Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Создание фотодиодов на основе InSb, PbTe и CdxHg1-xTe и анализ их функционирования в составе оптико-электронных систем

Диссертация: Создание фотодиодов на основе InSb, PbTe и CdxHg1-xTe и анализ их функционирования в составе оптико-электронных систем
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Указанные материалы являются соединениями разных групп, А В, А В и твердыми растворами переменного состава х, но по структуре энергетических зон относятся к так называемым кейновским узкозонным полупроводникам, что дает основание рассматривать и обобщать физические процессы в фотодиодах этой группы с единой точки зрения, при этом изготовленных единообразной технологией. Эти материалы имеют ряд… Читать ещё >

Содержание

  • 1. Состояние проблемы и задачи исследования
    • 1. 1. Фотоприемники ИК диапазонов 3.5и8.14 мкм
    • 1. 2. Состояние проблемы согласования параметров приемников и оптико-электронных 16 систем
    • 1. 3. Задачи исследования
  • 2. Параметры фотодиодов ИК диапазонов 3.5 и 8. 14 мкм
    • 2. 1. Чувствительность и обнаружительная способность фотодиодов
    • 2. 2. Коэффициент поглощения в кейновских полупроводниках
    • 2. 3. Квантовая эффективность фотодиодов
  • 3. Измерение параметров материалов и исследование их свойств
    • 3. 1. Разработка методов и средств контроля электрофизических и фотоэлектрических 32 параметров материалов InSb, РЬТе и CdHgTe
    • 3. 2. Исследование электрофизических свойств InSb и РЬТе 35 3 .3 Исследование электрофизических свойств CdHgTe
    • 3. 4. Выводы
  • 4. Фотодиоды на InSb, РЬТе и CdHgTe
    • 4. 1. Технология изготовления фотодиодов на InSb, РЬТе и CdxHgixTe
    • 4. 2. Исследование электрических характеристик фотодиодов на InSb и РЬТе
    • 4. 3. Исследование электрических характеристик фотодиодов на CdHgTe
    • 4. 4. Квантовая эффективность, чувствительность и обнаружительная способность фото- 96 диодов на InSb, РЬТе и CdHgTe
    • 4. 5. Фотогальванические многоцветные приемники инфракрасного диапазона
    • 4. 6. Конструкция и параметры фотодиодов ИК диапазона
    • 4. 7. Выводы
  • 5. Фотоприемники в составе оптико-электронных систем
    • 5. 1. Крутизна преобразования фотодиодов с кейновской зонной структурой
    • 5. 2. Оптическая передаточная функция фотодиодов ИК диапазона с кейновской зонной 148 структурой
    • 5. 3. Фотодиоды для гетеродинного детектирования на СОг-лазере
    • 5. 4. Пороговая разность температур оптико-электронной системы с фотодиодами на ос- 159 нове твердых растворов
    • 5. 5. Фотодиоды ИК спектра с охлаждаемыми длинноволновыми фильтрами
    • 5. 6. Анализ параметров фотоприемных устройств с фотодиодами на CdHgTe
    • 5. 7. Иммерсионные фотодиоды ИК диапазона на CdHgTe
    • 5. 8. Выводы 196 6 Характеристики тепловых объектов и применение фотодиодов
    • 6. 1. Пространственно-частотная характеристика объекта переменной яркости
    • 6. 2. Передача контраста переменного по яркости объекта фотодетектором с кольцевыми 202 р-л-переходами
    • 6. 3. Методы определения теплофизических характеристик материалов
    • 6. 4. Многоспектральная ИК дефектоскопия
    • 6. 5. Оптимизация блоков устройства для ИК дефектоскопии
    • 6. 6. Выводы
  • Заключение
  • Литература
  • Приложение

Создание фотодиодов на основе InSb, PbTe и CdxHg1-xTe и анализ их функционирования в составе оптико-электронных систем (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

т.

Из всей ИК области спектра к теме данной работы относятся два диапазона, 3.5и8.14 мкм, соответствующих окнам прозрачности атмосферы, на которые ориентируются разработчики оптико-электронных систем и приемников, функционирующих при температуре жидкого азота и конструктивно изготавливаемых в вакуумных криостатах.

Известна широкая гамма приемников на эти диапазоны, действующих на различных физических явлениях. В свою очередь системы можно разделить на три группы по способу сканирования пространства тепловых объектов. Это системы с одиночными приемниками, с линейками приемников и матрицами. К теме нашего исследования относятся приемники для систем первого и второго типов, таких как тепловизоры для медицинской диагностики, приборы ночного видения, приборы для наблюдения тепловых изображений промышленных зданий и линий электропередач, устройства для ИК дефектоскопии материалов, диагностики газов, приборы для поисковых и полицейских задач, охранные устройства, и ряд аналогичных им.

Тепловые, пироэлектрические приемники и примесные фоторезисторы не подходят для целей обозначенного применения. Эти приемники могут конкурировать с фотодиодами по основному параметру, обнаружительной способности D*, а точнее по пороговой разности температур АГпор в ф составе систем, только в матричном исполнении.

Когда же требуется высокая чувствительность и быстродействие, то на диапазон 3. 5 мкм отдают предпочтение приемникам на InSb [1], а на 8. 14 мкм приемникам из CdHgTe [2]. Отметим, что акцент разработок на этих материалах сместился в последнее время на создание фотодиодных линеек и матриц [3−5].

Приемники из РЬТе чувствительны в том же спектральном диапазоне, что и приемники из InSb. По D* они находятся на уровне приемников из InSb, но из-за высокого значения диэлектрической константы, eg = 400 [6] (по данным работы [7] et = 800 при Т = 78 К), они не в состоянии конкурировать с приемниками из InSb на частотах выше / >20 кГц, т. е. в системе со сканированием одиночными приемниками. Однако при современной тенденции перехода на матричное исполнение приборов ИК диапазона они вполне могут конкурировать с приемниками из InSb, когда частотный диапазон работы матричного приемника определяется только частотой кадра изображения. В этом случае та же es выступает уже как преимущество матрицы на РЬТе, более стойкой к электромагнитным помехам по сравнению с матрицей из InSb (es = 17.78 (78К) [6]). Ктому же энтальпия образования PbTe#0f (298) = -16.39 ккал/моль в 2.3 раза выше, чем у InSb#.

2.3 раза выше, чем приемники из InSb [8]. Это является одной из причин интереса к разработке и исследованию приемников на РЬТе, наряду с приемниками из InSb.

В области разработок тепловизионных систем широкого применения, предназначенных для наблюдения тепловых полей низкотемпературных объектов на уровне естественного фона, идет интенсивное освоение спектрального диапазона 8. 14 мкм, приемники для которого разрабатывают в основном из CdHgTe [9−12]. Полупроводниковые твердые растворы CdHgTe, также как например PbSnTe и PbSnSe, привлекают внимание разработчиков тем, что они дают возможность, варьируя составом х, выбирать граничную длину волны кт приемников и тем самым оптимизировать спектральные характеристики и интегральные параметры приемников и систем, в частности, проводить согласование со спектральными характеристиками пропускания атмосферы.

До начала постановки данной темы приемники на InSb в стране разрабатывали и изготавливали в виде фоторезисторов. Фотодиоды изготавливали меза-технологией из р-п-переходов, получаемых методом вытягивания из расплава. Из материала же CdxHgi-xTe изготавливали только фоторезисторы. Поскольку у фоторезисторов и меза-переходов ниже точность выдержки размеров, и связанных с ними фотоэлектрических параметров, чем у р-и-переходов, получаемых методами ионной имплантации и планарной технологии, то это изначально накладывало ограничения на многие сферы их применения. Этот недостаток выступил на первый план особенно явно тогда, когда начался переход на создание линеек и матриц из этих материалов, например, с размерами /т-и-переходов 50×50 мкм и меньше, с зазором между ними меньше 10 мкм. Конструктивно приемники разрабатывали исключительно в металло-стеклянном исполнении. Основной недостаток таких криостатов — низкая термическая и механическая прочность.

Ill Y TV VI.

Указанные материалы являются соединениями разных групп, А В, А В и твердыми растворами переменного состава х, но по структуре энергетических зон относятся к так называемым кейновским узкозонным полупроводникам, что дает основание рассматривать и обобщать физические процессы в фотодиодах этой группы с единой точки зрения, при этом изготовленных единообразной технологией. Эти материалы имеют ряд особенностей, как, например, маленький коэффициент краевого поглощения и высокую подвижность электронов, что вызывает, в частности, при диффузии сильное размывание «пакета» фотоносителей по отношению к первичному потоку фотонов, поступающих на чувствительную площадку, и влияет на параметры фотодиодов. В литературе не ставились вопросы о влиянии этого эффекта на частотно-контрастную характеристику (ЧКХ) фотодиодов, и как это отражается на оптической передаточной функции (ОПФ) системы. Не решалась и такая задача, как согласование переменного по размерам и яркости теплового объекта, создаваемого на поверхности непрозрачного твердого материала излучением лазера, с условиями считывания сигналов системой, задача, которая относится к ИК дефектоскопии. Не рассматривалась и задача о ЧКХ фотодиода в виде кольцевого/>-и-перехода, т. е. пространственный спектр, который он пропускает, и ряд других задач, указанных ниже в пункте научной новизны работы.

Сказанное выше определяет актуальность постановки работы, в которой необходимо было охватить проблему как создания фотодиодов ИК диапазонов 3.5 и 8. 14 мкм методами современной ионной имплантации в сочетании с планарной технологией, пассивирующими и просветляющими покрытиями для обеспечения высокой квантовой эффективности 7/, конструктивно выполненных в полностью металлических криостатах с оптимальными масса-габаритными показателями, надежными и долговечными в эксплуатации, так и исследование их параметров во взаимосвязи с решением теоретических задач, рассматривающих функционирование их в составе систем.

Целью настоящей работы являлось разработка и исследование фотодиодов на InSb, РЬТе и CdHgTe РОС диапазонов 3.5и8.14 мкм и установление критериев согласования их параметров и параметров оптико-электронных систем для оптимального обнаружения и пространственного разрешения тепловых объектов.

Достижение поставленной цели требовало разработать основы единообразной технологии фотодиодов, определить их максимально достижимые теоретические и экспериментальные параметры, провести исследования функционирования фотодиодов в системах по обнаружению и распознаванию сложных, различной природы тепловых объектов в предельных условиях их применения, — на больших дистанциях наблюдения, при выявлении низкоконтрастных объектов, объектов с различной или переменной излучательной способностью е, — и установить критерии, с помощью которых можно прогнозировать параметры систем, а значит и новые области их применения.

При этом необходимо было выполнить следующие задачи.

1. Разработать основы единообразной технологии (планарной, с ионной имплантацией) фотодиодов на InSb, РЬТе и CdHgTe, провести исследование их с выявлением зависимости их параметров от свойств исходных материалов и режимов эксплуатации.

2. Решить теоретические задачи согласования фотодиодов с системами, с целью увеличения вероятности распознавания тепловых объектов путем улучшения контрастности их изображений, оптимизации системы и фотодиодов с атмосферным «окном» и с электронным трактом.

3. Разработать и теоретически обосновать новые методы измерения теплофизических констант материалов, позволяющие упростить процедуру измерений, уменьшить влияние е на результаты измерений, повысить точность измерений, расширить интервал значений измеряемой величины и номенклатуру возможно исследуемых материалов.

Научная новизна работы.

1. Показано, что для отбора материала CdxHgi-xTe для изготовления фотодиодов с прогнозируемыми параметрами, помимо измерений Rh и р0 при Т = 78 К, необходимо измерять температурные и полевые зависимости Rn (T, B) и p0{TJB спектры фотопроводимости материала и температурные зависимости поперечного магнитосопротивления Ар/р (В). Для отбора же материала, который пойдет на изготовление фотодиодных линеек и матриц, этих измерений недостаточно, необходим еще контроль структурного совершенства материала, в частности, рентгено-струюурные измерения.

2. У CdxHgi-xTe в запрещенной зоне выявлены мелкие уровни с Е* - Ev = 8. 12 мэВ, создаваемые однозарядными вакансиями Унй+ и связанные с зоной Ev, и глубокие уровни с Et=Ev + 0.6?g) связанные с зоной Ес. Было определено, что они ведут себя как ловушки и слабо влияют на параметры фотодиодов. Рекомбинационными уровнями, сильнее влияющими на параметры фотодиодов, являются уровни cEt-Ev&36 мэВ. Среди этой группы уровней есть уровни cEt"Ev + 0.26?g, т. е. связанные с зоной Ес, и есть не зависящие отЕ6, следовательно от составах CdxHgi. KTe, и, вероятнее всего, последние создают примесные атомы.

3. Получено теоретическое выражение для крутизны преобразования S-, фотодиодов из 4 материалов с кейновской зонной структурой, и на его основе проведены теоретические исследования.

ЧКХ фотодиодов на CdxHgi. xTe с от 1.8 до 18.0 мкм и ряда размеров г0 чувствительной площадки. По ЧКХ фотодиодов определены условия согласования г0 с размером пятна рассеяния изображения точечного объекта в зависимости от Яс0 фотодиодов на CdxHgi. xTe, необходимые для передачи контраста объекта, максимально приближенного к истинному.

4. Показано, что ДГпор тепловизионной системы критично к выбору по Лео фотоприемника. Особенно резко зависимость А77ПоР (Л") системы проявляется при наблюдении удаленных тепловых объектов, когда имеется затухание излучения в атмосфере в ИК диапазонах 3.5и8.14 мкм. Кроме того, показано, что системы с фотодиодами как того, так и другого диапазона не являются оптимальными по АГпор при наблюдении как низкотемпературных, так и высокотемпературных объектов.

5. Впервые предложена автором и теоретически обоснована идея применения «сэндвич» фотоприемников для ИК дефектоскопии [13], реализованная в фотоакустическом микроскопе ФМ-5М [14−20]. Это позволило уменьшить влияние на результаты измерения такого неопределенного параметра как излучательная способность е объектов.

6. Дано теоретическое обоснование преимущества использования иммерсионных линз в фотоприемниках на CdxHgi-xTe диапазона 8. 14 мкм, что было подтверждено экспериментально на тепловизоре ТВ-03.

7. Решены следующие теоретические задачи и на их основе предложены и разработаны новые методы измерения параметров тепловых объектов: задача согласования переменного по размерам и яркости теплового объекта с параметрами считывания сигналов системойзадача о спектре ЧКХ фотоприемника в виде кольцевого />-/2-переходазадача, связанная с новым методом измерения параметров тепловых объектов с помощью ИК фотоприемника из двух кольцевых /^-«-переходов, упрощающим измерение коэффициента температуропроводности, а тепловых объектов и уменьшающим влияние е на результаты измерения, а при известном, а из рассмотренной теоретически задачи следует, что данным методом можно измерять геометрические размеры теплового объекта переменного по размерам и яркости. Рассмотрены и решены теоретические задачи определения параметров объекта из измерений теплового излучения, принимаемого от объекта «сэндвич» фотоприемником в диапазонах 3.5 и 8. 14 мкм. Проведен теоретический анализ пространственной фильтрации тепловых объектов системой с «сэндвич» приемником ИК диапазона с двумя полупрозрачными транспарантами с решеткой Фурье и Френеля и рассмотрены два варианта пространственной селекции объектов по размерам, представляющих практический интерес.

Совокупность полученных в работе экспериментальных данных и теоретических положений можно рассматривать как решение крупной научной проблемы: целевой разработки фотоприемников под активные и пассивные огггико-электронные системы среднего и дальнего ИК диапазонов для получения новой информации о тепловых объектах и повышения ее достоверности.

Научные положения, выносимые на защиту.

1. Установлено, что для фотодиодов на InSb оптимальными режимами эксплуатации по D* следует считать температуры Т <, 100 К и смещения U < —100.—150 мВ, причем в диапазоне температур Т= 90. 100 К D* ограничена генерационными процессами в ОПЗ перехода, а режим ограничения фоном D* начинается при Т< 90 К.

2. Получено, что в запрещенной зоне CdxHgixTe мелкие уровни с Et- = 8. .12 мэВ и глубокие уровни сЕ^=Еу + 0.6Е% являются ловушками, они слабо влияют на параметры фотодиодов, а рекомбинационными уровнями, сильнее влияющими на параметры фотодиодов, являются уровни с? tw?v+ 0.26?g.

3. Установлено, что у реальных фотодиодов с Ате > 4 мкм их оптическая передаточная функция увеличивает весовую долю низкотемпературных участков объекта и занижаетвысокотемпературных. Это искажение тем сильнее, чем меньше размер фотодиода г0, больше его Л" и шире спектральный диапазон чувствительности. Для передачи контраста объекта, максимально приближенного к истинному, при согласовании размера чувствительного слоя г0 с размером пятна рассеяния изображения точечного объекта за оптимальное следует считать условие, когда пятно вписывается в размер г0 по уровню м> «0.3 от максимальной освещенности в центре пятна. С уменьшением частоты сканирования/0 или размера г0 оптимум сдвигается к w «0.4. При увеличении Л» фотодиодов их передаточная функция расплывается, и система становится не столь критична к согласованию размера г0 с размером пятна рассеяния.

4. Показано, что при наблюдении удаленных объектов в диапазоне 8. 14 мкм, когда происходит затухание излучения в атмосфере, для достижения минимальной А7пор тепловизионной системы в ней следует применять фотодиоды на CdxHgixTe с Х^ = 11 ±1 мкм, а для спектрального диапазона 3. 5 мкм фотодиоды с/U = 4.0 ±0.1 мкм. Система с фотодиодами на CdxHgixTe с /U = 4.0 мкм дает улучшение А7Пор примерно в 2 раза по сравнению с системами с фотодиодами на InSb с Л" = 5.4 мкм и является оптимальной по АТиор в диапазоне 3. 5 мкм.

5. Методы измерения теплофизических характеристик непрозрачных твердых материалов с помощью устройств с фотодиодами ИК диапазонов, имеющими предложенную конфигурацию чувствительных элементов, и выведенные аналитические соотношения позволяют уменьшить влияние излучательной способности материала на результаты измерения, понизить тепловые нагрузки на материал, получать информацию о дефектах в поверхностных слоях твердых непрозрачных материалов и идентифицировать их по размеру и коэффициенту температуропроводности.

Апробация работы. Результаты диссертации изложены в 16 научных статьях в ж. АН СССР (РФ), в 2-х статьях в ж. SPffi и в 1-ой статье в ж. The Optical Society of America. Опубликованы также в 2 обзорах, в 24 научных статьях в ряде серий отраслевого сб. Электронная техника, в 25 тезисах докладов на Всесоюзных н.-т. конференциях, в 9 н.-т. отчетах по НИОКР. По теме работы получено 9 патентов и 1 авторское изобретение.

Практическая значимость работы. По выполненным автором и внедренным в производство на ФГУП «Hi111 «Исток» ОКР было произведено, начиная с 1981 г. по 1991 г., и поставлено заводу «Агат» 1100 приборов ФД-511−1 на общую сумму 1.76 млн руб. (по курсу 80-х гг.) для комплектования фотодиодами серийно выпускаемого тепловизора ТВ-03, который широко использовался в народном хозяйстве страны в 80-е и в начале 90-х годов. В 2003 г. возобновлены поставки заводу «Агат» фотодиодов ФД-511−1 при плане 50 шт. в год для комплектования тепловизоров ТВ-04, новой разработки такого типа приборов заводом «Агат». Кроме того, фотодиоды ФД-511 и ФД-294 были поставлены в ИТПМ г. Новосибирск, институту Оптики Атмосферы г. Томска, ВНИИОФИ, МИФИ, НПО «Алмаз», ВНИИМИСП, НПО Лазерные ф Измерительные Системы, ФИАН, ИОФАН, ИВТАН г. Москва, ОКБ завода «Тантал» г. Саратова, институту Прикладной Оптики г. Казань и в ряд других городов и организаций страны. Разработанные двухдиапазонные, на 3.5 и 8.12 мкм, ИК фотоприемники «Дцран» с чувствительными элементами типа «сэндвич» изготавливались и поставлялись штучно по заказам.

Результаты диссертационной работы были использованы ИОФАН, г. Москва, в экспериментах по исследованию загазованности городских улиц с помощью изделия ФД-294−2 (фотодиоды из CdxHgixTe, ЛЯ = 8. 12 мкм) на длине волны излучения Я = 10.6 мкм. Использование фотодиодов ФД-294−2 и научных положений диссертации позволило в МИФИ, на кафедре «Лазерная физика», увеличить точность детектирования химических и биологических веществ разработанным на кафедре спектрополяриметром ИК диапазона на СО2-лазере. Организацией «Спецгаздиагностика» были успешно внедрены изделия ФД-294−1 (фотодиоды из InSb, ДА= 3.5 мкм) в устройство по обнаружению утечек метана в магистральных газопроводах по поглощению излучения гелий-неонового лазера на Я = 3.39 мкм, что привело к значительному увеличению дальности зондируемой лучом лазера трассы, с 80 до 200 м.

Расчетные данные, изложенные в диссертационной работе, по оптимизации у двухдиапазонного тепловизора каналов 3.5 и 8.12 мкм при наблюдении удаленных объектов, когда учитывается пропускание излучения атмосферой, легли в обоснование выбора спектральных диапазонов. А при разработке многоспектрального томографа ФМ-5М, получившего серебряную медаль на международном салоне по перспективным работам и изобретениям «ЭВРИКА-95» в ноябре 1995 г., г. Брюссель, применялся двухдиапазонный «сэндвич» фотоприемник «Ядран» и развитые теоретические положения об уменьшении влияния излучательной способности на результаты измерения. Это позволило, например, при контроле с помощью томографа ФМ-5М высоковольтных кремниевых транзисторов типа КТ-872 увеличить глубину обнаружения дефектов пайки в два раза, с 350 мкм до 700 мкм, а при исследовании лазерных швов у высоконадежных титановых корпусов кардиостимуляторов (вживляемых в организм, срок функционирования не менее 20 лет) уверенно выявлялись дефекты сварки швов и трещины размером ~ 0.1. 1.0 мкм, которые не удавалось обнаружить другими методами контроля.

Развитые теоретические положения об уменьшении влияния излучательной способности на результаты измерений, вместе с изделием «Ядран», были использованы также в Физико-энергетическом институте в г. Обнинске для контроля перегрева ТВЭЛов, что обеспечило существенное ослабление влияния неоднородностей степени черноты поверхности контролируемого изделия на измерение температуры, что является необходимым условием повышения достоверности обнаружения и определения тепловых параметров дефектов типа отслоения между топливным сердечником и оболочкой ТВЭЛа.

Структура изложения материала диссертационной работы.

В первой главе приводится краткий литературный обзор состояния с разработкой приемников диапазонов 3.5и8.14 мкм и вопросами их согласования с системами, и определена цель и задачи исследований.

Во второй главе даны соотношения для основных параметров фотодиодов ИК диапазона, характеризующих их как преобразователей теплового излучения в электрический сигнал.

В третьей главе отражены результаты разработки комплекса методик и установок контроля электрофизических и фотоэлектрических параметров узкозонных полупроводников, а также результаты измерения параметров материалов после технологических обработок, связанных с изготовлением /^-«-переходов, исследование электрофизических и фотоэлектрических свойств материалов InSb, /г-РЬТе и CdHgTe.

В четвертой главе изложена технология изготовления ионной имплантацией в сочетании с планарной технологией /?-я-переходов на InSb, РЬТе и CdHgTe, исследование электрических характеристик/?-/ьпереходов и их связь с электрофизическими параметрами исходных материалов, влияние глубоких уровней в запрещенной зоне на параметры фотодиодов. Приведены результаты экспериментального исследования и теоретические расчеты квантовой эффективности 77, токовой чувствительности Si и обнаружительной способности D* фотодиодов. Приведены результаты разработки фотогальванических двухдиапазонных фотоприемников типа «сэндвич» структур и теоретические расчеты их параметров. Рассмотрены теоретически также амплитудные и фазовые спектры «сэндвич» приемника ИК диапазона с транспарантами Фурье и Френеля. Там же представлены технические характеристики разработанных фотодиодов ФД-511−1, ФД-511 -2, ФД-294−1 и ФД-294−2 на спектральные диапазоны 3.5 и 8. 12 мкм для эксплуатации в тепловизионных системах.

Пятая глава посвящена теоретическому анализу функционирования фотодиодов спектральных диапазонов 3.5 и 8.14 мкм в составе оптико-электронных систем и условиям оптимального согласования параметров фотодиодов с параметрами систем, настроенных на обнаружение тепловых объектов.

В шестой главе приведены результаты теоретического рассмотрения ПЧХ объекта переменной яркости и переменного размера и его пространственной селекции, представлены результаты теоретического обоснования новых методов определения коэффициента температуропроводности, а тепловых объектов.

Объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, шести глав, заключения и списка литературы. Общий объем работы составляет 266 страниц, включая машинописный текст, 239 иллюстраций и 17 таблиц. Список использованной литературы состоит из 360 наименований.

6.6 Выводы.

1. Получено теоретическое соотношение для ПЧХ объекта переменной яркости и переменного размера для задачи с мгновенным источником тепла. Рассчитаны теоретически ЧКХ объектов из меди и никеля в зависимости от приведенной пространственной частоты (1 — v/vB). Показано влияние спектров приемников на CdHgTe на спектр свертки для ряда отношений rjp0 размера приемника к характерному размеру р0 луча лазера, создающего тепловой источник излучения.

2. Решена теоретическая задача пространственной селекции объектов (пеленгация, измерение скорости) при сканировании изображения объекта в форме вытянутого эллипса кольцевым приемником. Показано, что импульсные сигналы приемника имеют особенности, которые дают возможность измерять угловые размеры объектов и составляющие V± и V\ скорости их движения относительно оси приемника. Разобран пример использования для этого приемников на InSb (АЯ = 3.5 мк) и CdxHgi хТе (АЛ = 8.12 мкм).

3. Решена теоретическая задача и предложен метод определения коэффициента температуропроводности а, в котором датчиком сигнала служит фотодиод, состоящий из двух центрированных кольцевых планарных/т-и-переходов. Получены соотношения, связывающие коэффициент, а с геометрическими параметрами переходов и моментами времени, соответствующими максимумам сигналов на них. Метод устраняет влияние излучательной способности s поверхности объекта на результаты измерений. Точность определения коэффициента, а не зависит от спектрального диапазона чувствительности фотодиода, от которого зависит только температурное разрешение метода максимальное в диапазоне 5. 12 мкм.

4. Решена теоретическая задача определения послойно коэффициента температуропроводности, а и толщины подповерхностных слоев d непрозрачных твердых тел из измерений разности фаз сигналов двух центрированных кольцевыхр-л-переходов фотодиодов, принимающих ИК излучение от концентрических тепловых волн на поверхности твердого тела, изменяющихся по гармоническому закону.

5. Решена теоретическая задача определения размеров дефектов £под непрозрачными поверхностными покрытиями по сдвигу фаз сигналов фотоприемника, имеющего два кольцевых р-п-перехода, принимающих ИК излучение поверхностной концентрической тепловой волны, возбуждаемой в исследуемом образце зондирующим малой мощности излучением, изменяющимся по гармоническому закону.

6. Решена теоретическая задача и предложен метод ИК дефектоскопии, в котором датчиком ИК излучения служит фотоприемник типа «сэндвич» на CdHgTe, чувствительный в двух спектральных диапазонах АХ = 2.5 мкм и ДЯг = 8. 14 мкм. В методе, после подачи на поверхность исследуемого непрозрачного материала короткого импульса лазерного излучения, синхронно и независимо регистрируются фотосигналы 1 и h и скорости их изменения в диапазонах АЛ и ДЯг от одной и той же тепловой зоны объекта, имеющего температуру Т< 685 К. Теплофизические параметры и глубину залегания дефектов определяют путем деления отношения (dlldx)ll диапазона ДА] на (dIjldT)IIj диапазона ДЯ2. Метод уменьшает влияние излучателъной способности объекта на результаты измерений, а также повышает инструментальную точность за счет исключения аппаратных функций обоих спектральных диапазонов.

7. Решена теоретическая задача и предложен метод ИК дефектоскопии, в котором датчиком ИК излучения служит фотоприемник типа «сэндвич» на CdHgTe, чувствительный в двух спектральных диапазонах ДЯ] - 2.5 мкм и ДЯг = 8. 14 мкм. В методе на исследуемый непрозрачный образец с поверхностным покрытием подаются короткие импульсы Ю-8 с) лазерного излучения с частотой Д модулированные по амплитуде с частотой су" Д и каналом ДЯг регистрируются (dh/dx) импульсов теплового излучения образца с частотой Д, а сигнал по каналу ДЯ1 от тепловой волны с частотой со демодулируется с последующей регистрацией разности фаз между тепловой волной и излучением лазера, и по (dl^dr), частоте сои сдвигу фаз определяется коэффициент температуропроводности покрытия образца а, его толщина И и размер тепловой неоднородности 6под ним.

8. Для системы, состоящей из лазера, эллипсоидального отражателя, линзы и ФПУ, применяемой для ИК дефектоскопии, предложена конструкция эллипсоидального отражателя и теоретически рассчитаны зависимости между параметрами системы и пороговой скоростью изменения фотосигнала dl/dx, принимаемого ФПУ от теплового источника, представляющего собой локально разогретую излучением лазера поверхность металлической пленки на изолирующей подложке.

Заключение

.

Решена научная проблема, включающая разработку технологии фотодиодов на кейновских узкозонных полупроводниках InSb, РЬТе и CdxHgixTe, установление критериев согласования параметров фотодиодов и оптико-электронных систем для оптимального обнаружения и пространственного разрешения тепловых объектов в ИК диапазонах 3. 5 и 8. 14 мкм, а также предложены, теоретически обоснованы и практически осуществлены новые методы измерения параметров тепловых объектов. Основные результаты работы сводятся к следующему.

1. Определены необходимые свойства исходных материалов InSb, РЬТе и CdxHgixTe и разработана технология изготовления фотодиодов с D* ограниченной фоном. Выявлены предельные температуры и смещения U, при которых у фотодиодов начинается падение/)*, а значит и ДГпор системы, из-за того, что тепловой шум становится сравним с фотонным. Для идеальных фотодиодов на InSb это температура Т" 140 К, а для экспериментальных не выше Т" 110 К и U не более -100. .150 мВ. Причем в диапазоне температур Т= 90. 100 KD* ограничена генерационными процессами в ОПЗ перехода, а оптимальный режим, режим ограничения фоном D*, начинается при Т< 90 К.

2. При исследованиях образцов w-CdHgTe была определена энергия уровней с глубиной £с — Et от 23 до 32 мэВ, авэтихжеобразцах/7-типа, после отжига, определена энергия уровнейEt-Ey в 32 и 48 мэВ. Кроме того, был впервые обнаружен глубокий уровень Е-Еу& 0.7Eg, связанный с неизвестной примесью, имеющей амфотерный характер. У фотодиодов на CdxHgixTe из измерений туннельного тока через «примесные» уровни в запрещенной зоне были отмечены мелкие уровни cEt-Ev = 8. 12 мэВ, создаваемые однозарядными вакансиями Ун8+ и связанные с зоной Еу, и глубокие уровни с Et=Еу + 0.6?g, связанные с зоной Ес. Выявлено, что они ведут себя как ловушки и слабо влияют на параметры фотодиодов. Рекомбинационными уровнями, сильнее влияющими на параметры фотодиодов, являются уровни с Et — Еу «36 мэВ. Среди этой группы уровней есть уровни с Et «Еу + 0.26Eg, т. е. связанные с зоной Ес, и есть не зависящие от Eg, следовательно от состава х CdxHgi. xTe, и, вероятнее всего, последние создают примесные атомы.

Теоретические расчеты и экспериментальные данные показали, что для достижения высоких значений т](Я) и Si (/l) фотодиодов на CdxHgixTe необходимо уменьшать/^ в/юбласти перехода. Однако на этом пути имеются принципиальные трудности технологического характера из-за особенностей синтеза и роста кристаллов CdHgTe, поэтому в настоящее время нет сообщений об изготовлении и±р-переходовнаCdxHgixTe (х" 0.20) ср< МО16см-3 (78К) иг> 0.7.

3. Разработаны в металлическом исполнении с оптимальными теплопритоками фотодиоды ФД-511−1, ФД-511−2, ФД-294−1 и ФД-294−2 на спектральные диапазоны 3.5 и 8. 12 мкм для эксплуатации в оптико-электронных системах. Фотодиоды отличаются высокой D*, повышенной механической и термической стойкостью. Разработан фотогальванический двухдиапазонный фотоприемник «Ядран» типа «сэндвич» структуры, у которого верхним является фотодиод на w-InSb с Л" = 5.3 мкми D* =2.310п смГц½Вт, а нижним-фотодиод на CdxHgi. xTe с 11.2 мкм и D =3.2Ю10 смТц½Вт-1.

4. Теоретически рассчитаны ЧКХ фотодиодов HaCdxHgi. xTec/LcoOT 1.8 до 18.0мкм, определены условия оптимального согласования размера г0 чувствительной площадки фотодиода с пятном рассеяния изображения точечного объекта. Показано, что фотодиоды ИК диапазона, искажая истинный контраст объекта, имеют ЧКХ, которая увеличивает весовую долю низкотемпературных участков объекта и занижает — высокотемпературных. Причем это искажение тем сильнее, чем меньше г0 и больше Ясо фотодиода.

5. Показано, что при наблюдении удаленных объектов в диапазоне 8. 14 мкм, когда происходит затухание излучения в атмосфере, для достижения минимальной Д Гпор тепловизионной системы в ней следует применять фотодиоды на CdxHgixTe с Л^ = 11 ±1 мкм, а для спектрального диапазона 3. 5 мкм фотодиоды с Л,*, = 4.0 ±0.1 мкм. Система с фотодиодом на CdxHgixTe с Л^ = 4.0 мкм дает улучшение ДГпор примерно в 2 раза по сравнению с системой с фотодиодом на InSb с Лео = 5.4 мкм и является оптимальной по ДГпор в диапазоне 3. 5 мкм.

6. Предложена и теоретически обоснована новая конструкция иммерсионного фотодиода на основе эпитаксиальной структуры CdxHg i хТе спектрального диапазона 8. 14 мкм, когда иммерсионная линза одновременно выполняет функцию длинноволнового фильтра с Л>= 8.0 мкм. В спектральном диапазоне 8. 14 мкм Д Гпор систем с иммерсионными фотодиодами имеет слабо выраженную зависимость от Лео в отличие от систем с фотодиодами без иммерсионных линз.

7. Предложены и теоретически обоснованы новые методы определения коэффициента температуропроводности, а твердых материалов, в которых датчиком сигнала служат фотодиоды в виде двух центрированных кольцевых планарных/>-и-переходов. Получены соотношения, связывающие коэффициент, а с геометрическими параметрами />-«-переходов и моментами времени, соответствующими максимумам сигналов на них. Решена теоретическая задача определения послойно коэффициента температуропроводности, а и толщины подповерхностных слоев d непрозрачных твердых тел из измерений разности фаз сигналов двух центрированных кольцевых/т-л-переходов фотодиодов, принимающих ИК излучение от концентрических тепловых волн на поверхности твердого тела, изменяющихся по гармоническому закону. Решена теоретическая задача определения размеров дефектов £под непрозрачными поверхностными покрытиями по сдвигу фаз сигналов фотоприемника, имеющего два кольцевых/>-и-перехода, принимающих ИК излучение поверхностной концентрической тепловой волны, возбуждаемой в исследуемом образце зондирующим малой мощности излучением, изменяющимся по гармоническому закону.

8. Предложены и теоретически обоснованы два новых метода ИК дефектоскопии, в которых датчиком ИК излучения служит фотоприемник типа «сэндвич» на CdHgTe, чувствительный в двух спектральных диапазонах ЛЯг = 3.5 мкм и АЛг = 8.12 мкм. В первом методе, после подачи на поверхность исследуемого непрозрачного образца короткого импульса лазерного излучения, синхронно и независимо регистрируются фотосигналы 1 и h и скорости их изменения в диапазонах АХ и АХг от одной и той же тепловой зоны объекта. Теплофизические параметры и глубину залегания дефектов определяют путем деления отношения (dlldx)ll диапазона АХ на (dli/dtyh диапазона АЛгМетод уменьшает влияние излучательной способности объекта на результаты измерений, а также повышает инструментальную точность за счет исключения аппаратных функций обоих спектральных диапазонов. Во втором методе на исследуемый непрозрачный образец с поверхностным покрытием подаются короткие импульсы Ю-8 с) лазерного излучения с частотой Д модулированные по амплитуде с частотой (о" Д и каналом АЛг регистрируются (dlj/dx) импульсов теплового излучения образца с частотой Д, а сигнал по каналу АЛ от тепловой волны с частотой ©-демодулируется с последующей регистрацией разности фаз между тепловой волной и излучением лазера, и noidl-JdT), частоте о>и сдвигу фаз определяется коэффициент температуропроводности покрытия образцам, его толщина/- и размер тепловой неоднородности 8 под ним.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Hurwitz С.Е., Donnelly J.P. Planar JnSb photodiodes fabricated by Be and Mg ion implantation//Solid-St. Electronics. -1975. -V.18, N 19. -P.753−756.
  2. Fiorito G., Gasparrini G., Svelto F. Properties of Hg implanted HgixCdxTe infrared detectors //J. Appl. Phys. -1978. -V.17, N 1. -P. 105−110.
  3. Benson R.G., Forrest W.J., Pipher J.L., Glaccum W.J. Spatial distributions of hole traps and image latency in InSb focal plane arrays //SPIE. -2000. V.4131. -P. 171−184.
  4. Nesher O., Elkind S., Adin A. A Digital Cooled InSb Detector for IR Detection //SPIE. -2003. -V.5074.-P. 120−129.
  5. L., Gordon N.T., Jones C.L. 4 цт cut-off MOVPE HgixCdxTe hybrid arrays with near BLIP performance at 180 К //SPIE. -2003. -V.5074. -P.185−190.
  6. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник. М.: Наука, 1979. -339 с.
  7. Iantsch W., Lopez-Otero A. Influence of lattice defects on the paraelectric behaviour of PbTe //Pros, of 13th Intern. Confer. Rome, Aug. 30 Sept. 3. -1978. -P.487.
  8. Ф.А., Исаев Ф. К., Бонакова JI M., Косогов O.B. Исследование влияния нейтронов на /T-w-переходы на основе InSb //Электронная техника. Сер. Материалы. -1985. -В. 1(200). -С.56−58.
  9. Kumar R, Dutt М.В., Nath R., Chauder R., Gupta S.C. Boron implantation p-type Hgo>8Cdo, 2Te //J. Appl. Phys. -1990. -V.68, N11. -P.5564−5566.
  10. Grnner M., Davis M., Devitt J., Rawe R., Wade D., Vollker J. State of the art in large format IR FPA development at CMC Electronics Cincinnati //SPIE. -2003. -V.5074. -P.60−71.
  11. Chu M., Gurgenian H.K., Mesropian S. Advanced HgCdTe Focal Plane Arrays //SPIE. -2003. -V.5074. -P. 103−110.
  12. Suffis S., Cals M., Tauvy M. Implementation and measurement of gamma radiation on IR photodetectors HgCdTe IRCMOS //SPIE. -2003. -V.5074. -P. 111−119.
  13. Turinov V.I. Optical and thermophysical parameters measurement using sandwich photodetectors //SPIE. -1993. -V.2161. -P. 153−157.
  14. E.B., Гапонов С. С., Туринов В. И. Автоматизированный комплекс многоспектральной ИК дефектоскопии //8-я Всесоюзн. н.-т. конф. «Фотометрия и ее метрологическое обеспечение». Москва, ВНИИОФИ, 26 30 ноября 1990 г. Тезисы. С. 114.
  15. С.С., Туринов В. И. К задаче измерения оптических и теплофизических констант образцов «сэндвич» приемниками ИК диапазона//18-я н.-т. конф. «Высокоскоростная фотография и фотоника». Москва, ВНИИОФИ, 26 27 ноября 1997 г. Тезисы. С.ЗО.
  16. С.С., Туринов В. И. Импульсно-модуляционный метод термографического контроля образцов с глубоко расположенными дефектами //Дефектоскопия. -1996. —В. 11. -С.71−77.
  17. Е.В., Гапонов С. С., Туринов В. И. Способ ИК-дефектоскопии //Патент РФ № 2 059 230, заявлен 27.11.92. Бюлл. № 12, 1996 г.
  18. С.С., Туринов В. И. Способ двухспектральной импульсно-частотной дефектоскопии //Патент РФ № 2 114 421, заявлен 31.05.96. Бюлл. № 18, 1998 г.
  19. Putly Е.Н. Topics in Applied Physics. Springer Verlag, Berlin and N.Y. 1980.
  20. Ravich L.E. Pyroelectric detectors and imaging //Laser Focus/Electro-Optics. -1986. -N 7. -P. 104−115.
  21. Bode D.E. Infrared detector technology today and tomorrow //Electro-Opt. Systems Des. -1976. -V.8, N 12. -P.42—46.
  22. Sclar N. Properties of doped silicon and germanium infrared detectors //Prog. Quant. Electr. -1984. -V.9, N 3. -P. 149−170.
  23. Pellegrini P.W., Shepherd F.D. The evolution of metal silicide Schottky barrier infrared focal plane detectors //SPIE. -1983. -V.409. -P.66−68.
  24. Kimuta M. u.a. A 512×512-Element PtSi Schottky-Barrier Infrared Imager Sensor //J. Solid-State Circuits. -1987. -V.22, N 6. -P. 1124−1129.
  25. Park J.S., Lin T.L., Jones E.W., Del Castillo H.M., George Т., Gunapala S.D. Long-wavelength stacked SiixGex/Si heterojunction internal photoemission infrared detectors //SPIE. -1993. -V. 2020. -P. 12−21.
  26. Riedling K., Qlcaytug F., Fallmann W. Alloyed planar diodes in indium antimonide //Electron. Lett. -1979. -V.15, N 18. -P.572−573.
  27. V.L. Пат. США, кл.148−186, N 3.554.818. Заявл. 25.04.68, опуб. 12.01.71.
  28. Koichi К., Akihiro Y., Water M. Properties of JnSb photodiodes fabricated by liquid phase epitaxy//Jap. J. Appl. Phys. -1976. -V.15, N 7. -P. 1329−1334.
  29. Rosbeck J.P., Kasai I., Hoendervoogt R.M., Lanir M. High performance Be+ implanted InSb photodiodes//IEDM. -1981. V.7. -P. 161−164.
  30. Foyt A G., Lindley W.T., Donnelly J.P. n-p Junction photodetectors in JnSb fabricated by proton bombardment //Appl. Phys. Lett. -1970. -V.16, N 9. -P.335−337.
  31. Protons are key to IR detector arrays //Elektronics. -1973. -V.46, N 9. -P.32, 34.
  32. Chang L.L. Junction delineation by anodic oxidation in JnSb (As, P) //Solid-St. Electronics. -1967. -V.10, N 2.-P.539−544.
  33. B.A., Гаврилов A.A., Качурин Г. А., Пусеп Ю. А., Смирнов JI.C. Электрические и фотоэлектрические свойства р-п-переходов на InSb, полученных внедрением ионов цинка с последующей диффузионной разгонкой//ФТП. -1978. -Т. 12, в. 11. -С.2106−2109.
  34. D.V. 3−5 цт single crystal РЬТе and PbxSni xTe detectors //Infr. Phys. -1976. -V.16, N 1. -P.47−50.
  35. Donnelly J.P., Harman T.C., Foyt A G., Lindley W.T. PbTe photodiodes fabricated by Sb+ ion implantation //J. Nonmetals. -1973. -V.l, N 2. -P. 123−128.
  36. Donnelly J.P., Harman T.C. As-Ion implanted lead telluride p-n junction photodiodes //Solid-St. Electr. -1975. -V.18, N 12. -P. 1144−1146.
  37. Logothetis E.M., Holloway H., Varga A.J., Johnson M.J. n-p Junction IR detectors made by proton bombadrment of epitaxial PbTe //Appl. Phys. Lett. -1972. -V.21, N 9. -P.411−413.
  38. Hadni A. Review on thermal infrared detectors //Chinese J. Infrared Research. -1986. -V.5,ser.B. -P. 1−16.
  39. Piroelectric infrared detectors //Electronic application news. -1982. N 7/8. -P.29−36.
  40. Tebo A.R. SPIE San Diego Preview: infrared technology and Cryogenic optical Systems //Laser Focus + Electro-Optics. -1988. -N 6. -P.94−95.
  41. Levine B.F., Bethea C.G., Choi K.K., Walker J., Malik R.J. Bound-to-extended state absorption GaAs superlattice transport infrared detectors //J. Appl. Phys. -1988. -V. 64, N 3. -P. 1591−1593.
  42. Melngailis I., Harman T.C. Semiconductors and Semimetals 5, ed. by R.K. Willardson and AC. Beer (Academic Press, N.Y. 1970) pp. 111−174.
  43. Lehmann C.H., Nimtz G., HassL.D., Jakobus T. Appl. Phys. -1981. -V.25. -P.291.
  44. Baars J., Sorger F. Solid State Commun. -1972. -V.10. -P.875.
  45. Shanley J.E., Flanagan C.T., Reine M.B. Elevated temperature n±p Hgo, 8Cdo, 2Te photodiodes for moderate bandwidth infrared heterodyne applications //SPIE. -1980. -V.227. -P. 117−122.
  46. Shanley J.E., Flanagan C.T. Wide bandwidth, high sensitivity Hgo^Cd^Te photodiodes for C02 laser applications //SPIE. -1980. -V.227. -P. 123−132.
  47. Л 49. Marine J., Motte C. Infrared photovoltaic detectors from ion-implanted CdxHgi-xTe //Appl.
  48. Phys. Lett. -1973. -V.23, N 8. -P.450−452.
  49. Mollmann K.-P., Bittner H., Heukenkamp H., Schubert B. Diffusion limited dark current in As-implanted (Hg, Cd) Te photodiodes /flnfr. Phys. -1991. -V.31, N 5. -P.49399.
  50. Igras E., Piotrowski J., Higersberger I.Z. Investigation of ion implanted graded gap (Cd, Hg) Te photodiodes //Electr. Technol. -1977. -V. 10, N 4. -P.63−70.
  51. R.G. <111> Randon and <110> channeled implantation profiles and range parameters in HgCdTe //J. Appl. Phys. -1988. -V.63, N11. -P.5302−5311.
  52. Foyt A G., Harman T.C., Donnelly J.P. Type conversion and n-p junction formation in Hgi. xCdxTe produced by proton bombardment //Appl. Phys. Lett. -1971. -V. 18, N 8. -P.321−323.
  53. Wang C.C. Mercury cadmium telluride junctions growth by liquid phase epitaxy //J. Vac. Sci. and Techn. B. -1991. -V.9, N 3. -P. 1740−1745.
  54. Fiorito G., Gasparrini G., Svelto F. Advance in Hg implanted Hgi. xCdxTe photovoltaic detectors //Infr. Phys. -1975. -V.15, N 4. -P.287−293
  55. Rosbeck J.P., Starr R E. Price S.L., Riley K.J. Backg-round and temperature dependent current-voltage characteristics of HgCdTe photodiodes //J. Appl. Phys. -1982. -V.53, N 9. -P.6430−6440.
  56. Shanley J.F., Flanagan C.T., Reine MB. Thermal diffusion current mechanisms in n±p-p Hgi. xCdxTe photodiodes //IEEE Int. El. Dev. Meet., Waschington. -1980. -P.501−507. -1980. -V.ED-27, N 1. -P.48−57.
  57. Briggs R.J., Marciniec J.W., Zimmerman P H., Sood A.K. Current mechanisms and 1/f noise ^ in 8−12 цт n+ on p (Hg, Cd) Te photodiodes /ЛЕЕЕ Int. El. Dev. Meet., Waschington. -1980. -V.2.1. P.496−500.
  58. Wong J. Y. Effect of trap tunneling on the performance of long-wavelength Hgi. xCdxTe photodiodes //IEEE Trans. El. Dev. -1980. -V.ED-27, N 1. -P.48−57.
  59. Rolls W.H. A Two-color infrared detector //Electro-Optical Systems Design. -1977. -V.9, N 11.-P.10−13.
  60. Lockwood A.H., Balon JR., Chia P. S., Renda F.J. Two-color detector arrays by PbTe/Pbo>8Snol2Te liquid phase epitaxy //Infr. Phys. -1976. -V.16, N 5. -P.509−514.
  61. Fiorito G., Gasparrini G., Svelto F. Multispectral HgixCdxTe photovoltaic detectors //Infr. Phys. -1976. -V.16, N 5. -P.531−534.
  62. Halpert H., Musicant B.L. N-Color (Hg, Cd) Te photodetectors //Appl. Optics. -1972. -V.ll, N 10. -P.2157−2161.
  63. А.Г., Комарницкая О. Б., Трунов А. П. Двухднапазонный тепловизор //Электронная промышленность. -1987. -В.8(166). -С.61−63.
  64. А.Г. Быстродействующий тепловизор ТВ-03 (БТВ-1) //Электронная промыш-Ш ленность.-1981.-В.З.-С.50.
  65. М.М. Теоретические основы оптико-электронных приборов. Л.: Машиностроение, 1983. -695 с.
  66. Якушенков Ю Г. Теория и расчет оптико-электронных приборов. М.: Логос, 1999. -480с.
  67. М.А. Фотоприемные устройства и ПЗС. М.: Радио и связь, 1992. -400 с.
  68. Дж. Системы тепловидения. М. Мир, 1978. -414 с.
  69. Л.Ф. Теория оптико-электронных приборов и систем. Ленинград. Машиностроение, 1980. -272 с.
  70. Г. Г., Панков Э. Д., Андреев А. Л., Полыциков Г. В. Источники и приемники излучения. С.-Пб.: Политехника, 1991. -240 с.
  71. П., Макглоулин Л. Ю. и Макквистан Р. Основы инфракрасной техники. М.: Военное издательство, 1964. -463 с.
  72. Sawyer D.E., Rediker R.H. Harrow base germanium photo-diodes //Proc. IRE. -1958. -V.48, N6.-P. 1122−1130.
  73. Van de Wiele F. Solid-State Imaging. Ser. E: Appl. Science, N 16. Hoordhoff-Leyden, 1976.-P.29.
  74. Wang S. Solid-State Electronics. N.Y.: McGraw-Hill, 1966. -P.300−308.
  75. В. К. Вентильный фотоэффект на р-п-переходе при произвольной функции генерации //ФТТ. -1961. -Т.З, в. 12. -С.3571−3580.
  76. Tandon J.C., Roulston D.J., Chamberlain S.G. Reverse-bias characteristics of a P-N-N pho-todiode //Solid-St. Electr. -1972. -V. 15, N 6. -P.669−685.
  77. B.M., Лисовский Ю Л. Диффузия электронов в постоянном электрическом поле с экспоненциально изменяющимися подвижностью и временем жизни //ФТТ. -1972. -Т. 14, в.8. -С.2416−2420.
  78. Levin B.J. Spot illumination of a semiconductor panel //Proc. IEEE. -1968. -V.56, N 7. -P.1230−1231.
  79. Mukheijee M.K., Das S.N. Two-dimensional analysis for response of a photodiode array //Solid-St. Electr. -1975. -V.18, N 7/8. -P.716−718.
  80. Holloway H. Theory of lateraly-collection photodiodes //J. Appl. Phys. -1978. -V.49, N 7. -P.4264—4269.
  81. Хотяинцев В Н., Андреев В. А., Кузнецов И. М., Берцов В. Б. О регистрации фотоприемником многомодового гауссова пучка//Оптика и спектроскопия. -1986. -Т.60, в.4. -С.852−855.
  82. М.Л., Орлов В. М. Об оптимальной форме фотоприемника //Оптика и спектроскопия. -1986. -Т.60, в.2. -С.404—406.
  83. М.Г. Гетеродинное детектирование в ИК-области спектра //ТИИЭР. -1968. -Т.56, № 1. -С.46−57.
  84. Melngalis I., Calawa A.R. Photovoltaic effect in PbxSni. xTe diodes //Appl. Phys. Letts. -1966. -V.9, N 10. -P.304−306.
  85. Dimmock J.O., Melngalis I., Strauss A.J. Band structure and laser action in PbxSni. xTe //Phys. Rev. Letts. -1966. -V. 16, N 6. -P. 1193−1196.
  86. Verie C., Ayas J. CdxHgi. xTe infrared photovoltaic detectors //Appl. Phys. Letts. -1967. -V.10, N 9. -P.241−243.
  87. Spears D.L. Planar HgCdTe quadrantal heterodyne arrays with GHz response at 10,6 цт //Infr. Phys. -1977. -V.17, N 1. -P.5−8.
  88. Coyester J.Y., Hofheimer H. Selecting HgCdTe photodiodes //Optical Spectra. -1978. -V.12, N11. -P.55−59.
  89. C., Sauer К. /ЛЕЕЕ Trans. Image Process. -1993. -V.2, N 3. -C.296−310.
  90. SundaramR., Ersoy O.K., HansenD. //Opt. Eng. -1995. -V.34, N 11. -C.3271−3276.
  91. В.И., Дедкова Н. Д. //Оптич. ж. -1994. 2. -С.20−23.
  92. Nordal Р.Е., Kanstad S.O. Photothermal radiometry //Physica Scripta. -1979. -V.20. -P.659 662.
  93. Leung W.P., Tarn A.C. Techniques of flash radiometry //J. Appl. Phys. -1984. -V.56, N 1. -P.153−161.
  94. Cielo P. Pulsed photothermal evaluation of layered materiales //J. Appl. Phys. -1984. -V.56, N 1. -P.230−234.
  95. Neale R. Laser methods for contactless testing //Electron. Eng. -1986. -V.58, N 719. -P.113−114, 117.
  96. Klein M.V. Optics. Wiley, NY.: 1970. -647 p.
  97. Shuman H. Contrast in confocal scanning microscopy with a finite detector //J. Microscopy. -1988. -V.149, N 1. -P.67−71.
  98. Lindberg P.J. A prisma line-scanner for high speed thermography //Optica Acta. -1966. -V. 15, N 1. -P.305−316.
  99. Jespers P.G., Van de Wiele F., White M.H. Solid state imaging. Noordhoff-Leyden, The Netherlands: 1976. -573 p.
  100. В.П., Ахмед Т., Джин Х. Д., Томас P.JI., Фавро Л. Д. Экспериментальная тепловая томография твердых тел при импульсном одностороннем нагреве //Дефектоскопия. -1990, № 12. -С.60−66.
  101. Бекешко Н А. Об интерпретации результатов теплового контроля при изменениях из-лучательной способности поверхности объекта контроля //Дефектоскопия. -1982, № 9. -С.32−34.
  102. Д.Я. Оптические методы измерения истинных температур, М.: 1982. -296 с.
  103. Обозрение электронной техники //Электроника. -1984. 4. -С.6.
  104. ЦНИИ Электроника//Экспресс-информация. -1988. -В. 60(4363).
  105. Chung Н.К., Rosenberg М.А., Zimmerman Р.Н. Origin of 1/f noise observed in Hgi. xCdxTe variable area photodiodes arrays //J. Vac. Sci. Technol. A. -1985. -V.3, N 1. -P. 189−191.
  106. S.P., Iwasa S., Tredwell T.J. 1/f Noise in (Hg, Cd) Te photodiodes //IEEE Trans. El. Dev. -1980. -V.ED-27, N 1. -P.43^18.
  107. Scott M.W. Energy gap in HgbxCdxTe by optical absorption //J. Appl. Phys. -1969. -V.40, N 10. -P.4077—4081.
  108. Finkman E., Nemirowski Y. Infrared optical absorption of HgxCdixTe //J. Appl. Phys. -1979. -V.50, N 6. -P.4356−4361.
  109. В.И. Квантовая эффективность фотодиодов на основе CdHgTe //Электронная техника. Cep.ll. Лазерная техника и оптоэлектроника. -1984. -Вып. 1(27). -С.88−98.
  110. В.И. Крутизна преобразования фотодиодов с кейновской зонной структурой //Радиотехника и электроника. -1990. -Т.35, в. 5. -С. 1073−1080.
  111. Капе Е.О. Band structure of indium antimonide //J. Phys. and Chem. Solids. -1957. -V.l, N 1. -P.249−261.
  112. Guldner Y., Rigaux C., Mycielski J., Couder Y. Magnetooptical investigation of Hgi xCdxTe mixed crystals //phys. stat. sol. (b). -1977. -V.82, N 1. -P. 149−158.
  113. Weiler M.H. Semiconductors and semimetals /Ed. By RWillardson and ABeer. -N.Y.: Academic, 1981. -V.18. -P. 119.
  114. Baars J., Sorger F. Restralen spectra of HgTe and CdxHgixTe //Solid-State Comm. -1972. -V.10, N 9. -P.875−878.
  115. Dingrong Q., Wenguo Т., Jie S., Junhao C., Guozhen Z. Infrared absorption in In-doped degenerate HgixCdxTe //Solid State Comm. -1985. -V. 56, N 9. -P.813−816.
  116. Mroczkowski J.A., Nelson D.A., Murosako R., Zimmermann P.H. Optical absorption edge inHgo.7Cdo.3Te //J. Vac. Sci. Technol. A. -1983. -V.l, N 3. -P. 1756−1760.
  117. A.C. Узлы и веса квадратурных формул. М.: 1964.
  118. Капе Е.О. J. Phys. Chem. Solids. -1956. -N.l. -P.83.
  119. Ван де Виле Ф. Квантовый выход фотодиода. Полупроводниковые формирователи сигналов изображения. Под ред. Йесперс П., Ван де Виле Ф., Уайт М. М., Мир. -1979. -С.573.
  120. И.М. Интерференция и дифракция света. Л., Машиностроение, 1974.
  121. Heavens O S. Optical properties of thin solid films. Buterworth, London and Washington.1955.
  122. Антимонид индия монокристаллический. Каталог. М., 1971.
  123. В.И. Разработка методов получения и исследование физических свойств особо чистого теллурида свинца. Диссертация к. т. н., МИСиС. -1977 г. с. 115.
  124. В.И., Дудко С. А., Коновалов С. А. Разработка методов и средств контроля параметров объемного и эпитаксиального материала кадмий-ртуть-теллур //Научно-техн. отчет № 798 411, НИР «Целостат». -1989 г. -С.30.
  125. Р.В., Кошелева В. И., Туринов В. И. Температурные и полевые зависимости постоянной Холла и удельного сопротивления на p-CdHgTe //Материалы УП Всесоюзного симпозиума, Львов. -1986 г. Тезисы. -С. 124−125.
  126. В.И., Туринов В. И. Исследование инвертирующих отжигов твердых растворов CdxHgi.xTe//Электронная техника. Сер.6. Материалы. -1987. -В.5(226). -С.76−78.
  127. Шевчун, Генкер, Ягер, Барбер, Томпсон. Управляемая ЭВМ, автоматическая система измерения проводимости и эффекта Холла в полупроводниковых образцах //Приборы для научных исследований. -1971. -№ 2. -С. 1797−1807.
  128. Н.П., Потапов В. Ф., и др. Автоматизированный комплекс для определения электрофизических параметров полупроводниковых структур //Приборы и техника эксперимента. -1986.-№ 2. -С.238.
  129. В.И. Автоматизация измерений электрофизических параметров полупроводников //Электронная техника. Сер.1. СВЧ электроника. -1991. -В.1(445). -С.30−32.
  130. Schmit J.L. and Stelzer E, L. Temperature and alloy compositional dependences of the energy gap ofHgi. xCdxTe //J. Appl. Phys. -1969. -V.40, N 12. -P.4865869.
  131. В.И. Импульсный метод измерения времени жизни носителей тока //10-я н -т. конф. «Фотометрия и ее метрологическое обеспечение». Москва, ВНИИОФИ, 29 30 ноября 1994. Тезисы. С. 38.
  132. О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и Y групп. М.: Мир, 1967. -477 с.
  133. В.И. Разработка двухдиапазонного фотоприемника для тепловизора. (НИР «Дцран»). Н.-т. отчет № 20−5984. 1980 г. С. 28.
  134. Блаут-Блачев А.Н., ИвлеваВ.С., Коротин В. Г., Кривоногое С. Н., Селянина В Н., Сме-танникова Ю. С. Особенности рекомбинационных процессов в n-InSb //ФТП. -1975. -Т.9, в. 11.-С.2176−2178.
  135. Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. М. Высшая школа, 1975. -206 с.
  136. И.Н., Литвак-Горская Л.Б., Луговая Г. Я., Хлыстовская М. Д. Влияние компенсации на энергию ионизации многозарядных примесей в p-InSb //ФТП. -1977. -Т. 11, в. 6. -С. 1125−1130.
  137. Н.Г. Проводимость сильно компенсированного n-InSb при низких температурах //ФТП. -1975. -Т.9, в. 5. -С.840−846.
  138. Ismailov I.M., Nasledov D.N., Smetannikova Ju.S., Felitsiant V.R. Phys. St. Sol. -1969. -V.36. -P.747.
  139. Ю.И., Ефимова Б. А., Смирнов И. А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам PbTe PbSe и PbS. М. Наука, 1968. -383 с.
  140. М.Н., Тамарченко В. И., Прокофьева JIB. Параметры сложной валентной зоны и особенности проводимости в р-РЬТе //ФТП. -1975. -Т.9, в. 3. -С.483-^87.
  141. П.М., Акименко Н. И. О температурной зависимости подвижности носителей в РЬТе р-типа //УФЖ. -1970. -Т. 15, в. 2. -С.340−342.
  142. Shogenji К, Uchiyama S. On electrical resestivity and Hall coefficient of PbTe crystals //J. Phys. Soc. Japan. -1957. -V.12, N 3. -P.252−258.
  143. И.А., Мойжес Б. Я., Ненсберг Е. Д. Об эффективной массе носителей тока в селенистом свинце//ФТТ. -1960. -Т.2, в. 8. -С. 1992−2004.
  144. Syllaios A.J., Williams M.J. Conductivity type conversion in (Hg, Cd) Te //J. Vac. Sci. Tech-nol. -1982. -V.21, N 1. -P.201−204.
  145. Techn. -1981. -V.128, N 12. -P.2609−2619.
  146. Schaake H.F., Tregilgas J.H., Beck J.D., Kinch M.A., Gnade B E. The effect of low temperature annealing on defects, impurities and electrical properties of (Hg, Cd) Te //J. Vac. Sci. Technol. A. -1985. -V.3, N 1. -P. 143−149.
  147. Berding M.A., Sher A., Chen A.-B. Vacancy formation energies in II-YI semiconductors //J. Vac. Sci. and Technol. -1987. -V.A5, № 5. -P.3009−3013.
  148. А.И., Курбанов K.P., Берченко H.H., Евстигнеев А. И. Особенности образования электрически активных дефектов в халькогенидах ртути //Электронная техника. Сер.6. Материалы. -1983. -В.5(178). -С.74−76.
  149. Scott W. Electron mobility in Hgi. xCdxTe //J. Appl. Phys. -1972. -V.43, N 3. -P.10 551 062.
  150. Dubowski J.J., Dietl Т., Szymanska W., Galazka R.R. Electron scattering in CdxHgbxTe //J. Phys. Chem. Solids. -1981. -V.42, N 5. -P.351−362.
  151. Brebrick R.F., Schwartz J.P. Defect analysis of (Hgo.eCdo.^i-yTey //J. of Electr. Mat. -1980. ¦ -V.9, № 3. -P.485−497.
  152. Schmit J.L. Intrinsic carrier concentration of Hgi. xCdxTe as a function of x and Г using kp calculations //J. Appl, Phys. -1970. -V.41, N 7. -P.2876−2879.
  153. Hansen G.L. and Schmit J.L. Calculation of intrinsic carrier concentration in Hgi. xCdxTe //J.
  154. Appl. Phys. -1983. -V.54, N 3. -P. 1639−1640.
  155. JI. А., Савченко Ю. Н., Стафеев В. И. Гальваномагнитные явления в узкозонных твердых растворах CdxHgi.xTe //ФТП. -1975. -Т.9, в. 11. -С.2084−2090.
  156. Д.В., Пономаренко В. П., Бовина Л. А., Стафеев В. И., Курбанов К. Р. Электрофизические свойства микрокристаллов CdxHgi.xTe с х = 0,3 //ФТП. -1981. -Т. 15, в. 7. -С. 1293−1295.
  157. Л.А., Любченко А. В., Маловичко Э. А. Особенности магнитополевых зависимостей кинетических коэффициентов в двухслойных структурах CdxHgi.xTe //ФТП. -1992. -Т.26, в. 3. -С.535−538.
  158. Л.А., Савченко Ю. Н., Стафеев В. И. Гальваномагнитные явления в узкозонных CdxHgi.xTe при гелиевых температурах//ФТП. -1975. -Т.9, в. 1. -С.26−31.
  159. А.И., Иванов-Омский В.И., Корнияш А. А., Петряков В. А. К вопросу об аномалиях кинетических коэффициентов в CdxHgi. xTe при низких температурах //ФТП. -1984. -Т. 18, в. 2. -С.201−205.
  160. А.И., Гаврилюк Ю. Н., Любченко А. В., Сальков Е. А. Рекомбинация носителей в кристаллах CdxHgi.xTe в области примесной проводимости //ФТП. -1979. -Т. 13, № 11.щ С.2180−2184.
  161. J. //Cryst. Growth. -1977. -V.37, № 1. -P. 107−115.
  162. Ю.С., Эфрос, А Л. Электронные свойства компенсированных полупроводников с коррелированным распределением примесей //ФТП. -1972. -Т.6, в. 9. -С. 1081−1085.
  163. Kinch М.А., Brau M.J., Simmons A. Recombination mechanisms in 8−14 pm HgCdTe //J. Appl. Phys. -1973. -V.44, N 4. -P. 1649−1663.
  164. Pratt R.G., Hewett J., Capper P., Jones C.L., Jubb N. Minority-carrier lifetime in doped and undoped n-type CdxHgi. xTe //J. Appl. Phys. -1986. -V.60, N 7. -P.2377−2385.
  165. Lacklison D.E., Capper P. Minority carrier lifetime in doped and undoped p-type CdxHgi. xTe//Semicond. Sci. Technol. -1987. -V.2, N 1. -P. 33−43.
  166. Polla D.L., Tobin S.R., Reine M.B., Sood. A.K. Experimental determination of minority-carrier lifetime and recombination mechanisms in p-type Hgi. xCdxTe //J. Appl. Phys. -1981. -V.52, N 8. -P. 5182−5194.
  167. Kinch M.A. Electronics properties of HgCdTe //J. Vac. Sci. Technol. -1982. -V. 21, N 1. -P.215−219.• 169. Mollmann K.-P., Bittner H., Heukenkamp H., Schubert B. Diffusion limited dark current in
  168. As-implanted (Hg, Cd) Te photodiodes//Infr. Phys. -1991. -V.31, N 5. -P.49399.
  169. Whelan M.V. Graphical relations between surface parameters of silicon, to be used in connection with MOS-capacitance measurements //Philips Research Reports. -1965. -V.20, N 5. -P.620
  170. Carter D.L., Kinch M.A., Buss D.D. Optical phonons and dielectric constant in Hgi. xCdxTe //J. Phys. Chem. Solids. Suppl 1. -1971. -V.32. -P.273−277.
  171. Nemirovsky Y., Bahir G. Passivation of mercury cadmium telluride surfaces 111. Vac. Sci. Technol. A. -1989. -V.7, N 2. -P.450−459.
  172. Campbell A., Hayman C. Manufacturing Aspects ofZinc Sulphide //SPIE. -1988. -V.915. -P. 79−83.
  173. Janousek B.K., Carscallen R.C., Bertran P.A. Passivation properties and interfacial chemistry of photochemically deposited Si02 on Hgo, 7oCdo, 3oTe //J. Vac. Sci. Technol. A. -1983. -V.l, N 3. -P. 1723−1725.
  174. Wilson J.A., Cotton V.A. Electrical properties of Si02: HgCdTe interface 111. Vac. Sci. Technol. A. -1985. -V.3, N 1. -P. 199−202.
  175. Nemirovsky Y., Burstein L., Kidron I. Interface of p-typy HgixCdxTe passivated with native sulfides 111. Appl. Phys. -1985. -V.58, N 1. -P.366−373.
  176. В.И., Замахина JI.H., Кошелева В. И., Слипенко Н А. Разработка тепловизи-онного фотодиода с граничной длиной волны Хм = 8−14 мкм //Н.-т. отчет № 115−7905. ОКР. -1987 г. -С. 52. (ОКР «Цезий»).
  177. В.И. Исследование искажения формы одиночных лазерных импульсов фотоприемниками ИК диапазона //10-я н.-т. конф. «Фотометрия и ее метрологическое обеспечение». Москва, ВНИИОФИ, 29−30 ноября 1994. Тезисы. С. 36.
  178. В.И., Дудинов В. А., Замахина Л. А. Разработка и внедрение в производство фотоприемников повышенной надежности в металлокерамическом исполнении для тепловизоров //(ОКР № 3530). Н.-т. отчет № 81−6278. -1981 г. -С.41.
  179. В.И., Дудинов В. А. Разработка фотодиода на антимониде индия для тепловизора //(ОКР «Цикада»). Н.-т. отчет № 250−7393. -1985 г. -С.40.
  180. А.Б. Эллипсометрическое исследование антимонида индия, облученного ионами средних энергий //ФТП. -1979. -Т. 13, в.9. -С. 1846−1848.
  181. В.А., Качурин Г. А., Смирнов Л. С. Диффузия цинка из имплантированных слоев антимонида индия //ФТП. -1978. -Т. 12, в.5. -С.878−880.
  182. А.Б., Миркин Л. И., Тихонов В. Г. Исследование изотермического отжигаантимонида индия, облученного ионами средних энергий //ФТП. -1979. -Т. 13, в.4. -С.645−648.
  183. В.А., Качурин Г. А., Смирнов Л. С. Внедрение ионов в антимонид индия при повышенных температурах//ФТП. -1978. -Т. 12, в.1. -С. 102−104.
  184. О.В., Перевязкин Л. С. Электрические свойства эпитаксиальных п±р-переходов в антимониде индия //ФТП. -1970. -Т.5, в.8. -С.1611−1614.
  185. В.И. Влияние сопротивления толщи полупроводника на вид вольт-амперной характеристики диода//ЖТФ. -1958. -Т.28, в. 8. -С.1631−1641.
  186. В.И. Параметры фотодиодных линеек на InSb при повышенных температурах //9-я н.-т. конф. «Фотометрия и ее метрологическое обеспечение». Москва, ВНИИОФИ. 1992, 24 26 ноября. Тезисы. С. 43.
  187. Е.Б. Наведенный электронным пучком ток и его использование для характе-ризации полупроводниковых структур //Изв. РАН, сер.физ. -1992. -Т.56, в. 3. -С.31-^4.
  188. Bloom I., Nemirovsky Y. IEEE Trans. El. Dev. -1991. -V.38. -P.1792.
  189. Iohnson M R., Chapman R.A., Wrobel J.S. Detectivity limits for diffused junction PbSnTe detectors /Лпй". Phys. -1975. -V.15, N 4. -P.317−329.
  190. Heinrich H., Huber W., Lischka K. et al. Minority-carrier lifetime and optical properties of PbTe epitaxial and implanted diodes //J. Vac. Sci. and Technol. -1976. -V.13, N 4. -P.919.
  191. Lischka K, Huber W. Carrier recombination and deep levels in PbTe //Solid-State Electr. -1978. -V.21,N 11/12. -P.1509−1512.
  192. Kanai Y., Chohno K. Dielectric constant of PbTe //Japan J. Appl. Phys. -1963. -V.2, N 1.1. P.6−10.
  193. Day N.M., Macpherson AC. P-N junctions in lead telluride //Proc. IEEE. -1963. -V.51, N 10.-P. 1362−1363.
  194. Lischka K., Huber W. Auger recombination in PbTe //J. Appl. Phys. -1977. -V.48, N 6. -P.2632−2633.
  195. Shockley W. The theory of p-n junctions in semiconductors and p-n junction transistors //Bell Syst. Techn. J. -1949. -V.28, N 3. -P.435−489.
  196. Shockley W., Read W.T. Statistics of the recombination of holes and electrons //Phys. Rev. -1952. -V.87, N 5. -P.835−842.
  197. Sah S.T., Noyce R.N., Shockley W. Carrier generation and recombination in P-N junction characteristics //Proc. IRE. -1957. -V.45, N 9. -P. 1228−1243.
  198. Chakraborty P.K. A study of the effect interband tunneling current on the R<, A product of Hgi. xCdxTe photodiodes//Solid-State Electron. -1991. -V.34, N 6. -P.665−666.
  199. Nemirovsky Y., Bloom I. Tunneling current in reverse biased HgxCdixTe photodiodes /Лпй Phys. -1987.-V.27, N 3. -P. 143−151.
  200. Sah C.T. Phys. Rev. -1961. -V.123. -P.1594.
  201. Inkson J.C. An investigation of inversion layer induced leakage current in abrupt p-n junctions. //Solid-St. Electr. -1970. -V.13, N 8. -P. 1167−1174.
  202. Cutler M., Bath H.M. Surface leakage current in silicon fused junction diodes //Proc. IRE. -1957. -V.45, N 1. -P.39−43.
  203. Statz H., De Mars G.A., Devis H., Adams A. Surface states on silicon and germanium surface //Phys. Rev. -1956. -V.101, N 4. -P.1272−1281.
  204. В.И. Исследование электрических характеристик переходов на CdHgTe //Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. -1990. -В.8. -С.3−5.
  205. Schaake H.F., Tregilgas J.H., Lewis A.J., Everett P.M. Lattice defects in (Hg, Cd) Te: investigation of their nature and evolution //J. Vac. Sci. and Technol. -1983. -V.A1, N 3. -P.1625−1630.
  206. Легирование полупроводников ионным внедрением. Сб. ст. под ред. B.C. Вавилова и В. М. Гусева. М.: Мир. -1971. -С.532.
  207. Fastow R, Nemirovsky Y. The excess carrier lifetime in vacancy- and impurity-doped HgCdTe //J. Vac. Sci. Technol. A. -1990. -V.8, N 2. -P. 1245−1250.
  208. Finkman E., Nemirovsky Y. Electrical properties of shallow levels in /?-type HgCdTe.//J. Appl. Phys. -1986. -V.59, N4. -P. 1205−1211.
  209. Schlicht В., Alpsancar A., Nimtz G., Schroeder N.F. Proceedings of the 4th International Conference on Physics of Narrow-Gap Semiconductors, Linz 1981 (Springer, Berlin, 1981), p.439.
  210. Polla D.L., Jones C.E. Deep level studius of Hgi.xCdxTe. I: Narrow-band-gap space-charge spectrocsopy //J. Appl. Phys. -1981. -V.52, N 8. -P.5118−5131.
  211. Polla D.L., Reine M.B., Jones C.E. Deep level studius of Hgi.xCdxTe.II: Correlation with photodiode performance //J. Appl. Phys. -1981. -V.52, N 8. -P.5132−5138.
  212. Jones C.E., Nair V., Polla D.L. Generation-recombination centers in p-type Hgi. xCdxTe //Appl. Phys. -1981. -V.39, N 3. -P.248−250.
  213. Polla D.L., Reine M B., Sood A.K., Lovecchie P., Jones C.E., Scott M.W. Measurement of space charge generation-recombination current in Hgi. xCdxTe photodiodes by deep level transient spectroscopy //Solid-St. Electr. -1981. -V.24, N 8. -P.719−723.
  214. Polla D.L., Jones C.E. Deep level transient spectroscopy in Hgi. xCdxTe //Solid St. Comm. -1980. -V.36, N 9. -P.809−812
  215. Polla D.L., Jones C.E. Admittance spectroscopy of deep levels in Hgi. xCdxTe //J. Appl.
  216. Phys. -1980. -V.51, N 12. -P.6233−6237.
  217. OverhofH. Phys. Stat. Sol. (b) -1971. -V.43, N 1. -P.315.
  218. Kinch M.A., Buss D.D. Far infrared cyclotron resonance in Hgi. xCdxTe //J. Phys. Chem. Solids. Suppl 1. -1971. -V.32. -P.461−469.
  219. Pines M.Y., Stafsudd O.M. Recombination processes in intrinsic semiconductors using impact ionization capture cross sections in indium antimonide and mercury cadmium telluride //Infr. Phys. -1979. -V.20, N 2. -P.73−91.
  220. Cotton V.A., Wilson J.A., Jones C.E. Deep electron traps near the passivated interface of HgCdTe //J. Appl. Phys. -1985. -V.58, N 6. -P.2208−2211.
  221. В.И. Динамическое сопротивление фотодиодов на твердых растворах CdHgTe //Электронная техника. Cep.ll. Лазерная техника и оптоэлектроника. -1989. -В.4(52). -С.61−65.
  222. В.И. Электрофизические свойства твердых растворов CdxHgi.xTe и фотоэлектрические параметры фотодиодов на их основе //Обзоры по электронной технике. Сер.1. СВЧ-Техника. -1992. -В. 16(1687). -91 с.
  223. Casselman T.N. Calculation of auger lifetime in p-type Hgi. xCdxTe //J. Appl, Phys. -1981. -V.52, N 2. -P.848−854.
  224. В.И. Исследование емкостных характеристик п±р-переходов на твердых растворах CdHgTe //Электронная техника. Сер. 1. СВЧ Электроника. -1992. -В.2(446). -С. 14−16.
  225. Kennedy D.P. A Mathematical study of space-charge layer capacitance for an abrupt p-n semiconductor junction//Solid-St. Electr. -1977. -V.20, N 1. -P.311−319.
  226. А.Г., Пархоменко B.H., Туринов В. И. и др. Разработка тепловизора с многофункциональным видеоконтрольным устройством //Н.-т. отчет № 50−7555. -1986 г. -С.50.
  227. А.Г., Глазунов Ю. А., Малицкая Н А., Пархоменко В В., Трунов А. П. Модернизированный тепловизор ТВ-03 //Электронная промышленность. -1987. -В.8(166). -С.62−63.
  228. В.В., Наследов Д. Н., Филипченко, А С. Исследование механизма рассеяния электронов в чистых и легированных кристаллах InSb //ФТТ. -1964. -Т.6, в. 9. -С.2683−2688.
  229. Filipchenko A.S., Bolshakov L.P. Mobility of holes in p-lnSb crystals //phys. stat. sol.(b). -1976. -V.77, N 1. -P.53−58.
  230. Zitter R.N., Strauss A.S., Attard A.E. Recombination processes in p-type indium antimonide //Phys. Rev. -1959. -V.l 15, N 2. -P.266−273.
  231. Pines M.Y., Stafsudd O.M. Characteristics of n-type InSb //Infr. Phys. -1979. -V.19, N 5. -P.563−569.
  232. В. И. Температурная зависимость обнаружительной способности фотодиодов на антимониде индия //Электронная техника. Сер. 11. Лазерная техника и оптоэлектроника.1985. -В.2(33). -С.90−92.
  233. Bailey G.C., Niblack С.А., Wimmers J.T. SPIE. -1986. -V.686 -P.76.
  234. Исмаилов И М. и др. Примесная фотопроводимость антимонида индия при низких температурах//ФТП. -1968. -Т.2, в. 6. -С.901−903.
  235. Engeler W. Photoconductivity in p-type indium antimonide with deep acceptor impurities //J. Phys. Chem. Solids. -1961. -V.22, N 12. -P.249−254.
  236. Gibson A.F., Kent M.J., Kimmitt M.F. Photoconductivity in indium antimonide at 10,6 цт wavelength//Brit. J. Appl. Phys. (J. Phys. D). -1968. Ser.2, V. l, N 2. -P. 149−154.
  237. A.M., Патрин А. А., Рыбкин C.M., Ярошевский И. Д. О влиянии индуцированного поглощения свободными носителями на двухфотонную фотопроводимость в полупроводниках//Ж. экспер. итеорет. физики. -1969. -Т.56, в. 5. -С. 1457−1462.
  238. В.И. Тепловизионные приемники диапазона 8. 14 мкм //Электронная техника. Cep.ll. Лазерная техника и оптоэлектроника. -1988. -В.3(47). -С.83−86.
  239. Fiorito G., Gasparrini G., Svelto F. Hg-Implanted Hgi. xCdxTe infrared photovoltaic detectors in the 8- to 14 pm range //Appl. Phys. Lett. -1973. -V.23, N 8. -P.448−449.
  240. Polla D.L., Sood A.K. Schottky barrier photodiodes in Hgi. xCdxTe //IEEE, Int. El. Dev. Meet., Washington. -1978. -V.3. -P. 41920.
  241. Л.В., Туринов В. И., Шлемский А. А. Способ изготовления гибридных фотодиодных матриц на InSb //Электронная техника. Сер.1. СВЧ-Техника. -1994. -В.2(462). -С.51−63.
  242. Hoendervoogt R.M., Kormos К.A., Rosbeck J.P. et. al. Hybrid focal plane array fabrication //IEEE. Int. Electr. Dev. Meet. Washington. -1978. -V.3. -P.510−512.
  243. Fowler A.M., Probst R. G, Britt J.P. et. al. Evaluation of an indium antimonide hybrid focal plane array for ground-based infrared astronomy //Opt. Engineer. -1987. -V.26, N 3. -P.232−240.
  244. В.И. Способ изготовления гибридной фотодиодной матрицы на антимониде индия. Патент РФ № 2 069 028, заявл.21.03.98- Бюлл. 31, 1996 г.
  245. А. Л. Оптические методы в информатике. 1990. -М.: Наука. -232 с.
  246. В.И. Фотогальванические многоцветные приемники инфракрасного диапазона //Электронная техника. Сер.11. Лазерная техника и оптоэлектроника. -1984. -В.5(31). -С.91−101.
  247. В.И. Амплитудные и фазовые спектры «сэндвич» приемников ИК диапазонас транспарантами //Оптический журнал. -1998. -Т.65, № 4. -С.56−59.
  248. В.И. Пространственно-частотные спектры «сэндвич» фотоприемников ИК диапазона //11-я н.-т. конф. «Фотометрия и ее метрологическое обеспечение». Москва, ВНИИОФИ, 17- 19 декабря 1996. Тезисы. С. 20.
  249. В.И. Фотометрирование толщи атмосферы в ИК диапазоне системой с «сэндвич» фотоприемником //11-я н.-т. конф. «Фотометрия и ее метрологическое обеспечение». Москва, ВНИИОФИ, 17−19 декабря 1996. Тезисы. С. 19.
  250. В.И. Фазовые спектры «сэндвич» приемников ИК диапазона с транспарантами Френеля //18-я н.-т. конф. «Высокоскоростная фотография и фотоника». Москва, ВНИИОФИ, 26 27 ноября 1997. Тезисы. С. 31.
  251. А. Теория систем и преобразований в оптике. М.: МИР, 1971. —495 с.
  252. В.Е. Прозрачность атмосферы для видимых и инфракрасных лучей. М.: Советское радио, 1966. 318 с. 257. «Detectors» //Laser Fokus. -1980. -N 40. -P.50−70.
  253. At-a-glace guide to infrared detectors //Photonics Spectra. -1985. -N 7. -P.83−92.
  254. Infrared katalog //Oriel Corporation, USA, 1985.
  255. В.И. Фотодиоды на антимониде индия для тепловизионных систем //Электронная промышленность. -1987. -В.8. -С.41−42.
  256. Справочник по физико-техническим основам криогеники. Под ред. Малкова М. П. М.: Энергоатомиздат, 1985. С. 432.
  257. С. Математическая статистика. М.: Наука, 1977. С. 831.
  258. В.И. О стабильности параметров изделий ФД-511 и ФД-294 // Электронная техника. Сер.8. Управление качеством, стандартизация, метрология, испытания. -1989. -В.4(136). -С.70−72.
  259. В.И. Оптическая передаточная функция фотодиодов ИК-диапазона с кейнов-ской зонной структурой//Оптика и спектроскопия. -1989. -Т.66, в.4. -С.868−873.
  260. В.И. Фотодиоды на CdHgTe в составе оптико-электронных систем. Обзоры по электронной технике//СВЧ-Техника. Сер.1. -1994. -В.5(1703). 38 с.
  261. Wise G.H. Wide bandwidth HgCdTe photomixers //EASCON-76, Rec., Washington, D C, 1976, N.Y., P.152a-152b.
  262. В.И. Частотно-контрастная характеристика фотодиодов среднего ИК диапазона //8-я Всесоюз. н.-т. конф. «Фотометрия и ее метрологическое обеспечение». Москва, ВНИИОФИ, 26 30 ноября 1990. Тезисы. С. 127.
  263. Shanley J.E., Perry L.C. Wide bandwidth 10,6 |im (Hg, Cd) Te photodiodes for infrared heterodyne applications //IEEE Int. El. Dev. Meet., Washington, 1978. -P.424−429.
  264. В.И. Функция рассеяния интенсивности у иммерсионных приемников ИК диапазона //17-я н.-т. конф. «Высокоскоростная фотография и фотоника». Москва, ВНИИОФИ, 29 30 ноября 1995. Тезисы. С. 30.
  265. Spears D.L. Wide-bandwidth С02 laser photomixers //SPIE. C02 laser devices and applications. -1980. -V.227. -P. 108−116.
  266. Spears D.L. Theory and status of high performance heterodyne detectors //SPIE. Physics and Technology of coherent infrared radar. -1981. -V.300. -P.174−184.
  267. В.И. Фотодиоды на CdHgTe для гетеродинного детектирования на С02-лазере //Электронная техника. Cep.ll. Лазерная техника и оптоэлектроника. -1989. -В.4(52). -С.57−61.
  268. Sirieix М. Application aux telecommunications, а 10,6 pm // These Doct.-ing Fac. Sci. Or-say Univ. Paris, 1971.
  269. Landsberg P.T. An introduction to the theory of photovoltaic cells //Solid-St. Electronics. -1975. -V.18, N 12. -P. 1043−1052.
  270. П.В., Туринов В. И. Шумовые характеристики фотодиодов на CdxHgi.xTe на высоких частотах //10-я н.-т. конф. «Фотометрия и ее метрологическое обеспечение». Москва, ВНИИОФИ, 29 30 ноября 1994. Тезисы. С. 39.
  271. Piotrowski J., Piotrowski Т. Thermal figure of merit M limit for (CdHg)Te photoconductive detectors /Яnfr. Phys. -1978. -V.18, N 1. -P.309−314.
  272. Piotrowski J., Piotrowski T. Detection of thermal radiation by 77−300 К (CdHg)Te detectors //Optica Applicata. -1979. -V.IX, N 1. -P.7−13.
  273. Elliot C.T., Jervis M.H., Phillips J.B. Sensitivity limits for HgUxCdxTe photoconductivite detectors operated at temperature above 190 К //Conf. CNRS, Nice 10−12 September, 1973.
  274. В.И. Пороговая разность температур оптико-электронной системы с фотодиодами на CdHgTe //Электронная техника. Cep. l 1. Лазерная техника и оптоэлектроника. -1987. -В.1(41). -С.51−58.
  275. В.И. Оптимизация фотодиодов на CdHgTe по пороговой разности температур оптико-электронной системы //Электроника СВЧ. Сер.1. -1987. -В.8. -С.28−31.
  276. Kolodny A., Kidron J. Properties of the implanted p-n-junctions in HgCdTe //IEEE Trans. Eleotr. Dev. -1980. -V.ED-27, N 1. -P.372.
  277. Von Dittmar G., Plotner M., Kostka S., Neumann E. Gestaltung Leistungs Faniger CdxHgi. xTe-Infrarotdioden //Experimentelle Technik der Physik. -1986. -B.34, H.I. -S.27−35.
  278. P. Инфракрасные системы. M.: Мир, 1972.
  279. Passman S., Larmore L. Atmospheric Transmission, Rand Paper P-897, Rand Corporation Santa Monica, 1956.
  280. В.И. Пороговая разность температур оптико-электронной системы с фотодиодами на CdHgTe для атмосферных окон 3,0. 5,0 мкм и 8.14 мкм //Электронная техника. Сер. 11. Лазерная техника и оптоэлектроника. -1987. -В.2(42). -С.58−63.
  281. В.И. Фотодиоды на CdHgTe с охлаждаемыми коротковолновыми фильтрами //Электронная техника. Cep.ll. Лазерная техника и оптоэлектроника. -1988. -В.3(47). -С.86−91.
  282. Ryssel Н., Bang G., Biersack J.P., Muller К., Kruger W. Ion implantation doping of CdxHgi. xTe for infrared detectors //IEEE Trans. Electron Dev. -1980. -V.27, N 1. -P.58−62.
  283. Fiorito G., Gasparrini G., Svelto F. P-n junction characteristics and ultimate performances of high quality 8−14 pm Hgi. xCdxTe implanted photodetectors //Infr. Phys. -1977. -V.l7, N 1. -P.25−31.
  284. В.И. Анализ параметров фотоприемных устройств с фотодиодами на CdHgTe//Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника-1989. -В.4(133). -С.67−69.
  285. Plotner М., Neumann Е. Herstellung und Anwendungseigenschaften Gekulter Fotodioden aus CdxHgi. xTe //Feingeretatechnik, Berlin. -1985. -B.34, N 3. -S. 116−117.
  286. Gupta S C., Sharma W.L., Agashe V.V. Comparison of Schottky barrier and diffused junction infrared detectors //Infr. Phys. -1979. -V. 19, N 5. -P.545−548.
  287. Jones R.S. Immersed radiation detectors //Appl. Optics. -1962. -V.l, N 5. -P.607−613.
  288. Carmichael I.C., Dean A.B., Wilson D.J. Optical immersion of a cryogenically cooled 77 К photoconductive CdHgTe detector //2-nd Int. Conf. Advanced infrared detectors and systems, Copyright Controller, HMSO, London, 1983. -P.45−48.
  289. Turinov V.I. Immersed photodiodes for IR range from 8 to 14 pm //SPIE. -1993. -V.2161. -P.82−89.
  290. В.И. Иммерсионные фотоприемники ИК-диапазона на CdHgTe //Электронная техника. Сер.1. СВЧ. -1988. -В. 10. -С.3−7.
  291. В.И. Иммерсионный фотодиод. Авт. свидетельство, № 275 019 от 13.07.87. МКИ4 Н OIL 32/8/
  292. .В. Прикладная оптика. М.: 1947. -531 с.
  293. В.И. Аберрационные эффекты, ограничивающие кружок рассеяния в иммерсионных приемниках ИК диапазона //Электронная техника. Сер.1, СВЧ-Техника. -1995. -В.2(466). -С.3−6.
  294. В.И. Аподизирующее действие входного зрачка у иммерсионных фотоприемников ИК диапазона //Радиотехника и электроника. -1998. -Т.43, в. 6. -С.759−762.
  295. Toyoda Т., Hanba S. The temperature dependence of the optical dispersion parameters in Hgi. xCdxTe //J. Appl. Phys. -1987. -V.61, N 11. -P.5196−5197.
  296. Jensen В., Torabi A. Linear and. non-linear intensity dependent refractive tndex of HgixCdxTe //J. Appl. Phys. -1983. -V.54, N 10. -P.5945−5949
  297. Toyoda T. Refractive and tne exponential optical absorpiton for Hgi. xCdxTe (0,2 < x < 0.3) //J. Appl. Phys. -1988. -V.63, N 1. -P.228−230.
  298. В.И. Иммерсионный фотоприемник ИК-диапазона //Патент РФ № 2 071 147, заявл. 22.04.94- Бюлл. 36, 1996 г.
  299. В. И. Аберрационные эффекты в иммерсионных приемниках ИК диапазона //17-я н.-т. конф. «Высокоскоростная фотография и фотоника». Москва, ВНИИОФИ, 29 30 ноября 1995. Тезисы. С. 31.
  300. А с. 2 206 447 Великобритания. МКИ4 Н 01 L 31/02. Lensed photodetektors //C.T.Elliot, N.T.Gordon R.G.Hymphreys. Приоритет от 19.05.88.
  301. О' Нейл Э. Введение в статистическую оптику. М.: 1966. 254 с.
  302. В.И. Иммерсионные фотодиоды для ИК-диапазона 8−14 мкм //8-я Всесоюз. н.-т. конф. «Фотометрия и ее метрологическое обеспечение». Москва, ВНИИОФИ, 26 30 ноября, 1990. Тезисы. С. 81.
  303. Jensen В., Torabi A. The refrative tndex of CdxHgi. xTe //Proc. SPIE. -1983. -V.409.1. P. 12−17.
  304. Operating manual thermovision 780, AGA, 1979.
  305. В.И. ЧКХ иммерсионных фотодиодов ИК диапазона //16-я н.-т. конф. «Высокоскоростная фотография, фотоника и метрология быстропротекающих процессов». Москва, ВНИИОФИ, 23 25 ноября 1993. Тезисы. С. 63.
  306. Gordon N.T. Design of Hgi. xCdxTe infrared defector arrays using optical immersion with microlenses to achieve a higner operating temperature //Semicond. Sci. and Technol. -1991. -V.6, N 12. -P.C106-C109.
  307. Jones C.L., Matthews B.E., Purdy D.R., Metcalfe N.E. Fabricaiton and assessment of optically immersed CdHgTe detectors arrays //Semicond. Sci. and Technol. -1991. -V. 6, N 12. -PC 110-C113.
  308. Int. Conf. Austin, Texas, october 1996: Micromachining and Microfabrication Process Technology II //Proc. SPIE. -1996. V.2879.
  309. Int. Conf. Austin, Texas, october 1996: Microelectronic Structures and MEMS for Optical Processing II //Proc. SPIE. -1996. V.2881.
  310. Ш 315. Туринов В. И. Пространственно-частотная характеристика объекта переменной яркости//Радиотехника и электроника. -1992. -Т.37, в. 11. -С. 1973−1977.
  311. А.В. Теория теплопроводности. М.: Высшая школа, 1967. С. 599.
  312. В.И. Передача контраста переменного по яркости объекта детектором с кольцевыми р-п-переходами //Оптика и спектроскопия. -1992. -Т.72, в. 1. -С.239−242.
  313. Turinov V.I. Contrast Transmission of a variable-brightness object by a detector with ring p-n junction //The Optical Society of American. -1992. -N 10. -P. 131−132.
  314. В.И. Частотно-контрастная характеристика фотодиода кольцевой формы //15-я Всесоюзн. н.-т. конф. «Высокоскоростная фотография, фотоника и метрология быстропро-текающих процессов». Москва, 26−28 ноября 1991. ВНИИОФИ. Тезисы. С. 55.
  315. SchwandtnerK. Wullenwever-Peilverfahren: Пат. 2 201 536 ФРГ. М. Кл. G01S 3/58. 1972.
  316. Мусьяков М П., Миценко И. Д. Оптико-электронные системы ближней дальнометрии. М.: Радио и связь, 1992. С. 168.
  317. В.И. Устройство для измерения скорости объекта //Патент РФ № 2 089 916, заявлен 21.03.94. Бюлл. № 15, 1997 г.
  318. В.И. К вопросу об измерении скорости удаленных объектов по измерениям положения и размеров оптического изображения //Радиотехника и электроника. -1996. -Т.41, в. 5.-С.548−551.
  319. В.И. Оптико-электронный способ измерения скорости удаленных объектов ^ //Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника. -1996. -В. 1(467). -С.44−50.
  320. В.И. Оптико-элекгронный способ измерения дальности до объектов эллипсоидальной формы //17-я н.-т. конф. «Высокоскоростная фотография и фотоника». Москва, ВНИИОФИ, 29 30 ноября 1995. Тезисы. С. 28.
  321. В.И. К вопросу об определении теплофизических характеристик материалов //Журнал технической физики. -1992. -Т.62, № 8. -С. 175−180.
  322. С.С., Туринов В. И. Способ измерения коэффициента температуропроводности материала и устройство для его осуществления //Патент РФ № 2 072 516, заявлен 01.03.93. Бюлл. № 3, 1997 г.
  323. В.И. Метод измерения теплофизических характеристик материалов //15-я Всесоюзн. н.-т. конф. «Высокоскоростная фотография, фотоника и метрология быстропротекаю-щих процессов». Москва, ВНИИОФИ, 26 28 ноября 1991 г. Тезисы. С. 56.
  324. В.И. К задаче определения размеров дефектов в поверхностных слоях твердых образцов //11-я н.-т. конф. «Фотометрия и ее метрологическое обеспечение». Москва, ВНИИОФИ, 17- 19 декабря 1996. Тезисы. С. 41.
  325. Ш 330. Туринов В. И. Измерение коэффициента температуропроводности поверхностныхслоев непрозрачных твердых тел //Журнал технической физики. -1997. -Т.67, № 8. -С. 128−130.
  326. В.И. Термоволновой способ измерения коэффициента температуропроводности материала //Патент РФ, заявка № 96 109 500/25 от 08.05.96г- положительное решение от 22.04.97 г.
  327. В.И. Способ измерения коэффициента температуропроводности материала //Патент РФ, заявка № 96 109 504/25 от 08.06.96 г.- положительное решение от 05.01.97 г.
  328. В.И. К задаче обнаружения тепловых неоднородностей в двухслойной пластине из непрозрачных твердых материалов //Журнал технической физики. -1997. -Т. 67, № 10. -С. 129−131.
  329. Г. Н. Теория бесселевых функций. 4.1. М.: ИЛ, 1949. 798 с.
  330. Heuret М., Egec P., Bisseux С. et. al. //Vide Couches Minces. -1990. -V.45, № 251. Suppl. P.29−31.
  331. A.B., Чередниченко О. Б. //Изв. АН. Сер. физ. -1992. -Т. 56, № 5. -С.213 217.
  332. McDonald F.A., Wetsel С. Generalized theory of the photoacoustic effect //J. Appl. Phys. -1978. -V.49, N 4. -P.2313−2322.
  333. A. c. № 699 410 (СССР). Способ обнаружения дефектов в многослойных объектах /Ю.А. Попов, А. Е. Карпельсон, А. А. Кеткович и др. Опубл. в Б.И., 1979, № 43.
  334. Inglehart L.J., Lepoutre F. and Charbonnier F. Thermal-wave nondestructive evaluation of a carbon-epoxy composite using mirage effect //J. Appl. Phys. -1986. -V.59, N 1. -P.234−240.
  335. Fujimori H., Asakura Y., Suzuki K. and Uchida S. Noncontact measurement of film thickness by the photothermal deflection method //Japan. J. Appl. Phys. -1987. -V. 26, N 10. -P. 1759−1764.
  336. Fugate G.W., Felty J R. Automation of solder joint inspection procedures utilizing laser induced infrared //ШЕЕ Trans. Сотр., Hybrids and Manuf. Technol. -1987. -V.10, N 3. -P.374−378.
  337. В.И. Метод оптической многоспектральной ИК дефектоскопии //Дефектоскопия. -1993. -В.6. -С.24−28.
  338. В.И. Измерение оптических и теплофизических параметров объектов с помощью «сэндвич» фотоприемников //9-я н.-т. конф. «Фотометрия и ее метрологическое обеспечение». Москва, ВНИИОФИ, 24 26 ноября 1992 г. Тезисы. С. 50.
  339. Е.В., Гапонов С. С., Туринов В. И. Многоспектральная ИК дефектоскопия //Электронная промышленность. -1990. -В.1. -С.35−36.
  340. Beaudoin I.L., Danjoux R., Van Schel E., Potier F., Egee M. On the use of two photother-mal imaging device to reach a new NDT. -Non-Destruct. Test.: Proc. 4th Eur. Conf., London, 13 17 Sept. -1987. -V.3. -Oxford etc., 1988. -P. 1941−1948.
  341. . A.C. Оптика шероховатой поверхности. Ленинград, Машиностроение, 1988.1. С. 192.
  342. В.М., Морозов, В.Н., Смирнова Е В. Оптические постоянные природных и технических сред. Ленинград, Машиностроение, 1984. С. 216.
  343. Е.В., Гапонов С. С., Туринов В. И. Устройство для бесконтактного неразру-шающего контроля материалов //Патент РФ № 2 073 851, заявлен 24.11.92. Бюлл. № 5, 1997 г.
  344. Е.В., Гапонов С. С., Туринов В. И. К оптимизации параметров отражателя для ИК дефектоскопии //Лазерная техника и оптоэлектроника. -1992- -В. 1−2(62−63). -С. 108−111.
  345. Grudzien М., Piotrowski J. Monolithic optically immersed HgCdTe IR detectors //Infr. Phys. -1989. -V.29, N 2-A. -P.251−253.
  346. E.B., Гапонов С. С., Туринов В. И. Дефектоскопия эпитаксиальных полупроводниковых структур CdHgTe/CdTe //Электронная техника. Сер.1. Электроника СВЧ. -1990. -В.8. -С.43−45.
  347. П.В., Дудко С. А., Коновалов С. А., Пелевин Ю. А., Туринов В. И. Исследование границы раздела ZnS-CdHgTe //ФТП. -2003. -Т. 37, в. 12. -С. 1431−1434.
  348. Jones С.Е., Nair V., Lingquist J., Polla D.L. Effects of deep-level defects in HgixCdxTe. J. Vac. Sci. Technol. -1982. -V.21, N 1. -P. 187−190.
  349. Jones C.E., James K., Merz J., Braunstein R., Burd M., Eetemadi M., Hutton S., Drumheller J. Status of point defects in HgCdTe. J. Vac. Sci. and Technol. -1985. -V.A3, N 1. -P.131−137.
  350. П.В., Туринов В. И., Якимов Е. Б. Исследование характеристик фотодиодных линеек на InSb //ФТП. -2004. -Т. 38, в. 4. -С. 498−503.
  351. П.В., Туринов В. И., Якимов Е. Б. Исследование утечек по поверхности у фотодиодов на CdHgTe//ФТП. -2004. -Т.38, в. 7. -С.890−895.
  352. П.В., Кошелева В. И., Туринов В. И. Исследование электрофизических свойств CdxHgixTe //ФТП. -2004. -Т.38, в. 7. -С. 784−790.
  353. В.И. Исследование глубоких уровней в CdHgTe методом туннельного тока у фотодиодов //ФТП. -2004. -Т.38, в. 9. -С. 1129−1134.
  354. Hansen G.L., Schmit J.L., Casselman T.N. Energy gap versus alloy composition and tem-* perature in HgbxCdxTe //J. Appl. phys. -1982. -V. 53, N 10. -P.7099−7101.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?