Субнаносекундные коммутаторы на основе гетеропереходов в системе GaAs (InGaAs) — AlGaAs: Разработка технологии и исследование свойств
Диссертация
Однако известные полупроводниковые приборы, такие как туннельные диоды, СВЧ транзисторы, диоды с накоплением заряда коммутируют мощности не более нескольких ватт. Более мощные 8-диоды из ОаАБ практически не нашли применения из-за крайне низкой надёжности работы и стабильности переключения. Наиболее мощные приборы — кремниевые диодные, транзисторные и тиристорные обострители, а также… Читать ещё >
Содержание
- Глава 1. Анализ литературных данных и постановка задачи
- 1. 1. Субнано- и пикосекундная коммутация полупроводниковыми приборами больших мощностей
- 1. 2. Особенности использования прямозонных полупроводников (ОаАБ) в импульсной силовой технике
- 1. 3. Особенности получения нелегированных слоев СаАБ и высоковольтных р-п переходов методом жидкофазной эпитаксии
- 1. 3. 1. Зависимость параметров слоев нелегированного ваАз от условий проведения технологического процесса
- 1. 3. 2. Получение слоев ваАэ, легированных фоновыми примесями, применительно к их использованию в силовой электронике
- 1. 4. Поведение фоновых примесей в нелегированных слоях ОаАэ
- 1. 5. Основные глубокоуровневые центры в нелегированном ваАэ
- 1. 6. Влияние добавок изовалентных примесей (1п, 8Ь, Р, В1) на свойства слоёв ваАз
- 1. 7. Постановка задачи
- Глава 2. Методика получения и исследования нелегированных слоёв СаАв (1пхСа1хА8) и коммутаторов на их основе
- 2. 1. Получение эпитаксиальных структур и приборов на их основе
- 2. 1. 1. Описание технологической установки
- 2. 1. 2. Технологическая оснастка и материалы
- 2. 1. 3. Подготовительные операции
- 2. 1. 4. Выбор температурно-временных режимов эпитаксиальных процессов
- 2. 1. 5. Схема изготовления фотонно-инжекционных импульсных коммутаторов (ФИИК)
- 2. 2. Методики исследования параметров нелегированного ваАэ (1пхОа1.хАз), р°-7с-п° переходов и коммутаторов на их основе
- 2. 2. 1. Экспресс-контроль эпитаксиальных слоев
- 2. 2. 2. Определение параметров глубокоуровневых центров методом емкостной спектроскопии (БЬТ8)
- 2. 2. 3. Метод определения времени жизни ННЗ
- 2. 2. 4. Определение состава твердой фазы в образцах Ыхва^Аэ с помощью рентгеноспектрального микроанализатора «СотеЬах»
- 2. 2. 5. Методика исследования переходных процессов на этапе включения ФИИК
- 2. 2. 6. Методика определения времени выключения (восстановления) ФИИК
- 2. 1. Получение эпитаксиальных структур и приборов на их основе
- 3. 1. Влияние газовой среды выращивания на параметры эпитаксиальных слоёв ваАБ
- 3. 2. Глубокоуровневые центры в слоях ваАз р°- типа, полученных в результате фонового легирования в различных газовых средах (водород или аргон)
- 3. 3. Эффективные времена жизни ННЗ, измеренные методом переключения диодной структуры из пропускного направления в блокирующее (метод Лэкса)
- 4. 1. Определение фазовых равновесий в системе Тп-Оа-Аз («галлиевый угол» диаграммы состояний)
- 4. 1. 1. Построение фрагментов изотерм ликвидуса системы Тп-ва-Аз и определение состава твердой фазы в образцах? п^а^Ав
- 4. 1. 2. Расчёт коэффициента распределения 1п
- 4. 1. 3. Расчёт состава твердой фазы 1пхОа1. хА8 и обсуждение результатов
- 4. 2. Параметры высоковольтных р°-7г-п° переходов на основе In.xGai.xAs в сравнении с их ваАБ аналогами
Список литературы
- В.М.Тучкевич, И. В. Грехов. Новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами. JL: Наука, 1988, 117 с.
- J.C.Koo, G.M.McWright, D. Michael, M.D.Pocha, R.B.Wilcox. A low leakage 10 000-V silicon photoconductive switch. Appl. Phys. Lett., 1984, v. 45, № 10, p. 1130−1131.
- Ж.И.Алфёров, И. В. Грехов, В. М. Ефанов, А.Ф.Кардо-Сысоев, В. И. Корольков, М. Н. Степанова. Формирование высоковольтных перепадов напряжения пикосекундного диапазона на арсенидгаллиевых диодах. Письма в ЖТФ, 1987, т. 13, № 18, стр. 1089−1093.
- D.H.Auston. IEEE J. QE-19, 1983, p. 639.
- П.П.Васильев. Пикосекундная оптоэлектроника. Квантовая электроника, 1990, 17, № 3, стр. 268−287.
- J.H.Zhao, T. Burke, M. Weiner, A. Chin and J.M.Ballingal. Reverse-biased performance of a molecular-beam-epitaxial-grown AlGaAs/GaAs-power optothy-ristor for pulsed power-switching applications. J. Appl. Phys., 1993, v. 74, № 8, p. 5225−5230.
- M.H.Herman, S.M.Ahern, L.O.Ragle, C. Leung, H.I.Helava, D.M.Rossi, D. Mansfield and K.M.Positery. Lifetime of BASS devices on 50−0hm video pulsers circuits. Proc. of Optically activated switching III, 1993, SPIE vol. 1873, p. 39−48.
- C.Reichel, W. Siegel, and G.Kiihnel. Spatial variation of activation energy in undoped high-resistivity bulk GaAs. J. Appl. Phys., 1999, v. 85, № 2, p. 912
- А.Беляева, С. Н. Вайнштейн, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн, В. Е. Челноков. Субнаносекундное включение арсенидгаллиевых тиристоров. Письма в ЖТФ, 1986, т. 12, вып. 15, стр. 925−928.
- С.Н.Вайнштейн, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн. Сравнительное исследование процесса включения арсенидгаллиевых и кремниевых тиристоров. ЖТФ, 1986, т. 16, № 7, стр. 1343−1347.
- Ю.М.Задиранов, В. И. Корольков, С. И. Пономарёв, А. В. Рожков, Г. И. Цвилёв. Высоковольтные импульсные тиристоры на основе слабо легированного арсенида галлия. ЖТФ, 1987, т. 57, в. 4, стр. 771−777.
- H.Hur.Jung, P. Hadizad, S.G.Hummel, K.M.Dzurko, P.D.Dapkus, H.R.Fetterman, M.A.Gundersen. GaAs-based opto-thyristor for pulsed power applications. IEEE Transactions of Electron devices, 1990, v. 37, № 12, p. 2520−2525.
- С.И.Пономарёв. Исследование высоковольтных быстродействующих диодных и тиристорных структур на основе GaAs и твердых растворов AlxGaixAs. Дисс. на соиск. учёной степ. канд. физ.-мат. наук. Л.: ФТИ им. А. Ф. Иоффе, 1984.
- А.В.Рожков. Электронно-фотонный механизм переноса неравновесных носителей заряда и его использование в полупроводниковых приборах. Дисс. на соиск. учёной степ. канд. физ.-мат. наук. Л.: ФТИ им. А. Ф. Иоффе, 1986, 207 с.
- Е.Р.Сеель. Создание и исследование структур на основе слаболегированного GaAs и твёрдых растворов AlxGaixAs. Дисс. на соиск. учёной степ, канд. физ.-мат. наук. Л.: ФТИ им. А. Ф. Иоффе, 1988.
- R.L.Johnston, D.L.Schrfetter. IEEE Trans. Electron. Dev., 1969, v. ED-16, p. 905−914.
- R.I.Trene, G.I.Haddad, N.A.Masnary. A simplified model of a TRAP ATT diode. IEEE Trans. Electron, devices, v. ED-23, 1976, p. 28.
- В.Константинов, О. А. Мезрин. Волна туннельной ионизации в полупроводниковых структурах. Письма в ЖТФ, 1987, т. 13, в. 8, стр. 476−481.
- С.Н.Вайнштейн, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн. Исследование субнано-секундного включения арсенид-галлиевых тиристорных структур. ФТП, 1988, т. 22, вып. 6, стр. 1134−1137.
- Л.Р.Доусон. Жидкостная эпитаксия. В сб. статей «Материалы для опто-электроники». -М.: Мир, 1976, стр. 9−38.
- М.Б.Паниш, М.Илегемс. Фазовые равновесия в тройных системах III-V. В сб. статей «Материалы для оптоэлектроники». М.: Мир, 1976, стр. 39−92.
- В.М.Андреев, Л. М. Долгинов, Д. Н. Третьяков. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. Под ред. Ж. И. Алфёрова. М.: Советское радио, 1975, 328 с.
- Х.Кейси, М.Паниш. Лазеры на гетероструктурах. 2-ой том. Пер. с англ. -М.: Мир, 1981,364 с.
- Y.Nanishi. Liquid phase epitaxial growth of high purity GaAs by sliding boat method. Jap. J. Appl. Phys., 1978, v. 17, № 7, p. 1177−1184.
- M.E.Weiner. Si contamination in open flow quartz system for growth GaAs and GaP. J. of El. Chem. Soc., 1972, v. 119, № 4, p. 496−500.
- H.G.B.Hiks, P.D.Greene. Control of Si contamination in GaAs grown from melt. Proc. of the Ш-d Intern. Symp. on GaAs, 1970, p. 92−97.
- G.F.Newmark and K.Kosai. Deep levels in wide band-gap III-V semiconductors. Edited by Willardson R.K., Beer A.C. Semiconductors and semimetals. V. 19. New York London, Academic Press, 1983, p. 1−75.
- Ж.И.Алфёров, В. М. Андреев, В. И. Корольков, Д. Н. Третьяков и В. М. Тучкевич. Высоковольтные р-n переходы в кристаллах GaxAlixAs.
- ФТП, 1967, т. 1, вып. 10, стр. 1579−1581.
- J.R.Shealy. Liquid phase epitaxy of high purity GaAs on conducting n-type substrates. J. Appl. Phys., 1981, v. 52, № 7, p. 4640−4645.
- Жауэр К.-Г. Выращивание слоев GaAs высокой чистоты методом жидко-фазной эпитаксии в вакууме. Сб. статей «Материалы для оптоэлектрони-ки». -М.: Мир, 1976, стр. 93−101.
- ЗЗ.Э. Г. Багдуев. Влияние дислокаций на оптические и фотоэлектрические свойства арсенида галлия. Автореферат дисс. на соиск. учёной степ. канд. физ.-мат. наук. Черноголовка: ИФТТ АН СССР, 1990.
- J.Lagowski, M. Kaminska, J.M.Parsey, Jr., H.C.Gatos, and M.Lichtensteiger. Passivation of the dominant deep level (EL2) in GaAs by hydrogen. Appl. Phys. Lett. v. 41, 1982, № 11, p. 1078−1080.
- W.C.Dautremont-Smith, J.C.Nabity, V. Swaminathan, M. Stavola, J. Chevallier, C.W.Tu, and SJ.Pearton. Passivation of deep level defects in molecular beem epitaxial GaAs by hydrogen plasma exposure. Appl. Phys. Lett. v. 49, 1986, № 117, p. 1098−1100.
- Y.-Ch.Pao, D. Liu, W.S.Lee, and J.S.Harris. Effect of hydrogen on undoped and lightly Si-doped molecular beam epitaxial GaAs layers. Appl. Phys. Lett., 1986, v. 48, p. 1291−1293.
- J.M.Zavada, S.J.Pearton, et al. Electrical effects of atomic hydrogen incorporation in GaAs-on-Si. J. Appl. Phys. 1989, v. 65, iss. 1, p. 347−353.
- SJ.Pearton, C.S.Wu, M. Stavola, F. Ren, J. Lopata, W.C.Dautremont-Smith, S.M.Vernon and V.E.Haven. Hydrogenation of GaAs on Si: Effects on diode reverse leakage current. Appl. Phys. Lett. 1987, v. 51, iss. 7, p. 496−498.
- А.Я.Вуль, С. П. Вуль, С. В. Кидалов. Влияние потока водорода на параметры слоёв GaAs, выращенных методом жидкофазной эпитаксии. Письма в ЖТФ, 1991, том 17, вып. 13, стр. 76−81.
- H.Miki, M.Otsubo. High purity GaAs crystals grown by LPE. Jap. J. Appl. Phys., 1971, v. 10, № 4, p. 509−512.
- A.Vilms, M.D.Garrett. The growth and properties of LPE GaAs. Solid State Electr., 1972, v. 15, p. 443−455.
- H.G.B.Hicks, D.F.Manley. High purity GaAs by liquid phase epitaxy. Solid State Commun, 1969, v. 7, p. 1463.
- M.Otsubo, K. Segawa, H.Miki. The influence of oxygen on the properties of GaAs grown by LPE. Jap. J. Appl. Phys., 1973, v. 12, № 6, p. 797−803.
- S.C.Chang, G.Y.Meng and D.A.Stevenson. In situ electrochemical monitoring and control of oxygen in liquid phase epitaxial growth of GaAs. J. Cryst. Growth, 1983, v. 62, p. 465−474.
- C.M. Wolfe and G.E. Stillman. High purity GaAs. Proc. 3rd Int. Symp. on Gallium Arsenide and related compounds: Inst. Phys. Conf. Ser. № 9, London, 1971, p. 3−17.
- E. Andre, J.M.LeDuc. LPE growth of high purity GaAs. Mater. Res. Bull., 1968, v. 3, p. 6−10.
- J.T.Woods, N.G.Ainslie. Role of oxygen in reducing silicon contamination of GaAs during crystal growth. J. Appl. Phys., 1983, v. 54, № 5, p. 1469−1472.
- В.Я.Масленникова, Н. П. Горюнова, Л. А. Субботина, Д. С. Циклис. Растворимость воды в сжатом водороде. Ж. физ. химии, 1976, т. 50, № 2, стр. 411−414.
- H.Marcos, L.F.Eastman, D.Woodard. Residual impurities in high purity GaAs epitaxial layers grown by liquid phase epitaxy. Thin Solid Films, 1980, v. 71, p. 245−248.
- P.D. Greene. The kinetic of Si contamination of liquid Ga in silica boat. J. Appl. Phys., 1973, v. 44, p. 1550−1554.
- Y.M.Hayng, G.L.Pearson, B.L.Matteas. Growth of semiinsulating LPE GaAsfor FET buffer layers. J. Electrochem. Soc., 1978, v. 125, № 12, p. 2058−2061.
- Schlachetsky, H. Salow. High resistivity layers of GaAs grown by LPE. J. Appl. Phys, 1975, v. 47, № 1, p. 195−201.
- М.Н.Степанова. Разработка технологии получения слаболегированного GaAs и создание на его основе силовых диодов и тиристоров. Дисс. на соиск. учёной степ. канд. физ.-мат. наук. Л.: ФТИ им. А. Ф. Иоффе, 1981.
- Г. Н.Галкин, Е. А. Боброва, В. С. Вавилова, М. С. Епифанов, Л. Д. Сабанова. Получение нелегированных эпитаксиальных слоев GaAs. ФТП, 1974, т. 8, № 5, стр. 896−903.
- Л.Я.Золотаревский. Арсенид-галлиевые структуры с переходами большой площади для силовых полупроводниковых приборов. Канд. дисс. НИИ ТЭЗ им. М. И. Калинина, Таллин, 1984.
- А.Б.Райцын. Создание и исследование быстродействующих тиристоров на основе гетероструктур в системе GaAs AlAs. Дисс. на соиск. учёной степ. канд. физ.-мат. наук. Л.: ФТИ им. А. Ф. Иоффе, 1984, 186 с.
- С.Зи. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 1. -М.: Мир, 1984, 456 с.
- А.А.Барыбин, Т. И. Воронина, А. А. Захаров, А. С. Пикалев, В. Г. Сидоров. Химические методы контроля распределения примесей в кристаллах и эпитаксиальных структурах GaAs. Изв. АН СССР, сер. Неорг. мат., 1976, т. 12, № 4, стр. 751.
- В.Г.Данильченко. Исследование нестационарных процессов в многослойных гомо- и гетероструктурах на основе слаболегированного GaAs. Дисс. на соиск. учёной степ. канд. физ.-мат. наук. JL: ФТИ им. А. Ф. Иоффе, 1985, 181 с.
- Ж.И.Алфёров, Я. В. Бергманн, В. И. Корольков, В. Г. Никитин, М. Н. Степанова, А. А. Яковенко, Д. Н. Третьяков. Исследование прямой ветви вольт-амперной характеристики р-n переходов на основе слаболегированного GaAs. ФТП, 1978, т. 12, в. 1, стр. 68−74.
- H.Kressel, J.U.Dunse, H. Nelson, F.Z.Hawrilo. Luminescence of Si-doped GaAs grown by LPE. J. Appl. Phys., 1978, v. 49, № 4, p. 2006−2009.
- B.E.Barry, H.G.B.Hicks. High purity liquid phase epitaxial layers. J. Appl. Phys., 1971, v. 42, № 1, p. 148−152.
- B.H.Ann, R.R.Shurtz, C.Trussell. Dependence of growth properties of silicon doped GaAs epitaxial layers upon orientation. J. Appl. Phys., 1971, v. 42, № 11, p. 4512−4516.
- Н.С.Рытова, В. И. Фистуль. Термодинамический анализ поведения амфо-терных примесей в полупроводниках AinBv. ФТП, 1970, т. 4, в. 6, стр. 1109−1116.
- Е.В.Соловьёва, М. Г. Мильвидский. Особенности дефектообразования в полупроводниках при изовалентном легировании. ФТП, 1983, т. 17, № 11, стр. 2022−2024.
- Н. Reiss. J. Chem. Phys, 1950, v. 18, p. 62.
- J.Nishisawa, S. Shinozaki, K.Ishida. Properties of Sn-doped GaAs. J. Appl. Phys., !973, v. 44, № 4, p. 1638−1645.
- M.E.Weiner, A.S.Jordan. Analysis of doping anomalies in GaAs by means of a silicon-oxygen complex model. J. Appl. Phys., 1972, v. 43, № 4, p. 1767−1771.
- H.Kressel, F.Z.Hawrilo, P.LeFur. Evaluetion of epitaxial GaAs for microwave devices. J. Appl. Phys., 1968, v. 39, p. 4059−4063.
- D.J.Ashen, P.J.Dean, D.T.J.Harle, J.B.Mullin, A.M.White, P.D.Greene. Luminescence in undoped GaAs. J. Phys. Chem. Solids, 1975, v. 36, p. 1041−1045.
- Л.А.Борисова, З. Л. Аккерман, А. Н. Дорохов. Растворимость кислорода и его химическое состояние в решётке GaAs. В кн.: Свойства легированных полупроводников. -М.: Наука, 1977, стр. 449−484.
- G.B.Stringfellow, W. Koschel, F. Briones, J. Gladstone, G.Patterson. Impurity states in GaAs. Appl. Phys. Lett., 1981, v. 39, p. 581−583.
- H.Kan, M. Ishii, W.Susaki. Suppresation of defect formation in GaAs layers by removing oxygen in LPE. Appl. Phys. Lett., 1976, v. 29, p. 375−380.
- З.Л.Аккерман, Л. А. Борисова, А. Ф. Кравченко. ИК спектры поглощения ар-сенида галлия, легированного кислородом. ФТП, 1976, т. 10, вып. 5, стр. 997−999.
- М.Омельяновский. Поведение примеси кислорода в монокристаллах GaAs. Научн. труды НИИПИ редкомет. пром., 1976, т. 77, стр. 62−74.
- Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями. Под ред. В. И. Фистуля. М: Металлургия, 1987, 232 с.
- В.И.Фистуль. Примесные центры с глубокими уровнями в полупроводниках АШВУ. В кн.: Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями. Под ред. В. И. Фистуля. М: Металлургия, 1987, стр. 163 171.
- Д.С.Доманевский. Люминесценция арсенида галлия с примесями группы железа. В кн.: Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями. Под ред. В. И. Фистуля. М: Металлургия, 1987, стр. 172−177.
- В.И. Фистуль. Электрон-фононные взаимодействия глубокоуровневых центров. Под ред. В. И. Фистуля. М: Металлургия, 1987, стр. 38−44.
- А. Милне. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977,562 с.
- Киттель. Введение в физику твёрдого тела. -М.: Наука, 1978, 792с.
- С.В.Булярский. Елубокие центры безизлучательной рекомбинации в светоизлучающих приборах. Кишинёв: Штиинца, 1987, 103 с.
- Р.Х.Акчурин. Физико-химические и технологические аспекты получения полупроводников с глубокоуровневыми примесями. Под ред. В.И. Фисту-ля. М: Металлургия, 1987, стр. 117−136.
- J.A. Van Vechten. Microscopic mechanism of growth of dark line defects in double heterostructure lasers. J. Electrochem. Soc., 1975, v. 122, № 11, p. 1556−1558.
- Р.Х.Акчурин, И. О. Донская, С. И. Дулин, В. Б. Уфимцев. Расчёт изменения концентрации собственных точечных дефектов в арсениде галлия и индия при изовалентном легировании висмутом. Кристаллография, 1988, т. 33, вып. 2, стр. 464−470.
- J.Lagowski, D.G.Lin, T. Ayoma, and H.C.Gatos. Identification of oxygen-related midgap level in GaAs. Appl. Phys Lett., 1984, v. 44, № 3, p. 336−338.
- J.C. Bourgoin, H.J. von Bardeleben, D. Stievenard. Native defects in gallium arsenide. J. Appl. Phys., 1988, v. 64, № 9, R65-R91.
- G.M.Martin, A. Mitonneau, A Mircea. Electron. Lett., 1977, v. 13, № 7, p. 191 192.
- A.Mitonneau, G.M.Martin, A.Mircea. Electron. Lett., 1977, v. 13, p. 666.
- M.Kleverman, P. Omling, L.-A.Ledebo, and H.C.Grimmeis. Electrical properties of Fe in GaAs. J. Appl. Phys., 1983, v. 54, № 2, p. 814−819.
- J.Lagowski, D.G.Lin, T.P.Chen, M. Skowronski, and H.G.Gatos. Native hole trap in bulk GaAs and its association with the double-charge state of the arsenic antisite defect. Appl. Phys. Lett, 1985, v. 47, № 9, p. 929−931.
- D.V.Lang and L.C.Kimerling. Appl. Phys. Lett., 1976, v. 28, p. 234.
- Z.-G.Wang, L.-A.Ledebo and H.G.Grimmeiss. Electronic properties of native deep-level defects in liquid-phase epitaxial GaAs. J. Phys. C: Solid State Phys., 1984, v. 17, p. 259−272.
- W.Ph.Yu, W.C.Mitchel, M.G.Mier, S. Li, L.W.Wang. Appl. Phys. Lett., 1982, v. 41, № 6, p. 532−534.
- D.Pons and J.C.Bourgoin. Irradiation-induced defects in GaAs. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 1985, v. 18, № 20, p. 3839−3871.
- D.V.Lang, R.A.Logan, A study of deep level in GaAs by capacitance spec-troscory. J. of Electr. Math., 1975, v. 4, № 5, p. 1053−1066.
- С.И.Чикичев, В. А. Калухов. Анизатропный захват двух собственных центров при жидкофазной эпитаксии арсенида галлия. Письма в ЖТФ, 1983, т. 9, вып. 20, стр. 1221−1224.
- М.Г.Мильвидский, В. Б. Освенский. Структурные дефекты в эпитакси-альных слоях полупроводников. -М.: «Металлургия», 1985, 160 с.
- V.V.Chaldyshev and S.V.Novikov. Isovalent impurity doping of direct-gap III-V semiconductor layers. In: Semiconductor technology: Processing and novel fabrication techniques. Ed. by M. Levinshtein and M.Shur. John Wiley & Sons, Inc., 1997, p. 165−194.
- Л.Н.Александров. Структура и свойства переходных слоев, образующихся в процессе эпитаксии. В кн.: Обзоры по электронной технике. Полупроводниковые материалы, 1972, вып. 10 (47), стр. 3−46.
- В.Ф.Стельмах, А. Р. Челядинский. Периоды решёток GaAs, легированного Те, Sn, Zn, и совершенство эпитаксиальных структур GaAs. Электронная техника, серия 6 (Материалы), 1976, вып. 1, стр. 52−56.
- Y.Sugita, M. Tamura, K.Sugawara. J. Appl. Phys., 1969, v. 40, p. 3089.
- H.A. Анастасьева, В. Т. Бублик, П. М. Гринштейн, и др. Особенности поведения примесей элементов IV группы в монокристаллах арсенида галлия. В кн.: Арсенид галлия. Вып. 4, Томск, изд. Томского ун-та, 1974, 313 с.
- M.S.Abrahams, C.J.Buiocchi. J. Appl. Phys., 1966, v. 37, p. 1973.
- M.S.Abrahams, C.J.Buiocchi, G.H.Olsen. J. Appl. Phys., 1975, v. 46, p. 4259−4270.
- И.С.Рытова, Е. В. Соловьёва, М. Г. Мильвидский. О механизме воздействия изовалентных примесей In и Sb на ансамбль точечных дефектов в GaAs. ФТП, 1982, т. 16, в. 8, стр. 1491−1494.
- Ю.Ф.Бирюлин, Н. В. Ганина, М. Г. Мильвидский, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев. Фотолюминесценция твёрдых растворов GaAsixSbx и InxGa,.xAs (х < 0.01). ФТП, 1983, т. 17, № 1,стр. 108−114.
- K.Mallik, S. Dhar, and S.Sinha. A photoluminescence and photocapacitance study of GaAs: In and GaAs: Sb layers grown by liquid-phase epitaxy. Semicond. Sci. Technol., 1994, v. 9, № 9, p. 1649−1653.
- V.A.Kalukhov and S.I.Chikichev. The influence of isoelectronic impurities on intrinsic deep levels in liquid phase epitaxial gallium arsenide. Phis. Stat. Sol. (a), 1985, v.88, № 1, K59-K61.
- Ю.Ф.Бирюлин, Н. В. Ганина, и др. Влияние легирования GaAs изоэлектронными примесями In и Sb на глубокий уровень Ev = 0.1 эВ. В кн.: 5-е Всес. совещание по иследованию GaAs. Томск, 1982, стр. 62.
- В.Я.Принц, Е. Х. Хайри, В. А. Самойлов, Ю. Б. Болховитянов. Глубокий уровень, вводимый в GaAs легированием изовалентной примесью Sb. ФТП, 1986, т. 20, вып. 8, стр. 1392−1395.
- K.R.Elliott. Residual double acceptor in bulk GaAs. Appl. Phys. Lett., 1983, v. 42, № 3, p. 274−276.
- Е.В.Соловьёва, М. Г. Мильвидский, И. С. Рытова. Изовалентные примеси в соединениях АШВУ. В кн.: Рост полупроводниковых кристаллов и плёнок. Новосибирск: Наука, 1984, стр. 102−115.
- Е.В.Соловьёва, И. С. Рытова, М. Г. Мильвидский, И. В. Ганина. Электрические свойства арсенида галлия, легированного изовалентными примесями (GaAs:Sb- GaAs: In). ФТП, 1981, т. 15, в. 11, стр. 2141−2146.
- Ю.Ф.Бирюлин, Н. В. Ганина, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев. К вопросу об изменении степени компенсации мелких примесей при изовалентном легировании арсенида галлия. ФТП, 1985, т. 19, в. 6, стр. 1104−1107.
- Е.В.Соловьёва, М. Г. Мильвидский, И. В. Ганина. Электрические свойства эпитаксиальных слоёв GaAs с изовалентными примесями Sb и In. ФТП, 1982, т. 16, в. 10, стр. 1810−1815.
- Н.В.Ганина, В. Б. Уфимцев, В. И. Фистуль. «Очистка» арсенида галлия изовалентными примесями. Письма в ЖТФ, 1982, т.8, в. 10, стр. 620−623.
- Е.В.Соловьёва, В. В. Освенский, М. Г. Мильвидский, Ю. Н. Болынева, Ю. А. Григорьев, В. А. Цыганов. Влияние индия на электрофизические свойства монокристаллов арсенида галлия. ФТП, 1982, т. 16, в. 3, стр. 566 568.
- А.М.Косевич. Физическая механика реальных кристаллов. Киев: Наукова думка, 1981.
- Zh.I.Alferov, V.M.Andreev, S.G.Konnikov, V.R.Larionov, B.V.Pushny. New LPE method of obtaining AlGaAs heterostructures. Kristall und Technik, 1976, v. 11, № 10, p. 1013−1020.
- R.N. Hall. Solubility of III-V compound semiconductors in column III liquids. J. Electrochem. Soc., 1963, v. 110, № 5, p. 385.
- В.Г.Никитин. Создание и исследование структур с отрицательным сопротивлением на основе GaAs и гетеропереходов в системе арсенид галлия-арсенид аллюминия. Дисс. на соиск. учёной степ. канд. физ.-мат. наук. Д.: ФТИ им. А. Ф. Иоффе, 1971, 172 с.
- Ю.М.Задиранов. Транзисторы с внутренней оптической связью и фотоэлементы на основе AlGaAs гетероструктур. Дисс. на соиск. учёной степ, канд. физ.-мат. наук. Д.: ФТИ им. А. Ф. Иоффе, 1986, 177 с.
- Б.В.Пушный. Многопроходные светодиоды на основе гетероструктур в системе Al-Ga-As. Дисс. на соиск. учёной степ. канд. физ.-мат. наук. Д.: ФТИ им. А. Ф. Иоффе, 1980.
- D.V.Lang. J. Appl. Phys., 1974, v. 45, p. 3023.
- Л.С.Берман, А. А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука, 1981, 176 с.
- Л.С.Берман, А. Д. Ременюк, М. Г. Толстобров. Препринт № 974. Л.: ФТИ, 1985.
- В.Lax, S.T.Neustadter. J. Appl. Phys., 1954, v. 25, p. 1148.
- О.Г.Чебовский, Л. Г. Моисеев, Ю. В. Сахаров. Силовые полупроводниковые приборы. Справочник. -М.: Энергия, 1975, 512 с.
- В.А.Лабунцов, Н. М. Тугов. Динамические режимы эксплуатации мощных тиристоров. -М.: Энергия, 1977, 192 с.
- В.А.Кузьмин. Тиристоры малой и средней мощности. М.: Советское радио, 1971, 184 с.
- А.М.Султанов. Разработка технологии создания и исследование фо-тонно-инжекционных коммутаторов на основе гетероструктур GaAs-AlGaAs. Дисс. на соиск. учёной степ. канд. физ.-мат. наук. Л.: ФТИ им. А. Ф. Иоффе, 1992.
- Л.П.Павлов. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1975, 206 с.
- W.Walukiewicz, J. Lagowski, and H.C.Gatos. Electron mobility in n-type GaAs at 77 K- determination of the compensation ratio. J. Appl. Phys., 1982, v. 53, № l, p. 769−770.
- А.Н.Георгобиани, З. П. Илюхина, Н. Б. Пышная, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки. Слои р-типа на кристаллах i-GaAs, отожжённых в водороде. ФТП, 1988, т. 22, в. 6, стр. 1110−1112.
- П.В.Гельд, Р. А. Рябов, Л. П. Мохрачева. Водород и физические свойства металлов и сплавов. -М.: Наука, 1985. 232 с.
- Х.Дж. Гольдшмидт. Сплавы внедрения. Том 2. М.: Мир, 1971, 464 с.
- Л.С.Берман. Введение в физику варикапов. Л.: Наука, 1968.
- Landolt-Borstein. New Series, Semiconductors, V. 22. Subv. b: Impurities and Deep Defects in Group IV Elements and III-V Compounds, Springer Verlag, 1989, 776 p.
- F.Hasegava, A.Majerfield. Electron. Lett., 1975, v. 11, p. 286.
- C.H.Henry, D.V.Lang. Phys. Rev. B, 1977, v. 15, p. 989.
- L.S.Berman. Purity Control of Semiconductors by the Method of Capacitance Transient Spectroscopy. St. Petersburg, 1995.
- С.И.Пономарёв, А. Б. Райцын, Т. В. Россина, Е. Р. Сеель, М. Н. Степанова, Д. Н. Третьяков. Тез. докл. 7-й Всес. конф. по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, 1986, ч. 2, стр. 246.
- Ю.Р.Носов. Физические основы работы полупроводниковых диодов в импульсном режиме. М.: Наука, 1968.
- Л.С.Берман, В. Г. Данильченко, В. И. Корольков, Ф. Ю. Солдатенков. «Глубокоуровневые центры в нелегированных слоях p-GaAs, выращенных методом жидкофазной эпитаксии». ФТП, 2000, том 34, в. 5, стр. 558−561.
- М.М.Соболев, И. В. Кочнев, В. М. Лантратов, Н. А. Берт, Н. А. Черкашин,
- Н.Н.Леденцов, Д. А. Бедарев. Термоотжиг дефектов в гетероструктурах 1п-GaAs/GaAs с трёхмерными островками. ФТП, 2000, т. 34, вып. 2, стр. 200 210.
- Э.Г.Багдуев, М. Ш. Шихсаидов. Влияние дислокаций на оптические и фотоэлектрические свойства арсенида галлия. ФТТ, 1988, т. 30, в. 1, стр. 155−162.
- G.P.Watson, D.G.Ast, T.J.Anderson, B. Pathangey and Y.Hayakawa. The measurements of deep level states caused by misfit dislocations in In-GaAs/GaAs grown on patterned GaAs substrates. J. Appl. Phys. 1992, v. 71, iss. 7, p. 3399−3407.
- M.Skowronski, J. Lagowski, M. Milshtein, C.H.Kang, F.P.Dabkowski, A. Hennel, and H.C.Gatos. Effect of plastic deformation on electronic properties of GaAs. J. Appl. Phys. 1987, v. 62, iss. 9, p. 3791−3798.
- В.В.Кузнецов, П. П. Москвин, В. С. Сорокин. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. -М.: «Металлургия», 1991, 175 с.
- M.B.Panish and M.Ilegems. III-V Crystalline solid solutions systems. In: rd *
- Proc. 3 Intern. Symp. on Gallium Arsenide and Related Compounds. Publ. by Inst. Phys. Conf. Ser. № 9, London, 1970, p. 67−79.
- G.B.Stringfellow and P.D.Green. Calculation of III-V ternary phase diagrams: In-Ga-As and In-As-Sb. J. Phys. Chem. Solids., 1969, v. 30, p. 17 791 791.
- G.A.Antypas. Liquid-Phase Epitaxy of InxGaixAs. J. Electrochem. Soc, 1970, v. 117, № 11, p. 1393−1397.
- T.Y.Wu, G.L.Pearson. Phase diagram, crystal growth and band structure of InxGabxAs. J. Phys. Chem. Solids, 1972, v.33, № 2, p. 409.
- E.Kuphal. Phase diagrams of InGaAsP, InGaAs and InP lattice-matched to (100) InP. J. Crist. Growth, 1984, v.67, p. 441−457.
- G.Traeger, E. Kuphal and K.-H.Zshauer. Diffusion-limited LPE growth ofmixed crystals: application to InxGaixAs on InP. J. Crist. Growth, 1988, v. 88, p. 205−214.
- Н.В.Ганина, В. Ф. Коваленко, И. Е. Марончук, Ю. Е. Марончук. «Влияние изовалентной примеси In на излучательную рекомбинацию р-n структур GaAs: Si». ФТП, 1982, т. 16, в. 9, стр. 1588.
- B.D.Lichter and P.Sommelet. Trans. Met. Soc. AIME, 1969, v. 245, 99, 1021.
- T.P.Pearsall, M. Quillec, M.A.Pollack. The effect of substrate orientation on the liquid-solid distribution coefficients for GaxInixAs in the temperature range 600−700 °C. Appl. Phys. Lett., 1979, v. 35, iss. 4, p. 342−344.
- B. de Cremoux. Instability criteria in ternary and quaternary III-V epitaxial solid solutions. J. de Physique, 1982, t. 43, c. № 5, p. C5−19 C5−27.
- Ф.Ю.Солдатенков, В. П. Улин, А. А. Яковенко, О. М. Фёдорова, С. Г. Конников, В. И. Корольков. Ненапряжённые эпитаксиальные плёнки Inx Ga. x As, полученные на пористом GaAs. Письма в ЖТФ, 1999, т. 25, в. 21, стр. 15−20.
- В.В.Воронков, Л. М. Долгинов, А. Н. Лапшин, М. Г. Мильвидский. Эффект стабилизации состава в эпитаксиальном слое твёрдого раствора. Кристаллография, 1977, т. 22, в. 2, стр. 375−378.
- Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц. Теория упругости. М.: «Наука», 1987, 246 с.
- J.W.Matthews and A.E.Blakeslee. J. Cryst. Growth, 1974, v. 27, p. 118−125.
- R.People and J.C.Bean. Calculation of critical layer thickness versus lattice mismatch for GexSi. x / Si strained-layer heterostructures. Appl. Phys. Lett., 1985. v. 47, iss. 3, pp. 322−324- 1986, v. 49, iss. 4, p. 229.
- P.J.Orders and B.F.Usher. Determination of critical thickness in InxGaixAs/GaAs heterostructures by x-ray diffraction. Appl. Phys. Lett., 1987, v. 50, iss. 15, p. 980−982.
- J.Ebers. Four-terminal p-n-p-n transistors. Proc. JRE, 1952, v. 40, p. 1361.
- Ж.И.Алфёров, В. М. Андреев, Д. З. Гарбузов, Н. Ю. Давидюк, В. Р. Ларионов, В. Д. Румянцев. 100%-й внутренний квантовый выход излучательной рекомбинации в трёхслойных гетеросветодиодах на основе системы AlAs-GaAs. ФТП, 1975, № 8, стр. 462.
- В.М.Андреев, В. Г. Данильченко, Ю. М. Задиранов, В. И. Корольков, А. В. Рожков, Т. П. Федоренко, А. А. Яковенко. Оптотранзистор на основе гетеропереходов GaAs-AlGaAs. Письма в ЖТФ, 1982, т. 8, в. 13, стр. 781 784.
- Ж.И.Алфёров, В. Г. Данильченко, В. И. Корольков, В. Г. Никитин, Н. Рахимов, А. В. Рожков, В. С. Юферев. Арсенидгаллиевые тиристоры. Письма в ЖТФ, 1979, т. 5, в. 15, стр. 916−920.
- В.И.Корольков, А. С. Прохоренко, А. В. Рожков, А. М. Султанов. Исследование стабильности переключения высоковольтных субнаносекундных фотонно-инжекционных коммутаторов. Письма в ЖТФ, 1992, т. 18, вып. 10, стр. 26−31.
- В.И.Корольков, Н. Ю. Орлов, А. В. Рожков, А. М. Султанов, М. А. Голов. Генератор на основе GaAs-AlGaAs фотонно-инжекционного коммутатора для импульсной накачки полупроводниковых лазеров. ПТЭ, 1993, № 3, стр. 121−127.
- В.И.Корольков, Н. Ю. Орлов, А. В. Рожков, Ф. Ю. Солдатенков, М. Н. Степанова. «Токовая и временная зависимости остаточного напряжения во включенном состоянии фотонно-инжекционных импульсных коммутаторов». ФТП, 1995, т. 29, в. 3, стр. 400−404.
- С.Н.Вайнштейн, И. И. Диакону, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн. Распространение включённого состояния в арсенидгаллиевых тиристорах. Письма в ЖТФ, 1983, т. 9, стр. 546.
- D.L.Rode. J. Cryst. Growth, 1973, v. 20, № 1, p. 13−23.
- А.М.Журба, В. Ф. Коваленко, В. А. Краснов, Б. В. Лисовой, С. В. Шутов. Жидкофазная эпитаксия арсенида галлия на подложках из кремния. Письма в ЖТФ, 1991, т. 17, вып. 7, стр. 25−27.
- В.Герлах. Тиристоры. Пер. с нем. Ю. А. Евсеева. М.: Энергоатомиздат, 1985,328 с.
- Домашняя страница Avtech Electrosystems Ltd. (New York, USA) -http://www.avtechpulse.com/ (на 1.04.2001).