Методы напыления тонких пленок, приенение установки ВУП-5

Образцы для исследования в просвечивающем электронном микроскопе могут быть приготовлены как непосредственно из материала исследуемого объекта, так и из материала, отличного от материала объекта. В первом случае анализ электроннограмм и дифракционного контраста на изображении дает непосредственную информацию о кристаллической структуре объекта. Тонкие образцы для таких исследований готовятся с помощью следующих методик:

получение тонких срезов на ультрамикротоме;

утончение объектов химической полировкой или ионной бомбардировкой;

напыление пленок термическое испарение, катодное распыление, газотранспортные реакции и т. д.

разбрызгивание и высушивание (для порошков и суспензий).

Тонкие пленки представляют собой слой какого-либо материала толщиной от 10 до 10 000А. Они различаются по своим физическим и химическим свойствам: эпитаксиальные монокристаллические и аморфные, проводящие и диэлектрические, органические и неорганические. Под эпитаксиальной пленкой обычно понимают монокристаллический слой, выращенный на монокристаллической подложке с которой он имеет определенное кристаллографическое соответствие. Эпитаксиальные монокристаллические пленки обычно содержат дефекты, такие, как дислокации, дефекты упаковки, двойники и субструктуры. Когда верхний слой того же состава, что и подложка, его называют гомоэпитаксиальным, если же верхний слой другого состава, то он называется гетероэпитаксиальным. Аморфные тонкие пленки обладают либо структурой типа беспорядочной сетки, либо беспорядочной плотноупакованной структурой.

В данной работе будет рассмотрен метод напыления тонких пленок термическим испарением на установке ВУП-5.