Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Исследование влияния электрического поля на рост кристаллов раствор-расплавным методом

Диссертация: Исследование влияния электрического поля на рост кристаллов раствор-расплавным методом
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Автор приносит искреннюю благодарность акад. Д. Ю. Пущаровскому, к.г.-м.н. Ю. К. Кабалову, к.г.-м.н. Н. В. Зубковой, к.х.н. P.M. Закалюкину, к.х.н. А. К. Шапиро, Ю. М. Мининзону, к.ф.-м.н. В. В. Гребеневу, д.ф.-м.н. Г. Д. Илюшину, а также всем сотрудникам Лаборатории кристаллизации из высокотемпературных растворов ИКРАН и кафедры Кристаллографии и кристаллохимии МГУ, оказавшим содействие… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. ВЛИЯНИЕ ВНЕШНИХ ПОЛЕЙ НА ПРОЦЕССЫ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ
    • 1. 2. ЭЛЕКТРОКРИСТАЛЛИЗАЦИЯ
    • 1. 3. ВЫБОР ОБЪЕКТОВ ИССЛЕДОВАНИЙ
      • 1. 3. 1. Твердые электролиты
      • 1. 3. 2. Объекты исследования
  • ГЛАВА II. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТ
    • 2. 1. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
      • 2. 1. 1. Синтез и рост кристаллов
      • 2. 1. 2. Характеризация полученных соединений
  • ГЛАВА III. РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ
    • 3. 1. СИСТЕМА Li3P04 — Li4Ge04 — Li2Mo04 — LiF
      • 3. 1. 1. Рост кристаллов Li^xP ixGex
      • 3. 1. 2. Кристаллизация при наложении электрического поля
      • 3. 1. 3. Ионная проводимость Li3+x (Pi.x.yGexMoy)
    • 3. 2. СИСТЕМА Li2TiGe05 — Li2Mo04 — Li2W
      • 3. 2. 1. Рост кристаллов LiiTiGeOs
      • 3. 2. 2. Кристаллизация при наложении электрического поля
      • 3. 2. 3. Ионная проводимость Li2TiGe
    • 3. 3. СИСТЕМА La203 — МоОэ — Li2Mo
      • 3. 3. 1. Рост кристаллов LixLayMoO
      • 3. 3. 2. Кристаллизация при наложении электрического поля
      • 3. 3. 3. Ионная проводимость LixLayMoO
    • 3. 4. СИСТЕМА Y203 — Yb203 — A1203 — B203 — K2Mo3O
      • 3. 4. 1. Рост кристаллов Yj. xYbxAl3(B03)
      • 3. 4. 2. Кристаллизация при наложении электрического поля
    • 3. 5. ВЛИЯНИЕ ВНЕШНЕГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ НА КРИСТАЛЛИЗАЦИЮ В ИССЛЕДОВАННЫХ СИСТЕМАХ
  • ГЛАВА IV. РЕНТГЕНОГРАФИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ
    • 4. 1. КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА Li3., 7(Po.69Geo.24Moo.o7)
    • 4. 2. МОДЕЛИРОВАНИЕ САМОСБОРКИ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СТРУКТУР
    • 4. 3. ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ РЕНТГЕНОСТРУКТУРНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ Li3.17(Po.69Geo.24Moo.o7)
    • 4. 4. КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ Y,.xYbxAl3(B03)
  • ВЫВОДЫ

Исследование влияния электрического поля на рост кристаллов раствор-расплавным методом (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

.

Получение материалов с заданными, воспроизводимыми характеристиками, однородных по морфологическому составу является одной из задач химии твердого тела и современного материаловедения. Воспроизводимость физико-химических и дисперсных характеристик может быть достигнута путем выбора необходимого метода и подбора условий синтеза (кристаллизации). В еще большей степени задача усложняется в процессе выращивания массивных монокристаллов, необходимых как для проведения реальных физических экспериментов, так и для использования в качестве рабочих тел специальных приборов. Определение оптимальных условий процесса роста является важнейшей задачей исследований в области получения совершенных кристаллов с воспроизводимыми свойствами. На процесс кристаллизации, помимо таких факторов, как концентрация исходных реагентов, температура реакционной среды, величина рН, наличие комплексообразователя, оказывают влияние и внешние поля. Исследования влияния различных полей (гравитационных, магнитных, электрических и др.) на процессы кристаллизации имеют многолетнюю историю, но интерес к ним не уменьшается в силу открывающихся новых перспектив их практического использования.

Цели и задачи работы.

Диссертационная работа посвящена исследованию влияния особых контролируемых условий на выращивание кристаллических веществ и изучению их физических свойств и структурных особенностей, возникающих при воздействии внешнего электрического поля. Исследования проводились для ряда соединений, полученных методом раствор-расплавной кристаллизации при приложении к системе «расплав — растущий кристалл» постоянного или переменного электрического поля. Как известно, кристаллизация в природе происходит под воздействием различных внешних факторов и полей. Выяснение влияния этих условий на рост кристаллов является важной задачей для понимания процессов кристаллообразования. Приложение электрического тока к системе растущий кристалл-расплав — это попытка управлять ростом кристаллов, т. е. создать благоприятные условия с помощью контролируемого движения ионов в расплаве и таким образом изменять химический состав, кристаллическую структуру и свойства получаемых кристаллов. Основная цель представленной работы состоит в исследовании одновременного воздействия температурного и электрического полей на процессы раствор-расплавной кристаллизации неорганических соединений. Для того чтобы в системе растущий кристалл — расплав не возникало разрыва электрической цепи при образовании кристалла-диэлектрика, исследования проводились на системах, в которых кристаллизуются соединения с особыми физическими свойствами — высокой ионной проводимостью (твердые электролиты). Кроме, того, была проведена серия опытов для проверки влияния внешнего электрического поля на рост непроводящих кристаллов.

Научная новизна.

• Разработаны основы нового метода роста кристаллов — метода раствор-расплавной кристаллизации, в условиях дополнительного направленного контролируемого внешнего воздействия — наложения электрического поля. Новизна развиваемого подхода к исследованию процессов кристаллизации из раствора в расплаве определяется проведением кристаллизации при одновременном воздействии на неравновесную систему расплав-кристалл теплового и электрического полей. Выбор в качестве объектов исследования ионных проводников даёт возможность использовать протекающий ионный ток в качестве дополнительного параметра кристаллизации.

• В условиях наложения внешнего управляемого электрического поля получены кристаллы:

Lb hxPi. xGex04, Li3., 7(Po.69Geo.24Moo.o7)04 (система Li3P04 — Li4Ge04 —.

Li2Mo04 — LiF);

Li2TiGe05 (система Li2C03 — Ti02 — Ge02 — Li2Mo04 — Li2W04);

Lio.49Lao.49MoO3.98, Lio.59Lao.44MoO3.96 (система La203 — M0O3 — Li2Mo04);

У,.хУЬхА1з (ВОз)4 (система У2Оэ — УЬ2Оэ — А12Оэ — В2Оэ — К2Мо3О10).

• Выявлена связь физических свойств, структурных особенностей синтезированных соединений с условиями их кристаллизации. Отмечено изменение параметров процесса кристаллизации, типа и состава кристаллизуемого соединения при приложении к системам постоянного и знакопеременного электрического поля (V = 0.15 — 1В).

• Получены данные по проводимости новой кристаллической фазы Li3. i7(Po.69Ge024Mo0.o7)04, установлена температура обратимого фазового перехода и предложены возможные пути миграции ионов в данной структуре.

• Для высокотемпературной модификации твердого раствора Li3. i7(Po.69Ge0.24Mooo7)04 определена кристаллическая структура при комнатной температуре и проведены высокотемпературные рентгенодифракционные эксперименты.

Практическая значимость.

Полученные экспериментальные данные важны для дальнейшего развития методов кристаллизации неорганических соединений, дополняют существующий справочный материал по твердым электролитам. Полученные результаты используются в лекциях и практических занятиях по курсам «Рентгенография минералов» и «Рентгеноструктурный анализ», читаемых студентам геохимических специальностей на геологическом факультете МГУ. Данные по исследованным новым соединениям включены в международные базы данных ICSD и ICDD.

Защищаемые положения.

• Влияние одновременного наложения электрического и теплового полей при раствор-расплавной кристаллизации на процессы и продукты кристаллизации в системах «кристалл-расплав».

• Методика выращивания кристаллов твердых электролитов из раствора в расплаве при одновременном воздействии электрического и теплового полей.

• Синтез новой кристаллической фазы Li3 i7(P0 69Ge0.24Mo0.07)O4 со структурой типа y-Li3P04.

• Изменение состава кристаллизующегося соединения в зависимости от напряжения и полярности электрического поля.

• Понижение температуры гомогенизации расплава при приложении к системе переменного «пилообразного» электрического тока.

• Данные высокотемпературных рентгенодифракционных исследований новой фазы Li3 i7(Po.69Ge ().24Moo.o7)04- модель миграции ионов в структуре при повышении температуры.

Апробация работы.

Основные результаты диссертации были представлены на всероссийских и международных конференциях, посвященных проблемам современной неорганической химии, химии твердого тела, материаловедения: 14th «International Conference on Crystal Growth», 22nd European Crystallographic Meeting (ECM22), Международная юбилейная конференция «Монокристаллы и их применение в 21 веке — 2004», The International Conference on «CRYSTAL MATERIALS 2005» (ICCM'2005), XX Congress of the International Union of Crystallography (IUCr), XII Национальная конференция по росту кристаллов (НКРК-2006), Конференция «Структура и свойства твердых тел», 11th European Conference on Solid State Chemistry (ECSSC XI), XIII Национальная конференция по росту кристаллов (НКРК-2008), 7-ой Международный симпозиум «Минералогические музеи».

Публикации. Результаты работы представлены в 15 публикациях, из них 5 статей и 10 тезисов докладов.

Структурные данные по новой фазе Li3. i7(P0.69Geo.24Moo.o7)04 занесены в компьютерную базу Inorganic Crystal Structure Database под № 415 976.

Личный вклад автора Основу диссертации составляют исследования, выполненные непосредственно автором в период 2004;2009 гг. Выбор направления исследования, формулировка задач и обсуждение результатов проводилось совместно с руководителями работы д.х.н. Демьянец Л. Н., и д.х.н. Ивановым-Шицем А. К. Диссертантом лично были разработаны методики, модернизированы ростовые установки, проведены эксперименты по исследованию влияния внешнего электрического поля на рост кристаллов из раствора в расплаве. Полученные кристаллы исследованы диссертантом методами рентгенофазового, рентгеноструктурного, в том числе рентгеновскими методами при высоких температурах, и дифференциально-термического анализа. Проведена обработка результатов и расчет физических параметров. Ряд инструментальных исследований проведен при участии В. В. Гребенева, P.M. Закалюкина, Г. Д. Илюшина, при этом автор принимал участие в подготовке образцов к измерениям, обработке и трактовке результатов.

Объем и структура работы. Работа состоит из введения, литературного обзора, экспериментальной части, заключения и библиографии. Общий объем работы составляет 149 страниц, в том числе 53 рисунка и 21 таблица.

Список литературы

включает 174 наименования.

Благодарности.

Работа выполнена в лаборатории Кристаллизации из высокотемпературных растворов Учреждения Российской академии наук Института кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН под руководством д.х.н. Демьянец J1.H. и д.х.н. Иванова-Шица А.К., которым автор выражает глубокую благодарность за внимательное руководство и постоянную помощь на всех этапах выполнения работы.

Автор приносит искреннюю благодарность акад. Д. Ю. Пущаровскому, к.г.-м.н. Ю. К. Кабалову, к.г.-м.н. Н. В. Зубковой, к.х.н. P.M. Закалюкину, к.х.н. А. К. Шапиро, Ю. М. Мининзону, к.ф.-м.н. В. В. Гребеневу, д.ф.-м.н. Г. Д. Илюшину, а также всем сотрудникам Лаборатории кристаллизации из высокотемпературных растворов ИКРАН и кафедры Кристаллографии и кристаллохимии МГУ, оказавшим содействие в выполнении данного исследования. Исследование ряда образцов стало возможно при сотрудничестве с коллегами из Университета Вены (Австрия), которым автор выражает глубокую признательность.

Работа выполнялась при поддержке грантов Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 03−05−64 054), совместного гранта РФФИ-БНТС Австрии № 03−05−20 011БНТС, гранта Фонда содействия отечественной науке на 2007;2008 год по программе «Лучшие аспиранты РАН» .

выводы.

1. Исследовано влияние одновременного наложения электрического и теплового полей на процессы и продукты кристаллизации при раствор-расплавной кристаллизации в системах Li3P04 — Li4Ge04 — Ы2МоОд — LiFLi2TiGe05 — Li2Mo04 — Li2W04- La203 — M0O3 — Li2Mo04- Y203 — Yb203 -АЬОз — B203 — K2Mo3O, 0.

2. Разработана методика роста кристаллов твердых электролитов из раствора в расплаве при одновременном воздействии электрического и теплового полей.

3. Показано, что приложение электрического поля в процессе роста кристаллов в системе существенно меняет протекание процесса роста и конечные продукты кристаллизации, что реализуется в:

— изменении типа и состава кристаллизующегося на кристаллодержателе соединения в зависимости от наличия электрического поля, его напряжения и полярности (системы Li3P04 — Li4Ge04 — Li2Mo04 — LiF, La203 — Mo03 — Li2Mo04- Li2TiGe05 -Li2Mo04 — Li2W04, Y203 — Yb203 — A1203 — B203 — K2Mo3O10);

— изменении размеров и морфологии кристаллов (скорости роста) (системы Li2TiGe05 — Li2Mo04- Li2W04, La203 — Mo03 — Li2Mo04, Y203 — Yb203 — A1203 — B203 — K2Mo3O10);

— изменении величины тока при постоянном напряжении прикладываемого поля (системы Li3P04 — Li4Ge04 — Li2Mo04 — LiF, La203 — Mo03 — Li2Mo04);

— понижении температуры гомогенизации расплава при приложении к системе переменного «пилообразного» электрического тока при сохранения в пределах точности определения содержания лития в твердых растворах (системы Li3P04 — Li4Ge04 — Li2Mo04 — LiF);

— формировании новых фаз с участием компонентов растворителя (система Li3P04 — Li4Ge04 — Li2Mo04 — LiF) — изменении локализации преимущественного зарождения и роста кристаллов (кристаллодержатель-анод, кристаллодержатель-катод, придонная область) (системы Li2TiGe05 — Li2Mo04 — Li2W04- Y203 -УЬ203 — A1203 — B203 — К2Мо3О10).

4. Синтезирована новая кристаллическая фаза Li3.]7(Po.69Geo.24Moo.o7)C>4 со структурой типа y-Li3P04. На кристаллах Li3. i7(Po.69Geoi24Moo.o7)04 проведены исследования кристаллической структуры при Т = 25 °C (а — 10.645(2), 6.= 6.175(1), с = 5.009(1) А, пр. р. РптаZ = 4), рассмотрены пути миграции ионов Li в структуре.

5. Получены данные по проводимости кристаллической фазы Li3. i7(Po.69Ge0.24Moo.o7)04, установлена температура обратимого фазового перехода.

6. Методом Ритвельда уточнена кристаллическая структура Li3. i7(Po.69Ge0.24Moo.o7)04 при комнатной и повышенных температурах. С увеличением температуры в интервале 25 — 600 °C параметры и объем элементарной ячейки возрастают (Ад = 0.1135A, Ab = 0.0769А, Ас = 0.0753А. AV — 12.71 А3). Коэффициенты линейного (теплового) расширения составляют: ад=1.86'Ю" 5, ah = 2.1210″ 5, ас = 2.5910″ 5, av = 2.9610″ 5 К" 1.

7. При Т=600°С зафиксировано появление новой высокотемпературной фазы Li3.17(Po.69Ge0.24Moo.o7)04 (а = 9.670(5), Ъ = 11.755(6), с = 14.520(7) А). При о.

Т=700 С получена дифрактограмма новой высокотемпературной модификации Li3. i7(Po.69Geo.24Mo0.o7)04.

Показать весь текст

Список литературы

  1. S., Окапо К «Crystal Growth Under Applied Fields,» Research Signpost, 37/661 (2), Fort P.O., Trivandrum-695 023, Kerala, India, 2007.
  2. Voss D. The 110% solution // Science, 1996, V. 274. № 5291, P. 1325.
  3. OxtobyD. W. Crystals in a flash // Nature. 2002. V. 420. P. 277−278.
  4. Revalor E., Hammadi Z., Astier J.P., Grossier R., Garcia E., Hoff C., Furuta K., Okutsu Т., Morin R., Veesler S. Usual and Unusual Crystallization from Solution // Cryst. Growth. 2010. V. 312. P. 939−946.
  5. Tam А., Мое G., Happer W. Particle formation by resonant laser light in alkali-metal vapor //Phys. Rev. Lett. 1975. V. 35. P. 1630−1633.
  6. Garetz B.A., Aber J.E., Goddard N.L., Young R.G., Myerson A.S. Nonphoto-chemical, polarization-dependent, laser-induced nucleation in supersatu- rated aqueous urea solutions // Phys. Rev. Lett. 1996. V. 77. P. 3475−3476.
  7. Zaccaro J., Matic J., Myerson A.S., Garetz B.A. Nonphotochemical, laser-induced nucleation of supersaturated aqueous glycine produces unexpected polymorph // Cryst. Growth. 2001. V. 1. P. 5−8.
  8. Okutsu Т., Nakamura K., Haneda H., Hiratsuka H. Laser-induced crystal growth and morphology control of benzopinacol produced from benzophenone in ethanol/water mixed solution // Cryst. Growth. 2004. V. 4. P. 113−115.
  9. Okutsu Т., Furuta К., Terao Т., Hiratsuka H., Yamano A., Ferte' N., Veesler S. Light-induced nucleation of hen-egg white lysozyme // Cryst. Growth. 2005. V. 5. P. 1393−1398.
  10. Veesler S., Furuta K., Horiuchi H., Hiratsuka H., Ferte" N., Okutsu T. Crystals from light: photochemically-induced nucleation of hen egg-white lysozyme // Cryst. Growth. 2006. V. 6. P. 1631−1635.
  11. Hem S.L. The effect of ultrasonic vibrations on crystallization processes // Ultrasonics. 1967. V. 5. P. 202−207.
  12. Virone C., Kramer H.J.M., Van Rosmalen G.M., Stoop A.M., Bakker T. W. Primary nucleation induced by ultrasonic cavitation // Cryst. Growth. 2006. V. 294. P. 9−15.
  13. Chavanne X., Balibar S., Caupin F. Acoustic crystallization and heterogeneous nucleation // Phys.Rev.Lett. 2001. V. 86.1. 24. P. 5506−5509.
  14. Ohsaka K., Trinh E.H. Dynamic nucleation of ice induced by a single stable cavitation bubble//Appl.Phys.Lett. 1998. V. 73. P. 129−131.
  15. Prosperetti A. Thermal effects and damping mechanisms in the forced radial oscillations of gas bubbles in liquids 11 J.Acoust.Soc.Am. 1977. V. 61. P. 17−27.
  16. Ruecroft G., Hipkiss D., Ly Т., Maxted N., Cains P.W. Sonocrystallization: the use of ultrasound for improved industrial crystallization // Org. Process Res. 2005. V. 9. P. 923−932.
  17. Louisnard O., Gomez F.J., Grossier R. Segregation of a liquid mixture by a radially oscillating bubble // J. Fluid Mech. 2007. V. 577. P. 385−415.
  18. Grossier R., Louisnard O., Vargas Y. Mixture segregation by an inertial cavitation bubble // Ultrasonics Sonochem. 2007. V. 14. P. 431137.
  19. Lyczko N., Espitalier F., Louisnard O., Schwartzentruber J. Effect of ultrasound on the induction imeand the metastable zone width sofpotassiumsulphate // Chem. Eng.J. 2002. V. 86. P. 233−241.
  20. Guo Z., Jones A.G., Li N. The effect of ultrasound on the homogeneous nucleation of BaS04 during reactive crystallization // Chem.Eng.Sci. 2006. V. 61. P. 1617−1626.
  21. Ueno S., Ristic R.I., Higaki K., Sato K. In situ studies of ultrasound-stimulated fat crystallization using synchrotron radiation // J.Phys.Chem. 2003. V.107. P. 4927^4935.
  22. Nanev C.N., Penkova A. Nucleation of lysozyme crystals under external electric, ultrasonic fields // Cryst.Growth. 2001. V. 232. P. 285−293.
  23. .К., Чистяков И. Г. Рост кристаллов. Т. 5. М. «Наука». 1965. с. 163.
  24. Материалы .IV Международной научной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Научный потенциал студенчества в XXI веке» Том первый. Естественные и технические науки. г. Ставрополь: СевКавГТУ, 2010. 582 с.
  25. А.Я. Технология полупроводниковых материалов. М.: Мир, 1987. 336 с.
  26. Г. Выращивание кристаллов из расплава. Конвекция и неоднородности. М.: Мир, 1991. 143 с.
  27. Гидродинамика и тепломассообмен в невесомости. Под ред. Авдуевского B.C., Полежаева В. И. М.: Наука. 1982. 263 с.
  28. Гидромеханика и тепломассообмен при получении материалов. Под ред. Авдуевского B.C., Полежаева В. И. М.: Наука, 1990. 324 с.
  29. Л.И., Земское B.C. Кубасов В. Н., Пименов В. И., Белокурова И. Н., Гуров КН., Демина Е. В., Титков А. Н., Шульпина И. Л. Плавление, кристаллизация и фазообразование в невесомости. М.: Наука, 1979.
  30. С.Д., Лесков Л. В., Савичев В. В. Космическая технология и производство. //Знание, Москва, 1978. 256 с.
  31. А.В. Проблема микроускорений: 30 лет поиска решения // Современные наукоемкие технологии. № 4. 2005. С. 15−22.
  32. B.C., Белокурова И. Н., ХавжуД.М. О распределении примеси в поперечном сечении кристаллов при направленной кристаллизации в невесомости // Физика и химия обработки материалов. 1985. № 6. С. 75
  33. Senchenkov A.S., Barmin I. V., Egorov A. V., Slepstova I. V., Zemskov V.S., Paukhman M.R., Shalimov V.P., Nikhezina I.J., Voloshin A.E. Experiment on indium antimonide crystal growth by detached Bridgman on board the Fotonth
  34. M2 spacecraft (preliminary results) // 57 International Aeronautical Congress, Valencia, Spain, 02−06 October, 2006. Paper IAC-06-A2.3.04. DVD publication, Final Papers, ZARM, 2006.
  35. Will A.F., Gatos H.C., Lichtensteiner M., German C.I. Crystal growth and segregation under zero gravity: Ge // J. Electrochem. Soc. 1978. V. 125. P. 267.
  36. Danilevsky A.H., Boschert St., Benz K. W. The effect of the orbital attitude on the mg-growth of InP crystals // Microgravity Science and Technology. 1997. V. 10. № 2. P. 106.
  37. Gillies D.C., Lehoczky S.L., Szofran F.R., et al. Effect of residual acceleration during microgravity directional solidification of mercury cadmium telluride on the USMP-2 mission // J. Cryst. Growth. 1997. V. 174. P. 101.
  38. Gatos H.C., Witt A.F., Lichtensteiger M., Hermann C.J. Interface marking in crystals. Experiment MA-060 // Apollo-Soyuz. Test Project. Summary Science Report. V. 1. Washington. NASA. 1997. P. 429.
  39. В.А., Савостиков А. А., Земское B.C. Исследование влияния малых сил на радиальную неоднородность кристаллов полупроводников // Тр. 6-й Междунар. конф. «Рост кристаллов и тепломассоперенос». Обнинск, 2005. Т. 4. С. 793.
  40. В.И., Белло М. С., Верезуб Н. А., Дубовик К. Г., Лебедев А. П., Никитин С. А., Павловский Д. С., Федюшкин А. И. Конвективные процессы в невесомости. М.: Наука, 1991. 240 с.
  41. К.С., Jleemoe B.JI., Мухоян М. З., Семенченко В. В., Успенский Г. Р. ФГУП «ЦНИИМашиностроения» Федеральное космическое агентство (Роскосмос). Интернет источник.
  42. В.Ю., Бирюков В. М., Гончаров В. А., Марков Е. В. Влияние микрогравитации на рост кристаллов арсенида галлия из расплава // Итоговый отчет НИИ «Научный центр» о выполнении НИР. Наука-NASA. Контракт NAS15−10 110. М. 1997. 54 с.
  43. Н.А., Васекин Б. В., Гончаров В. А. Математическое моделирование поперечной сегрегации примеси в кристаллах, выращиваемых в условиях ламинарной конвекции //Теоретические основы химической технологии том 43, № 4, Июль-Август 2009. С. 371−378.
  44. B.C., Раухман М. Р., Шалимов В. П., Гончаров В. А. Проблемы неоднородностей в кристаллах, выращенных в различных гравитационных условиях // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2004. № 6. С. 13−19.
  45. Walker J.S., Dold P., Croell A., Volz M.P., Szofran F.R. Solutocapillary Convection in the Float-Zone Process with a Strong Magnetic Field // Int. J. Heat and Mass Transfer. 2002. V. 45. P. 4695^1702.
  46. Munakata Т., Someya S., Tanasawa I. Suppression ofMarangoni convection in the FZ melt by high-frequency magnetic field // Journal of Crystal Growth. 2002. V. 235. P. 167−172.
  47. Yesilyurt S., Motakef S., Mazuruk K., Grugel R. The effect of the traveling magnetic field (TMF) on the buoyancy-induced convection in the vertical Bridgman growth of semiconductors // J. Crystal Growth, V. 263/1−4, 2004. P. 80−89.
  48. Lyubimova T.P., Dold P., Croell A., Khlybov O.A., Fayzrakhmanova I.S. Time-Dependent Magnetic Field Influence on GaAs Crystal Growth by Vertical Bridgman Method // J. Crystal Growth. V. 266. 2004. P. 404−410.
  49. Lyubimova T.P., Skuridin R. V., Faizrakhmanova IS. Thermo- and soluto-capillary convection in the floating zone process in zero gravity conditions // J. Crystal Growth. V. 303. 2007. P.274−278.
  50. Т.П., Скуридин P.В., Файзрахманова И. С. Влияние магнитного поля на гистерезисные переходы в жидкой зоны. // Письма в ЖТФ. Т.ЗЗ. № 17. 2007. С. 61−68.
  51. Hayakawa Y., Furukawa Y. Studies on Crystal Growth under Microgravity // Research Signpost 37/661(2), Fort P.O., Trivandrum-695 023, Kerala, India, 2006.
  52. Molokov S., MoreauR., Mofatt K. Magnetohydrodynamics // Springer. 2007. 410 p.
  53. Roszmann J., Liu Y.C., Dost S., Lent В., Grenier S., Audet N. Use of Rotating Magnetic Field for Selenium Impurity Transport in Zone Refining of Tellurium and Cadmium // FDMP. 2009. V. 5. No. 3. P. 231−244.
  54. Armour N., Dost S. Numerical and Experimental Study of Forced Mixing with Static Magnetic Field on SiGe System // FDMP. 2009. V. 5. No. 4. P. 331 344.
  55. Armour N., Dost S. Effect of a Static Magnetic Field on Silicon Transport in Liquid, Phase Diffusion Growth of SiGe // Crystal Research and Technology. 2010. V. 45. No. 3. P. 244−248.
  56. R. Griesse, A. J. Meir. Modeling of an MHD Free Surface Problem Arising in CZ Crystal Growth. Mathematical and Computer Modelling of Dynamical
  57. Systems: Methods, Tools and Applications in Engineering and Related Sciences, V.15, Issue 2, 2009, Pages 163 175.
  58. Lee C.H., Lee Min-Chang. Crystal growth under combined effect of gravity and magnetic field. USA Patent 585 8084. 1999.
  59. Fischer H. IIZ. Electrochem. 1943, V. 49, P. 343−376.
  60. Walsh F.C., Herron M.E. Electrocrystallization and electrochemical control of crystal growth: fundamental considerations and electrodeposition of metals.// J. Phys. D: Appl. Phys. 1991. V. 24. P. 217−225.
  61. Bockris J. O’M, Razymney G.A. Fundamental aspects of electrocrystallization. 1967/N-Y. Plenum Press.
  62. Zhang L., Zhao L.Z., Dong C., Wu F., Zhang J.B., Xu C.Y., Liu S.H. Anodic electrocrystallization of GdixNaxCu204 and NdiyNayCu204 crystals from molten salts. // Solid State Communications. 2000. V. l 13. P.349−352.
  63. Euvrard M., Filiatre C., Crausaz E. A cell to study in situ electrocrystallization of calcium carbonate // J. Crystal Growth. 2000.V. 216. P. 466−474.
  64. K.M., Данков П.Д. II Успехи химии. 1948. т. 17. с. 710−32
  65. К. Электрохимическая кинетика. М.: Химия. 1967. 856 с.
  66. Р., Избранные труды, София, 1980.
  67. А.И., Полукаров Ю. М. // Успехи химии. 1987. т. 56. в. 7. с. 1082−1104.
  68. A.JI., Тихонов К. ИШошина И. А. Теоретическая электрохимия. JL: Химия. 1981. 424 с.
  69. Л. И. Теоретическая электрохимия. 4 изд. М.: Высшая школа. 1984. 509 с
  70. Baranek В., Faivovich R. Franco J. I., Perissinotti L., Walsoe De Reca N.E. Properties of in-situ formed solid electrolyte Agl in a Ag/p-AgI/2I2Py cell// Solid State Ionics. 1981. V. 3−4. Part II, P. 301.
  71. Yamada H., Hibino M., Kudo Т. Synthesis of perovskite-type Lix (Wi у! ЧЬу)Оз single crystals and their ion conductivity // J. Ceramic Society of Japan. 2001. V. 109. P. 278−280.
  72. Suchanek W.L., Yoshimura M. Preparation of strontium titanate thin films by the hydrothermal-electrochemical method in a solution flow system // J. Am. Ceram. Soc. 1998, 81 11. P. 2864−2868.
  73. Budevski E., Staikov G., Lorenz W.J. Electrocrystallization. Nucleation and growth phenomena // Electrochimica Acta. 2000. V.45. P. 2559−2574.
  74. Материалы IV Международной научной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Научный потенциал студенчества в XXI веке» Том первый. Естественные и технические науки. г. Ставрополь: СевКавГТУ. 2010. 582 с.
  75. Chen В.Н., Walker D., Suard E. Y., Scott B.A. High-Pressure Synthesis and Structure of the New Spinel-Related Series LnCu204 (Ln = Nd, Gd, Er, Lu, Y) //Chem. Mater. 1995. V.7 P. 355−358.
  76. Zhao L.Z., Dong C., Zhang J.В., Xu C.Y., Liu S.H. Electrodeposition of La^ x (Sr, Na) xCu204 and preparation of La2. Y (Sr, Na) YCu04 from molten salt. // Solid State Communications. 1998. V. 4. p. 227−230. .
  77. Aigner M.-L., Ritter F., Assmus W. Influence of electric current on crystallization of YBa2Cu307. x in BaO/CuO/CuO0.5 flux melts // J. Low Temperature Physics. 1999. V. 117. N ¾. P. 699−703.
  78. Uda S., Huang X., Wang S.-O. The effect of an external electric field on the growth of incongruent-meting material // J. Cryst. Growth. 2005. V. 275. p. 1513−1519.
  79. Uda S., Huang X., Koh S. Transformation of the incongruent-meting state to the congruent-meting state via an external electric field for the growth of langasite // J. Cryst. Growth. 2005. V. 281. p. 481−491.
  80. Anzai H., Delrieu J.M., Takasaki S., Nakatsuji S. Yamada J., Delrieu J.M. Crystal growth of organic charge-transfer complexes by electrocrystallization with controlled applied current// J. Crystal Growth. 1995. V. 154. № 1−2. P. 145−150.
  81. Hammadi Z, Veesler S. New approaches on crystallization under electric fields 11 Progress in Biophysics and Molecular Biology. 2009. V. 101,1. 1−3. P. 38−44.
  82. M.A., Багаутдиное Н. Я. Воздействие электромагнитного поля на процесс кристаллизации парафина. // Нефтегазовое дело. 2007.
  83. В.Б., Бондареико П. М. Некоторые электрофизические свойства Мангышлакской нефти // РНТС: Транспорт и хранение нефти и нефтепродуктов. 1967. № 8. С. 10−13.
  84. З.Е., Мансуров Р. И., Позднышев Г. Н. Диэлектрический метод определения температуры застывания нефти и нефтепродуктов //РНТС: Транспорт и хранение нефти и нефтепродуктов. 1981. № 3. С. 9 -10.
  85. Rodriguez B.J., Nemanich R.J., Kingon A., Gruverman A. Domain growth kinetics in lithium niobate single crystals studied by piezoresponse force microscopy. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86, p. 126−129.
  86. Von Rhein E., Gudi O., Greulich-Weber S. Control of colloidal crystal growth by external fields // Macromolecular Rapid Communications.2005. V. 28.1. 12. P. 1291−1311.
  87. Vermolen E.C.M., KuijkA., Filion L.C., Hermes M, Thijssen J.H.J., Dijkstra M., Van Blaaderen A. Fabrication of large binary colloidal crystals with a NaCl structure // PNAS. 2009. V. 106. No. 38. P. 16 063−16 067.
  88. Иванов-Шиц А. К., Мурин И. В. II Ионика твердого тела. Т. 1. СПб.: Изд. С.-Петерб. ун-та, 2000. 616 с.
  89. Solid Electrolytes. Ed. Geller S. Springer. New York. 1977.
  90. E.A., Букун Н. Г. Твердые электролиты, М., Наука, 1977. 176 с.
  91. А. Ионная проводимость кристаллов. Пер с англ. Б. Н. Мацонашвили. ИИЛ, М., 1962. 220 с.
  92. Abrahams /., Bruce P.G., Davide W.I.F., West A.R. Structure of y-Li3As04 by High Temperature Powder Neutron Diffraction // Solid State Chem. 1994, V. 110, No. 2, P. 243.
  93. В.А., Бузник B.M., Бурмакин Е. И. Ядерный магнитный резонанс и внутренние движения в кристаллах, Ред. Э. Н. Зеер, Красноярск, 1981, 140с.
  94. Dissanayake M.A.K.L., Gunawardane R.P., Sumathipala Н.Н., West A.R. New solid electrolytes and mixed conductors: Li3 + xCr xMxO4: M = Ge, Ti II Solid State Ionics. 1995. V. 76. No. ¾. P. 215−220.
  95. Kuwano J., West A.R. New Li+ ion conductors in the system, Li4Ge04-Li3V04 // Mat. Res. Bull. 1980. V. 15. P. 1661−1667.
  96. Е.И., Степанов Г. К., Жидовинова C.B. // Элоектрохимия.1982. Т. 18. №.5. С. 649.
  97. Kireev V.V., Yakubovich O.V., Ivanov-Shits А.К., Mel’nikov O.K., Dem’yanets L.N., Skunman J., Chaban N.G. Growing, structure and electro-physical properties of A2TiGe05 (A=Li, Na) single crystals. //Coordination Chemistry. 2001. № 27(1). C. 34−41.
  98. B.H., Перфильев M.B. Электрохимия твердых электролитов. M., «Химия», 1978.312 с.
  99. Thangadurai V., Weppner W. Recent progress in solid oxide and lithium ion conducting electrolytes research // Ionics. 2006. V.12. P.81−92.
  100. Иванов-Шиц А. К., Мурин КВ. II Ионика твердого тела. Т. 2. СПб.: Изд. С.-Петерб. ун-та, 2010. 1000 с.
  101. Osterheld R.K. Liquidus diagram for the system lithium orthophosphate-lithium metaphosphate // Inorg J. Nucl. Chem. 1968. V.30. N. 12. P. 31 733 175.
  102. Tien T.Y., Hummel F.A. Studies in lithium oxide systems: X, lithium phosphate compounds. // J. Amer. Car. Soc. 1961, V. 44. N 5. P. 206−208.
  103. Wang В., Chakoumakos B.C., Sales B.C., Kwak B.S., Bates J.B. Synthesis, crystal structure, and ionic conductivity of a polycrystalline lithium phosphorus oxynitride with the y-Li3P04 structure. // J. Solid State Chem. 1995, V. 115, P. 313−323.
  104. Reculeau E., Elfakir A., Quarton M. Carecterisation et prevision d’une nouvelle variete de Li3P04 // J. Solid State Chem. 1989. V. 79. P. 205−211.
  105. Baur W.H. Solid solutions between octahedral and terahedral olivine types in Li-Zn-germanates // Inorganic and Nuclear Chemistry Letters. 1980. V. 16. P. 525−527.
  106. Ibarra-Ramirez C., Villafuerte-Castrejon M.E., West A.R. Continuous, martensitic nature of the transition p—>y-Li3P04. // J. Mater. Sci. 1985, V. 20, P. 812−816.
  107. O.B., Урусов B.C. Распределение электронной плотности в литиофосфатите, Li3P04. Особенности кристаллохимии группы ортофосфатов с гексагональной плотнейшей упаковкой. // Кристаллография. 1997, Т. 42, № 2, С. 301−308.
  108. Zemann J. Die Kristallstruktur von Lithiumphosphat Li3P04. // Acta Crystallographica. 1960. V.13. P. 863−867.
  109. Е.И. Твёрдые электролиты с проводимостью по катионам щелочных металлов. М., Наука. 1992.
  110. Ни Y.-W., Raistrick I.D., Huggins R.A. Ionic conductivity of lithium orthosilicate-lithium phosphate solid solutions. // J.Electrochem. Soc. 1977, V. 124. N 8. P. 1240−1242.
  111. Huggins R. A. Recent results on lithium ion conductor. // Electrochim acta. 1977. V. 22. P. 773−781.
  112. Hofmann R., Hoppe R. Ein neues Oxogermanat: LisGe06=Li802(Ge04)(Mit einer Bemerkung ueber Li8Si06 und Li4Ge04) // Z. Anorg.Allgem. Chemie. 1987. B. 555. S. 118−128.
  113. I., Shmatok L. K., Shalamaiko E. E. // Vestn. Leningr. Univ., 1986, Ser. 4: Fiz., Khim., No. 3. P. 66−74.
  114. A.B., Илюхин В. В., Литвин Б. Н., Мельников O.K., Белов Н. В. Кристаллическая структура синтетического титаносиликата натрия Na2(Ti0)Si04.//ДАН СССР. 1964. Т. 157. № 6. С. 1355−1357.
  115. Nyman Н, O’Keeffe М., Bovin J.-O. Sodium titanium silicate, Na2TiSi05. // Acta Cryst. 1978. B34. P. 905.
  116. Егоров-Тисменко Ю.К., Симонов M.A., Белов Н. В. Уточненная кристаллическая структура синтетического титаносиликата натрия Na2(Ti0)Si04. // ДАН СССР. 1978. Т. 240. № 1. С. 78.
  117. Ziadi A., Hillebrecht Н, Thiele G., Elouadi В. Crystal structure of orthorhombic LT- Na2TiSi05 and its relation to the tetragonal HT-fonn. // Journal of Solid State Chem. 1996. T. 123. P. 324.
  118. Ziadi A., Thiele G., Elouadi B. The crystal structure of Li2TiSi05 // Journal of Solid State Chem. 1994. V. 109. P. 112−115.
  119. Верховский В. Я, Кузьмин Э. А., Илюхин В. В., Белов Н. В. Кристаллическая структура Na-титаногерманата Na2(Ti0)Ge04. // ДАН СССР. 1970. Т. 190. № 1. С. 91−93.
  120. Г. Д., Демьянец Л. Н. Германаты четырехвалентных металлов. // Итоги Науки и Техники, серия кристаллохимия. Москва. ВИНИТИ. 1989. Т. 22. С. 45.
  121. Bastow Т. J., Botton G.A., Etheridge J., Smith M.E., Whitfield H.J. A study of Li2Ti0Si04 and Li2Ti0Ge04 by X-ray powder and electron single-crystal diffraction, 170 MAS NMR and О K-edge and Ti L2)3-edge EELS // Acta Cryst. 1999, A55, P. 127−132.
  122. Przeslawski J., Poprawski R., Just M., Kireev V.V., Mielcarek S., Mrdz B. Li2TiGe05 a novel ferroelastic crystal // Ferroelectrics. 2002. V. 267. P. 201 208.
  123. Sharonov M.Yu. Bykov A.B., Owen S., Petricevic V., Alfano R.R. Crystal growth and optical properties of Cr4+:Li2TiGe05 // J.Appl.Phys. 2003 V. 93 P. 1044−1047.
  124. Trunov V.K., Evdokimov A.A., Rybakova T.P., Berezina T.A. II Heopr. Химии. 1979. Т. 24. № 1. С. 168−175.
  125. Evdokimov A.A., Mishin V.V., Smirnov S.A., Pokrovskii A.N. II Heopr. Химии. 1984. Т. 29. № 11. С. 2898−2901.
  126. Lukacevic E., Santoro A., Roth R.S. Neutron powder diffraction study of the structure of the compound Lio.3i2sLao.5625Mo04 // Solid State Ionics. 1986. V.18. P. 922−928.
  127. Lacorre F., Goutonoire F., Bohnke O. et al. Designing fast oxide-ion conductors based on La2Mo209//Nature. 2000.V. 404. P.856.
  128. Evans I. R., Howard J. A. K., Evans J. S. O. The crystal structure of a-La2Mo209 and the structural origin of the oxide ion migration pathway// Chem. Mater, 2005, V. 17, P. 4074.
  129. Marozau I.P., Marrero-Lopez D., Shaula A.L. et al. Ionic and electronic transport in stabilized p- La2Mo209 electrolytes // Electrochimica Acta, 2004, V. 49, P. 3517−3524.
  130. Subramania A., Saradha Т., Muzhumathi S. Synthesis and characterization of nanocrystalline Ьа2Мо209 fast oxide-ion conductor by an in-situ polymerization method. I I Materials research Bulletin, 2008, V. 43, P. 11 531 159.
  131. В.И., Яновский В. К., Харитонова Е. П. Кислородпроводящие кристаллы La2Mo20<) выращивание и основные свойства// Кристаллография, 2005, Т.50, С. 943.
  132. Malavasi L., Kim H., Billingy S.J.L. Proffen Т., Tealdi C., Flor G. Nature of themonoclinic cubic phase transition in the fast oxygen ion conductor La2Mo209 II J. AM. CHEM, 2007, V. 129, P. 6903−6907.
  133. Goutenoire F., Isnard O., Retoux R., Lacorre P. Crystal structure of La2Mo209, new fast oxide-ion conductor// Chem. Mater, 2000, V. 12, P. 2575.
  134. Lacorre P., Goutenoire F., Altorfer F., Sheptyakov D., Fauth F., Suard E. Crystal structure of new fast oxide-ion conductor La2Mo2Og // 10th International Ceramics Congress 2003, P. 737−747.
  135. Corbel G. Laligant Y., Goutenoire F., Suard E., Lacorre P. Effects of Partial Substitution of Mo6+ by Cr6+ and W6+ on the Crystal Structure of the Fast Oxide-Ion Conductor Structural Effects of W6+ // Chem.Mater. 2005, 17, 4678−4684.
  136. Lacorre P., Selmi A., Corbel G., Boulard B. On the flexibility of the structural framework of cubic LAMOX compounds, in relationship with their anionic conduction properties // Inorg. Chem. 2006, V. 45, P. 627−635.
  137. Хадашееа 3. С., Венсковский. Н.У., Сафроненко М. F. и др. Синтез и свойства ионных проводников La2(MoixMx)209 (М Nb, Та)// Неорган. Материалы, 2002, Т. 38, № 11, С. 1381.
  138. Tealdi С., Malavasi L., Ritter С., Flor G., Costa G. Lattice effects of La2Mo2Oo. Effects of vacuum and correlation with transport properties// J. Solid State Chemistry, 2008, V. 181, P. 603−610.
  139. Н.И. Изучение растворимости УА1з(В0з)4 в расплаве калиевого тримолибдата и выращивание кристаллов на затравку.// Изв. АН СССР, сер. Неорг. мат., 12 (1976) 554−555.
  140. Ballman A.A. A new series of synthetic borates isostructural with the carbonate mineral huntite. Amer. Miner., 47 (1962) 1380−1383.
  141. E.JJ., Азизов A.B., Леонюк Н. И., Симонов М. С., Белов Н. А. Кристаллическая структура УА13(ВОз)4.// Ж. структ. химии, 22 (1981) 196 199.
  142. Mills A.D. Crystallographic data for new rare earth borate compounds, RX3(B03)4.// Inorg. Chem., 1 (1962) 960−961.
  143. Н.И. Физико-химические основы выращивания монокристаллов тугоплавких боратов для квантовой электроники. Дисс. д.х.н., М., МГУ, 1985.
  144. Leonyuk N.I., Leonyuk L.I. Growth and characterization of i? M3(B03)4 crystals.// Prog. Cryst. Growth and Charact., 31 (1995) 179−278.
  145. О.Г. Рост и морфология кристаллов. М: МГУ. 1980. 357 с.
  146. А. А. Гиваргизов Е.И., Багдасаров Х. С. Современная кристаллография. Том 3. М: Наука. 1980. 408 с.
  147. Sheldrick G.M. SHELX-97: Program for the solution and refinement of crystal structures. Siemens Energy and Automation, Madison, WI. 1997.
  148. Petricek V, Dusek M. JANA2000: Crystallographic computing system for ordinary and modulated structures. Institute of Physics, Academy of Sciences of the Czech Republic, Prague.
  149. J. И IUCr. Int. Workshop on the Rietveld method. 1989. Petten. P. 71.
  150. Rodriguez-Carvajal J. «Recent Advances in Magnetic Structure Determination by Neutron Powder Diffraction» // Physica В 1993. V. 192. p. 55−69.
  151. Борнеман-Старынкевич ИД. Руководство по расчету формул минералов. М.: Наука. 1964. с. 224.
  152. Иванов-Шиц А.К., Киреев В. В. Выращивание и ионная проводимость монокристаллов Li34xPixGex04 (х = 0.34) // Кристаллография. 2002. Т. 48. № 1.С. 117−120.
  153. Blatov V.A., Ilyushin G.D., Blatova O.A., Anurova N.A.Jvanov-Schits A.K., Dem’yanets L.N. Analysis of migration paths in fast-ion conductors with Voronoi-Dirichlet partition. // Acta Cryst. 2006.V. B62. P. 1010−1018.
  154. Blatov V.A. Voronoi-Dirichlet polyhedra in crystal chemistry: theory and applications // Cryst. Rev. 2004. V. 10. P. 249−318.
  155. Blatov V.A. Multipurpose crystallochemical analysis with the program package TOPOS. // IUCr CompComm Newsletter. 2006. № 7. P.4−38.
  156. Fischer W. Geometrical Aspects of the Patterns of Conduction Paths in Fast Ion Conductors II Cryst. Res. Technol. 1986. V. 21. P. 499−503.
  157. H.A., Блатов B.A., Илюшин Г. Д., Блатова О. А., Иванов-Шиц А.К., Демъянец JT.H. Анализ путей миграции катионов Li+ в тройных кислородосодержащих соединениях LipX^Or // Кристаллография, 2008, Т. 53, № 5, с. 788−794.
  158. Н.А., Блатов В. А., Илюшин Г. Д., Блатова О.А., Иванов-Шиц
  159. A.К., Демъянец JI.H. Анализ путей миграции катионов Li+ в кислородосодержащих соединениях // Электрохимия, 2009, Т. 45, № 4, с. 445−456.
  160. М.Х., Петрашко А., Киреев В. В., Иванов-Шиц А.К, Симонов
  161. B.И Атомная структура и механизм ионной. проводимости монокристаллов Li3.31Geo.31Po.69O4 II Кристаллография. 2003. Т. 48. № 5. С. 802.
  162. Илюшин Г Д. Моделирование процессов самоорганизации в кристаллических системах. М.: Едиториал УРСС. 2003. 376 с.
  163. С.К. Высокотемпературная кристаллография. JL: Недра. 1990. 288 с.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?