Исследование возможности создания мозаичных фотоприемников без потерь информации в изображении
Диссертация
Применение тепловизионных приборов для контроля тепловых полей в инфракрасном (ИК) спектральном диапазоне достаточно широкое — это астрономия, медицина, научные исследования, а также слежение за наземными и воздушными целями. Одним из основных узлов современного тепловизионного прибора является фотоприёмное устройство (ФПУ), которое осуществляет преобразование оптического изображения… Читать ещё >
Содержание
- Список условных обозначений и сокращений
- 1. Обзор и анализ литературы
- 1. 1. Современное состояние производства мозаичных фотоприёмных устройств
- 1. 1. 1. Конфигурация мозаичных фотоприёмных устройств
- 1. 1. 2. Особенности применяемых технологий разделения пластин на чипы
- 1. 2. Выбор лазерного источника для скрайбирования пластин с кремниевыми мультиплексорами и фотоприёмниками
- 1. 3. Изменение физических свойств полупроводниковых материалов при воздействии лазерного излучения
- 1. 3. 1. Характер процессов при плотности энергии, превышающей порог парообразования в материале
- 1. 3. 2. Характер процессов при плотности энергии, превышающей порог расплава поверхности материала
- 1. 3. 3. Характер процессов при плотности энергии, недостаточной для плавления поверхности материала
- 1. 4. Изменение физических свойств полупроводниковых материалов в зоне повреждения
- 1. 5. Фокусирование лазерного излучения
- 1. 1. Современное состояние производства мозаичных фотоприёмных устройств
- Выводы к главе
- 2. Формирование зон повреждения в полупроводниковых материалах при лазерном скрайбировании
- 2. 1. Методика измерения ширины зоны повреждения
- 2. 2. Формирование зон повреждения в кремниевых мультиплексорах и фотоприёмниках
- 2. 3. Модель взаимодействия лазерного излучения с полупроводниковыми материалами
- 2. 4. Раскол пластин с чипами и гибридизация фотоприёмных устройств
- Выводы к главе
- 3. Режимы лазерного скрайбирования пластин с кремниевыми мультиплексорами и фотоприёмниками
- 3. 1. Оптимизация оптической системы установок лазерного скрайбирования
- 3. 2. Формирование канавки при однопроходном и многопроходном режиме лазерного скрайбирования
- 3. 2. 1. Формирование канавки в однопроходном режиме лазерного скрайбирования
- 3. 2. 2. Формирование канавки в многопроходном режиме лазерного скрайбирования
- 3. 3. Однопроходный режим лазерного скрайбирования пластин с кремниевыми мультиплексорами
- 3. 4. Многопроходный режим лазерного скрайбирования пластин с фотоприёмниками
- 3. 5. Стабильность электрических параметров фотоприёмников после скрайбирования
- Выводы к главе
- 4. Методики скрайбирования пластин с кремниевыми мультиплексорами и фотоприёмниками. Практическое применение
- 4. 1. Методики формирования канавки в пластинах с кремниевыми мультиплексорами
- 4. 2. Методики формирования канавки в пластинах с фотоприёмниками
- Выводы к главе
Список литературы
- ФилачевА.М., Таубкин И. И., Тришенков М.А./Твердотельная фотоэлектроника. Физические основы//М.:Физматкнига, 2005, 384 с.
- Якушев М.В., Брунев Д. В., Варавин B.C., Дворецкий С. А., Предеин А. В., Сабинина И. В., Сидоров Ю. Г., Сорочкин А. В., Сусляков А.О./Гетероструктуры CdHgTe на подложках Si (310) для инфракрасных фотоприёмников//Автомерия, Т. 45, № 4, С. 23−31
- Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Liberman V.I., Mikhailov N.N., Sidorov Yu.G./Molecular Beam Epitaxy of High Quality Hg 1 -x Cd x Те Films with Control of the Composition Distribution//Journal of Crystal Growth, 1996, V. 159, issues 1−4, P. 1161−1166
- Адамов Ю. Ф., Шишина Л.Ю./Проектирование систем на кристалле//М: «МИЭТ». 2005, 112 с.
- Новицкий Л.А., Кожевников И.Г./Теплофизические свойства материалов при низких температурах//Москва: Машиностроение, 1975, 216 с.
- Greiner М., Davis М., Devitt J., Rawe R., Wade D., Voelker J./ State of the art in large format IR FPA development at CMC Electronics Cinncinati//Proceedings of SPIE Vol. 5074, 2003, P. 60−71
- Sparfke T, Beletic J. W./Infrared focal plane arrays for space applications//Optics and Photonics News, 2008, V. 19, No. 6, P. 22−27
- Gulbransen D. J., Love P. J., Murray M. P., Lum N. A., Fletcher C. L., Corrales E., Mills R. E., Hoffman A. W., Ando K. J./Megapixel and Larger Readouts and FPAs for Visible and Infrared Astronomy//Proceedings of SPIE Vol. 4841 (2003), P. 770−781
- Rossi, L., Fischer, P., Rohe, Т., Wermes, N./Pixel Detectors//Springer, 2006, 304 p.
- Finger Gert, Beletic James W./Review of the state of infrared detectors for astronomy in retrospect of the June 2002 Workshop on Scientific Detectors for Astronomy//Proceedings of SPIE Vol. 4841, 2003, P. 839−852
- Chamonal Jean Paul, Mottin Eric, Audebert Patrick, Ravetto Michel, Caes Marcel, Chatard Jean Pierre/Long linear MWIR and LWIR HgCdTe arrays for high resolution imaging//Proceedings of SPIE Vol. 4130, 2000, P. 452−462
- Орлов A.M., Соловьёв A.A., Явтушенко И. О., Скворцов А.А./О перераспределении дислокаций в монокристаллах кремния вблизи концентраторов напряжений//Физика твёрдого тела, Т. 49, В. 6, 2007, С. 10 391 043
- Вейко В. П., Либенсон М. Н./Лазерная обработка/АЛ: Лениздат., 1973, 191 с.
- Рыкалин Н. Н., Углов А. А., Кокора А. Н./Лазерная обработка материалов//М.: Машиностроение, 1975, 296 с.
- Бункин Ф. В., Кириченко Н. А., Лукьянчук Б. С./Термохимическое действие лазерного излучения//УФН, Т. 138, 1982, С. 45−94
- Промышленное применение лазеров, под ред. Кёбнера Г./М.: Машиностроение, 1988, 279 с.
- Готра З.Ю./Технология микроэлектронных устройств//Москва: «Радио и связь», 1991, 528 с.
- Booth Heather/Laser Processing in Industrial Solar Module Manufacturing//Journal of Laser Micro/Nanoengineering, V. 5, No. 3, 2010, P. 183−191
- Федоров Б.Ф./Лазеры. Основы устройства и применения//М: «ДОСААФ». 1988, 190 с.
- Garcia B.G., Martinez J., Piqueras J./Laser melting of GaAs covered with metal layers//J. Applied Physics A 51, 1990, P. 437−445
- Карпов С.Ю., Ковальчук Ю. В., Погорельский Ю.В./Плавление полупроводников под действием импульсного лазерного излучения//ФТП, Т. 20, В. 11,1986,С. 1945−1969
- Seeger K./Semiconductor Physics//Springer:Berlin, Heidelberg, 1989, 522 p.
- Двуреченский A.B., Качурин Г. А., Нидаев E.B. Смирнов Л.С./Импульсный отжиг полупроводниковых материалов//М: Наука, 1982, 208 с.
- Heywang W., Krimmer E.F., Runge Н /Annealing mechanism of radiation damage and dopants in pulsed laser light irradiated ion implanted layers//Physics Status Solidi, V. 51A (1), 1979, P. k79-k82
- Huang Li/Semiconductors under ultrafast laser exitation: optical studies of the dynamics//Harvard University, Cambridge, Massachusetts, 1997, 201 p.
- Brown W.L./Laser processing of semiconductors. In laser materials processing. By M. Bass//North-Holland Publishing Company, 1983, 480 p.
- Garbuzov D.Z./Semiconductor Optoelectronics, ed. By M.A. Herman// N.Y.:Wiley, 1980, 335 p
- Lui X., Du D., Monrou G./Laser ablation and micromachining with ultrashort laser pulses//IEEE J. Quantum Electron, V. 33(10), 1997, P. 1706−171 630. под ред. Зи С. М./Физика полупроводниковых приборов// М: Энергия, 1973, 655 с.
- Huang Li, Callan J. Paul, Glezer Eli N., Mazur Eric /GaAs under intense ultrafast excitation: response of the dielectric function//Physical review letters. V. 80, No. 1, 1998, P. 185−188
- Fattahov Ya. V., Galyautdinov M. F., LVova T. N., Khaibullin I. B./Real-time observation of local molten — phase nucleation on a semiconductor surface under powerful light irradiation//J. Physics: Condenser Matter, V.12, No.25, 2000, P. L393-L397
- Franghiadakis Y., Fotakis C., Tzaneyakis P. /Energy distribution of ion produced by excimer-laser ablation of solid and molten targets//Applied Physics A. 68,1999, P. 391−397
- Hong M.H., Lui Yongfeng/Optical detection of laser plasma interaction during laser ablation//Proceedings SPIE, V. 3618, 1999, P. 37−44
- Grossa M.S., Blacka I., Mullerb W.H./Numerical testbed for laser materials processing//Proceedings of SPIE Vol. 4631, 2002, P. 254 263
- Iwai Y., Arai Т., Honda Т., Tanaka R., Takaoka T./Effect of duration on scribing of ceramics and Si wafer with ultra-short pulsed laser// Proceedings SPIE, V. 5063, 2003, P. 362−366
- Григорьянц А.Г., Соколов А.А./Лазерная обработка неметаллических материалов//Москва: Высшая школа, 1988, 192 с
- Nilsson Т., Wagner F., Richerzhagen B./Scribing of GaN wafer for white LED by water jet guided laser//Proceedings of SPIE, V. 5366. P. 200−206
- V V Semak, J G Thomas and В R Campbell/Drilling of steel and HgCdTe with thefemtosecond pulses produced by a commercial laser system//J. Phys. D: Appl. Phys. No. 37, 2004, P. 2925−2931
- Реди Дж./Действие лазерного изучения//М: Мир, 1974, 465 с.
- Бароненкова Р.П., Водоватов Ф.Ф./Действие излучения ОКГ на плоскости различной ориентации монокристаллов CdTeZ/Физика и химия обработки материалов, № 1, 1969, С. 148 -149
- Narayan J., Young R.I./Laser annealing of diffusion induced imperfection in silicon//Applied Physics Letter, V. 33(1), 1978, P. 14−16
- Hofker W.K., Oosthoek D.P., Eggermont G.E.J., Tamminga Y., Stacy W.T./Laser irradiation of silicon containing misfit dislocation//J. Applied Physics letter, V. 34(10), 1979, P.690−692
- Fairfield J.M., Schwuttke G.H./Silicon diodes made by laser irradiathion//J. Solid-State Electronics. V. ll (12), 1968, P. 1175−1176
- Tsu R., Hodgson R.T., Tan T.Y., Baglin J.E./Order disorder transition in single — crystal silicon induced by uv laser irradiation//Physics Rev. Letter, V. 42, № 20 1979, P. 1356−1357
- Бугаёв A.A., Захарченя Б. П., Иванов М. Г., Меркулов И.А./Ячеистая структура рельефа поверхности кремния при плавлении пикосекундными импульсами//Письма в ЖТФ, Т. 12, В. 4, 1986, С. 220−223
- Lin P.L., Yen R., Bloembergen N., Hodgson R.T./Picosecond laser induced melting and resolidification morphology on Si//Applied Physics letter, V. 34, № 12, 1979, P. 864−866
- Donald L. Parker, Fa-Yong Lin, Shan-Ji Zhu, Ding-Kang Zhang, W.Ar. Porter/Selective lifetime doping in silicon by laser scanning// IEEE Transaction on Electron Devices, V. ED-29, No 11, 1982, P. 1718−1722
- Mooney P.M., Young R.T., Karins J., Lee Y. H., Corbett J. W./Defects in laser damaged silicon observed DLTS, J. Physic Status Solidi, v.48A,(l), 1978, P. k31-k34
- Benton J.L., Doherty C.J., Ferris S.D., Kimerling L.C., Leamy H.J., Celler G.K./Post illumination annealing of defects in laser processed silicon. In laser and electron beam processing of materials//N.Y.: Acad. Press, 1980, P. 430−434
- Yuba Y., Gamo K., Murakami K., Namba S./Laser irradiation effects on unencapsulated GaAs studied by capacitance spectroscopy//Applied Physics letter, V. 35(2), 1979, P. 156−158
- Emerson N.G., Sealy B.J./Effects of laser irradiation of GaAs obsered by DLTS//Electron letter, V.15, No. 18, 1979, P. 553−554
- Narayan J., Young F.W./Growth of dislocations during laser melting and solidification//Applied Physics Letter, V.35, No. 4, 1979, P. 330−332
- Банишев А.Ф., Голубев B.C., КремневА.Ю./Генерация и накопление дислокаций на поверхности кремния при воздействии импульсно-периодического излучения YAG: Nd лазера//Журнал технической физики, 2001, Т. 71, В. 8, С.33−38
- Romashko L.N., Klimenko A.G., Ovsyuk V.N., Vasilyev V.V., Voinov V.V., and Plotnicov A.E. /Influence of dislocation on MBE Cdo.22Hgo.7sTe/GaAs photodiodes// Phys. Stat. Sol. (a) V. 186, 2001, No. 3, P. 445−452
- Hahnert, Schink M./New defect atchant for CdTe and Hgl-xCdxTe//J. Of Cnst. Growth, No. 101, 1990, P. 251−255
- Власенко А.И., Гнатюк B.A., Копишинская Е. П., Мозоль П.Е./Влияние лазерного облучения на фотопроводимость и шумы в монокристаллах n-CdxHg. хТе//Физика и техника полупроводников. Т. 31, № 7, 1997, С. 820−822
- Afonso C.N., Alonso М., Neira J.L.H., Sequeira A.D., da Silva M.F., Soares J.C./Pulsed laser induced effects on the HgCdTe surface//J. Vacuum Science Technology, V. A 7(6), 1989, P. 3256 3264
- Dimiduk K.C., Opyd W.G., Gibbons J.F., Sigmon T.W., Magee T. J., Ormond R.D./Annealing of Hgi, vCd^Te Hg loss rates and annealing of ion implantation damage//J. Vacuum Science and Technology A, Vol. l, No. 3 1983, P. 1661−1665
- Botha C.B., Basson J.H., Muller J.R., Booyens H. /Quartz ampoule effects on the quench rates of Hgo.sCdo.2Te grown by the solid state recrystallization technique//J. of Crystal Growth, V. 71,1. 2, 1985, P. 391−394
- Jevtic M.M., Scepanovic M.J./Melting and solidification in laser irradiated HgCdTe//J. Applyid Physics, V. A53, 1991, P. 332−338
- Compaan, R.C. Bowman, D.E. Cooper/Raman studies of composition and structural ordering in HgixCdxTe//Semiconductors Science and Technology, Vol. 5, No. 3S, 1990, P. S73-S77
- Банишев А.Ф., ГолубевВ.С., Кремнев А.Ю./Инициируемая лазерным воздействием аномальная диффузия кислорода в обогащенный дефектами поверхностном слое кремния/ЯТисьма ЖТФ, 2000, Т. 26, № 2, С. 8−12
- А.А. Карабутов/Лазерное возбуждение поверхностных акустических волн: новое направление в оптико-акустической спектроскопии твёрдого тела//УФН, 1985, Т. 147, В. 3, С. 605−620
- Коломенский Ал. А., Мазнев А.А./Наблюдение фононной фокусировки при импульсном лазерном возбуждении поверхностных акустических волн в кремнии/ЯТисьма в ЖЭТФ, Т. 53, В. 8. 1991, С. 403−406
- Григорьянц А.Г./Основы лазерной обработки материалов//М: Машиностроение, 1989, 304 с.
- Zorabedian Paul /Software tool boosts beam analysis efficacy//Laser Focus World. November 2003, P. 63−66
- D.M. Hirak, D.C. Weckman, H.W. Kerr/Measuring the spatial intensity distribution of high-power focused laser beams using a rotating-wire type laser beam analyzer II: experimental validation//Measuring Science Technology, V. 5, 1994, P. 1523−1532
- Amoruso S., Armenante M., Bruzzese R., Spinelli N., Vellota R., Wang X./Emission of prompt electrons during excimer laser ablation of aluminum targets//Applied Physics Letters, V. 75 (1), 1999, P. 7−9
- Васильев B.B., Овсюк B.H., Протасов Д. Ю., Талипов Н.Х./Влияние термообработок на параметры фотодиодов, сформированных ионной имплантацией бора в гетероэпитаксиальные слои МЛЭ CdxHgixTe р-типа//Прикладная физика. 2005, № 2, С. 37−41
- Фишер В. /Методы ускоренных испытаний микроэлектронных элементов//Зарубежная радиоэлектроника, В. 11, 1982, С.3−10
- Xavier BRENIERE, Philippe TRIBOLET/ IR detectors design and approach for tactical applications with high reliability without maintenance// Proc. of SPIE Vol. 6940, 2008, P. 69400H-1 69400H-13