Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Исследование структурного совершенства и путей повышения качества бездислокационных монокристаллов кремния диаметром 100 мм, полученных методом Чохральского в условиях отечественного производства

Диссертация: Исследование структурного совершенства и путей повышения качества бездислокационных монокристаллов кремния диаметром 100 мм, полученных методом Чохральского в условиях отечественного производства
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Проведены исследования механизмов генерации низкотемпературных и 1ыс0к0температурных термодоноров в отечественном и зарубежном: ремнии. Обнаружено заметное ускорение генерации низкотемпературных ермодоноров в отечественном кремнии при одинаковых факторах. 1аблюдаемые различия связаны с высоким уровнем неконтролируемых гримесей в отечественном кремнии по сравнению с зарубежным. Это [риводит… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. Производство монокристаллов кремния для микроэлектроники и факторы, влияющие на параметры материала (литературный обзор)
    • 1. 1. Современное состояние технологии производства кремния в России. Сопоставление с мировым уровнем
    • 1. 2. Атомные механизмы процессов окисления поверхности пластин кремния и сопровождающие их процессы дефектообразования
    • 1. 3. Механизмы образования спирально неоднородного распределения микродефектов и ОДУ в объёме монокристаллов кремния и факторы, влияющие на его появление
    • 1. 4. Природа высоко- и низкотемпературных термодоноров в кремнии
      • 1. 4. 1. Природа низкотемпературных термодоноров в кремнии
      • 1. 4. 2. Природа высокотемпературных термодоноров
  • ГЛАВА 2. Методики исследования
    • 2. 1. Образцы для исследования
    • 2. 2. Методика проведения высокотемпературного окислительного теста
    • 2. 3. Измерения концентраций оптически активного кислорода и углерода дифференциальным методом в монокристаллическом кремнии
    • 2. 4. Метод термообработки при
  • приложении к образцу градиента температур
    • 2. 5. Измерение удельного электрического сопротивления 4х зондовым методом
    • 2. 6. Определение типа электропроводности образцов методом термозонда
    • 2. 7. Методы выявления нарушенной структуры на кремнии избирательным травлением
  • ГЛАВА 3. Анализ производства кремния диаметром 100 мм на установках 'Редмет- 30 М" в режиме полунепрерывной технологии
    • 3. 1. Исследование концентрационных зависимостей кислорода и углерода в монокристаллах кремния, полученных в ходе полунепрерывной технологии
    • 3. 2. Исследование поведения микроструктуры на бездислокационных монокристаллах кремния 0100 мм, полученных в режиме полунепрерывной технологии
    • 3. 3. Сопоставление полунепрерывной технологии, применяемой на западе, и отечественной
  • ГЛАВА 4. Влияние исходных ростовых микродефектов на кинетику роста окислительных дефектов упаковки и характер их распределения по глубине
    • 4. 1. Экспериментальные результаты
    • 4. 2. Обсуждение экспериментальных результатов

    ГЛАВА 5. Исследование генерации донорных состояний при термообработке кремния в интервале температур 300−660°С. 5.1. Исследование генерации донорных состояний при термообработке кремния в интервале температур 300−500°С.

Исследование структурного совершенства и путей повышения качества бездислокационных монокристаллов кремния диаметром 100 мм, полученных методом Чохральского в условиях отечественного производства (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Одно из важнейших направлений развития технологии полупроводниковых материалов — повышение качества. Применительно к монокристаллическому кремнию — основному материалу полупроводниковой микроэлектроники и силовой электроники наиболее актуальным является создание структурно-совершенных монокристаллов с повышенной макрои микрооднородностью удельного сопротивления, минимальным содержанием неконтролируемых примесей (таких как С, О, металлы и т. д.) и повышению стабильности всех этих характеристик в процессе дальнейших технологических операций изготовления полупроводниковых приборов. Особый вес этой проблеме придаёт переход микроэлектроники на создание мегабитных, а затем и гигабитных интегральных схем с использованием субмикронного уровня, требующих дальнейшего существенного повышения качества и в первую очередь микронеоднородности используемых полупроводниковых материалов. Полупроводниковая промышленность остро нуждается в детальном понимании явлений, связанных с поведением дефектов, т.к. оказывается, что рабочие характеристики и выход годной продукции в производстве полупроводниковых приборов тесно связаны с присутствием в них дефектов и примесей. Поэтому, в последнее время уделяется большое внимание не просто изучению дефектов материала как таковых, но и исследованию их трансформации, а также выявлению причин возникновения этих дефектов в выращиваемом материале (что подразумевает анализ производственной технологии). 6.

Основная причина термической нестабильности кремния, полученного методом Чохральского, — распад пересыщенного твёрдого раствора кислорода. Поведение кислорода в кремнии исследовалось на протяжении последних 40 лет. Тем не менее многие вопросы, касающиеся поведения кислорода ИуВ частности^ низкои высокотемпературных доноров^ остаются неясными. Особый интерес эта проблема приобретает в настоящее время. Это связано с появлением материалов высокого качества и чистоты, больших диаметров (до 300 мм) и высокой однородностью распределения кислорода по радиусу кристалла и по длине слитка.

Несмотря на то, что исследование структурных дефектов в монокристаллах кремния ведутся давно, к моменту начала работы в литературе не было единого мнения о причинах появления спиральной неоднородности. А её исследования по глубине вообще не проводились. В значительной мере это связано с методическими трудностями исследования тонкой структуры спиральной неоднородности с помощью прямых структурных методов.

Поэтому целью настоящей работы являлось изучение тонкой структуры эездислокационных монокристаллов кремния, полученных в условиях толунепрерывной технологией влияния на неё неконтролируемых 1римесей, включая кислород и углерод. .

К сожалению, отечественная технология значительно уступает вападным аналогам. Поэтому было необходимо провести анализ состояния угечественной технологии и выяснить причины низкого качества выращиваемого материала, а затем проанализировать пути устранения выявленных недостатков.

Поскольку наиболее экономичным является полунепрерывный процесс выращивания монокристаллов, ему было уделено особо пристальное ¡-нимание. Основными достоинствами данного метода являются: высокая 7 производительность процесса, снижение себестоимости кремния, значительное уменьшение затрат электроэнергии и длительности процессов.

Важной частью работы являются исследования распределения кислорода и углерода в выращиваемых монокристаллах, т.к. известно, что они способствуют ухудшению структурных характеристик материала.

Для достижения указанных целей необходимо было решить следующие основные задачи.

1. Разработать методику, предназначенную для контроля качества выращиваемых монокристаллов кремния, а также позволяющую диагностировать технологию их получения.

2. Исследовать причины возникновения наблюдаемых высоких концентраций фоновых примесей и структурных несовершенств.

3. На основе результатов исследований определить роль неконтролируемых примесей в процессе дефектообразования в монокристаллах кремния и дать рекомендации.

4. Провести сравнительный анализ отечественных и западных бездислокационных монокристаллов кремния, полученных по аналогичным полунепрерывным технологиям.

Актуальность проведения данного исследования диктуется крайне низкими качеством и структурным совершенством отечественного кремния и переходом к выращиванию монокристаллов больших циаметров. Именно поэтому было проведено систематическое исследование полупроводниковой технологии кремния и лроанализированы все аспекты производства.

Научная новизна работы заключается в следующем: 8.

1. Впервые обнаружено аномальное распределение окислительных дефектов упаковки (ОДУ) в бездислокационных монокристаллах кремния, содержащих микродефекты.

2. Показано, что источником аномалий являются микропреципитаты кислорода, входящие в структуру спиральной неоднородности, вызывающие активную генерацию собственных междоузельных атомов кремния.

3. Впервые проведено сопоставление кинетики генерации низкои высокотемпературных термодоноров на отечественном и зарубежном кремнии .

4. Впервые непротиворечиво показано влияние неконтролируемых фоновых примесей на генерацию высокотемпературных термодоноров (ВТД) в отечественном кремнии.

5. Показаны отличия в условиях генерации ВТД в отечественном и зарубежном (более чистом) кремнии при прочих равных условиях.

Практическая ценность результатов работы состоит в следующем:

1. Разработана адаптированная к условиям производства монокристаллов кремния методика высокотемпературного окислительного теста, основанная на стандарте А8ТМ Р-416.

2. Предложены способы уменьшения концентрации углерода и других фоновых примесей для полунепрерывного процесса выращивания монокристаллов 81. Рекомендовано нанесение пиролитического слоя графита либо карбидизация поверхностей экранов и нагревателей. А также отказ от так называемого «колодца» — графитового экрана, расположенного над тиглем и служащего для уменьшения потерь электроэнергии. Недостаточно глубокая степень откачки внутри ограниченного пространства камеры приводит к подгоранию графита с 9 образованием СО и последующим газовым легированием расплава углеродом. После того как «колодец «был убран, концентрация углерода в слитках снизилась примерно на порядок.

3. Указано на важность повышения чистоты исходного поликристаллического кремния и соблюдения стерильных условий его отмывки при подготовке исходного сырья к процессу выращивания.

На защиту выносится;

1 Создание экспрессной методики контроля структурного совершенства примесного фона и термостабильности выращиваемого материала посредством окислительных термообработок.

2 Исследование влияния неконтролируемых примесей (О, С и других) на тонкую структуру бездислокационных монокристаллов кремния, полученных в режиме полунепрерывной технологии.

3 Исследование механизмов образования окислительных дефектов упаковки и их распределения в зависимости от исходных структурных микродефектов.

4 Исследование характера распределения ОДУ по глубине образцов с равномерным и спирально неоднородным распределением ростовых микродефектов.

5 Исследование особенностей генерации кислородных термодоноров в бездислокационном монокристаллическом кремнии при различных вариантах термообработок и сравнение их с результатами, полученными на зарубежном кремнии.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.)Разработана адаптированная к условиям производства монокристаллов сремния методика высокотемпературного окислительного теста, юнованная на стандарте А8ТМ Р-416.

Проведено исследование процессов генерации ОДУ в ходе жислительной термообработки, характера распределения ОДУ по юверхности шайб и их распределение по глубине, а также рассмотрены механизмы их образования. Обнаружено аномальное распределение ОДУ 1 бездислокационных монокристаллах кремния, содержащих спирально-1еоднородное распределение микродефектов. Показано, что источником номалий в распределении ОДУ по глубине образцов являются шкропреципитаты кислорода, входящие в структуру спиральной [еоднородности и вызывающие активную генерацию собственных 1еждоузельных атомов кремния.

Проведены исследования механизмов генерации низкотемпературных и 1ыс0к0температурных термодоноров в отечественном и зарубежном: ремнии. Обнаружено заметное ускорение генерации низкотемпературных ермодоноров в отечественном кремнии при одинаковых факторах. 1аблюдаемые различия связаны с высоким уровнем неконтролируемых гримесей в отечественном кремнии по сравнению с зарубежным. Это [риводит к эффективному вкладу гетерогенного механизма преципитации ислорода, проявляющемся на кинетике образования термодоноров.)Получено доказательство того, что природа высокотемпературных ермодоноров неразрывно связана с процессом коалесценции [икропреципитатов кислорода, образованных при низкотемпературных ревращениях в процессе охлаждения выращенных монокристаллов.)Проведён анализ производства кремния диаметром 100 мм на установках Редмет ЗОМ" в режиме полунепрерывной технологии. Показано, что.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Петров С.В."Мировой уровень и тенденции развития производства м/к Si «, — Известия ВУЗов, „Цветная металлургия“, 1997,№ 5,стр.8−12.
  2. А.Б. „Проблемы развития Российской электроники“, — Известия ВУЗов, „Цветная металлургия“, 1997, № 5,стр.13−18.
  3. М.Г. „Полупроводниковый кремний на пороге XXI века“, — Известия ВУЗов, „Материалы электронной техники“, 2000,№ 1,стр.4−14.
  4. В.Ю., Степанова Г. М. „Оборудование для выращивания монокристаллов кремния методом Чохральского“, — 'Цветная металлургия', 1982, № 9,стр.64−70.
  5. Жвиблянский В.Ю."Современное промышленное оборудование для выращивания монокристаллов кремния», — конф."Кремний-96″, Москва, 1922 ноября 1996 г, тезисы докладов, стр.202−203.
  6. Shiraki Н., Matui J., Kawamura Т., and al., «Bright spots in the image of silicon vidicon «, — Jap. J.Appl. Phys., 1971, v. l0,#2, p.213−220.
  7. Quisser H.I., Goetberger A.,"Microplasmas breakdown of stair-rod dislocations in silicon», — Phil. Mag., 1963, v.8, p. 1063−1067.
  8. T.F., Roberts R.C., Zamb D.R. «Correlation of pulsed MOS capacitor measurements dislocations in silicon', — Electron. Lett., 1977, v. 13, #4,p.93−100.
  9. G.A., Rasher R.A., «The eliminathions of stacking faults by preoxidation with oxidation induced defects «, — J. Electrochem. Soc., 1976, v. l23, #4, p.570−576.
  10. Corbett L.W."Electron irradiation damage in semicondactors and metals'-Academic, NY, 1966, p.406.
  11. А.С.Смульский 'Бездислокационный кремний и создание современных полупроводниковых приборов', — «Обзоры по электронной технике», серия 2, выпуск 12,1979,стр.30−37.112
  12. Thomas D.J.D., «Surface damage and copper precepitation in silicion «,-Phys.Stat.Sol., 1963, v.3,# 12, p.2265−2270.
  13. A. 'Datection of damage on silicon surfaces', — RCA Rev., 1970, v.31, #2,p.414−430.
  14. D.I. 'Effects of grow-in and process induced defects in single crystal silicon' -, J.Electrochem.Soc., 1972, v. l 19,#2,p.255−260.
  15. Drum C.M., van Gelder W.'Stacking faultiest in (100) epitaxial silicon caused by HF and thermal oxidation', — J.Appl.Phys., 1979, v.43,#l l, p.4465−70.
  16. S.J. 'Generation of OISF and prismatic dislocation loops in device processed Si wafers', — J.Appl.Phys., 1972, v.43, #6,p.2850−2855.
  17. Герасименко Н.Н."0 свойствах радиационных дефектов в кремнии."-Ионная имплантация II советско-американский семинар, Пущино 9−11 июня 1979, Новосибирское отделение Академии наук, стр.351−370.
  18. W.K., Huang Т.С., «Circular stacking faults in silicon" — V.Appl.Phys. Lett, 1974, v.24,#4,p. 157−160.
  19. К., в кн. «Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии», М.,"Мир», 1984, стр. 90.
  20. Joshi «Generation of OISF daring thermal oxidation of chemically polished silicon wafers», — Acta.Met., 1966, v.14,#6,p.l 157−1165.
  21. I.R., Dobson P. S., «Oxidation defects and vacancy diffusioon in silicon», — Phil.Mag., 1969, v.20,p.881−890/
  22. R.J., Drum C.M., «New vacancy emission model», — Appl. Phys. Lett., 1966, v.8., #1, p.29−32.
  23. К. V., Varker C.J., «OISF in silicon', — J. Appl. Phys., 1974, v.45, #1, p.263−270/
  24. Hu S. M., «Formation of SF and enhanced diffusion in the oxidation of silicon», — J.Appl. Phys., v.45, #4, p. 1567−1570.
  25. R.B. «Oxidation. Impurity diffusion and defects growth in Si» ,-J.Electrochem.Soc., v.128, #6,1981, p.1360−1367.113
  26. W.A., Amick J.A., «Defect structure on silicon surfaces after thermal oxidation», — J. Electrochem.Soc., v. l 13, 1966, p. 1054−1060/
  27. C.N., «Defects in silicon», — Solid State Electron., v. 12, 1969, p. 133 145.
  28. Hu S.M., J. Appl.Phys., 1974, v.45,#4,p, 1567
  29. H.H., Maki M., Takano Y. «SF in annealed silicon surfaces», -Paper 78 Electrochem. Soc.D.C., may9−13, 1981
  30. Queisser H.J., P.G. van Loon ,"Growth of lattice defects in silicon during oxidation», — J.Appl.Phys., v.35, 1964, p.3066−3071.
  31. I.J., Maniv S., «OISF in n- and p-tape silicon»,-Paper 540 The Electrochem. Soc., Los Angeles
  32. Wathkins G.D., in 'Radiation Damage in Semeconduct', Dunod, Paris, 1964, p.97
  33. Ho G.P., Plommer J.D., «Si/Si02 interface oxidation kinetics «, — J. Electrochem.Soc., 1964, v. 126, p. 1516−1530.
  34. R.B. «On the role of selfs-interstitials impurity diffusion in silicon», — in 'Processing Technol.', v.2, Appl. Soled Stat Scien., 1982
  35. JANAF Thermochemecal Tables, 2-nd ed., Nat.Bur.Std. (v.s.), 37, June 1971.
  36. W.A. «On the kinetics of the thermal oxidation of silicon»,-J.Electrochem.Soc., v. 127, 1980, p.625−633.
  37. Murarka, S.P., Quintana G.,"OISF in silicon'- J.Appl.Phys., v.48, 1977, p.46
  38. Hu S.M., «Dislocation propogation and emitter eage defects in Si',-Appl.Phys.Lett., v.27, 1975, p. 165−174.
  39. B., «Kinetics of growth of the OISF J.Appl.Phys., v.53, #7, 1982, p.4779−4784.
  40. V., Frank W. «Diffusion of oxygen in silicon», — Proceedings of Materials Reseach Society Meeting, Boston, Nov. 16−20, 1 980 114
  41. Antoniadis D.A.,"Defects structure on silicon surfaces after thermal oxidation», — Silicon Semiconductors 1981, Electrochem. Soc. Princeton N.J., 1981, p.947−953.
  42. Hu S.M."Defects in silicon substrates', — Proceedings of Materials Receach Soc. Meteing, Boston, Nov. 16−20, 1980
  43. Leroy В., Kinetics of growth of the OISF»,-J.Appl.Phys., v.50,1979,p.7996−8005.
  44. Tan T.Y., Gosele V. «Nucleation of CuSi precipitate colonies in oxygen-rich silicon», — Appl.Phys.Lett., v.40, 1882, p.616−645.
  45. М.Г.Мильвидский, В. Б. Освенский, 'Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников', М., 'Металлургия', 1984, стр.227
  46. М., Takeoka Y., Shinoyama S., Naito S. «Formation process of SF with ringlike distribution in CZ-Si wafers», — Jpn.J.Appl.Phys., v.28,1989,L1999-L2002.
  47. K.V. «The heterogeneous precipitation of silicon oxides in Si»,-J.Electrochem.Soc., v.121, 1974, p.1090−1098.
  48. William C., O’Mara, R. Herring, Handbook of semicoductor Si technology, Noyes publications, Park Ride, NJ, USA, 1990, p.94
  49. A.J. «Microdefects in dislocation-free silicon crystals», — in Semiconductor Sil., ed Huff H.R., Sirtl E., Princeton, Electrochem .Soc. 1977, p.508−511.
  50. J.A., Dobson P. S., «Oxidation defectsnd vacancy diffusion in silicon», — Phil.Mag., A., v.44, 1981, p. 1031−42.
  51. B.B. «Ростовые микродефекты вакансионного типа в кремнии и природа кольца дефектов упаковки «,-Тезисы трудов конф."Кремний-96», Москва, 19−22 ноября, 1996, стр. 76.
  52. АЬе Т., Kikuchi К., Sirari S., Muraoka S., «Etch pits observed in dislocation free silicon crystals», — Semic. Sil., 1981, p.54−69.115
  53. Hourari M., Sano M., Samita S. At. all «Improvement of gate oxide integrity characteristics of CZ-grown Si crystals», — Sumito Siltix Kouhoku, Kishima-gun, Saga, 849−05, Jap., 1993
  54. Winkler R., Sano M., Simens A.G.» Improvement of gate oxide integrity by mogifying crystal pulling and its impact on device failures»,-Semiconduct.Technol. Otto-Hahn-Ring G, D-81 739, Munchen, Germany, 1994
  55. Wada K, Takeoka H., Jap. J.Appl.Phys., 1978, v. l8,p. 1629−1632.
  56. J.R., Jackson K.A., Reiss H., «Oxidation precipitation and stacking faults formation in dislocation-free silicon"J.Appl.Phys., v.48, 1977, p.5279
  57. Harada H., Abe T. «The role of oxygen in silicon crystals in VLSI technology», — Semiconduct.Sil.1986, ed Huff H.R., Abe T., Kolbeson B., Electrochem.Soc.Pennington 1986, p.768
  58. Wridht-Jenkins M."a new preferential etch for defects in silicon crystals',-J.Electrochem.Soc., v. 124, #5,1977,p.757
  59. Miyahara S., Kobayashi S., Fujiwara and all «A model for oxygen precipitation in CZ-Si during crystal growth», — Semiconduct. Sil. 1990, ed Huff H.R., Electrochem. Soc., Pennington, N.J., 1990, p.94
  60. Kobayashy S., Mijahara S., Fujiwara T., Kubo T., Proc. Symposium on Advenced Sicence and Technol. For the Promotion of Science The 145th Comittee, p. 165
  61. Daido, Snoyama, Inoue, «Correlation of pulsed MOS capacitor measurements with oxidation induced defects', — Rev.Electron. Comm. Labs, Jap., v.27, 1979, p.33−45.
  62. Rawado S."Influence of preoxidation annealing on SF generation due to mechanical damage on Si surfaces', — Jap.J.Appl.Phys.V.19,#2,1980, p.225
  63. W., Frich H.L., Reiss H., «Mechanism of the formation of donor states in heat-trated silicon', — Phys.Rev., 1958, v. l 12,#5,p. 1546−1554.
  64. C.S., Logan R.A., «Effect of heat treatment upon the electrical properties of Si crystals», — J.Appl.Phys., 1957, v.28,#12, p. 1427−1436.116
  65. V., Zunino P., «Influence of oxygen on silicon resistively»,-J.Appl.Phys., 1980, v.51 ,#8,p.4206−4211.
  66. G.S., Corbett J.W. «Early stages of oxygen precipitates in CZ-Si»,-Perfects in Semicond/II, Ed. By S. Mahajian, Noth-Holand, NY, 1983, p. 107 123.
  67. A.R., Newman R.C., «The effect of carbon thermal donor formation in heat-treated pulled Si crystals», — J.Phys.Chem.Sol., 1972, v.33,#2,p.255−268.
  68. V.V., «Generation of thermal donors in silicon «,-Sem.Sci.Tec., 1993,#8, p.2037−2047.
  69. J.W. «Heat-treatment studies of oxygen-defects impurity interactions in Si»,-J.Electrochem.Soc., 1982, v. 129,#9,p.2127−2132.
  70. P., Jones A., «The effect of heat treatment on dislocation-free oxygen-containing Si crystals», — J.Appl.Phys., 1977, v.48,#4, p. 1646−1655.
  71. B.B., Сальник 3.A., «Влияние акцепторов на генерацию ТД в кремнии, содержащем кислород», — Электрон. Техн., сер.6, Материалы, 1980, № 5, с.42−45.
  72. Gaworzewski P., Schmalz К., On the kinetics of thermal donors in oxygen-rich Si in range from 450 to 900 °C.- Phys.Stat.Sol., 1980, v. A58, #2,p.42−45.
  73. A., Takizawa R., «Influence of carbon and oxygen on donor formation at 700 °C in CZ-Si», — J.Appl.Phys., 1982, v.53,#8,p.5733−5737/
  74. V., Zunino P., «Influence of oxygen on Si resistivity»,-J. Appl.Phys., 1980, v.51, #8, p.4206−4211.
  75. Tajiama M., Kanamori M.,» Photoluminescence analysis of «new donors «in Si», — Jap.J.Appl.Phys., 1980, v. l9,#12,p.L755-L758.117
  76. Babich V.M., Baran N.P., Bugai A.A., «On the properties of thermodonors-II in CZ-Si crystals of high carbon content»,
  77. Phys.Stat.Sol., 1984, V. A86,#2,p.679−683.
  78. P., Schmalz K., «Oxygen-related donors formed at 600 °C in Si», — Phys.Stat.Sol., 1983, v. A77,#2,p.571−582.
  79. A., Kanamori M., «Comparison of two kinds of oxygen donors in Si by resistiviti measurements», — J.Appl.Phys., 1979, v.50, #12, p.8095−8101.
  80. Annual Book of ASTM Standards: ASTM F 416−94, p. 193−202.
  81. Yasutake K., Umeno M., Oxygen-related donors stable at 700−800°C in CZ-Si», — JapJ.Appl.Phys., 1982, v.21, #1, p.28−32.
  82. З.А., Калюжная С. И., Батавин B.B., Мильвидский М. Г., «Образование дефектов при выращивании крупных монокристаллов Si методом Чохральского», — Изв.АН СССР, сер.Неорганич. материалы, 1984, т.20,№ 2,стр. 184−188.
  83. П.М., Лазарева Г. В., Орлова Е. В., Сальник З.А, Фистуль В. И. «Об условиях генерации термодоноров в интервале температур 600−800°С», — ФТП, 1978, Т. 12, В. 1, стр. 121 -123.
  84. Ю.М., Гринштейн П. М., Орлова Е. В., «Распад пересыщенного твёрдого раствора кислорода в кремнии и термодоноры»,-Электрон.тех., сер. 6, Материалы, 1982, В.2, стр.33−37.
  85. Ю.М., Гринштейн П. М., «Кинетика образования вторых кислородных доноров в кремнии», — ФТП, 1984, Т.18,В.4, стр.604−609.
  86. ГОСТ 19 658–81 стр. 17 «Кремний в слитках», ТУ, М.
  87. А.Е., Раченкова А.В, «Особенности дефектообразования в процессе обработки пластин кремния», — Тезисы докладов конф."Кремний-2000», Москва, 9−11 фев., 2000 г, стр.46−47.
  88. D., «Defect etch for (100) silicon evaluation»,-J.Electrochem.Soc., 1979, v. 126,#3,p.479−482.118
  89. Г. И., Ильин М. А., Коварский В.Я.,"Градуировка и особенности оптического метода определения содержания углерода в кремнии», Метрология, 1979, № 9, с.56−61.
  90. Г. И., Ильин М. А., Коварский В .Я., Федотова П. П., «О градуировке оптического метода определения концентрации кислорода в кремнии', — Метрология, 1982, № 7, стр.53−59.
  91. ГОСТ 19 658–81 «Кремний в слитках», ТУ, М., Измерение УЭС 4-х зондовым методом., стр. 18.
  92. ГОСТ 19 658–81 «Кремний в слитках», ТУ, М., Определение типа электропроводности образцов методом термозонда, стр.13
  93. G.A. «Elimination of OISF by preoxidation guttering of silicon wafers», — Solid State Technol.v.l9,#8,1979,p.49
  94. Secco d' Arragona F., «Dislocation etch for (100) planes in Si»,-J.Electrochem.Soc., v. 119,#7, 1972, p.948.
  95. Sirtl E., Annemarie Zeitschrift for Metallkunde, v.52, 1961, p.529
  96. П.М., Кравцов A.A, Карась Н. И., «Анализ производства кремния на установках Редмет-30 в режиме полунепрерывной технологии», Тезисы конф. «Кремний-96», Москва, 18−22 ноября, 1996 г, стр. 198.
  97. Но С.Р., Plummer J.D., J. Electrochem. Soc., v. 126, 1964, p. 1516
  98. A.E., Раченкова A.B., Сорокин И. Н., «Дефектообразование в процессе окисления пластин кремния», —., конф."Кремний -96», Москва, 19−22 ноября 1996 г, стр. 78.
  99. Kobayashi S."A model for oxygen precipitation in CZ-Si during crystal growth», — J.Cryst. Grouth, v. 174, 1997, p. 163
  100. Jl. И. В кн. «Основы численных методов», М., Наука, 1987, с. 320.
  101. W., «Electrical and optical properties of heat-treated Si»,-Phys/Rev/, 1957, v, 105,#6,p.l751−1756/119
  102. F., Baiardo J., «Precipitation and distribution of oxygen in CZ-Si»,-Appl.Phys.Lett., 1985, v.46,#10,p.941−943.
  103. Lane R.L., Kachare A."Multiple CZ-growth of Si crystals from a single crucible», — J. Cryst. Grouth, v.50, #2, 1980, p.437
  104. А.Я. в кн. «Технология полупроводниковых материалов', М., Металлургия, 1972, стр. 440.
  105. Ю.М. «Влияние изовалентных примесей, термических и радиационных воздействий на поведение кислорода в монокристаллах кремния «, Диссертация на соискание учёной степени канд.ф.-м.наук., М., ГИРЕДМЕТ 1987 г.
  106. James R. Mac Kornic. /'Measurement of carbon concentration in polycrystalline Si using FTIR», — J.Electrochem.Soc., 1991, v. l38, p.576−581., 1976, v.29,#9,p.531
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?