 899−910.
- Киселев В.Ф., Козлов С. Н., Левшин H.A., Смирнов H.H. Управление фазовым переходом полупроводник—металл в пленках V02 методом адсорбционных воздействий // ФТТ. 1988, 30, 3, 924−926.
- Хаджи П.И., Шибаршина Г. Д., Ротару А. Х. Оптическая бистабильностъ в системе когерентных экситонов и биэкситонов в полупроводниках. Кишинев.: Штиинца, 1988. С. 120.
- Лысенко В.Г., Ревенко В. И., Тратас Т. Г., Тимофеев В. Б. Из — лучательная рекомбинация неравновесной электронно — дырочной плазмы в кристаллах CdS // ЖЭТФ. 1975, 68, 1, 335 346.
- Коршунов В.В., Лебедев М. В., Лысенко В. Г. Изменение оптических свойств кристаллов CdS в условиях мощного оптического возбуждения // ФТТ. 1985, 27, 5, 1518—1523.
- Лысенко В.Г., Ревенко В. И. Спектр экситона в газе неравновесных носителей высокой плотности в кристаллах CdS // ФТТ. 1978, 20, 7, 2144−2147.
- Днепровский B.C., Климов В. И., Названова E.B. Нелинейное пропускание кристаллов CdSxSe|x // ФТТ. 1990, 32, 7, 1941−1946.
- Балтрамеюнас Р., Гульбинас В., Екимов А. И., Кудрявцев И Л., Пакалышс С., Тамулайтис Г., Чепик Д. И. Быстрое переключение пропускания света в стеклах, активированных микрокристаллами CdS // ФТП. 1990, 25, 2, 271−275.
- Днепровский B.C., Климов В. И., Названова Е. В. Переход Мотта и оптическая бистабильностъ в CdS // ЖЭТФ. 1990, 98, 3(9), 1035−1044.
- Любин В.М., Тихомиров В. К. Оптическая бистабильностъ и критическое замедление в аморфном полупроводнике GeS2 // Письма в ЖЭТФ. 1992, 55, 1, 25 28.
- Стадник В А. Теплопроводностный режим движения домена сильного поглощения в селениде цинка при действии лазерного излучения // ФТТ. 1987, 29, 12, 3594 3602.
- Матвеев А.Н. Оптика. М.: Высшая школа, 1985. С. 317.
- Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. Т. 1,2. М.: Мир, 1982. 658 с.
- Фельц А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. М.: Мир, 1986. 558 с.
- Копаев Ю.В., Тимеров Р. Х. О влиянии фазового перехода металл—диэлектрик на температуру сверхпроводящего перехода // ЖЭТФ. 1972, 63, 1, 290−307.
- Ландау Л-Д., Лифшиц Е. М. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. Т. 3. М.: Наука, 1989. 768 с.
- Киттель Ч. Квантовая теория твердых тел. М.: Наука, 1967. С. 38.
- Валиев КА., Мокеров В. Г., Сарайкин В. В., Петрова А. Г. Рассеяние света при фазовом переходе полупроводник— металл в двуокиси ванадия // ФТТ. 1977, 19, 9, 1537—1544.
- Ройтбурд АА Теория формирования гетерофазной структуры при фазовых превращениях в твердом состоянии // УФН. 1974, ИЗ, 1, 69−104.
- Корженевский АЛ. Регулярные крупномасштабные сверхструктуры вблизи фазовых переходов в кристаллах // ФТТ. 1984, 26, 4, 1223−1225.
- Чачатурян А.Г. Теория фазовых превращений и структура твердых растворов. М.: Наука, 1974. 384 с.
- Талапов АА. Несоизмеримая система на деформируемой подложке // ЖЭТФ. 1982, 83, 1(7), 442 445.
- Kawakubo Т., Nakagawa Т. Phase transition in VO2 // J.Phys.SocJap. 1964, 19, 4, 517 520.
- Kucharezyk D., Niklewski T. Accurate X—ray determination of the lattice parameters and the thermal expansion coeficients of V02 near the transition temperature // J. Appl. Crystallogr. 1979, 12, 4, 370−373.
- Ландау АД., Лифшиц E.M. Теория упругости. М.: Наука, 1987. 246 с.
- Брус А, Каули Р. Структурные фазовые переходы. М.: Мир, 1984. 408 с.
- Ladd LA, Paul W. Optical and transport properties of high quality crystals of V204 near the metallic transition temperature // Sol. St. Com. 1969, 7, 3, 425−428.
- Pouqet J.P., Launois H., D’Haenens J.P., Merenda P., Rice T.M. Electron localization induced by uniaxial stress in pure V02 // Phys. Rev. Lett. 1975, 35, 13, 873−875.
- Биленко Д.И., Жаркова Э. А., Хасина Е. И., Борисов С. П., Стальмахов A.B. Влияние одноосного давления на фазовый переход металл—полупроводник в пленках двуокиси ванадия // Микроэлектроника. 1979, 8, 1, 74—76.
- Марченко В.И., Паршин АЛ., Об упругих свойствах поверхности кристаллов // ЖЭТФ. 1980, 79, 1(7), 255 260.
- Гербштейн Ю.М., Смирнова Т. В., Теруков Е. И., Чудновский ФА Особенности оптических свойств пленок двуокиси ванадия вблизи фазового перехода полупроводник—металл // ФТТ. 1976, 18, 2, 503 505.
- Кузьмин Е.В., Овчинников С. Г. Теория перехода металл-диэлектрик в соединениях переходных металлов // В кн. Физика магнитных материалов. Н.: Наука, 1983. 156 с.
- Кузьмин Е.В., Овчинников С. Г. Двухзонная модель перехода металл—диэлектрик с искажением решетки // ФТТ. 1976, 18, 3, 750−757.
- Овчинников С.Г. Самосогласованное описание фазового перехода металл—диэлектрик в двухзонной модели // ЖЭТФ. 1980, 78, 4, 1435−1447.
- Овчинников С.Г. Недиагональный беспорядок и переход металл—диэлектрик в узкозонном металле // ЖЭТФ. 1978, 75, 3, 1000−1006.
- Villenluve G., Bordet A., Casalot A., Pauqet J.P., Launois H. Metal—insulator transition in Vj xNbx02 // J. Phys. Chem. Solids. 1972, 33, 10, 1953−1959.
- Horlin T., Niklewski T., Nygren M. Magnetic, electrical and thermal studies of the Vi xMox02 system with 0 < x < 0.20 // Mater. Res. Bull. 1973, 8, 2, 179−190.
- Nucpren M., Israelsson M. Transition temperature in Vi-j?Wx02 // Mater. Res. Bull. 1969, 4, 12, 881−886.
- Marezio M., McWhan D.B., Remeika J.R., Dernier P.D. Structural aspects of the metal—insulator transition in Cr—doped V02 // Phys. Rev. В 1972, 5, 7, 2541 -2551.
- Poliert E., Villenluve Q., Menil F., Hagenmuller T. Le systeme Vj x Fe.02: properties structurales et magnetiques // Mater. Res. Bull. 1976, 11, 2, 159−166.
- Kosuge K., Kachi S. Phase diagram of FexV! x02 in the 0 ^ x ^ 0.25 region // Mater. Res. Bull. 1976, 11, 3, 255 262.
- Bruckner W., Gerlach U., Moldenhauer W. Phase transitions and semiconductor—metal transition in Vj xGax02 single crystals // Phys. Status Sol. 1976, 38, 1, 93−102.
- Леванкж А.П., Сигов A.C. Структурные фазовые переходы в кристаллах с дефектами // Изв. АН СССР. Сер. физическая 1985, 49, 2, 219−226.
- Булаевский Л.Н., Садовский М. В. О влиянии неупорядоченности кристаллической решетки на пайерлсовский переход// ФТТ. 1974, 16, 4, 1159−1164.
- Двайт Г. Б. Таблицы интегралов и другие математические формулы. М.: Наука, 1983. С. 116.
- Корн Г., Корн Т. Справочник по математике для научных работников и инженеров. М.: Наука, 1978. 832 с.
- Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М.: Наука, 1978. С. 191.
- Яворский Б.М., Детлаф A.A. Справочник по физике для инженеров и студентов вузов. М.: Наука, 1979. С. 170.
- Физические величины: Справочник под ред.И. С. Григорьева, Е. З. Мейлихова. М.: Энергоиздат, 1991. 1232 с.
- Садовский М.В. Теория квазиодномерных систем, испытывающих пайерлсовский переход // ФТТ. 1974, 16, 9, 2504 2511.
- Стоунхэм А.М. Теория дефектов в твердых телах. Т. 1. М.: Мир, 1978. 569 с.
- Займан Дж. Модели беспорядка. М.: Мир, 1982. 592 с.
- Волков Б.А., Фальковский Л. А. Электронная структура полуметаллов группы V // ЖЭТФ. 1983, 85, 6 (12), 2135 2151.
- Monceau Р. Электронные свойства квази — 1D—соединений с основным состоянием с волной зарядовой / спиновой плотности // ФТТ. 1999, 41, 5, 759−763.
- Tanaka Y., Visscher M.I., Rejaei Behzad, Baner Gerrit E.M. Theory of tunneling conductance of CDW junctions // Physica B. 1996, 227, 1−4, 339 341.
- Nagai Т., Nakahata Y., Sumita Т., Kubota H. Collective sliding motion of ultra—thin CDW // Physica B. 1997, 239, 1—2, 59 — 61.
- Goldbach M., Meyer ТЬ., Sandersfeld N., Parisi J. Statistical model for time—dependent transport in charge —density—wave systems // Phys. Lett. A 1998, 238, 2 3, 179−184.
- Дмитриев A.B., Журавлев H.A., Волков В .Л. ВЗП и электрические свойства одномерного проводника Na033V2O5 типа Р // ФТТ. 1990, 32, 11, 3420 3422.
- Минакова В.Е., Латышев Ю. И., Волков В .А. Аномалии нелинейной проводимости квазиодномерного соединения т— TaS3 вблизи температуры пайерлсовского перехода // Письма в ЖЭТФ. 1995, 62, 5, 442 446.
- Lee PA., Rice Т.М. Electric field depinning of charge density waves // Phys. Rev. В 1978, 19, 8, 3970 3980.
- Бразовский CA., Дзялошинский И. Е. Динамика одномерной электрон—фононной системы при низкой температуре // ЖЭТФ. 1976, 71, 6 (12), 2338 2348.
- Горьков Л.П., Долгов E.H. Движение фрелиховской моды и проводимость NbSe3 // ЖЭТФ. 1979, 77, 1 (7), 396−403.
- Артеменко С.Н., Волков АФ. К теории кинетических явлений в пайерлсовских диэлектриках // ЖЭТФ. 1981, 80, 5, 2018 2030.
- Артеменко С.Н., Волков АФ. К теории фрелиховской проводимости проводников с соизмеримой ВЗП // ЖЭТФ. 1981, 81, 5 (11), 1872−1889.
- Дзялошинский И.Е., Кричевер И. М. Звук и волна зарядовой плотности в дискретной модели Пайерлса // ЖЭТФ. 1983, 85, 5(11), 1771−1789.
- Синченко АА., Латышев Ю. И., Зыбцев С. Г., Горлова И.Г.1. J9
- Особенности микроконтактных спектров металл— квазиодномерный проводник с волной зарядовой плотности // Письма в ЖЭТФ. 1998, 67, 1−2, 146−151.
- Емельянов В.И., Левшин Н. Л., Семенов A.A. Деформационный механизм сдвига критической температуры фазового перехода металл—полупроводник в пленке V02 при адсорбции // Вестн. Моск. Ун—та. Сер. 3, физика, астрого — мия. 1988, 29, 6, 98−100.
- Емельянов В.И., Левшин H.A., Семенов A.A. Модель фо— нонного энгармонизма в теории фазового перехода металл—полупроводник в V02 // Вестн. Моск. Ун—та. Сер. 3, физика, астрогомия. 1989, 30, 5, 52 — 56.
- Емельянов В.И., Левшин НЛ, Семенов А.Л. Сдвиг температуры фазового перехода металл—полупроводник за счет примесей и дефектов // ФТТ. 1989, 31, 10, 261 -264.
- Емельянов В.И., Семенов А. Л. Образование сверхрешетки фаз при равновесном фазовом переходе металл— полупроводник в монокристаллических пленках // Деп. в ВИНИТИ АН СССР от 21 мая 1990 г. № 2754-В90. 1990, И с.
- Емельянов В.И., Семенов А. Л. Образование сверхрешетки фаз при равновесном фазовом переходе металл— полупроводник в монокристаллических пленках V02 // ФТТ. 1990, 32, 10, 3083−3088.
- Емельянов В.И., Левшин Н. Л., Семенов А. Л. Влияние примесей замещения на температуру фазового перехода металл —полупроводник // Вестн. Моск. Ун—та. Сер. 3, физика, астрогомия. 1990, 31, 5, 99—101.
- Емельянов В.И., Левшин Н. Л., Поройков С. Ю., Семенов AJV. Влияние локальных возмущений на фазовый переход полупроводник—металл // Вестн. Моск. Ун—та. Сер. 3, физика, астрогомия. 1991, 32, 1, 63 — 74.
- Семенов A.A. Влияние легирования на температуру фазового перехода металл—полупроводник // ФТТ. 1994, 36, 7, 1974−1977.
- Семенов А-Л., Сухов C.B. Критическая температура фазового перехода металл—полупроводник в системе с примесями замещения // Известия ВУЗов. Физика. 1996, 9, 120−121.
- Крайнов Д.Ю., Семенов A.A. Оптическая бистабильностъ в системах с сильным электрон — фононным взаимодействием // Труды молодых ученых УХТУ. Ульяновск. 1996, 22 — 23.
- Семенов AJY. Система Пайерлса в световом поле // ЖЭТФ. 1997, 111, 4, 1398−1409.
- Семенов А-А. Двухпараметрическая модель фазового перехода металл—полупроводник в квазиодномерной системе // ФТТ. 1997, 39, 5, 925 928.
- Семенов A.A. Фотоиндуцированный фазовый переход в системе с перестраиваемым электронным спектром // ЖЭТФ. 1997, 111, 6, 2147 2157.
- Семенов A.A. Лазерно —индуцированная неустойчивость полупроводниковой фазы двуокиси ванадия // Тр. междун. конф. «Оптика полупроводников». Ульяновск. 1998, 77.
- Семенов A.A., Солодовникова E.H. Гетерофазная структура в пленке двуокиси ванадия // Тр. конф. «Математическое моделирование физических, экономических, социальных систем и процессов». Ульяновск. 1998, 37.
- Семенов AJV. Оптическая бистабильностъ в аморфном дисульфиде германия // Тр. конф. «Математическое моделирование физических, экономических, социальных систем и процессов». Ульяновск. 1998, 45.
- Семенов A.A. О фазовых переходах в цепочке атомов // Тезисы докладов школы — семинара «Актуальные проблемы физической и функциональной электроники». Ульяновск. 1998, 34.
- Семенов АЛ. Фото индуцированная неустойчивость и фазовый переход полупроводник—металл в системе Пайерлса // ФТТ. 1998, 40, И, 2113−2118.
- Семенов А.Л. Фотоиндуцированный фазовый переход в системе Пайерлса // ЖЭТФ. 1998, 114, 4 (10), 1407−1420.
- Семенов АЛ., Солодовникова E.H. Образование сверхре— шетки фаз в пленках двуокиси ванадия в окресности точки фазового перехода // Ученые записки УлГУ. Серия физическая. Ульяновск. 1998, 2 (5), 67—71.
- Семенов А-Л. Фотоиндуцированная сверхструктура в низкотемпературной фазе системы Пайерлса // ЖЭТФ. 1999, 115, 4, 1297−1314.
- Семенов A.A. Фазовый переход металл—полупроводник в системе с неупорядоченно расположенными примесными атомами // Тр. междун. конф. «Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах». Ульяновск. УлГУ. 1999, 23.
- Елисеева C.B., Семенов AJV. Влияние вида потенциала межатомного взаимодействия на фазовый переход металл—полупроводник пайерлсовского типа // Ученые записки УлГУ. Серия физическая. Ульяновск. 1999, 2 (7), 70 — 76.
- Семенов AJV. Динамика системы Пайерлса в световом поле // ЖЭТФ. 1999, 116, 6 (12), 2154 2175.
- Семенов АЛ, Солодовникова E.H. О температурной зависимости периода гетероструктуры вблизи точки фазового перехода металл—полупроводник в пленке двуокиси ванадия // ФТТ. 2000, 42, 1, 170−171.
- Елисеева C.B., Семенов A.A. Температурная зависимость нижнего края оптического поглощения полупроводника с пайерлсовской неустойчивостью // Тр. междун. конф. «Оптика полупроводников». Ульяновск. 2000, 53.
- Семенов A.A. Фотоиндуцированная сверхструктура в пай— ерлсовском полупроводнике // Тр. междун. конф. «Оптика полупроводников». Ульяновск. 2000, 172.
- Семенов AJV. Индуцированная постоянным электрическим полем гетерофазная структура на поверхности пайерлсовского металла // ФТТ. 2000, 42, 6, 1125−1128.
- Семенов AJY. О влиянии кубичного ангармонизма межатомного взаимодействия на низкотемпературную фазу системы Пайерлса // ЖЭТФ. 2000, 117, 6, 1175−1180.
- Семенов A.A. Учет несферичности атомных волновых функций электрона в теории структурного фазового перехода пайерлсовского типа // ФТТ. 2000, 42, 10, 1842 — 1847.
- Елисеева C.B., Семенов A.A. Структурный фазовый переход пайерлсовского типа в цепочке атомов с кубичным энгармонизмом // Ученые записки УлГУ. Серия физическая. Ульяновск. 2000, 1 (8), 25 29.
- Елисеева C.B., Семенов А. Л. Влияние ангармонизма четвертого порядка на фазовый переход металл— полупроводник в одномерной системе атомов // Труды молодых ученых УлГУ. Ульяновск. 2000, 11 — 12.
- Семенов АЛ., Шарапов М. Ш. Влияние изменения центральной частоты светового поля на безрезонаторную оптическую бистабильность в системе Пайерлса // Ученые записки УлГУ. Серия физическая. Ульяновск. 2000, 2 (9), 18−20.
- Семенов AJV., Шарапов М. Ш. Частотный гистерезис в системе Пайерлса // Ученые записки УлГУ. Серия физическая. Ульяновск. 2000, 2 (9), 21—23.
- Елисеева C.B., Семенов А. Л. Двухпараметрическая модель фазового перехода металл—полупроводник в одномерной системе атомов // Известия ВУЗов. Физика. 2001, 1, 34 — 37.
- Семенов А.Л. Динамика фото индуцированных изменений электронного спектра пайерлсовского полупроводника // Тр. междун. конф. «Оптика, оптоэлектроника и технологии». Ульяновск. 2001, 90.
- Семенов AJV-, Шарапов М. Ш. Безрезонаторная оптическая бистабильность в квазиодномерных полупроводниках пайерлсовского типа // Квантовая электроника. 2001, 31, 10, 921−925.
- Шарапов М.Ш., Семенов А-Л. Температурная зависимость параметров фазового перехода полупроводник—металл в системе Пайерлса // Тр. междун. конф. «Оптика, оптоэлектроника и технологии». Ульяновск. 2002, 152.
- Семенов А-Л., Шарапов М. Ш. Бистабильность оптического поглощения в квазиодномерных пайерлсовских полупроводниках // Оптика и спектроскопия. 2002, 92, б, 967 — 970.