Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Исследование специфики фликкерных и естественных шумов в полупроводниковых структурах на основе GaAs

Диссертация: Исследование специфики фликкерных и естественных шумов в полупроводниковых структурах на основе GaAs
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

На данный момент одной из наиболее распространенных моделей для объяснения 1 If шума в полупроводниках является модель бистабильных дефектов. Данные дефекты формируются, предположительно, бистабильными (в общем случае мультистабильными) дефектами кристаллической решетки образца. Разновидностями такой модели являются модель Когана и Нагаева для случая туннельного перехода частиц, а также модель… Читать ещё >

Содержание

  • 1. Мультистабильные дефекты как источник фликкерного шума в структурах на основе ваАв
    • 1. 1. Дефекты в кристаллах
      • 1. 1. 1. Точечные дефекты
      • 1. 1. 2. Комплексы дефектов
      • 1. 1. 3. Мультистабильность дефектов
    • 1. 2. Модель бистабильных дефектов
      • 1. 2. 1. Подвижность носителей тока в ваАБ структурах
      • 1. 2. 2. Спектр СТП, образованного бистабильным дефектом
      • 1. 2. 3. Синтез спектра шума в модели ансамбля СТП
      • 1. 2. 4. Высоты потенциальных барьеров ДУС
    • 1. 3. Донорно-акцепторные пары как причина 1//шума
      • 1. 3. 1. Анализ вольтамперных характеристик ПТШ
      • 1. 3. 2. Исследование спектра шумового напряжения I//шума ПТШ
      • 1. 3. 3. Оценка флуктуаций подвижности, обусловленных переключением бистабильных дефектов для ПТШ и ЭП
      • 1. 3. 4. Оценка минимальной длины плеча диполя
      • 1. 3. 5. Структура донорно-акцепторных пар в СаАэ, легированном Б!
    • 1. 4. Механизм мультистабильности дефектов
      • 1. 4. 1. Эффект Яна-Теллера в кристаллических телах
      • 1. 4. 2. Механизм пространственной мультистабильности комплексов дефектов
      • 1. 4. 3. Механизм зарядовой мультистабильности дефектов
    • 1. 5. Бистабильные точечные и сложные дефекты как источник фликкерных флуктуаций подвижности и концентрации свободных электронов
      • 1. 5. 1. Спектральные составляющие фликкерных флуктуаций подвижности и концентрации свободных электронов
      • 1. 5. 2. Сравнение спектральных составляющих фликкерных флуктуаций подвижности и концентрации свободных электронов при изменении заряда точечного дефекта
      • 1. 5. 3. Сравнение спектра фликкерного шума для ансамбля бистабильных точеных и сложных дефектов
    • 1. 6. Выводы по первой главе
  • 2. Источники 1 If шума в наноразмерных полупроводниковых диодах с барьером Шоттки
    • 2. 1. Декомпозиция ВАХ диодов с барьером Шоттки
      • 2. 1. 1. Структура НБДШ
      • 2. 1. 2. Модель диода
      • 2. 1. 3. Процедура аппроксимации экспериментальных данных и оценка точности аппроксимации
      • 2. 1. 4. Полные ВАХ диода
    • 2. 2. Модели формирования 1 If шума в диодах Шоттки с 5-легированием
      • 2. 2. 1. Спектр НЧ шума диодов Шоттки при прямом и обратном смещениях в области малых токов
      • 2. 2. 2. Модель тока утечки
      • 2. 2. 3. ANS- модель
    • 2. 3. Источники 1 If шума в диодах Шоттки с ö--легированием при малых токах
    • 2. 4. Выводы по второй главе
  • 3. Спектр естественного шума диодов и детекторов на базе диодов
  • Шоттки с б-легированием
    • 3. 1. Спектр естественного шума диода при малом токе
      • 3. 1. 1. Естественный шум диода при малом токе
      • 3. 1. 2. Модификация соотношения Ван Дер Зила
      • 3. 1. 3. Экспериментальные результаты
    • 3. 2. Спектр естественного шума детектора на базе диода Шоттки с 5-легированием
      • 3. 2. 1. Детектор на базе НБДШ
      • 3. 2. 2. Естественные шумы НБДШ в детекторном режиме
      • 3. 2. 3. Шумовые параметры детекторов
    • 3. 3. Выводы по третьей главе

Исследование специфики фликкерных и естественных шумов в полупроводниковых структурах на основе GaAs (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Общая характеристика диссертации.

Диссертация посвящена исследованию специфики фликкерного (1 If) и естественного шумов в структурах на основе арсенида галлия. Определение механизмов шумообразования имеет принципиальное значение для решения задачи по разработке прецизионных малошумящих приборов.

Обзор литературы и актуальность темы диссертационной работы.

Настоящая работа представляет собой развитие цикла исследований природы низкочастотных шумов полупроводниковых приборов, выполняемых на кафедре бионики и статистической радиофизики Нижегородского госуниверситета. Основные результаты, полученные ранее, обобщены в диссертациях C.B. Макарова [1], М. Ю. Перова [2], A.B. Белякова [3], A.B. Моряшина [4], A.B. Клюева [5].

Флуктуационные явления (шумы) в полупроводниках обусловлены случайным характером происходящих в них различных физических процессов. Так, случайные изменения скорости свободных носителей заряда, вызванные случайным характером процессов их, рассеяния, приводят к флуктуациям их локальной плотности, в результате чего появляются случайные микроскопические диффузионные токи. По этой причине в системе, содержащей свободные носители заряда, существует флуктуирующий ток, равный сумме таких микротоков. При этом на электрических контактах системы возникает флуктуирующее напряжение.

К наиболее часто встречающимся шумам относятся: тепловой, дробовой, генерационно-рекомбинационный шумы, шум, обусловленный флуктуациями температуры, а также фликкерный шум.

Тепловой шум вызывается случайным движением заряда в любом проводнике. Вследствие этого движения на концах проводника возникает флуктуирующая электродвижущая сила ej (f). Этот источник шума присутствует в любом устройстве, имеющем электрическую природу и находящемся в тепловом равновесии с окружающей средой.

Дробовой шум связан с дискретностью тока, представленного потоком заряженных частиц. Здесь шум рассматривается как последовательность независимых случайных событий. Например, в случае испускания электронов термокатодом или фотокатодом эмиссия электронов представляет собой последовательность независимых случайных событий. Следовательно, в эмиссионных токах наблюдается дробовой шум. Для обследованных в работе полупроводниковых структур мощность дробового шума, как правило, на несколько порядков меньше мощности фликкерного шума.

Генерационно-рекомбинационный шум возникает, когда свободные носители генерируются или рекомбинируют в полупроводниковом материале. Акты генерации и рекомбинации могут рассматриваться как последовательности независимых случайно возникающих событий. Возникающие флуктуации концентрации носителей заряда Sri приводят к возникновению флуктуаций сопротивления SR образца.

Шум, обусловленный температурными флуктуациями небольшого тела (источника шума), возникает из-за теплообмена между этим телом и окружающей его средой из-за флуктуаций испускаемого и поглощаемого излучения. Этот процесс можно описать флуктуациями скорости испускания и поглощения квантов малым телом. Существуют и флуктуации теплообмена, поскольку тело должно иметь теплопроводящие элементы (провода, соединения и т. д.), связанные с окружающим пространством. При обтекании источника шума газом (воздухом) или жидкостью возникают также флуктуации конвективного теплообмена. Здесь такие флуктуации не рассматриваются, поскольку они могут быть исключены с использованием соответствующих методов.

Фликкерный шум, иначе называемый шумом эффекта мерцания, а также 1 If шумом, был впервые обнаружен при исследовании дробового шума электронных ламп на низких частотах [6], [7].

Фликкерный шум существенно ограничивает эксплуатационные качества приборов (например, чувствительность и стабильность), требования к которым постоянно повышаются. В связи с этим исследования фликкерного шума в полупроводниках является важной проблемой современной радиофизики.

Фликкерные шумы обусловлены флуктуациями параметров радиоэлементов (например, сопротивления, ёмкости и др.) и могут наблюдаться при наложении на элемент напряжения или при пропускании через него электрического тока. Фликкерный шум характеризуется своей спектральной у плотностью мощности (далее просто спектром), которая пропорциональна 1//, где у — параметр формы спектра. Для многих объектов параметр формы спектра принимает значения около единицы: 0,8 < у < 1,2. Поэтому такой шум часто называют «Mf шумом». Влияние фликкерного шума наиболее существенно на низких частотах.

Исследования фликкерного шума, в том числе измерения его спектра, проводятся более 80 лет, однако природа шума до конца не выявлена [8, 9, 10, 11, 12]. Измерения спектра шума используются для получения информации об его происхождении. На данный момент имеется значительное количество публикаций по исследованиям фликкерного шума различных объектов, выполненных рядом исследователей: Ван дер Зил (A. Van der Ziel) [13, 14, 15], Дю Пре (F.K. Du Pre) [16], A.H. Малахов [7,8, 17], Xoyxe (F.N. Hooge),.

Клайнпеннин (T.G.M. Kleinpenning) и Фандамме (L.KJ.Vandamme) [10, 18, 19, 20, 21], Ш. М. Коган [9], Датга (P.Dutta) и Хорн (Р.М.Ногп) [22, 23], Кларк (J. Clarke) и Восс (R.F.Voss) [24], Вейсман (M.B.Weissman) [25], Г. Н. Бочков и Ю. Е. Кузовлев [11], В .П. Паленскис [26], Н. Б. Лукьянчикова [27, 28, 29], Р. З. Бахтизин и С. С. Гоц [30], А. К. Нарышкин и A.C. Врачев [31], Г. П. Жигальский [12, 32−44],.

B.В. Потемкин [45], С. А. Корнилов [46], В. Н. Кулешов [47], М. Е Левинштейн и.

C.Л. Румянцев [48, 49], А. П. Дмитриев [50], С. Ф. Тимашев [51, 52], Г. А. Леонтьев [53], Муша (Т. Musha) и Ямомото (М. Yamamoto) [54], Хандель (Handel Р.Н.) [55], и др.

Разнообразие свойств фликкерного шума, наблюдающихся в идентичных образцах и в различных системах, не согласуется с положением о фундаментальности 1 If шума. Если бы это явление было фундаментальным, то шум во всех исследуемых объектах имел бы одинаковый механизм возникновения и обладал бы одинаковыми свойствами. В действительности в некоторых структурах обнаружена зависимость шума от условий на поверхности образца [9], в то время как в большинстве структур он обусловлен объемным эффектом [10, 18].

Для объяснения возникновения 1 If шума создано большое количество моделей. В настоящее время фликкерный шум (например, напряжения) связывают с проявлением флуктуаций сопротивления образца R при наложении на образец напряжения или при пропускании через него тока. Поскольку удельное сопротивление р определяется концентрацией п и подвижностью // носителей заряда, согласно терминологии, введенной Хоухе, существует две альтернативные модели объяснения 1 If шума в твердых телах. Первая модель связывает 1 If шум с флуктуациями числа носителей тока (¿-n-модель), вторая — с флуктуациями подвижности (¿-//-модель), [10].

В твердых телах 1 If шум может быть объяснен с помощью движения дефектов в пространстве кристаллической решетки [9, 25, 56−58]. Связь между! f шумом и качеством кристаллической решетки в настоящее время хорошо представлена в экспериментах как для металлов [57, 59, 60], так и для полупроводников [61, 62, 72].

В рамках первой модели шум может объясняться изменением концентрации в результате захвата и испускания носителей тока поверхностными ловушками (модель Мак Уортера [63]), ловушками, расположенными в объеме [64], флуктуациями концентрации глубоко-уровневых ловушек в области пространственного заряда (ОПЗ) [65]. Во втором случае (¿-//-модель) флуктуации подвижности могут быть вызваны изменением пространственной конфигурации точечных дефектов, не приводящей к изменению их зарядового состояния [58, 66, 67].

На данный момент одной из наиболее распространенных моделей для объяснения 1 If шума в полупроводниках является модель бистабильных дефектов. Данные дефекты формируются, предположительно, бистабильными (в общем случае мультистабильными) дефектами кристаллической решетки образца. Разновидностями такой модели являются модель Когана и Нагаева [68, 69] для случая туннельного перехода частиц, а также модель, связывающая возникновение фликкерного шума с наличием подвижных дефектов в твердом теле [57, 67, 70, 71, 72]. Модель, связывающая возникновение фликкерного шума с наличием подвижных дефектов, развивается в настоящей работе. При этом достоверная информация о природе и специфике источников, вызывающих флуктуации подвижности, в рамках данной модели до сих пор, по-видимому, отсутствует.

Имеется определенное количество экспериментальных данных, которые подтверждают ту точку зрения, что 1// флуктуации сопротивления не связаны с флуктуациями концентрации свободных носителей (флуктуациями числа носителей). Величина термо-э.д.с. в разомкнутой цепи, состоящей из двух образцов, изготовленных из одинакового материала и находящихся при разных температурах, зависит от концентрации носителей и, следовательно, должна реагировать на возможные флуктуации числа носителей. Однако Хоухе и Галл [72] не обнаружили 1// шум у термоэлементов в режиме разомкнутой цепи, а Клайнпеннин [74] не нашел экспериментального подтверждения гипотезы о флуктуации числа носителей при измерениях термо-э.д.с., проведенных на образцах германия с почти собственной проводимостью. Казалось бы, это должно ясно указывать на то, что 1 If шум сопротивления обуславливается не флуктуациями числа носителей тока.

Несмотря на это, гипотеза о флуктуациях числа носителей не может вообще не приниматься во внимание. Некоторые экспериментальные результаты по измерению 1 If шума у различных типов кремниевых резисторов интерпретировались, исходя из флуктуаций числа носителей [75]- измерения по эффекту Холла, проведенные Брофи и Ростокером [76], и также Клайнпеннином [77], свидетельствуют в пользу этой гипотезы.

Модель флуктуаций числа носителей используется Левинштейном и Румянцевым для объяснения НЧ шума в я-GaAs, наблюдаемого в условиях сильного геометрического магнитосопротивления [48], а также при сильном легировании [78]. Авторами приводится обоснование того, что флуктуации подвижности нельзя рассматривать в качестве источников фликкерного шума. При этом ими не учитывается возможность существования анизотропных флуктуаций подвижности, возникающих, в частности, при рассеянии носителей подвижными дефектами, имеющими несимметричную конфигурацию [67].

Одним из вариантов модели флуктуаций числа носителей тока является модель Мак Уортера [63]. Данная модель используется для описания И/ шума в полупроводниковых структурах, где имеется сравнительно большая поверхность раздела полупроводник-окисел [79].

Необходимо отметить, что в настоящее время в научно-технической литературе обсуждается проблема связи И/ шума в полупроводниковых структурах с флуктуациями либо концентрации носителей тока, либо подвижности.

На сегодняшний день при изготовлении полупроводниковых материалов в значительной мере удается контролировать и концентрацию дефектов, и их характер. Имеются различные методы определения качества структуры полупроводникового прибора, например, метод электронного парамагнитного резонанса, метод нестационарной емкостной спектроскопии, метод фотолюминесценции. В частности, с помощью нестационарной емкостной спектроскопии можно получать информацию о концентрации, энергетических уровнях и скоростях захвата на ловушки. Кроме того, этот метод позволяет различать ловушки для основных и неосновных носителей. С разработкой метода ББТ (метод теории функционала плотности) [80, 81] появилась возможность моделирования поведения атомов в кристаллической решетке. Метод ОБТ широко используются для моделирований механизмов диффузии собственных дефектов и примесей, релаксации атомов, окружающих дефект [82]. Все это привело в последнее время к появлению большого количества работ, направленных на выявление нестабильных дефектов в полупроводниковых структурах. Так в [83] приводятся примеры нестабильных дефектов в 81, в [84, 85, 86] - для ОаАв. Но анализа структуры нестабильных дефектов в контексте определения флуктуаций подвижности и, соответственно, связи с фликкерным шумом в известной литературе обнаружено не было.

Таким образом, исследования по выявлению источников, способных приводить к флуктуациям подвижности, и исследования, позволяющие определить соотношение вклада от 8[ли 8псоставляющих данными источниками в результирующий спектр фликкерного шума, являются актуальными.

По мере того как флуктуационные исследования расширялись и углублялись, становилось очевидным, что их результаты содержат ценную информацию о физических процессах в полупроводниках и полупроводниковых структурах. Поэтому такие исследования открывают дополнительные возможности для изучения процессов, определяющих не только шумовые, но и нешумовые параметры и характеристики полупроводниковых материалов и приборов.

Именно такой подход к роли и значению флуктуационных исследований наиболее полно отражают их актуальность для современной полупроводниковой электроники.

Следует подчеркнуть, что флуктуационные исследования имеют, по крайней мере, три важных достоинства:

— шумовые методы позволяют определять параметры полупроводников по результатам измерений, проводимых в условиях, когда исследуемые объекты не подвергают каким-либо изменяющимся во времени внешним воздействиям;

— такие методы, в сущности, являются дифференциальными и обеспечивают строго линейный режим измерений;

— шумовые методы во многих случаях оказываются гораздо чувствительнее других методов исследования.

В связи с этим, помимо изучения фундаментальных аспектов, касающихся природы И/ шума, отдельный интерес представляет практическое приложение шумового анализа. Одним из направлений, активно развиваемых в последние годы, является использование И/шумового анализа в качестве неразрушающего инструмента диагностики качества структуры полупроводникового прибора. Во фликкерных флуктуациях, по-видимому, находят свое отражение электронные и атомные процессы в веществе, характеризующие особенности микроструктуры твердых тел. Это дает возможность использовать И/ шум для получения информации о качестве и надежности полупроводниковых структур. В частности, на основе исследования статистических свойств // шума возможно тестирование, контроль качества полупроводниковых приборов и выявление потенциально ненадежных образцов [например, 6, 7, 21].

Процедура расшифровки шумовых исследований осложняется тем, что в процессе измерений получаемые оценки статистических характеристик шума прибора зачастую искажаются из-за влияния внешних электромагнитных помех. Это особенно характерно для нелинейных образцов, обладающих малыми шумами (по сравнению с собственным шумом измерительной установки) и способных детектировать внешние помехи. В этой связи разработка установки, позволяющей осуществлять измерения шумовых характеристик прибора в наиболее благоприятных, с точки зрения внешних помех, условиях, является актуальной проблемой.

В настоящей работе также развивается метод, первоначально описанный в работе [87] и направленный на выявление областей шумообразования в полупроводниковых структурах по анализу токовой зависимости спектра фликкерного шума. Существуют различные модели, описывающие эмпирические зависимости спектра фликкерного шума от величины тока, протекающего через диод. Так, например, в [88, 89] отмечается, что максимизация токовой зависимости фликкерного шума диода с р-п переходом, может быть результатом проявления флуктуаций тока «утечки» — насыщение токовой зависимости связывают с флуктуациями «диффузионного» тока [87].

В диссертации предложено для локализации источников фликкерного шума и выявления его специфики использовать экспериментальные данные не только при прямом, но и при обратном напряжении смещения. В качестве исследуемой структуры в данной работе выступают низкобарьерные диоды Шоттки с 5-легированием (НБДШ), разрабатываемые в Институте физики микроструктур РАН [90−94]. Применение 8-легирования позволяет использовать такие диоды в детекторах терагерцового излучения, работающих без начального смещения.

Исследования в части локализации области шумообразования в полупроводниках, а также выявление источников фликкерного шума (дефектов) направлены на комплексный анализ специфики фликкерного (1//) шума в структурах на основе ваАз.

Кроме У/ шума в работе исследуется также специфика естественных шумов (теплового, дробового) в полупроводниковых структурах.

Естественные шумы проявляются в приборах при малых токах, а также при работе без внешнего постоянного смещения. При исследовании диодных структур за основу была взята теория работы диода с р-п переходом. В соответствии с моделью, предложенной Ван дер Зилом (см., например, [14]), в диоде с р-п переходом существуют естественные шумы, то есть дробовой шум, возникающий при направленном движении носителей тока, и тепловой шум, связанный со случайностью процесса диффузии. Причем тепловой шум преобладает в несмещенном диоде, а дробовой шум — при наличии прямого или обратного напряжения, приложенного к диоду. В работе [5] показано, что подход Ван дер Зила не применим для определения спектра естественных шумов р-п перехода, а также барьера Шоттки, обладающих коэффициентом неидеальности ВАХ, превышающим единицу. В настоящей работе в рамках обоснования результата, полученного в [5], предлагается модификация соотношения Ван дер Зила для спектра естественных шумов диода.

Цели диссертации.

Основные цели настоящей работы:

1. Модификация модели У/ шума в С, а Аз на основе анализа известных данных об электрофизических параметрах и спектре У/ шума в планарных полевых транзисторах Шоттки и эпитаксиальных пленках.

2. Выявление потенциальных источников У/ шума в структурах на основе ваАв путём исследования строения и механизма мультистабильности существующих точечных дефектов.

3. Сравнительный анализ проявления фликкерных флуктуаций подвижности и концентрации свободных электронов в ОаАэ, вызванных стохастическими изменениями состояния мультистабильных точечных дефектов и сложных дефектов (комплексов).

4. Разработка эквивалентной схемы низкобарьерного диода Шоттки с 5-легированием для конкретизации природы и дифференциации возможных источников фликкерного шума на основе измерения семейства спектров низкочастотного шума при прямом и обратном напряжениях смещения.

5. Модификация соотношения Ван дер Зила для определения спектра естественных шумов диодов с р-п переходом, а также барьером Шоттки, обладающих коэффициентом неидеальности ВАХ, превышающим единицу. Экспериментальная проверка модифицированного соотношения. Уточнение шумовых параметров приборов, использующих подобные полупроводниковые диоды.

Научная новизна.

1. Предложено в качестве механизма, приводящего к мультистабильности дефектов, рассматривать влияние эффекта Яна-Теллера, которому подвергаются собственные дефекты и атомы легирующей примеси в полупроводниках. Впервые механизм образования шума связывается с дефектами, подверженными влиянию эффекта Яна-Теллера.

2. Показана способность бистабильных точечных дефектов к генерации фликкерных флуктуаций в подвижности и концентрации свободных электронов. Для наиболее типичных параметров легирования ваАБ кремнием впервые показано доминирование составляющей, вызванной флуктуациями подвижности. Подобный результат свидетельствует в пользу ¿-«//-модели 1// шума.

3. Впервые показано, что в ваАв, легированном кремнием, удельный вклад спектральной составляющей фликкерного шума, определяемой бистабильными точечными дефектами с флуктуирующим зарядом, существенно превышает вклад сложных дефектов (комплексов), бистабильность которых проявляется через переориентацию в пространстве.

4. Предложена модифицированная модель, описывающая источники и проявление фликкерного шума в низкобарьерных диодах Шоттки с 5-легированием. Показано, что фликкерные шумы в исследуемых образцах могут быть обусловлены не только флуктуациями эффективного числа атомов донорной примеси в 5-слое перехода Шоттки, но и флуктуациями тока утечки.

5. Модифицировано соотношение Ван дер Зила для определения спектра естественных шумов р-п перехода, а также барьера Шоттки, с коэффициентом неидеальности ВАХ, превышающем единицу. Модифицированное соотношение подтверждено экспериментально.

Краткое содержание диссертации.

Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения, двух приложений, а также списка цитируемой литературы.

3.3. Выводы по третьей главе.

В главе представлено модифицированное соотношение Ван дер Зила для спектра естественных шумов р-п перехода, а также барьера Шоттки, с коэффициентом неидеальности ВАХ, превышающем единицу, rjD > 1. Предложенная модификация учитывает специфику механизмов токопереноса при r? D> 1.

Получено выражение для спектра эквивалентного генератора тока, трансформирующееся, в условии термодинамического равновесия с окружающей средой, в формулу Найквиста. На основе измерений НЧ шума.

НБДШ с г]0 > 1 в области малых токов экспериментально подтверждена модификация соотношения Ван дер Зила.

Исследовано влияние предложенной модификации соотношения Ван дер Зила на значения шумовых параметров (отношение «сигнал/шум», эквивалентная шумовая мощность) детекторов, работающих без внешнего постоянного смещения.

Заключение

.

Ниже представлены основные результаты, полученные в данной работе.

1. Для двух типов структур, выполненных на основе СаАэ, эпитаксиальных пленок и планарных субмикронных полевых транзисторов с плоским затвором Шоггки, подтверждено, что диполи, спонтанно изменяющие свою ориентацию в кристаллической решетке, могут являться источником наблюдаемого шума. В рамках ¿-/¿—модели фликкерного шума выполнен поиск донорно-акцепторных пар, имеющих дипольный тип рассеяния для электронов в и-ваАз, легированном кремнием. Предложено рассматривать такие донорно-акцепторные пары, как Уса81са> УА581А5, Уса^АБ.

2. В качестве механизма, приводящего к появлению мультистабильности дефектов, предложено учесть эффект Яна-Теллера, которому подвергаются собственные дефекты и атомы легирующей примеси в полупроводниках. Выявлена способность сложного дефекта, содержащего вакансию галлия и мелкоуровневый донор кремния (Уса81са)5 выступать в роли пространственного мультистабильного дефекта и БХ-центра в качестве дефекта с зарядовой мультистабильностью. Показано, что данные дефекты способны формировать наблюдаемый спектр фликкерного шума в ОаАэ образцах. Сформулировано предположение, что механизм образования И/ шума связан с дефектами, подверженными влиянию эффекта Яна-Теллера.

3. Для наиболее типичных параметров легирования ваАБ кремнием (в рамках модифицированной модели бистабильных дефектов) показан доминирующий вклад фликкерных флуктуаций подвижности. Подобный результат свидетельствует в пользу ¿-/¿—модели И/ шума. Показано, что спектральная составляющая шума, обусловленная бистабильными точечными дефектами с флуктуирующим зарядом, существенно превышает составляющую, обусловленную пространственно бистабильными сложными дефектами (комплексами).

4. Предложена модель низкобарьерного диода Шоттки с 8-легированием, что позволило описать полученные экспериментальные токовые зависимости спектра фликкерного шума при прямом и обратном напряжениях смещения. Показано, что фликкерные шумы в исследуемых образцах могут быть обусловлены не только флуктуациями эффективного числа атомов донорной примеси в 8-слое перехода Шоттки, но и флуктуациями тока утечки.

5. Модифицировано соотношение Ван дер Зила для спектра естественных шумов р-п перехода, а также барьера Шоттки, обладающих коэффициентом неидеальности ВАХ, превышающим единицу. Модифицированное соотношение подтверждено экспериментально. Уточнены значения шумовых параметров (отношение «сигнал/шум», эквивалентная шумовая мощность) полупроводниковых детекторов, работающих без постоянного смещения.

Показать весь текст

Список литературы

  1. , C.B. Развитие методов выявления негауссовости 1/f шума для исследования его природы: Дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.03 / C.B. Макаров. Н. Новгород, 2001. — 150 с.
  2. , М.Ю. Развитие методов анализа 1/f шума полупроводниковых наноразмерных структур: Дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.03 / М. Ю. Перов. Н. Новгород, 2003. — 134 с.
  3. , A.B. Исследование низкочастотных шумов светоизлучающих структур с целью диагностики их физических свойств: Дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.03 / A.B. Беляков. -Н. Новгород, 2005. 144 с.
  4. A.B. Уточнение природы 1// шума на основании исследования естественного старения субмикронных планарных GaAs полевых транзисторов с затвором Шотки // Дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.03/ A.B. Моряшин. Н. Новгород, 2007. — 91 с.
  5. A.B. Источники низкочастотных шумов в квантово-размерных светоизлучающих структурах и диодах Шотгки с дельта-легированием // Дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.03, Н. Новгород, 2008. 158 с.
  6. Johnson, J.B. The Schottky effect in low frequency circuits / J.B. Johnson // Phys. Rev. 1925. — Vol. 26. — № 71.
  7. , A.H. Флуктуации в автоколебательных системах / А. H. Малахов. M.: Наука, 1968. — 660 с.
  8. , А.Н. К вопросу о спектре фликкер-шума / А. Н. Малахов // Радиотехника и электроника. 1959. — Т. 4. — № 1. — С. 54.
  9. , Ш. М. Низкочастотный токовый шум со спектром 1/f в твердых телах / Ш. М. Коган // УФН. 1985. — Т. 145. — № 2. — С. 285 — 328.
  10. Hooge, F.N. Experimental studies on 1/f noise / F.N. Hooge, T.G.M. Kleinpenning, L.K.J. Vandamme // Reports on progress in Physics. 1981. — Vol. 4. -№ 5.-P. 479−532.
  11. , Г. Н. О некоторых вероятностных характеристиках 1/f шума / Г. Н. Бочков, Ю. Е. Кузовлев // Известия ВУЗов. Радиофизика. 1984. — Т. 27. -№ 9. — С. 1151−1157.
  12. , Г. П. Шум вида 1/f и нелинейные эффекты в тонких металлических пленках / Г. П. Жигальский // УФН. -1997. Т. 167, № 6. — С. 623 648.
  13. Van der Ziel, A. On the noise spectra of semi-conductor noise and of flicker effect / A. Van der Ziel // Physica. 1950. — Vol. 16. — № 4. — P. 359 — 372.
  14. Ван дер Зил, А. Шумы в полупроводниковых приборах и лазерах / А. Ван дер Зил // Пер. с англ. ТИИЭР. — 1970. — Т. 58. — № 8. — С. 5 — 34.
  15. Ван дер Зил, А. Единое представление шумов типа 1/f в электронных приборах: Фундаментальные источники / А. Ван дер Зил // Пер. с англ. -ТИИЭР. 1988. — Т. 76. — № 3. — С. 5 — 34.
  16. Du Pre, F. К. A suggestion regarding the spectral density of flicker noise / F.K. Du Pre // Physical Review. 1950. — Vol. 78. — № 5, — P. 615.
  17. , A.H. К вопросу о природе фликкерных флуктуаций / А. Н. Малахов, А. В. Якимов // Радиотехника и электроника. 1974. — Т. 19. — № 11.-С. 2436−2438.
  18. Hooge, F.N. The relation between 1/f noise and number of electrons / F.N. Hooge // Physica B. 1990. — Vol. 162. — P. 344 — 352.
  19. Kleinpenning, T.G.M. 1/f noise in p-n diodes / T.G.M. Kleinpenning // Physica. 1980. — Vol. 98 B+C, no. 4, — P. 289 — 299.
  20. Van Kemenade, A.J. 1/f noise in the extinction coefficient of an optical fibre / A.J. van Kemenade, P. Herve, L.K.J. Vandamme // Electronic Letters. 1994. -Vol. 30. -№ 16. — P. 1338 — 1339.
  21. Vandamme, L.K.J. Noise as a diagnostic tool for quality and reliabiliry of electron devices / L.K.J. Vandamme // IEEE Trans. Electron Devices. 1994. -Vol.41.-№ 11. -P.2176−2187.
  22. Dutta, P. Low-frequency fluctuations in solids: 1/f noise / P. Dutta, P.M. Horn // Reviews of Modern Physics. 1981. — Vol. 53. — № 3. — P. 497 — 516.
  23. Dutta, P. Energy scales for noise processes in metals / P. Dutta, P. Dimon, P. M. Horn //Phys. Rev. Lett. 1979. — Vol. 43. — № 9. — P. 646 — 649.
  24. Voss, R.F. Fliker 1/f noise: Equilibrium temperature and resistance fluctuations / R.F. Voss, J. Clarke // Phys. Rev. 1976. — Vol. В13. — №.2. — P. 556 -573.
  25. , M.B. 1/f noise and other slow, nonexponential kinetics in condensed matter / M.B. Weissman //Rev. Mod. Phys. 1988, Vol. 60. — № 2. — P. 537−571.
  26. , В.П. К вопросу о природе 1/f шума в линейных резисторах и р-n переходах / В. П. Паленскис, Г. Е. Леонтьев, Г. С. Миколайтис // Радиотехника и электроника. 1976. — Т.21. — № 11. — С. 2433−2434.
  27. , Н.Б. Физические основы электрофлуктуационной диагностики надежности и срока службы полупроводниковых приборов / Н. Б. Лукьянчикова // Электронная промышленность. 1983. — № 6. — С. 28−35.
  28. , Н.Б. Низкочастотный шум в полупроводниковых диодах / Н. Б. Лукьянчикова // Литовский физический сборник. 1984. — Т.24. -№ 1.-С. 51−67.
  29. , Н.Б. Флуктуационные явления в полупроводниках и полупроводниковых приборах. / Н. Б. Лукьянчикова // М.: «Радио и связь». 1990, — 296 с.
  30. , Р.З. Фликкер-шум в полупроводниковых автокатодах / Р. З. Бахтизин, С. С. Гоц // Известия ВУЗов. Радиофизика. 1981. — Т.24. — № 10. -С. 1276−1281.
  31. , А.К. Теория низкочастотных шумов / А. К. Нарышкин, A.C. Врачев. -М.: Энергия, 1972. 153 с.
  32. , Г. П. Исследование зависимости шума 1/f в тонких металлических пленках от внутренних механических напряжений / Г. П. Жигальский, Ю. Е. Соков, Н. Г. Томсон // Радиотехника и электроника. 1979. -Т.24. -№ 2. -С. 410−412.
  33. , Г. П. Влияние структурных факторов на фликкерный шум в мелкодисперсных пленках хрома / Г. П. Жигальский, A.B. Карев, И. Ш. Сиранашвили и др. // Известия ВУЗов. Радиофизика. 1990. — Т. ЗЗ, № 10. — С. 1181−1184.
  34. , Г. П. Взаимосвязь 1/f шума и эффектов нелинейности в металлических пленках / Г. П. Жигальский // Письма в ЖЭТФ. 1991. — Т.54. -№.9.-С. 510−513.
  35. , Г. П. Исследование фликкерного шума в тонкопленочных резисторах на основе пленок тантала / Г. П. Жигальский, A.B. Карев, В. Е. Косенко // Электронная техника. Серия 6, Материалы. 1992. -№ 1(148). -С.70−73.
  36. , V.V. 1/f noise in thin metal films: The role of steady and mobile defects/ V.V. Potemkin, A.V. Stepanov, G.P. Zhigal’skii // Proceedings of the International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations. AIP. -1993.- P. 61-64.
  37. , Г. П. Шум вида 1/f, обусловленный равновесными флуктуациями в металлических пленках/ Г. П. Жигальский, A.C. Федоров // Известия Вузов. Радиофизика. 1994. -Т.37. -№ 2. — С. 161−182.
  38. , Г. П. Неравновесный фликкер-шум в тонкопленочных резисторах на основе тантала / Г. П. Жигальский, A.B. Карев // Радиотехника и электроника. 1999. — Т. 44. — № 2. — С. 220−224.
  39. Zhigal’skii, G.P. Non-equilibrium 1/f noise in metal and alloy films. / G.P. Zhigal’skii, B.K. Jones // Proc. of 15-th Intern. Confer. ICNF-99 (Hong Kong). -1999.-P. 172−175.
  40. , Г. П. Неравновесный l/f-шум в проводящих пленках и контактах / Г. П. Жигальский // УФН -2003. Т. 173. — № 5. — С. 465−490.
  41. , В.В. Проявление нулевых колебаний решетки в температурной зависимости 1/f шума металлов / В. В. Потемкин, М. Е. Герценштейн, И. С. Бакши // Известия ВУЗов. Физика. 1983. — Т.26. — № 4. — С. 114−115.
  42. , С.А. Фликкерные флуктуации колебаний генераторов на лавинно-пролетных диодах / С. А. Корнилов, К. Д. Овчинников, В. М. Павлов // Известия ВУЗов. Радиофизика. 1985. — Т.28. — № 6. — С. 725−730.
  43. , В.Н. Фликкер-шум в транзисторах и флуктуации амплитуды и фазы в высокочастотных усилителях / В. Н. Кулешов, И. П. Бережняк // Радиотехника и электроника. 1980. — Т.25. — № 11. — С. 2393−2399.
  44. , М.Е. Шум 1/f в условиях сильного геометрического магнитосопротивления / М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев // Физика и техника полупроводников. 1983.-Т. 17.-№ 10.-С. 1830−1834.
  45. , М. Е. Nature of the volume 1/f noise in the main materials of semiconductor electronics: Si, GaAs, and SiC / M.E. Levinshtein // Physica Scripta. 1997. — Vol. T69. — P.79−84.
  46. Dmitriev, A.P. A model of the 1/f noise in a forward-biased p-n diode / A.P. Dmitriev, M.E. Levinshtein, E.N. Kolesnikova, J.W. Palmour, M.K. Das, B.A. Hull// Semicond. Sci. Technol. -2008. Vol.23. -№ 1. — P. 1−5.
  47. Timashev, S.F. Review of flicker-noise spectroscopy in electrochemistry / S.F. Timashev, Yu.S. Polyakov // FNL. World Scientific. — 2007. — Vol.7. — № 2. -P.15−47.
  48. Leontjev, G. Surface and bulk 1/f noise in silicon bipolar transistors / G. Leontjev // Proceedings of the 12 International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations ICNF -1993. AIP. — 1993. — P. 268 — 271.
  49. , T. 1/f-like fluctuations of biological rhythm / T. Musha, M. Yamamoto // Proc. 13th Int. Conf. on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations.-Singapore:World Scientific. 1995. -P.22−31.
  50. Handel, P.H. Quantum 1/f Noise, a New Aspect of Quantum Physics in
  51. Hi-Tech Devices, Sensors, Nanostructures and Systems / P.H. Handel, A.M. Truong, th
  52. T.F. George, H. Morkoc // ICNF-2007. 19 international conference on Noise and Fluctuations, edited by M. Tacano, Yo. Yamamoto, M. Nakao, AIP Conference Proceedings, Japan, Tokyo, 2007. — Vol. 922. — P. 425−430.
  53. Pelz, J. Dependence of 1/f noise on defects induced in copper films by electron irradiation / J. Pelz, J. Clark // Phys. Rev. Lett. 1985. — Vol. 55. -P.738−741.
  54. Orlov, V.B. A further interpretation of Hooge’s 1/f noise formula / V. B. Orlov, A. V. Yakimov//PhysicaB. 1990. — V.162. -P.13−20.
  55. , A.B. Могут ли подвижные дефекты вызвать 1/f шум в полупроводнике? / А. В. Якимов // Известия ВУЗов. Радиофизика. 1999. — Т.42. — № 6. — С.594−600.
  56. Fleetwood, D.M. Direct link between 1/f noise and defects in metal films /D.M. Fleetwood, N. Giordano // Phys. Rev. B. 1985. -Vol.31. -P.l 157−1160.
  57. Zimmerman, N.M. Microscopic scatterer displacements generate the 1/f resistance noise of H in Pd / N.M. Zimmerman, W.W. Webb // Phys. Rev. Lett. -1988.-Vol.61.-P.889−892.
  58. Vandamme, L.K.J. Annealing of ion-implanted resistors reduces the 1/f noise / L.K.J. Vandamme, S. Oosterhof// J. Appl. Phys. 1986. — Vol.59. — P.3169−3274.
  59. Clevers, R.H.M. 1/f noise in ion-implanted resistors between 77 and 300 К / R.H.M. Clevers // J. Appl. Phys. 1987. — Vol.62 — P. 1877−1881.
  60. Мак Уортер, А. в кн. Физика поверхности полупроводников (пер. с англ. Под ред. Г. Е. Пикуса) / А. Мак Уортер. М.: ИЛ., 1959. -263 с.
  61. Van der Ziel, A. Noise, Sources, Characterization Measurement / A. Van der Ziel // Prentice-Hall, New Jersey. 1970, Chap. 1.
  62. Sah, C.T. Theory of low-frequency generation noise in junction-gate field-effect transistors / C.T. Sah // Proc. IEEE. 1964. — Vol. 52. — P.795 — 814.
  63. , F.N. 1 If noise is no surface effect / F.N. Hooge // Phys. Lett. A. -1969.-Vol. 29.-P. 139.
  64. , В.Б. Анизотропные флуктуации подвижности тока и 1 If -шум магнитосопротивления в полупроводниках /В.Б. Орлов, А. В. Якимов // Физика и техника полупроводников. 1989. -Т.23. -№ 8. — С. 1341−1344.
  65. , Ш. М. Низкочастотный токовый шум в твердых телах и внутреннее трение / Ш. М. Коган, К. Э. Нагаев // Физика твердого тела. 1982. -Т.24.-№ И. -С. 3381−3388.
  66. , Ш. М. Шум в туннельных переходах, вызываемый двухуровневыми системами в диэлектрической прослойке / Коган Ш. М., Нагаев К. Э. // Письма в ЖТФ. 1984. — Т.10. — № 5. — С. 313−316.
  67. , А.В. Проблема обоснования спектра вида 1 If в термоактивационных моделях фликкерного шума / А. В. Якимов // Известия ВУЗов. Радиофизика. 1985. -Т.28. -№ 8. -С.1071−1073.
  68. , В. Б. Диффузия примесей и фликкерные флуктуации подвижности носителей тока в полупроводниках / В. Б. Орлов, А. В. Якимов // Известия ВУЗов. Радиофизика. 1984. — Т. 27. -№ 12. — С.1584 — 1589.
  69. Chen, X.Y. Annealing of proton-damaged GaAs and 1/f noise / X.Y. Chen, Folter L.C. // Semicond. Sci. Technol. 1997. — Vol.12. — P. 1195−1201.
  70. Hooge, F.N. Experimental study of 1/f noise in thermo E.M.F. / F.N. Hooge, J.L.M. Gaal // Phillips Res. Rep. -1971. Vol. 26. — P. 345- 358.
  71. Kleinpenning, T.G.M. 1/f noise in the thermo e.m.f. of intrinsic and extrinsic semiconductors / T.G.M. Kleinpenning // Physica. -1974. -Vol. 77. P. 7898.
  72. Jones, B.K. Excess conductance noise in silicon resistors / B.K. Jones // tb
  73. Proc. 6 Int. Conf. On Noise in Physical Systems held at the National Bureau of Standards, Gaithersburg, MD, USA, April 6−10. 1981. — P. 206−209.
  74. Brophy, J.J. Low-frequency variance noise / J.J. Brophy // J. Appl. Phys. -1970.-Vol. 41.-P. 1697−1701.
  75. Kleinpenning, T.G.M. 1/f noise in Hall effect: fluctuations in mobility / T.G.M. Kleinpenning // J. Appl. Phys. -1980. Vol. 51. — P. 3438.
  76. , H.B. Шум 1/f в сильно легированном n-GaAs в условиях зона-зонной подсветки / Н. В. Дьяконова, М. Е Левинштейн, F. Pascal, С. Л. Румянцев // Физика и техника полупроводников. -1997. Т.31. -№ 7. — С.858−863.
  77. , М. Шумы в электронных приборах и системах / М. Букингем. М.: Мир, 1986, — 399 с.
  78. Кон, В. Электронная структура вещества волновые функции и функционалы плотности / В. Кон //УФН. — 2002. — Т.172. — № 3. — С. 336−348.
  79. Drabold, D.A. Theory of Defects in Semiconductors / D.A. Drabold, S.K. Estreicher. -2007. Springer-Verlag Berlin Heidelberg. — 296 p.
  80. Malouin, M-A. Gallium self-interstitial relaxation in GaAs: An ab initio characterization / M-A. Malouin, F. El-Mellouhi, N. Mousseau // Phys. Rev. B. -2007.-Vol.76.-P.45 211.
  81. Suski, T. Metastable donors in GaAs / T. Suski, M. Ba // Physica Scripta. 1991. — Vol.39. -P.250−257.
  82. El-Mellouhi, F. Self-vacancies in gallium arsenide: an ab initio calculation / F. El-Mellouhi, N. Mousseau // Phys. Rev. B. 2005. — Vol. 71. -P. 125 207−125 229.
  83. , A.H. Флуктуации сопротивления полупроводниковых детекторов / A.H. Малахов // Радиотехника и электроника. 1958. — Т.З. — № 4. -С. 547−551.
  84. , А.В. Фликкерные шумы токов утечки в полупроводниковых диодах / А. В. Якимов // Известия ВУЗов. Радиофизика. -1984. -Т.27. — № 1. С. 120−123.
  85. , А.Э. Избыточные шумы в диодах на основе PbixSnxTe и их связь с вольтамперными характеристиками / А. Э. Климов, И. Г. Неизвестный, В. Н. Шумской // Физика и техника полупроводников. 1983. — Т. 17. — № 10. — С. 1766−1770.
  86. , В.И. Диагностика низкобарьерных диодов Шоттки с приповерхностным 8-легированием / В. И. Шашкин, А. В. Мурель // Физика и техника полупроводников. 2008. — Т 42, вып. 4. — С. 500 — 502.
  87. , В.И. Теория туннельного токопереноса в контактах металл полупроводник с приповерхностным изотипным 8-легированием / В. И. Шашкин, А. В. Мурель // Физика и техника полупроводников. — 2004. — Т. 38. -№. 5. — С. 574 — 579.
  88. , Н.В. Электрические свойства наноконтактов металл -полупроводник / Н. В. Востоков, В. И. Шашкин // Физика и техника полупроводников. -2004. Т. 38. -№ 9. — С. 1084 — 1089.
  89. А.В., Донорно-акцепторные пары как причина 1//шума в приборах на основе GaAs // А. В. Моряшин, Е. И. Шмелев, А. В. Якимов // Вестник Нижегородского университета им. Н. И. Лобачевского. Серия Радиофизика. 2007. — Вып. 1. — С.78−82.
  90. Е.И. Мобильная установка для исследования низкочастотных шумов // Е. И. Шмелев, А. В. Клюев, А. В. Якимов // Вестник Нижегородского университета им. Н. И. Лобачевского. Серия Радиофизика. -2009. Вып.5. — С. 81−85.
  91. Klyuev, A.V. Modification of Van der Ziel Relation for Spectrum of Noise in p-n Junction / A.V. Kluev, E.I. Shmelev, A.V. Yakimov // Fluctuation and Noise Letters Vol. 0, No. 0 (принято к печати).
  92. А.В. Источники фликкерного шума в дельта-легированных кремнием диодах Шоттки / А. В. Клюев, Е. И. Шмелев, А. В. Якимов // Вестник Нижегородского университета им. Н. И. Лобачевского. Серия Радиофизика.2010. Вып. 5 (принято к печати).
  93. , Е.И. Дефектные комплексы как причина 1/f шума в приборах на основе GaAs // Шмелев Е. И., Якимов A.B. // XII Международный Симпозиум, Нанофизика и наноэлектроника, Н. Новгород. 2008. — Т.2. — С. 368−369.
  94. Ю, П. Основы физики полупроводников / П. Ю., М. Кардона. -М.:Физматлит, 2002. 560с.
  95. , М. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория / М. Лано, Ж. Бургуэн М.: Мир, 1984. — 264 с.
  96. , Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты / Ж. Бургуэн, М. Лано. М.: Мир, 1985. — 304 с.
  97. , В.И. Введение в физику полупроводников / В. И. Фистуль. М.: Высш. шк., 1984. — 352 с.
  98. Chantre, A. Introduction to defect bistability / A. Chantre // Appl. Phys. A.-1989.-Vol.48.-P.3−9.
  99. Seebauer, E.G. Charged semiconductor defects: structure, thermodynamics and diffusion / E.G. Seebauer, M.C. Kratzer. Springer, 2008. -294p.
  100. Бонч-Бруевич, В. Л. Физика полупроводников / В. Л. Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников. М.: Наука, 1990. — 685 с.
  101. , К. Физика полупроводников / К. Зеегер. М.: Мир, 1977.615 с.
  102. Conwell, Е. Theory of impurity scattering in semiconductors / E. Conwell, F. Weisscopf// Phys. Rev. 1950. — Vol.77. — P.388.
  103. Reiss, H Chemical interactions among defects in germanium and silicon / H, Reiss H., C.S. Fuller, F. Morin // J. Bell. Syst. Techn. J. 1956. — Vol.35. -P.535−636.
  104. , А. Г. К вопросу о рассеивании на диполях / А. Г. Самойлович, М. В. Ницович // Физика твердого тела. 1963. — Т.5. — № 10. -Р.2981−2984.
  105. Boardman, A.D. The theory of dipole scattering in semiconductors / A.D. Boardman//Proc. Phys. Soc. 1965. — Vol.85. -P.141−148.
  106. , Б.Р. Теоретические основы радиотехники / Б. Р. Левин. М.: Сов. радио, 1969. — Кн. 1, гл. И.
  107. Machlup, S. Spectrum of two-parameter random signal / S. Machlup // J. of Applied Physics. 1954. — Vol. 25. — № 3. — P.341−343.
  108. , C.C. Соединения A3B5. / С. С. Стрельченко, В. В. Лебедев. // Справ, изд. М.: Металлургия, 1984. — 144с.
  109. Шур, М. Современные приборы на основе арсенида галлия / М. Шур.-М.: Мир, 1991.-632 с.
  110. , V.B. 1/f noise in Corbino disk: anisotropic mobility fluctuations / V.B. Orlov, A.V. Yakimov // Solid-State Electronics. 1990. — Vol. 33. — P.21-25.
  111. Song, M.-H. Influence of magnetic field on 1/f noise in GaAs Corbino disks / M.-H. Song, H.S. Min // J. of Applied Physics. 1985. Vol.58. — № 11. — P. 4221−4224.
  112. Chen, X.Y. Annealing of proton irradiated GaAs reduces the 1/f noise / X.Y. Chen, V. Aninkevicius // Proc. 7th Vilnius Conf. Fluctuation Phenomena in Physical System, Vilnius University Press. 1994. -P.260−265.
  113. Yakimov, A.V. A simple test of the Gaussian character of noise / A.V. Yakimov, F.N. Hooge // Physica B. 2000. — Vol. 291. — P.97−104.
  114. Bersucer, I.B. The Jahn-Teller effect / I.B. Bersucer. Cambridge: Cambridge University Press, 2006. — 632p.
  115. Stavolta, M. Identification of defects in semiconductors. Part 2. / M. Stavolta. USA: Academic Press, — 1998 — 434p.
  116. , H.C. Изменение энергии ян-теллеровских конфигураций комплексов вакансия-донор под влиянием внешней одноосной дефформации /
  117. H.С. Аверкиев, А. А. Гуткин, М. А. Рещиков // Физика и техника полупроводников.- 1999.-Т. 33.-№ 11.-С. 1323−1329.
  118. Anderson, P.W. Model for the electronic structure of amorphous semiconductors / P.W. Anderson // Phys. Rev. Lett. 1975. — Vol.34. — P.953−955.
  119. Zhang, S.B. Cation antisite defects and antisite-interstitial complexes in gallium arsenide / S.B. Zhang, D.J. Chadi // Phys. Rev. Lett. 1990. — Vol.64. -P. 1789−1792.
  120. Adachi, S. Properties of Aluminium Gallium Arsenide / S. Adachi. -Institution of Electrical Engineers: INSPEC, 1993. 325p.
  121. Dupasquier, A. Positron spectroscopy of solids / A. Dupasquier, A.P. Mills. IOS Press, 1993. — 780p.
  122. Wall, E.L. Edge injection currents and their effects on 1/f noise in planar Schottky diodes / E.L. Wall // Solid-State Electronics. 1976. — Vol.19. — № 5. — P. 389−396.
  123. Головко, А.Г. l/f-шумы в барьерных слоях / А. Г. Головко // Известия ВУЗов. Радиофизика. 1978.-Т.21.-№ 10.-С. 1531−1534.
  124. Smullin, К. D. Noise in Electron Devices / К. D. Smullin, A. Haus. -Cambridge: MA, MIT Press, 1959.
  125. Ван дер Зил, А. Шумы в полупроводниковых приборах и лазерах / А. Ван дер Зил // Пер. с англ. ТИИЭР. — 1970. — Т. 58. — № 8. — С. 5 — 34.
  126. Hubi’k, P. Deep levels in GaAs due to Si 5 doping / P. Hubi’k, J. Krisvtofik, J. J. Mares" J. Maly', E. Hulicius, J. Pangra’c // J. of Applied Physics. -2000. Vol.88. -№ 11.- P.6488−6494.
  127. Nyquist, H. Thermal agitation of electric charge in conductors / H. Nyquist//Physical Review. 1928.-Vol.32.-P. 110−113.
  128. Sah, С. T. Carrier generation and recombination in p-n junctions and p-n junction characteristics / С. T. Sah, R. N. Noyce, W. Shockley // Proceedings of IRE. -1957. Vol. 45. -№ 9. — P. 1228−1243.
  129. Gupta, M. S. Thermal fluctuations in driven nonlinear resistive systems / M. S. Gupta // Physical Review A. 1978. — Vol. 18. — № 6. — P.2725−2731.
  130. Su, N. Temperature dependence of high frequency and noise performance of Sb-heterostructure millimeter-wave detectors / N. Su, Z. Zhang, J.N. Schulman, P. Fay // IEEE Electron Device Letters. 2007. — Vol. 28. — № 5. — P.336−339.
  131. Ван дер Зил, А. Шумы при измерениях / А. Ван дер Зил // Пер. с англ. Издательство МИР, 1979. — 293 с.
  132. Spieler, Н. Semiconductor Detector Systems / Н. Spieler. Oxford University Press, 2005. — 506p.
  133. , А. В. Физические модели и анализ флуктуаций и шумов в трердотельных генераторных системах СВЧ: Дис. докт. физ.-мат. наук: 01.04.03 / А. В. Якимов. Горький, 1986. — 362 с.
  134. С.А., Фликкерный шум СВЧ детекторов, а диодах с барьером Шоттки / Корнилов С. А., Лосев В. Л., Мещеряков A.B. // Известия ВУЗов. Радиофизика. 1979. — Т.22. — № 11. — С. 1392−1400.
  135. В. М. Малышев Низкочастотный шум в диодах Шоттки в статическом и детекторном режимах / В. М. Малышев, В. Г. Усученко // Известия ВУЗов. Радиофизика. 1989. — Т.32. — № 5. — С.632−641.
  136. , В.И. Нелинейные транспортные эффекты в селективнолегированных гетероэпитаксиальных микроструктурах металл-полупроводник: Автореферат дис. докт. физ.-мат. наук: 01.04.10 / В. И. Шашкин. Н. Новгород, 2009. — 39 с.
  137. Сайт производителя Low Noise Preamplifier 5113 и Ultra Low Noise Preamplifier 5184 Электронный ресурс. URL: http://www.signalrecovery.com (дата обращения 10.12.2009).
  138. Сайт производителя модулей N1−9239 и N1 cDAQ-9172 Электронный ресурс. URL: http://www.ni.com (дата обращения 10.12.2009).
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?