Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Исследование процессов формирования по золь-гель технологии сенсорных элементов на основе тонких пленок состава SiOx: SnOy

Диссертация: Исследование процессов формирования по золь-гель технологии сенсорных элементов на основе тонких пленок состава SiOx: SnOy
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Однако значительная величина удельной поверхности нанокристаллических материалов является причиной нестабильности структуры, что в свою очередь, сказывается на стабильности электрофизических и сенсорных свойств. Одним из методов стабилизации структуры материалов является создание неоднородных нанокристаллических систем, к которым относятся тонкие пленки смешанного состава. Создание сенсоров… Читать ещё >

Содержание

  • 1. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ РОСТА ТОНКИХ ПЛЕНОК НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОЙ ФАЗЫ
    • 1. 1. Моделирование процессов роста тонких пленок из газовой фазы
    • 1. 2. Моделирование процессов роста тонких пленок из расплавов
    • 1. 3. Моделирование электрохимических процессов роста тонких пленок
    • 1. 4. Моделирование процессов роста тонких пленок из растворов гидролизующихся соединений
    • 1. 5. Процессы роста тонких пленок с позиций теории самоорганизации
    • 1. 6. Методы Монте-Карло при моделировании роста тонких пленок
    • 1. 7. Выводы
  • 2. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК СОСТАВА SiOx: SnOy ПО ЗОЛЬ-ГЕЛЬ ТЕХНОЛОГИИ
    • 2. 1. Исследование процесса формирования структуры частиц золя
    • 2. 2. Исследование процесса формирования первичной (гелевой) структуры пленки
    • 2. 3. Исследование процесса формирования устойчивой структуры пленки
    • 2. 4. Выводы
  • 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ НА СТРУКТУРУ ФОРМИРУЕМЫХ ПЛЕНОК
    • 3. 1. Исследование кинетики процесса созревания золя
    • 3. 2. Исследование влияния состава и температуры созревания золя на структуру формируемых пленок
    • 3. 3. Исследование влияния температуры отжига на структуру формируемых пленок. 3.4. Выводы
  • 4. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ СТРУКТУРЫ ТОНКИХ ПЛЕНОК, ПОЛУЧЕННЫХ ПО ЗОЛЬ-ГЕЛЬ ТЕХНОЛОГИИ
    • 4. 1. Моделирование параметров структуры тонких пленок с позиций теории самоорганизации
      • 4. 1. 1. Расчет фрактальной размерности
      • 4. 1. 2. Определение показателей Ляпунова
      • 4. 1. 3. Определение энтропии Колмогорова
    • 4. 2. Моделирование параметров структуры тонких пленок методом Монте-Карло
      • 4. 2. 1. Алгоритм расчета агрегатов
      • 4. 2. 2. Компьютерный эксперимент
      • 4. 2. 3. Результаты моделирования
    • 4. 3. Методика проектирования технологических маршрутов получения тонких пленок состава SiOx: SnOy с заданной структурой для создания сенсорных элементов на их основе
    • 4. 4. Выводы

Исследование процессов формирования по золь-гель технологии сенсорных элементов на основе тонких пленок состава SiOx: SnOy (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Одним из перспективных направлений создания портативных газоанализаторов является использование резистивных сенсорных элементов на основе металлоксидных полупроводников, изготовленных методами тонкопленочной технологии. Газовые сенсоры на основе полупроводниковых нанокристаллических оксидов металлов привлекают значительное внимание в силу их исключительной высокой чувствительности к составу газовой фазы, простотой конструкции и возможностью интеграции в системы передачи информации. Уникальность этих материалов для детектирования молекул в газовой фазе вызвана рядом их фундаментальных физических и химических свойств: для широкозонных полупроводников электропроводность оказывается чрезвычайно чувствительной к состоянию поверхности как раз в области температур 300−800 К, что обусловлено наличием свободных электронов в зоне проводимости, поверхностных кислородных вакансий, а также активного хемосорбированного кислорода.

Однако значительная величина удельной поверхности нанокристаллических материалов является причиной нестабильности структуры, что в свою очередь, сказывается на стабильности электрофизических и сенсорных свойств. Одним из методов стабилизации структуры материалов является создание неоднородных нанокристаллических систем, к которым относятся тонкие пленки смешанного состава. Создание сенсоров на основе таких материалов является одним из важнейших направлений микрои наноэлектроники.

В области исследований процессов формирования сенсорных элементов на основе тонких пленок смешанного состава недостаточно изученными остается целый ряд вопросов, например, механизмы этих процессов в случае получения пленок смешанного состава по золь-гель технологии, влияние технологических режимов формирования пленок на их структуру, а, следовательно, и на их электрофизические и газочувствительные свойствапричины возникновения различных структур тонких пленок, откуда следует проблема воспроизводимости характеристик сенсорных элементов на их основе.

Таким образом, тема диссертационной работы, связанная с исследованием процессов формирования по золь-гель технологии сенсорных элементов на основе тонких пленок состава SiOx: SnOy, представляется современной и актуальной.

Целью диссертационной работы явилось исследование процессов формирования по золь-гель технологии сенсорных элементов на основе тонких пленок состава SiOx: SnOy.

Для достижения указанной цели были поставлены следующие основные задачи:

1. Теоретически описать процесс формирования по золь-гель технологии тонких пленок состава SiOx: SnOy.

2. Экспериментально исследовать влияние технологических параметров получения по золь-гель технологии тонких пленок состава SiOx: SnOy на их состав и структуру.

3. Установить взаимосвязь между технологическими параметрами процесса формирования пленок и параметрами их структуры методами теории самоорганизации.

4. Установить взаимосвязь между физическими характеристиками частиц пленкообразующего раствора и структурой полученных из него пленок методом Монте-Карло.

5. Разработать методику проектирования технологических маршрутов получения тонких пленок состава SiOx: SnOy с заданной структурой для создания сенсорных элементов на их основе.

Объектами исследования являлись тонкие пленки состава SiOx: SnOy, полученные золь-гель технологией из растворов тетраэтоксисилана (ТЭОС) и хлорида олова (IV).

Используемые методы. Для квантово-химических расчетов применялись пакеты программ GAUSSIAN, HyperChem и ChemCraft. Измерения проводимости золей производились на компьютерно управляемой установке с использованием цифро-аналогового-анало-цифрового преобразователя (ЦАП-АЦП) RL-88 (производитель НИЛ АП, г. Таганрог). Контроль состава золя определялся методами электронной спектроскопии поглощения видимого и УФ излучения (спектрофотометр СФ-26). Определение параметров структуры сенсорных элементов осуществлялись с помощью микроскопии атомных сил (сканирующий зондовый микроскоп Solver Р47), интерференционной микроскопии (интерферометр МИИ-4 с приставкой MOB-15х), рентгенографического метода (установка ДРОН-6). Для анализа снимков поверхности пленок использовалась программа Image Analysis.

Научная новизна работы:

1. Разработана модель стадии созревания пленкообразующего раствора ТЭОС при добавлении SnCl4 с применением квантово-химических расчетов, которые показали, что наиболее энергетически выгодным является образование наименее гидратированного мономера Si (OC2H5)3OH, димера Si (OC2H5)3OSi (OC2H5)3, образование димеров смешанного состава невозможно, из тримеров возможно образование лишь Sn (OH)3OSi (OH)2OSn (OH)3.

2. Установлено, что добавление в пленкообразующий раствор SnCU в молярном соотношении T30C/SnCl4=7 замедляет совместный гидролиз этих компонентов по сравнению с гидролизом чистого ТЭОС, что приводит к образованию пор в пленках, полученных из таких растворовпри температуре отжига 723 К полученные образцы тонких пленок состава SiOx: SnOy обладали наибольшей площадью поверхности за счет наличия пор и выступов независимо от состава исходного раствора.

3. Установлена взаимосвязь между технологическими параметрами процесса формирования пленок по золь-гель технологии и параметрами их структуры методами теории самоорганизации. Результаты моделирования показали, что тонкие пленки состава SiOx: SnOy, отожженные при температуре равной и менее 723 К, относятся к пространственно-распределенным системам с признаками низкоразмерного детерминированного хаоса.

4. Установлено с использованием результатов моделирования по методу Монте-Карло, что увеличение размеров исходных частиц золя приводит к появлению пор в пленках состава SiOx: SnOy, если частицы имеют разветвленное строениепосле отжига при температуре 773 К структура полученных пленок содержит агрегаты с максимальным включением полых областей.

Практическая значимость исследования заключается в разработке методики проектирования технологических маршрутов получения тонких пленок состава SiOxSnOy с заданной структурой по золь-гель технологии для создания сенсорных элементов на их основе.

Полученные результаты используются в дисциплинах «Основы конструирования и проектирования экологических приборов» и «Методы и приборы контроля окружающей среды и экологический мониторинг»;

Результаты работы были использованы при выполнении гранта, финансируемого Американским фондом гражданских исследований и развития и Минобразования и науки РФ REC 004, а также гранта, финансируемого Минобразования и науки РФ в 2004 г (г/б № 14 690).

Основные положения и результаты, выносимые на защиту:

1. Модель стадии созревания пленкообразующих растворов ТЭОС при добавлении S11CI4 с применением квантово-химических расчетов.

2. Результаты экспериментального исследования влияния технологических параметров получения по золь-гель технологии сенсорных элементов на структуру тонкопленочного материала состава SiOx: SnOy.

3. Модель взаимосвязи между технологическими параметрами процесса формирования пленок по золь-гель технологии и параметрами их структуры методами теории самоорганизации. Тонкие пленки состава SiOx: SnOy, отожженные при температуре равной и менее 723 К, относятся к пространственно-распределенным системам с признаками низкоразмерного детерминированного хаоса.

4. Модель взаимосвязи между размерами и структурой исходных молекул золя и структурой полученных тонких пленок состава SiOx: SnOy с использованием результатов моделирования по методу Монте-Карло: увеличение размеров исходных частиц золя приводит к появлению пор в пленках состава SiOx: SnOy, если частицы имеют разветвленное строениепосле отжига при температуре 773 К структура полученных пленок содержит агрегаты с максимальным включением полых областей.

5. Методика проектирования технологических маршрутов получения тонких пленок состава SiOx: SnOy с заданной структурой для создания сенсорных элементов на их основе.

Апробация работы.

Основные результаты работы доложены на: ежегодных научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава ТРТУ (Таганрог, 2002;2005) — 1-й и 2-й международных научно-технических конференциях «Сенсорная электроника и микросистемные технологии» (Украина, Одесса, 2004, 2006) — III и V Международных научных конференциях «Химия твердого тела и современные микрои нанотехнологии» (Кисловодск, 2003, 2005) — 10-й Международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники"(Дивноморское, 2006).

Публикации.

По материалам диссертационной работы опубликованы 12 печатных работ, из них 3 статьи и 9 работ в сборниках трудов конференций.

Структура и объем работы.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы из 120 наименований. Общий объем диссертации составляет 114 страниц, включая 27 рисунков, 35 формул и 8 таблиц.

Основные результаты работы можно сформулировать следующим образом:

1. Предложена модель стадии созревания пленкообразующего раствора на основе ТЭОС с добавлением SnCl4. В результате квантово-химических расчетов оказалось, что наиболее энергетически выгодным является образование наименее гидратированного мономера Si (OC2H5)3OH, димера Si (OC2H5)3OSi (OC2H5)3, образование димеров смешанного состава невозможно, из тримеров возможно образование лишь Sn (OH)3OSi (OH)2OSn (OH)3.

2. Проведены исследования кинетики процесса созревания пленкообразующего раствора, которые показали, что совместный гидролиз ТЭОС и SnCl4 замедлен по сравнению с гидролизом раствора ТЭОС без добавок при молярном соотношении T30C/SnCl4<7, что приводит к укрупнению исходных частиц золя, а также к разветвленности их строения.

3. Установлено, что при температуре отжига 723 К полученные образцы тонкопленочных материалов состава SiOx: SnOy обладали наибольшей площадью поверхности за счет наличия пор и выступов независимо от состава исходного раствора.

4. Проведено моделирование структуры тонкой пленки состава SiOx: SnOy с позиций теории самоорганизации, показавшее, что тонкие пленки состава SiOx: SnOy, отожженные при температуре равной и менее 723 К, относятся к пространственно-распределенным системам с наличием низкоразмерного детерминированного хаоса, следовательно, возможно управление с помощью технологических режимов золь-гель метода параметрами микроструктуры тонких пленок.

5. Предложена модель с использованием метода Монте-Карло установления влияния состава и строения исходных частиц пленкообразующего раствора на морфологию поверхности пленок. Результаты показали, что увеличение размеров исходных частиц золя приводит к появлению пор в пленках состава SiOx: SnOy, если частицы имеют разветвленное строениепосле отжига при температуре 773 К структура полученных пленок содержит агрегаты с максимальным включением полых областей.

6. Предложена методика проектирования технологических маршрутов получения тонких пленок состава SiOx: SnOy с заданной структурой для создания сенсорных элементов на их основе. Получены образцы тонких пленок состава SiOx: SnOy с наличием равномерно распределенных кристаллитов, размер которых не превышает 100 нм, а также пористые пленки для создания на их основе сенсорного элемента.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. .Ф., Давыдов А. В. Химические сенсоры: возможности и перспективы //ЖАХ. 1990 Т.45. С.1259−1278.
  2. Ю.Г. Твердотельные сенсоры в химическом анализе // ЖАХ. 1990. Т. 45. С. 1279−1280.
  3. Dorojkine L.M., Mandelis A. Thermal wave pyroelectric thin film hydrogen sensor with extended dynamic range // Opt. Ing. 1997. V. 36. P. 473−481.
  4. Химические газовые сенсоры в диагностике окружающей среды // Сенсор. 2001. № 2. С.2−9.
  5. A.M., Румянцева М. Н. Выбор материалов для твердотельных газовых сенсоров//Неорганические материалы. 2000. Т 36. № 3. С 369 378.
  6. А.С., Сигов А. С., Ховив A.M. и др. Получение и свойства тонких сегнетоэлектрических пленок титаната свинца // ФТТ. 2000. Т. 42. Вып. 4. С. 727−732.
  7. В.А., Туренко Е. А., Ховив A.M. и др. Термическое окисление тонких пленок Ti и РЬ, напыленных на монокристаллический кремний //Неорган, материалы. 2001.Т. 37. № 5. С. 560−563.
  8. .Ш., Завьялов С. А., Завьялова Л. М. и др. Адсорбционные свойства наногетерогенных пленок на основе оксидов олова и титана // ЖФХ. 1995. Т. 69. № 6. С.1071−1075.
  9. И.А., Сухарев В. Я. Куприянов Л.Ю., Завьялов С. А. Полупроводниковые сенсоры в физико-химических исследованиях. М.: Наука. 1991. С. 326.
  10. . V. 2. Chemical and Biochemical Sensors. Part 1. // Ed. By W. Goppel et al. Weinheim- N.Y.: Basel. Cambridge. 1991.
  11. Park S.-S., Mackenzie J.D. Thickness and microstructure effects on alcohol sensing of tin oxide thin films // Thin Solid Films 274. 1996. P. 154−159.
  12. Liao H.B., Wen W., Wong G.K.L. Preparation and optical characterization of Au/Si02 composite films with multilayer structure // J. Appl. Phys. V. 93. № 8. P. 4485−4488.
  13. .Ш., Завьялов С. А., Куприянов Л. Ю. Особенности микроструктуры и сенсорные свойства нанонеоднородных композитных пленок // ЖФХ. 2000. Т. 74. № з. с. 459−465.
  14. М.Ельцов К. Н. Применение поверхностных химических реакций в нанотехнологии // Вестник РАН. Т. 67. № 11. 1997. С. 985−994.
  15. Jopes G. Halogen adsorption on solid surface // Progr. Surf. Sci. 1988. V. 27. P. 25.
  16. M.B., Тутов E.A., Бормонтов E.H. и др. Взаимодействие металлических наночастиц с полупроводником в поверхностно-легированных газовых сенсорах // ФТП. 2001. Т. 35. Вып. 7. С. 869−873.
  17. В.Е., Снитко О. В. Физика легированной металлами поверхности полупроводников. Киев: Наук, думка. 1988.
  18. А.Ч., Ивановская М. И. Детектирование газов-окислителей тонкопленочными полупроводниковыми сенсорами на основе 1п20з // ЖФХ. 1998. Т. 72. № 2. С. 364−367.
  19. Madou M.J., Morrison S.R. Chemical sensing with Solid State Devices. N.Y.: Acad. Press. 1989. 312 p.
  20. C.P. Химическая физика поверхности твердого тела. М.: Мир. 1982. 488 с.
  21. В.Ф., Крылов О. В. Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках и диэлектриках. М.: Наука. 1979. 236 с.
  22. Briggs D., Seah М.Р. Practical Surface Analysis. Chichester: Wiley. 1992. V. 1.314 p.3 5
  23. И.А. Адсорбция газов на поверхности соединений, А В индиевой группы // ЖФХ. 1998. Т. 72. № 6. С. 1106−1110.
  24. К.П., Герцберг Г. Константы двухатомных молекул. М.: Мир. 1984. Ч. 1.408 с.
  25. Ф.Х., Гутман Э. Е. Особенности строения и сенсорные свойства тонких пленок Sn02 и их взаимодействие с Pd по данным мессбауэровской спектроскопии // ЖФХ. 1999. Т. 73. № 2. С.292−298.
  26. С.И., Галанов А. И., Куприна JI.H., Осипова Н. А., Давыдов А. А. Кислотно-основные свойства поверхности оксидных оловосодержащих катализаторов окислительной димеризации метана // ЖФХ. 1999. Т. 73. № 5. С. 827−829.
  27. Н.К., Катаев Ю. Г. Черников Е.В. Структура, состав и свойства газочувствительных пленок Sn02, легированных платиной и скандием // ЖФХ. 1997. Т. 71. № 8. С. 1492−1496.
  28. Г. Г., Морозова О. В., Галямов Б. Ш. и др. Наноструктурированные пленки на основе смешанных оксидов олова и титана // Журнал неорган, химии. 1998. Т. 43. № 1. С. 36−46.
  29. Egdell R.G., Flavell W.R., Tavener P.J. Antimony-Doped Tin (IV) Oxide: Surface Composition and Electronic Structure // J. Solid State Chem. 1984. V.51.P. 345−354.
  30. Bellecci C., Camarca M. Conti M. Et al. Optical and Electrical Properties of Tin-Dioxide Films // Nuovo Cimento Soc. Ital. Fis., C. 1981. V. 4. № 4. P 397−407.
  31. Р.Б., Гаськов A.M., Румянцева M.H., Рыжиков A.C., Рябова JI.И., Акимов Б. А. Свойства гетероструктур диодного типа на основенанокристаллического w-Sn02 на р-Si в условиях газовой адсорбции // ФТП. 2000. Т. 34. Вып. 8. С. 993−997.
  32. .А., Абдул А. В., Гаськов A.M., Ильин В. Ю. и др. Сенсорные свойства по отношению к сероводороду и электропроводность поликристаллических пленок Sn02 (Си) // ФТП. 1997. Т. 31. № 4. С. 400−404.
  33. М.В., Димитров Д. Ц., Ильин А. Ю., Мошников В. А. и др. Исследование структуры поверхности слоев диоксида олова для газовых сенсоров атомно-силовой микроскопией // ФТП. 1998. Т. 32. № 6. С. 654−657.
  34. М.Н., Сафонова О. В. Булова М.Н., Рябова Л. И., Гаськов A.M. Газочувствительные материалы на основе диоксида олова // Сенсор. 2003. № 2. С. 8−25.
  35. Ponzoni A., Faglia G., Comini Е., Kovalenko V., Rumyantseva М., Gaskov A. Sensor properties of Sn02/Fe203 nanocomposites // Proc. Eurosensors XIX. Barselona, Spain. 11−14 September 2005. Vol. IP 13.
  36. C.A., Осипов A.B. Процессы конденсации тонких пленок // Успехи физических наук. 1998. Том 168, № 10. С.1083−1117.
  37. В.Г., Цырлин Г. Э. Кинетика роста тонких пленок при зародышевом механизме формирования слоев.// ФТП. 2005. Том 39. Вып. 11. С. 1312−1319.
  38. В.Г., Сибирев Н. В., Цырлин Г. Э., Устинов В. М. Теория формирования многослойных тонких пленок на поверхности твердого тела // ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 3. С. 257−263.
  39. А.Н., Сеченов Д. А. Хемосорбционные поверхностные комплексы в газофазных процессах диффузии и роста. Таганрог: Изд-во ТРТУ. 2001.144 с.
  40. В.И., Осадченко В. А. Рост и морфология тонких пленок. М.: Энергоатомиздат. 1993.
  41. Lewis В., Anderson J. Nucleation and Growth of Thin Films. New York.: Academic Press. 1978.
  42. Vanables A., Spiller GDT, Hanbucken M. // Rep. Prog. Phys. 1984. V.47. № 4. P.399.
  43. B.M. Кинетическая теория коагуляции. JI.: Гидрометеоиздат. 1984.
  44. А. В. //Поверхность. 1989. № 11. С. 116.
  45. . Т., Марунько С. В., Панчеха П. А., Полоцкий В. А. // Металлофизика. 1983. Т. 5. № 3. С. 45.
  46. В. М., Трусов Л. И., Холмянский В. А. Структурные превращения в тонких пленках. М.: Металлургия, 1982. 248 с.
  47. Е.М., Питаевский Л. П. Физическая кинетика. М.: Наука, 1979. 527 с.
  48. Ф. М. // Коллоид, журн. 1984. Т. 46. № 4. С. 674- № 5 с. 902.
  49. В., Norskov J. К. // Surf. Sci. 1985. V. 152/153. P. 660.
  50. В. Д., Гусев Е. П., Девятко Ю. Н., Лебединский Ю. Ю., Рогожкин С. В., Тронин В. Н., Троян В. И. // Поверхность. 1990. № 8. С. 22.
  51. D. Е., Ggaham М. J. // Surf. Sci. 1977. V. 69. P. 310.
  52. Л. Д., Лифшиц Е. М. Физическая кинетика. М.: Наука, 1980.
  53. С. А., Слезов В. В. //Поверхность. 1989. № 4. С. 38.
  54. С. А., Слезов В. В. //Поверхность. 1988. № 4. С. 16.
  55. С. А. //Поверхность. 1986. № 7. С. 136.
  56. В. И., Осадченко В. А. //Поверхность. 1986. № 1. С. 29.
  57. В. В., Сагалович В. В.// Успехи физ. наук. 1987. Т. 151. № 1. С. 67.
  58. А. В., Сагалович В. В. //Поверхность. 1990. № 2. С. 17.
  59. В. 3. Геометрико-вероятностные модели кристаллизации. Феноменологический подход. М.: Наука, 1980. 84 с.
  60. К., Ульмани Д., Хант Дж. Проблемы роста кристаллов. М.: Мир. 1968. С. 27.
  61. В.П., Коверда В. П. Спонтанная кристаллизация переохлажденных жидкостей. М.: Наука. 1984.
  62. С.А., Слезов В. В. Дисперсные системы на поверхности твердых тел. СПб: Наука. 1996.
  63. А.И., Филиновский И. Ю., Титов А. Г. Формирование термостойких анодных окисных пленок и их использование для изготовления фотодиодов на InSb // Прикладная физика. 2002. № 4. С. 413−419.
  64. В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА. М.: Высшая школа. 1987. 375 с.
  65. Н. В. Химические методы получения тонких прозрачных пленок. Л.: Химия. 1971. 200 с.
  66. К.В., Вихлянцев О. Ф., Грибов О. Г. Получение окисных пленок из растворов, использование их в электронной технике. М.: ЦНИИ. Электроника. 1974. 62 с.
  67. И. А., Хилькова О. А., Соловьева Т. С. Золь-гель технология и полимерные композиты. М.: ЦНИИТЭнефтехим. 1996. 75 с.
  68. Л.Л., Нестеренко С. Н. Синтез нанокристаллического диоксида титана для газовых сенсоров // Сенсор. 2002. № 1. С. 49 61.
  69. Lee S.-W., Yang D.-H., Kunitake T. Regioselective imprinting of anthracenecarboxylic acids onto Ti02 gel ultrathin films: an approach to thin film sensor // Sensors and Actuators В 104. 2005. С. 35−42.
  70. Makote R., Collinson M.M. Template recognition in inorganic-organic hybrid films prepared by the sol-gel process // Chem. Mater. 10. 1998. P. 2440−2445.
  71. Kawakami Т., Senzu H., Ichinose I., Kunitake T. Alternate molecular layers of metal oxide and hydroxyl polymer prepared by the surface sol-gel process //Adv. Mater. 10. 1998. P. 535−539.
  72. He J., Ichinose I., Kunitake T. Imprinting of coordination geometry in ultrathin films via the surface sol-gel process // Chem. Lett. 2001. P. 850 851.
  73. Ю.М., Слюсаренко E.M., Лунин B.B. Перспективы применения алкоксотехнологии в гетерогенном катализе // Успехи химии. 1996. Т.65. С.865−879.
  74. А.С., Максимов А. И., Мошников В. А., Ярославцев Н. П. Внутреннее трение в полупроводниковых тонких пленках, полученных методом золь-гель технологии // ФТП. 2005. Т. 39. Вып. 3. С. 300−304.
  75. А.И., Новиков В. В., Приходько Н. Е., Митникова И. М., Чепик Л. Ф. Тонкие неорганические пленки в микроэлектронике. Л.: Наука. 1972.
  76. М.И., Фролова Е. В., Садыков В. А., Неофитидес С. Формирование структурных дефектов в наносистемах Ce-Sm-О и Се-Sm-O/Ru, синтезированных золь-гель-методом // ЖФХ. 2005. Т. 79. № 8. С. 1351−1356.
  77. Л.П., Румянцева В. Д., Ермуратский П. В. Пленочные химические сенсоры токсичных газов и паров // Приборы и системы управления. 1997. № 1. С. 29−31.
  78. БО.Гапоненко H.B. Синтез и оптические свойства пленок, сформированных золь-гель методом в мезопористых матрицах (обзор) //Журнал прикладной спектроскопии. 2002. Т. 69. № 1. С. 5−20.
  79. Ю.Н., Мологин Д. А., Халатур П. Г. Моделирование процессов необратимой агрегации разветвленных молекул различного строения // ЖФХ. 2002. Том 76. № 11. С. 1975−1979.
  80. С.П., Бодягин Н. В., Ларина Т. Г., Мурсалов С. М. Процессы роста неупорядоченных полупроводников с позиций теории самоорганизации // ФТП. 2005. Том 39. Вып. 8. С. 953−959.
  81. Н.В., Вихров С. П. Пространственно-временной хаос в процессе образования твердотельного состояния.// Письма в ЖТФ. 1997. Том 3. № 19. С. 77−80.
  82. Г., Пригожин И. Самоорганизация в неравновесных системах. М.: Мир, 1979.512 с.
  83. Г., Пригожин И. Познание сложного. М.: Мир, 1990. 342 с.
  84. Г. Синергетика. М.: Мир, 1980. 404 с.
  85. И.Р. От существующего к возникающему. М.: Наука, 1985. 327 с.
  86. В.В., Дорохов И. Н., Кольцова Э. М. Системный анализ химической технологии. Энтропийный и вариационный методы неравновесной термодинамики в задачах химической технологии. М.: Наука, 1988. 367 с.
  87. А.В., Иванов В. А., Хохлов А. Р., Бор Я. Сополимеры с насыщающимися связями: компьютерное моделирование // ЖФХ. 2004. Том 78. № 12. С. 2199−2203.
  88. М.Р., Иванов В. А., Мюллер М., Пауль В., Биндер К. Фазовая диаграмма раствора жесткоцепных макромолекул: компьютерное моделирование методом Монте-Карло // ЖФХ. 2004. Том 78. № 12. С. 2204−2208.
  89. Методы Монте-Карло в статистической физике: Пер с англ. М.: Мир, 1982. 389 с.
  90. Н.К., Королев А. Н. Анализ процесса созревания раствора ТЭОС в присутствии хлорида олова (IV) и нитрата серебра. // Известия ТРТУ. № 1. 2004. С. 237.
  91. Lamer V.K., Dinegar R.N.// J. Amer. Chem. Soc. 1950. V. 72. P.4847.
  92. J.H., Zukoski C.J. // Journ. Coll. Interf. Sci. 1991. V.142. P. l-19.
  93. J.H., Zukoski C.J. //Journ. Coll. Interf. Sci. 1991. V.142. P.19−33.
  94. C.B. // J. Amer. Chem. Soc. 1944. V. 66. P.388.
  95. Iler R.K. Surface and Colloid Science / // Ed. Matyevic E. Wiley Interscience Publ. 1973. V.6. P 1−100.
  96. C. // J. Colloid Sci. 1947. V.2. P.413.
  97. P. S. // Trans. Faradau Soc. 1940. V.36. P.964.
  98. Ю.Г. Курс коллоидной химии. Поверхностные явления и дисперсные системы. М.: Химия. 1990. 462 с.
  99. В.Г., Иржак В. И., Розенберг Б. А. Стеклование полимеров. JL: Химия. 1987.192 с.
  100. Д.С., Цыдыпов Ш. Б., Баинова А. Б. Критерий стеклования жидкостей в модели возбужденных атомов. ЖФХ. 2004. Том 78. № 5. С.906−911.
  101. В.В., Королев А. Н., Назарова Т. Н., Козаков А. Т., Плуготаренко Н. К. Формирование тонких газочувствительных оксидных пленок смешанного состава легированных серебром.//Физика и химия обработки материалов. № 3. 2005. С. 58−62.
  102. Н.К., Назарова Т. Н., Вороной А. А., Смирнов В. А. Исследование процессов, протекающих при формировании раствора золя.//Известия ТРТУ. № 9. 2005. С. 258.
  103. В.В., Назарова Т. Н., Плуготаренко Н. К., Агеев О. А. Исследование тонких пленок состава SiOx(SnO)yAg сканирующим зондовым микроскопом.//Известия ТРТУ. № 8. 2004. С.247−248.
  104. Г., Корн Т. Справочник по математике для научных работников и инженеров. -М.: Наука. 1984. 831 с.
  105. А.Н., Катаева Н. А., Харина JT.T. Курс химии: Учебник для приборостроит. спец. вузов. М.: Высш. школа. 1983. 511 с.
  106. В.Н., Шершнев В. А. Химия и физика полимеров. М.: Высшая школа. 1988. 312 с.
  107. А. Рентгенография кристаллитов. Теория и практика. М.: Физматгиз. 1961.
  108. Wolf A., Swift J.B., Swinney H.L., Vastano A. Determining Lyapunov exponents from a time series. Physica. 1985. 285 p.
  109. А. Физическая химия поверхностей. M.: Мир. 1979.
  110. Petrov V.V., Plugotarenco N.K., Nazarova T.N., Kopilova N.F., Korolev A.N., Kazakov A.T. Synthesis of mixed structure gas-sensitive materials, doped with Ag.//Sensor electronics and microsystem technologies. № 1.2004. P.78−82.
  111. Petrov V., Nazarova Т., Korolev A., Poluyanovich N., Rassoha D. th
  112. Применение данной методики позволяет получать полупроводниковые материалы заданной структуры путем варьирования соотношения легирующих компонентов в исходном растворе и технологических режимов созревания пленкообразующего раствора, сушки и отжига.
  113. Генеральный директор ООО «Кристалл"1. Стефанович В.А.о внедрении результатов кандидатской диссертации Плуготаренко Н. К. «Исследование процессов формирования по золь-гель технологии сенсорных элементов на основе тонких пленок состава SiOx: SnOy»
  114. Зам. зав. кафедрой X и Э по учебной работе, канд.пед.наук., доцент1. В.В. Василовский1. Н.В. Гусакова
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?