Оптические свойства наноструктурированных углерода и кремния, композитов на их основе
Диссертация
Автор выражает благодарность научному руководителю д.ф.-м.н., профессору В. В. Болотову, д.ф.-м.н., профессору A.B. Окотрубу с сотрудниками за синтез слоев УНТ, за разработку, создание и предоставление установки «СУТ)-4"для синтеза УНТ, к.ф.-м.н., доценту В. А. Володину за содействие в проведении исследований методом спектроскопии КРС и плодотворные дискуссии, сотрудникам лаборатории физики… Читать ещё >
Содержание
- ГЛАВА 1. Оптические свойства наноструктурированного углерода и кремния, наноматериалов на их основе (Обзор литературы)
- 1. 1. ИК- поглощение и комбинационное рассеяние света в углеродных нанотрубках
- 1. 2. Оптические свойства пористого кремния: КРС, ИК-поглощение, люминесценция
- 1. 3. Оптические свойства нанокомпозитов на основе наноструктурированных кремния и углерода
- ГЛАВА 2. Методика эксперимента
- 2. 1. Спектроскопия КРС
- 2. 2. Спектроскопия ИК-поглощения
- 2. 3. Приготовление образцов наноструктурированных кремния и углерода, нанокомпозитов для оптических измерений
- 2. 4. Структурные и электрофизические исследования
- ГЛАВА 3. Экспериментальная часть
- 3. 1. Исследование методом КРС структуры и фазового состава слоев
- МУНТ, полученных при использовании катализаторов различного типа
- 3. 2. Исследование методом КРС структуры и фазового состава слоев нанокомпозитов МУНТ/БпОх, полученных методами СУБ и магнетронного напыления
- 3. 3. КРС и ИК-поглощение в слоях пористого кремния. и нанокомпозита пс-81/8пОх при адсорбции паров этанолаи молекул N
- 3. 4. Влияние термообработок на фотолюминесценцию в структурах рог-в^
Список литературы
- Dresselhaus, М. S. Phonons in carbon nanotubes. / M.S. Dresselhaus, P.C. Eklund // Advances in Physics.- 2000.- V. 49, N. 6.- P. 705−814.
- Осминкина, JI.A. Роль примеси бора в аксивации свободных носителей заряда в слоях пористого кремния при адсорбции акцепторных молекул. Л. А. Осминкина, Е. А. Константинова, К. С. Шаров, П. К. Кашкаров, В. Ю. Тимошенко. ФТП. 2005. — Т.39, Вып. 3. -С. 365−368.
- Kaul, Anupama В. Gas sensing with long, diffusively contacted single-walled carbon nanotubes. / Anupama B. Kaul // Nanotechnology.- 2009.- V. 20.- P. 15 5501(1)-15 5501(6).
- Yang, An. Room temperature gas sensing properties of Sn02/multiwall-carbon-nanotube composite nanofibers. / An Yang, Xiaoming Tao, Rongxing Wang, Shuncheng Lee, Charles Surya // Appl. Phys. Lett. 2007. — V. 91. — P. 13 3110(1)-13 3110(3).
- Angelucci, R. Permeated porous silicon for hydrocarbon sensor fabrication. / R. Angelucci, A. Poggi, L. Don, G.C. Cardinali, A. Parisini, A. Tagliani, M. Mariasaldi, F. Cavani // Sensors and Actuators. 1999. — V. 74. — P. 95−99.
- Eklund, P.C. Vibrational modes of carbon nanotubes: spectroscopy and theory. / P.C.Eklund, J.M.Holden, R. AJishi // Carbon.- 1995.- V. 33, N 7.- P. 959−972.
- Nemanich, R.J. First- and second-order Raman scattering from finite-size crystals of graphite. / R. J. Nemanich, S.A.Solin // Phys. Rev. В.- 1979.- V. 20, N. 2.- P. 392−401.
- Бехтерев, A.H. Колебательные состояния в конденсированом углероде и наноуглероде: монография. / А. Н. Бехтерев. Магнитогорск: Изд-во МаГУ, 2007.-210 с.
- Thomsen, С. Double resonant Raman scattering in graphite. / C. Thomsen, S. Reich // Phys. Rev. Lett- 2000.- V. 85, N. 24.- P. 5214−5217.
- Jorio, A. Characterizing carbon nanotube samples with resonance Raman scattering. / A. Jorio, M.A. Pimenta, A.G. Souza Filho, R. Saito, G. Dresselhaus, M.S. Dresselhaus // New Journal of Physics. 2003. — V.5. — P. 139.1−139.17.
- Milnera, M. Periodic Resonance Excitation and Intertube Interaction from Quasicontinuous Distributed Helicities in Single-Wall Carbon Nanotubes. / M. Milnera, J. Kurti, M. Hulman, H. Kuzmany // Phys. Rev. B.- 2000.- V. 84, N. 6.- P. 1324−1327.
- Bachilo, S.M. Structure-Assigned Optical Spectra of Single-Walled Carbon Nanotubes. / S.M. Bachilo, M.S. Strano, C. Kittrell, R.H. Hauge, R.E. Smalley, R.B. Weisman // Science.- 2002.- V. 298.- P. 2361−2366.
- Jorio, A. Resonance Raman Spectra of Carbon Nanotubes by Cross-Polarized Light / A. Jorio, M.A. Pimenta, A.G. Souza Filho, Ge.G. Samsonidze, A.K. Swan,
- M.S. Unlu, B.B. Goldberg, R. Saito, G. Dresselhaus, M.S. Dresselhaus // Phys. Rev. Lett.- 2003.- V. 90, N. 10.- P. 10 7403(4).
- Dresselhaus, M.S. R aman spectroscopy on isolated single wall carbon nanotubes. / M.S. Dresselhaus, G. Dresselhaus, A. Jorio, A.G. Souza Filho, R. Saito // Carbon.- 2002.- V. 40.- P. 2043−2061.
- Kasuya, A. Evidence for Size-Dependent Discrete Dispersions in Single-Wall Nanotubes. / A. Kasuya, Y. Sasaki, Y. Saito, K. Tohji, Y. Nishina // Phys. Rev. Lett.-1997.- V. 78, N.23.- P. 4434−4437.
- Maultzsch, J. Chirality-selective Raman scattering of the D mode in carbon nanotubes /J. Maultzsch, S. Reich, C. Thomsen // Phys. Rev. B.- 2001.- V. 64.- P. 12 1407(4).
- Antunes, E.F. Influence of diameter in the Raman spectra of aligned multi-walled carbon nanotubes / E.F. Antunes, A.O. Lobo, E.J. Corat, V.J. Trava-Airoldi // Carbon.- 2007.- V. 45.- P. 913−921.
- Benoit, J.M. Low-frequency Raman studies of multiwalled carbon nanotubes: Experiments and theory / J.M. Benoit, J.P. Buisson, O. Chauvet, C. Godon, S. Lefrant // Phys. Rev. B.- 2002.- V. 66.- P. 7 3417(4).
- Kahn, D. Vibrational modes of carbon nanotubes and nanoropes / D. Kahn, J.P. Lu // Phys. Rev. B.- 1999.- V. 60, N.9.- P. 6535−6540.
- Kim, U.J. Infrared-acrive vibrational modes of single-walled carbon nanotubes. / U.J. Kim // Phys. Rev. Lett. 2005. — PRL.95. — P 15 7402(4).
- Feng, Z.F. Surface and optical analyses of porous silicon membranes. / Z.F. Feng, A.T.S. Wee, K.L. Tan // J. Phys. D: Appl. Phys.- 1994.- V. 27.- P. 1968−1975.
- Zuk, J. Characterization of porous silicon by Raman scattering and photoluminescence. / J. Zuk, M. Kulik, G.T.Andrews, H. Kiefte, M.J.Clouter,
- R.Goulding, N.H.Rich, E. Nossarzewska-Orlowska // Thin Solid Films.- 1997.- V. 297.- P. 106−109.
- Zhang, S. Raman investigation with excitation of various wavelength lasers on porous silicon. / S. Zhang, Y. Hou, K.-S. Ho, B. Qian, S. Cai // J. Appl. Phys.- 1992.-V. 72, N. 9.- P. 4469−4471.
- Goodes, S.R. The characterization of porous silicon by Raman spectroscopy. / S.R. Goodes, T.E. Jenkins, M.I. Beale, J.D. Benjamin, C. Pickering // Semicond. Sci. Technol.- 1988.- V. 3.- P. 483−487.
- Gonzalez-Hernandez, J. Nucleation and growth rate of a-Si alloys. / J. Gonzalez-Hernandez, R. Tsu // Appl. Phys. Lett.- 1983.- V. 42, N, 1.- P. 90−92.
- Iqubal, Z. Raman scattering from hydrogenated microcrystalline and amorphous silicon. /Z. Iqubal, S. Veprek// J. Phys. C.- 1982.- V. 15.- P. 377−392.
- Ossadnik, Ch. Applicability of Raman scattering for the characterization of nanocrystalline silicon. / Ch. Ossadnik, S. Veprek, I. Gregora // Thin Solid Films.-1999.- V. 337.- P. 148−151.
- Campbell, I.H. The effects of microcrystal size and shape on the one phonon Raman spectra ofcrystalline semiconductors. / I.H. Campbell, P.M. Fauchet // Solid State Commun.- 1986.- V. 58, N.10.- P. 739−741.
- Weinstein, B.A. Raman scattering and phonon dispertion in Si and GaP at very high pressure. / B.A. Weinstein, G.J. Piermarini // Phys. Rev. B.- 1975.- V. 12, N. 4.-P. 1172−1186.
- Seo, Y.H. Photoluminescence, Raman scattering, and infrared absorption studies of porous silicon. /, H.-J. Lee, H.I. Jeon, D.H. Oh, K.S. Nahm, Y.H. Lee, E.K. Suh, H.J. Lee, Y.G. Kwang // Appl. Phys. Lett.- 1993.- V. 62, N. 15.- P. 18 121 814.
- Tanino, H. Raman study of free-standing porous silicon / H. Tanino, A. Kuprin, H. Deai // Phys. Rev. B.- 1996.- V. 53, N. 4.- P. 1937−1947.
- Temple, P.A. Multiphonon Raman Spectrum of Silicon. / P.A. Temple, C.E. Hathaway// Phys. Rev. B.- 1973.- V. 7, N. 8.- P. 3685−3697.
- Ю, П. Основы физики полупроводников. / П. Ю, М. Кардона.- М.: Физматлит, 2002.- 560 с.
- Cerdeira, F. Raman study of the interaction between localized vibrations and electronic excitations in boron-doped silicon. / F. Cerdeira, T.A. Fjeldly, M. Cardona // Phys. Rev. В.- 1974.- V. 9, N. 10.- P. 4344−4350.
- Gregora, I. Raman investigation of light-emitting porous silicon layers: Estimate of characteristic crystallite dimensions. /1. Gregora, B. Champagnon, A. Halimaoui // J. Appl. Phys.- 1994.- V. 75, N. 6.- P. 3034−3039.
- Iqubal, Z. Polycrystalline silicon films deposited in a glow discharge at temperatures below 250 °C. / Z. Iqubal, A.R. Webb, S. Veprek // Appl. Phys. Lett.-1980.- V. 36, N. 2.-P. 163−165.
- Veprek, S. Effect of grain boundaries on the Raman spectra, optical absorption, and elastic light scattering in nanometer-sized crystalline silicon. / S. Veprek, F.-A. Sarott, Z Iqubal // Phys. Rev. В.- 1987.- V. 36, N. 6.- P. 3344−3350.
- Kannelis, G. Effect of dimensions on the vibrational frequencies of thin slabstof silicon / G. Kannelis, J.F. Morhange, M. Balkanski // Phys. Rev. В.- 1980.- V. 21, N. 4.-P. 1543−1548.
- Richter, H. The one phonon Raman spectrum in microcrystalline silicon. / H. Richter, Z.P. Wang, L. Ley // Solid State Commun.- 1981.- V. 39, N. 5.- P. 625−629.
- Nemanich, R.J. / R.J. Nemanich, E.C. Buehler, Y.M. LeGrice, R.E. Shoder, G.N. Parsons, C. Wang, G. Lucovsky, J. B Boyce // Mater. Res. Soc. Symp. Proc.-1990.-V. 164.-P. 265.
- Wang, R. Raman spectral study of silicon nanowires: High-order scattering and phonon confinement effects / R. Wang, G. Zhou, Y. Liu, S. Pan, H. Zhang, D. Yu, Z. Zhang // Phys. Rev. В.- 2000.- V. 61, N. 24.- P. 16 827−16 832.
- Brunetto, N. A new line shape analysis of Raman emission in porous silicon. / N. Brunetto, G. Amato // Thin Solid Films.- 1997.- V. 297.- P. p. 122−124.
- Borini, S. Effect of ammonia adsorption on the electrical characteristics of mesoporous silicon. / S. Borini // J. Appl. Phys.- 2007.- V. 102.- P. 9 3709(6).
- Thei?, W. Optical properties of porous silicon. / W. Thei?.// Surface Science reports.- 1997.- V. 29.- P. 91−192.
- Tsuboi, T. Chemical etching of porous silicon in diluted hydrofluoric acid. / T. Sakka, Y.H.Ogata // Solid State Communic.- 1999.- V. 109.- P. 195−199.
- Season, P.C. The Surface Chemistry of Silicon in Fluoride Electrolytes. / P.C. Season // Advances in Electrochemical Science and Engineering. Vol.4 / Editors H. Gerischer, C.W.Tobias.- Weinheim: VCH.- 1995.- P. 67−122.
- Brodsky, M.H. Infrared and Raman spectra of the silicon-hydrogen bonds in amorphous silicon prepared by glow discharge and sputtering. / M.H.Brodsky, M. Cardona, J.J.Cuommo // Phys. Rev.B.- 1977.- V. 16, N. 8.- P. 3556−3571.
- Lucovsky, G. Structural interpretation of the vibrational spectra of a-Si:H alloys. / G. Lucovsky, R.J.Nemanich, J.C.Knights // Phys.Rev.B.- 1979.- V. 19, N. 4.-P. 2064−2073.
- Adams, A.C. Characterization of Plasma-Deposited Silicon Dioxide. / A.C. Adams, F.B. Alexander, C.D. Capio, T.E. Smith // J. Electrochem. Soc.-1981.- V. 128, N. 7.-P. 1545.
- Zhu, X.Y. Structural and vibrational properties of carbon impurities in crystalline silicon. / X.Y.Zhu, S.M.Lee, J.Y.Kim, Y.H.Lee, D.-C.Chang, T. Frauenheim // Semicond. Sei. Technol.- 2001.- V. 16, N. 5. R41 (2001).
- Stavola, M. Infrared spectrum of interstitial oxygen in silicon. / M. Stavola // Appl. Phys. Lett.- 1984.- V. 44, N. 5.- P. 514−516.
- Anderson, R.C. Chemical Surface Modification of Porous Silicon. / R.C. Anderson, R.S. Muller, C.W. Tobias // J. Electrochem. Soc.- 1993.- V. 140, N. 5.- P. 1393−1396.
- Tsai, С. Thermal treatment studies of the photoluminescence intensity of porous silicon. / C. Tsai, K.H.Li, J. Sarathy, S. Shih, J.C.Campbell, B.K.Hance, J.M.White // Appl. Phys. Lett.- 1991.- V. 59, N. 22.- P. 2814−2816.
- Gupta, P. Hydrogen desorption kinetics from monohydride and dehydrate species on silicon surfaces. / P. Gupta, V.L.Colvin, S.M.George // Phys.Rev.B.-1988.- V. 37, N. 14.- P. 8234−8243.
- Glass, J. A. Reaction of methanol with porous silicon/ J. A. Glass, Jr., E.A. Wovchko, J.T. Yates // J. Surface Science.- 1995.- V. 338, N. 1−3.- P. 125−137.
- Kim, Y.-S. Local vibrational modes of H2 and H2* complexes in crystalline Si. / Y.-S.Kim, Y.-Gu Jin, Ji-W. Jeong, K.J. Chang // Semicond. Sci. Technol.- 1999.- V. 14, N. 12.-P. 1042−1047.
- Dillon, A.C. Decomposition of silicon hydrides following disilane adsorption on porous silicon surfaces/ A.C.Dillon, M.B.Robinson, S.M.George // Surface Science Letters.- 1993.- V. 295, N. 1−2.- P. L998-L1004.
- Itoh, Y. Calibration curve for infrared spectrophotometry of nitrogen in silicon. / Y. Itoh, T. Nozaki, T. Masui, T. Abe // Appl.Phys.Lett.- 1995.- V.47, N. 5.- P. 488 489.
- Ookubo, N. Effects of thermal annealing on porous silicon photoluminescence dynamics. / N. Ookubo, H. Ono, Y. Ochiai, Y. Mochizuki, S. Matsui // Appl. Phys. Lett.- 1992.- V. 61, N. 8.- P. 940−942.
- Gupta, P. FTIR studies of H20 and D20 decomposition on porous silicon surfaces/ P. Gupta, A.C.Dillon, A.S.Bracker, S.M.George // Surf. Science.-1991.- V. 245, N. 3.- P. 360−372.
- Mukherjee, S.P. The deposition of thin films by the decomposition of tetra-ethoxy silane in a radio frequency glow discharge. / S.P. Mukheijee, P.E. Evans // Thin Sol. Films.- 1972.- V. 14, N. 1.- P. 105−118.
- Литтл, Л. Инфракрасные спектры адсорбированных молекул. / Л. Литтл.-М.: Мир, 1969.-514 с.
- Киселев, А.В. Инфракрасные спектры поверхностных соединений и адсорбированных веществ. / А. В. Киселев, В. И. Лыгин.- М.: Химия, 1972.- 459 с.
- Canham, L.T. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers. / L.T. Canham // Appl. Phys. Lett.- 1991.- V. 57, N. 10.-P. 1046−1048.
- Буллах, Б.М. О влиянии процесса окисления на эффективность и спектро люминесценции пористого кремния. / Б. М. Буллах, Н. Е. Корсунская, Л. Ю. Хоменкова, Т. Р. Старая, М. К. Шейнкман // ФТП.- 2006.- Т.40, вып.5.- С. 614 620.
- Herino, R. Nanocomposite materials from porous silicon. / R. Herino // Materials Science and Engineering В.- 2000.- V. 69.- P. 70−76.
- Lakehal, M. Light emitting devices using poly (p-phenylene vinylene)/porous silicon composites. / M. Lakehal, T.P. Nguyen, P. Le Rendu, P. Joubert, P. Destruel // Synthetic Metals.-2001.- V. 121, N 1−3.-P. 1631−1632.
- Lamouroux, F. Silicon carbide infiltration of porous c-c composites for improving oxidation resistance. / F. Lamouroux, X. Bourrat, R. Naslain, J. Thebault //Carbon.- 1995.- V. 33, N 4.- P. 525−535.
- Бескровная, E.B. Адсорбция молекул гемоглобина в пористом кремнии. / Е. В. Бескровная, В. В. Болотов, Н. А. Давлеткильдеев, В. Е. Кан, Е. Ю. Мосур, Ю. А. Стенькин // Письма в ЖТФ.- 2010.- Т. 36, Вып. 1.- С. 17−21.
- Zheng, Y. Nano-porous Si/C composites for anode material of lithium-ion batteries. / Y. Zheng, J. Yang, J. Wang, Y. NuLi // Electrochimica Acta.- 2007.- V. 52, N. 19.-P. 5863−5867.
- Liu, F.-Q. Photoluminescence from Ge clusters embedded in porous silicon. /
- F.-Q. Liu, Z.-G. Wang, G.-H. Li, G.-H. Wang // J. Appl. Phys.- 1998.- V. 83.- P. 3435−3437.
- Miranda, C.R.B. Improvements in cvd/cvi processes for optimizing nanocrystalline diamond growth into porous silicon. / C.R.B. Miranda, N.A. Braga, M.R. Baldan, A.F. Beloto, N.G. Ferreira // Diamond and Related Materials.- 2010.-V. 19.-P. 760−763.
- Gaillet, M. Characterisation of porous silicon composite material by spectroscopic ellipsometry. / M. Gaillet, M. Guendouz, M. Ben Salah, B. Le Jeune,
- G. Le Brun // Thin Solid Films.- 2004.- V. 455−456.- P. 410−416.
- Ma, P.C. Effect of CNT decoration with silver nanoparticles on electrical conductivity of CNT-polymer composites. / P.C. Ma, B.Z. Tang, J.K. Kim // Carbon.-2008.- V. 46, N. 11.- P. 1497−1505.
- Белавин, B.B. Исследование влияния дефектности на электронное строение углеродных нанотруб по данным рентгеновской спектроскопии и квантовой химии. / В. В. Белавин, А. В. Окотруб, Л. Г. Булушева // ФТТ.- 2002.-Т.44, Вып. 4.- С. 638−640.
- Zhao, B. Mechanical strength improvement of polypropylene threads modified by PVA/CNT composite coatings. / B. Zhao, J. Wang, Z. Li, P. Liu, D. Chen, Y. Zhang // Materials Letters.- 2008.- V. 62, N. 28.- P. 4380−4382.
- Gojny, F.H. Surface modified multi-walled carbon nanotubes in CNT/epoxy-composites. / F.H. Gojny, J. Nastalczyk, Z. Roslaniec, K. Schulte // Chemical Physics Letters.- 2003.- V. 370, N 5−6.- P. 820−824.
- NuLi, Y. Synthesis and characterization of Sb/CNT and Bi/CNT composites as anode materials for lithium-ion batteries. / Y. NuLi, J. Yang, M. Jiang // Materials Letters.- 2008.- V. 62, N. 14.- P. 2096−2099.
- Chen, H.W. The application of CNT/Nafion composite material to low humidity sensing measurement. / H.W. Chen, R.J. Wu, K.H. Chan, Y.L. Sun, P.G. Su // Sensors and Actuators B: Chemical.- 2005.- V. 104, N. 1.- P. 80−84.
- Srivastava, S. Study of chemiresistor type CNT doped polyaniline gas sensor. / S. Srivastava, S.S. Sharma, S. Agrawal, S. Kumar, M. Singh, Y.K. Vijay // Synthetic Metals.- 2010.- V. 160, N. 5−6.- P. 529−534.
- Okotrub, A. V. Electroluminescent properties of CdS/CNT hybrid material. / A. V. Okotrub, A. V. Gusel’nikov, Yu. A. Algaer, A. G. Kudashov, S. V. Larionov, L. G. Bulusheva // Phys. Stat. Sol. В.- 2010.- V. 247, N. 11−12.- P. 2859−2862.
- Hadjiev, V.G. Raman microscopy of residual strains in carbon nanotube/epoxy composites. / V.G. Hadjiev, G.L. Warren, Luyi Sun, D.C. Davis, D.C. Lagoudas, H.-J. Sue // Carbon.- 2010.- V. 48.- P. 1750−1756.
- Brownlow, S.R. Probing deformation of double-walled carbon nanotube (DWNT)/epoxy composites using FTIR and Raman techniques. / S.R. Brownlow, A.P. Moravsky, N.G. Kalugin, B.S. Majumdar // Composites Science and Technology.- 2010.- V. 70.- P. 1460−1468.
- Кудашов, А.Г. Газофазный синтез азотосодержащих углеродных нанотруб и их электронные свойства. / A.B. Окотруб, Н. Ф. Юданов, А.И.
- Романенко, Л.Г. Булушева, А.Г. Абросимов, А. Л. Чувилин, Е. М. Пажетов, А. И. Воронин // ФТТ.- 2002.- Т. 44, Вып. 4.- С. 626−629.
- Strong, K.L. Purification process for single-wall carbon nanotubes. / K.L. Strong, D.P. Anderson, K. Lafdi, J.N. Kuhn // Carbon.- 2003.- V. 41.- P. 1477−1488.
- Raman spectroscopy in grapheme related systems. / A. Jorio, R. Saito, G. Dresselhaus, M. Dresselhaus. // Willey-VCH.- 2011.- P. 329 p.
- Zhao X. Multiple splitting of G-band modes from individual multiwalled carbon nanotubes. / X. Zhao, Y. Ando, L.-C. Qin, H. Kataura, Y. Maniwa, R. Saito. // Appl. Phys. Lett. 2002, — V. 81, N. 14.- P.2550−2552.
- Peng, L.-M. Stability of Carbon Nanotubes: How Small Can They Be? / L.-M. Peng, Z.L. Zhang, Z.Q. Xue, Q.D. Wu, Z.N. Gu, D.G. Pettifor // Phys. Rev. Lett.-2000.- V. 85, N. 15.- P. 3249−3252.
- Kawamoto, H. The feature of the Breit-Wigner-Fano Raman line in DNA-wrapped single-wall carbon nanotubes. / H. Kawamoto, T. Uchida, K. Kojima, M. Tachibana // J. Appl. Phys.- 2006.- V. 99, N. 9.- P. 9 4309(l)-9 4309(4).
- Meixner, H. Metal oxide sensors. / H. Meixner, U. Lampe // Sensors and Actuators В.- 1996.- V. 33.- P. 198−202.
- Liang, Y.X. Low-resistance gas sensors fabricated from multiwalled carbon nanotubes coated with a thin tin oxide layer / Y.X. Liang, Y.J. Chen, Т.Н. Wang // Appl. Phys. Lett.- 2004.- V. 85, N. 4.- P. 666−668.
- Cobianu, C. Tin dioxide sol-gel derived thin films deposited on porous silicon. / C. Cobianu, C. Savaniu, O. buiu, D. Dascalu, M. Zaharescu, C. Parlog, A. van den Berg, B. Pecz // Sensors and Actuators В.- 1997.- V. 43, N. 1−3.- P. 114−120.
- Ito, A. Hydrogen isotope sputtering of graphite by molecular dynamics simulation. / A. Ito, H. Nakamura // Thin Solid Films.- 2008.- V. 516.- P. 65 536 559
- Rakov, E.G. Chemistry of carbon nanotubes. / E.G. Rakov // Nanotubes and nanofibers / Ed. by Gogotsi Y. Boca Raton: CRC, 2006. — 248 p.
- Schmid, M. Metallic properties of Li-intercalated carbon nanotubes investigated by NMR / M. Schmid, C. Goze-Bac, S. Kramer, S. Roth, M. Mehring, С. Mathis, P. Petit // Phys. Rev. В.- 2006.- V. 74, N. 7.- P. 7 3416(4).
- Cambedouzou, J. Raman spectroscopy of iodine-doped double-walled carbon nanotubes. / J. Cambedouzou, J.-L. Sauvajol, A. Rahmani, E. Flahaut, A. Peigney, C. Laurent // Phys. Rev. В.- 2004.- V. 69, N. 23.- P. 23 5422(6).
- Liu, X. Electronic properties of barium-intercalated single-wall carbon nanotubes / X. Liu, T. Pichler, M. Knupfer, J. Fink // Phys. Rev. В.- 2004.- V. 70.- P. 24 5435(7).
- Zhou, O. Structure and Electrochemical Properties of Carbon Nanotube Intercalation Compounds / O. Zhou, B. Gao, C. Bower, L. Fleming, H. Shimoda // Mol. Cryst. and Liq. Cryst.- 2000.- V. 340.- P. 541−546.
- Okotrub, A.V. Fluorinated cage multiwall carbon nanoparticles. / A.V. Okotrub, N.F. Yudanov, A.L. Chuvilin, I.P. Asanov, Yu.V. Shubin, L.G. Bulusheva,
- A.V. Gusel’nikov, I.S. Fyodorov // Chem. Phys. Lett.- 2000.- V. 322.- P. 231−236.
- Choi, Y.-J. Novel fabrication of an SnC>2 nanowire gas sensor with high sensitivity / Y.-J. Choi, In-S. Hwang, J.-G. Park, K.J. Choi, J.-H. Park, J.-H. Lee // Nanotechnology.- 2008.- V. 19.- P. 9 5508(4).
- Болотов, B.B. Механизмы формирования слоев нанокомпозитов на основе многостенных углеродных нанотрубок и нестехеометрического оксида олова. /
- B.В. Болотов, В. Е. Кан, П. М. Корусенко, С. Н. Несов, С. Н. Поворознюк, И. В. Пономарева, В. Е. Росликов, Ю. А. Стенькин, Р. В. Шелягин, Е. В. Князев // ФТТ.-2012.-Т. 54, Вып. 1.-С. 154−161.
- Cantalini, С. N02 gas sensitivity of carbon nanotubes obtained by plasma enhanced chemical vapor deposition / C. Cantalini, L. Valentini, L. Lozzi, I. Armentano, J.M. Kenny, S. Santucci // Sensors and Actuators В.- 2003.- V. 93, N. 13.- P. 333−337.
- Болотов, B.B. Влияние этанола на оптические и электрофизические параметры пористого кремния. / В. В. Болотов, Ю. А. Стенысин, В. Е. Росликов, В. Е. Кан, И. В. Пономарева, С. Н. Несов // ФТП. 2009. — Т. 43, Вып. 7. ~ С. 957 960.
- Болотов, В.В. Влияние адсорбции N02 на оптические и электрофизические свойства слоев пористого кремния. / В. В. Болотов, И. В. Пономарева, Ю. А. Стенькин, В. Е. Кан // ФТП.- 2007.- Т.41, Вып. 8.- С. 981 -983.
- Sasaki, Y. Structure and formation of porous Si layers as studied by infrared absorption and Raman scattering. / Y. Sasaki, M. Kitahara // J. Appl. Phys.- 1994.- V. 76, N. 7.- P. 4344−4350.
- Goodest, S.R. The characterization of porous silicon by Raman spectroscopy. / S.R. Goodest, Т.Е. Jenkins, M.I.J. Beale, J.D. Benjamin, C. Pickering // Semicond. Sci. Technol.- 1988.- V. 3.- P. 483−487.
- Осминкина, JI.A. Взаимодейсвтие инфракрасного излучения со свободными носителями заряда в мезопористом кремнии. / JI.A. Осминкина,
- Е.В. Курепина, А. В. Павликов, Ю. В. Тимошенко, П. К. Кашкаров // ФТП.-2004.- Т. 38, Вып. 5.- С. 603−609.
- Boarino, L. Local environment of Boron impurities in porous silicon and their interaction with N02 molecules / L. Boarino, F. Geobaldo, S. Borini, A.M. Rossi, P. Rivolo, M. Rocchia, E. Garrone, G. Amato // Phys. Rev. В.- 2001.- V. 64.- P. 20 5308(4).
- Болотов, B.B. Исследование электрофизических и газочувствительных свойств слоев нанокомпозита por-Si/SnOx. / B.B. Болотов, В. Е. Росликов, Е. А. Курдюкова, О. В. Кривозубов, Ю. А. Стенькин, Д. В. Чередов // ФТП.- 2012.- Т. 46, Вып. 1.- С.109−112.
- Болотов, B.B. Инфракрасная люминесценция в термообработанном кремнии. / В. В. Болотов, В. Е. Кан // ФТП. 2009. — Т. 43, Вып. 1. — С. 31−33.
- Bolotov, V.V. The photoluminescence of the thermo-treated silicon. / V.V. Bolotov, V.E. Kan // Physica B: Physics of Condensed Matter.- 2009.- V. 404.- P. 4555−4557.
- Binetti, S. Optical properties of oxygen precipitates and dislocations in silicon. / S. Binetti, S. Pizzini, E. Leoni, R. Somaschini, A. Castaldini, A. Cavallini // J. Appl. Phys.- 2002.- V. 92, N. 5.- P. 2437−2445.
- Варшни, И.П. Собственная нзлучательная рекомбинация в полупроводниках. / И. П. Варшни // Излучательная рекомбинация в полупроводниках. / Ред. Я. Е. Покровского. М., 1972.- С. 9−124.
- Kaiser, W. Electrical and Optical Properties of Heat-Treated Silicon. / W. Kaiser // Phys. Rev.- 1957.-V. 105.-P. 1751−1756.
- Patel, J.R. Oxygen precipitation and stacking-fault formation in dislocation-free silicon. / J.R. Patel, K.A. Jackson, H. Reiss // J. Appl. Phys.- 1977.-V. 48, N. 12.-P. 5279−5290.
- Tokuda, Y. Thermal donor annihilation and defect production in n-type silicon by rapid thermal annealing. / Y. Tokuda, N. Kobayashi // J. Appl. Phys.- 1989.- V. 66, N. 8.- P. 3651−3658.
- Kamiura, Y. Generation of several kinds of oxygen-related thermal donors around 520 °C in Czochralski silicon. / Y. Kamiura, F. Hashimoto, M. Yoneta // J. Appl. Phys.- 1989.- V. 66, N. 8.- P. 3926−3629.
- Дефекты в кремнии и на его поверхности. / B.C. Вавилов, В. Ф. Киселев, Б. Н. Мукашев.- М.: Наука, 1990. С. 28.
- The photoluminescence of the thermo-treated silicon / V.V. Bolotov, V.E. Kan // International conference on defects in semiconductors. St.-Petersburg, 2009. — P. 190−191.
- Фотолюминесценция в термообработанном кремни / B.B. Болотов, В. Е. Кан // IX Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-09»: сборник тезисов. Новосибирск-Томск, 2009. — С. 242.