Многокомпонентные висмутсодержащие твердые растворы А3 В5, полученные в поле температурного градиента
Диссертация
Например, при кристаллизации эпитаксиальных слоев твердых растворов GaAsxP]x можно использовать источник в виде механической смеси бинарных соединений взвешенной в малоактивном растворителе (Bi или A3xBi|x). На начальной стадии процесса рост слоя будет осуществляться за счет поступления из источника и расплава атомов, создающих в расплаве концентрацию сверх равновесной. Движущей силой процесса… Читать ещё >
Содержание
- 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ И ПРОБЛЕМАТИКА РАБОТЫ
- 1. 1. Многокомпонентные твердые растворы на основе антимонида индия и фосфида галлия
- 1. 2. Особенности кристаллизации слоев и пленок гетероструктур на основе InSb и GaP
- 1. 3. Автомодуляция в гетероструктурах GaAsi. xPx/GaP
- 1. 4. Постановка задачи исследования
- ВЫВОДЫ
- 2. ОСНОВНЫЕ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ И МОДЕЛЬНЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ
- 2. 1. Моделирование фазовых превращений в многокомпонентных
- Bi-coдержащих гетеросистемах
- 2. 2. Особенности фазовых равновесий в системах Ga-In-As-Sb-Bi,
- Ga-In-As-P-Bi и их подсистемах
- 2. 3. Вопросы термодинамической устойчивости и зонной структуры Bi-содержащих твердых растворов
- 2. 4. Механизм формирования сверхрешеточных структур в ходе кристаллизации многокомпонентных висмутидов
- ВЫВОДЫ
- 3. РОСТ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ И ПЛЕНОК МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ Bi-СОДЕРЖАЩИХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ
- 3. 1. Статистические исследования метастабильных фаз в гетеросистемах Ga-In-As-Sb-Bi и Ga-In-As-P-B
- 3. 2. Аппаратурное обеспечение технологического процесса ЗПГТ и особенности получения многокомпонентных МТР на подложках антимонида индия
- 3. 3. Особенности технологии получения многокомпонентных висмутсодержащих гетероструктур на основе InSb и GaP
- 3. 4. Состав, скорость роста и морфология поверхности многокомпонентных слоев гетероструктур GalnSbBi/InSb, GalnAsSbBi/InSb,
- GaAsPGaP и GaInAsP/GaP
- ВЫВОДЫ
- 4. СТРУКТУРНОЕ СОВЕРШЕНСТВО И СВОЙСТВА ГЕТЕРОСТРУКТУР Iih. xGaxSbi-vBiv/InSb, Inj. xGaxAszSbbY-zBivrtnSb, GaAsxPi-x/GaP и Gai-xInxAsYPi-Y/GaP, ПОЛУЧЕННЫХ В ПОЛЕ ТЕМПЕРАТУРНОГО ГРАДИЕНТА
- 4. 1. Структурное совершенство твердых растворов, изопериодных подложкам антимонида индия
- 4. 2. Структурное совершенство твердых растворов, изопериодных подложкам фосфида галлия
- 4. 3. Электрофизические характеристики Bi-содержащих гетероструктур
- 4. 4. Фотоэлектрические свойства Bi-содержащих гетероструктур
- ВЫВОДЫ
Список литературы
- Осинский В.И., Привалов В. И., Тихоненко О. Я. Оптоэлектронные структуры на многокомпонентных полупроводниках. Минск: Наука и техника, 1981 — 207 с.
- Максимов С.К. Формирование диссипативных структур при кристаллизации эпитаксиальных слоев многокомпонентных соединений AI.IBV и аморфных пленок Ta-Si Кристаллография. 1994, Т.39, № 2. С. 315−321.
- Бестаев М.В., Гацоев К.А.и др. Инжекционные лазеры на основе монокристаллов соединений PbSe-SnSe и PbTe-SnTe. Изв. Вузов. Сев.-Кавк. Регион. Ест. Науки. 1997. № 1. С. 48−53.
- Лозовский В.Н., Лунин Л. С. Пятикомпонентные твердые растворы соединений АЗВ5 (Новые материалы оптоэлектроники). Ростов-на-Дону. 1992. 192 с.
- Лозовский В.Н., Лунин Л. С., Попов В. П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. М: Металлургия, 1987, 232 с.
- Акчурин Р.Х., Жегалин В. А., Сахарова Т. В., Серегин С. В. Получение многослойных гетероструктур на основе арсенида-антимонида-висмутида индия методом «капиллярной» жидкофазной эпитаксии. Письма в ЖТФ. 1997. Т.23. № 7. С. 51−55.
- Волошин А.Э., Вермке А. и др. Влияние условий эпитаксиального роста на характер TP, образовавшихся в слоях InSb. Неорганические материалы. Т.27, N3, 1991 г. С.451−456.
- Лунин Л.С., Овчинников В. А., Благин А. В. и др. Получение и исследование пятикомпонентных гетероструктур InGaAsSbBi на подложках антимонида индия. Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр. Новочеркасск: НГТУ, 1996.-С. 30−34.
- Падалко А.Г., Перри Ф. С., Лазарев В. Б. Фотоэлектрические свойства неохлажденных детекторов на основе тонких слоев антимонида индия. // Изв. РАН. Неорганические материалы. 1994. Т.30.№ 2., С. 156−163.
- А.В. Благин К проблеме самоорганизации сверхрешеточных структур в тонких пленках многокомпонентных висмутсодержащих соединений. Кристаллизация и свойства кристаллов. Межвуз. сб. тр. Н-ск, 1999 г. С. 71−75.
- П.Долгинов Л. М., Елисеев П. Г., Исмаилов И. Инжекционные излучательные приборы на основе многокомпонентных полупроводниковых твердых растворов. М.: Итоги науки и техники, серия радиотехника, 1980. — С. 3−116.
- Нашельский, А Я. Производство полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1982 -309 с.
- Актуальные проблемы материаловедения. Под редакцией Калдиса Э. — М. Мир, 1983. -274 с.
- Материалы, применяемые в электронной технике. Под редакцией К.Хогарта. М.: Мир, 1968.
- Rogalski A., InAsi. xsbx Infrared Detectors//Prog. Quant. Electr. 1989. V. 13. P.191−231.
- G.C.Osborn. J. Appl. Phys., 53, 158a6 (1982).
- Hilsum C. Rees H. D. Tree level accillator: a new for of transferred — electron device. — «Electron letters», 1970, V. 6., № 9- p. 277 — 278.
- Марьев В.Б. Кандидатская диссертация. Новочеркасск, 1974.
- А.Берг, П. Дин. Светодиоды. Пер. с англ. Под ред. А. Э. Юновича.1. Москва.: Мир, 1979.
- Стрельченко С.С., Лебедев В. В. Соединения АЗВ5: Справочник. М: Металлургия, 1984. — 144 с.
- Долгинов Л.М., Дружинина Л. В., Мильвидский М. Г. и др. Дефекты структуры в эпитаксиальных слоях твердых растворов соединений АЗВ5// Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, 1977. Ч. 2. С. 240.
- Лозовский В.Н., Лунин Л. С., Аскарян Т. А. Перспективы применения пятикомпонентных гетероструктур на основе соединений АЗВ5 в интегральной оптоэлектронике// Тез. Докл. XII Всесоюзн. конф. по микроэлектронике. Тбилиси, 1987. Ч. 7. С. 45−46.
- Аскарян Т. А. Кандидатская диссертация, Новочеркасск, 1989.
- Лунин Л.С., Лунина О. Д., Сысоев И. А. и др. Пятикомпонентные твердые растворы соединений АЗВ5 в фотоэлектронике// Тез. Докл. II Всесоюзн. Науч. Конф. по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. Ашхабад, 1991. С. 196 197.
- Лунин Л.С., Аскарян Т.А, Овчинников В. А. Исследование полупроводниковых гетероструктур InAlGaAsSb/GaSb // Изв. Сев.-Кав. Науч. Центра ВШ. Естеств. Науки. !991. № 3. С. 39−43.
- Лунин Л. С., Овчинников В. А., Гапоненко В. Н. Выращивание пятикомпонентных твердых растворов на подложках антимонида галлия.// Кристаллизация и свойства кристаллов. Межвуз. Сб., НПИ, 1991. С. 77−85.
- Лозовский ВН., Лунин Л. С., Лунина О. Д., Овчинников В. А., Аскарян Т.А, Сысоев И. А. Выращивание пяти- и шестикомпонентных твердых растворов АЗВ5 в поле температурного градиента//Тез. Докл конф. по электронным материалам. Новосибирск, 1992. С. 103−104.
- Лозовский В.Н., Лунин Л. С., Казаков В. В., Шевченко А. Г. Физико-химические основы технологии на основе соединений АЗВ5. Тез. Докл российской науч.-техн. Конф. Технологические процессы и материалы приборостроения и микроэлектроники. Москва, 1994. С. 7.
- Акчурин Р.Х., Сахарова Т. В. Получение узкозонных твердых растворов InAsi-x.ySbxBiy методом жидкофазной эпитаксии //Письма в ЖТФ. 1992. Т.18.N.10. С. 16−20.
- Акчурин Р.Х., Сахарова Т. В., Тарасов А. В., Уфимцев В. Б. Эпитаксиальный рост InAsi.x.ySbxBiy на подложках из InSb из висмутовых растворов // Н.М. Т.28. 1992. С. 502−506.
- Акчурин Р.Х., Акимов О. В. Тонкослойные упругонапряженные гетероструктуры InAsl-x-ySbxBiy/InSb: расчет некоторых физических параметров.// Физика и техника полупроводников. 1995. Т.29. Вып. 2. С.362−369.
- G.C.Osborn. J.Vac. Sci. Technol. BI, 2, 379 (1983).
- Акчурин P.X., Зиновьев В. Г., Кузьмичева Г. М., Уфимцев В. Б. Кристаллохимический аспект легирования антимонида индия висмутом в условиях ЖФЭ//Кристаллография. 1982. Т.27. Вып. 3. С. 561−565.
- Зайнабиддинов С.З., Исламов С. А., Сафина В. М. Электрофизические свойства монокристаллов фосфида галлия, легированного висмутом. Изв. РАН. Неорганические материалы. Т.ЗЗ. № 10. 1997. С. 1182.
- Акчурин Р.Х., Сахарова Т. В., Жегалин В. А. Исследование условий формирования гетероструктур InAsi.x.ySbxBiy // InSb методом ЖФЭ // Неорг. материаллы, 1995, т. 31, N 11 С.1431−1436.
- G.C.Osborn. J.Vac. Sci. Technol. B2,2,176 (1984).
- Акчурин P.X., Жегалин В. А., Сахарова Т. В. Анализ фазовых равновесий в системе In-As-Sb-Bi в связи с жидкофазной эпитаксией твердых растворов InAsi.x-ySbxBiy // Изв. вузов. Сер.Цв. Металлургия. 1995. № 7.
- Kurtz S R., Dawson L.R., Zipperian Т.Е. and Whaley R.D. High-detectiviti InAsSb strained-layer superlattice, photovoltaic infrared detector // IEEE Electron Device Lett. 1990. V. 11. № 1. P.54−56.
- Olsen G.H., Nuese C.J., Smith R.T. The effect of elastic strain on energy band gap lattice parameter in III-Y compounds.- J.Appl. Phys., 1978, V.49, N11, P. 55 235 529.
- Craford M.G., Prog. Sol. St. Chem. 1973, N8, — p. 127.28. Hayashi I. Reinhart F.K. J. Appl. Phys. 1974, N42, p. 1929.
- Уфимцев В.Б., Акчурин Р. Х. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии. М.: Металлургия, 1983. 224с.
- Крапухин В.В., Соколов И. А., Кузнецов Г. Д. Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1982. -352 с.
- Р.Хамакер, В. Уайт. Исследование механизма кристаллизации InSb методом ЗПГТ. J.Appl. Phys., 1968, V. 39, N3, p. 436−440.
- Stringfellow G.B., Greene P.E. Liquid Phase Epitaxial Growth of InAsi-xSbx//J. Electrochem. Soc. 1971. V.118. P. 805 810.
- Власенко H.B., Попов В. П. Выращивание эпитаксиальных слоев InAsixSbx методом зонной перекристаллизации в поле градиента температуры. Кристаллизация и свойства кристаллов. Новочеркасск, 1993. С. 70 75.
- Anturas G. А. Growth and characterization of liquid phase epitaxial GaxIni"xSb. -«J. Crystall Growth», 1972, V. 16, № 1, P. 181 182.
- Лунина О.Д. Варизонные гетероструктуры AlxGai-xAs/GaAs, выращенные в поле температурного градиента, и их свойства. Кандидатская диссертация. Новочеркасск. 1982.
- И.И.Батырев, В. П. Вигдорович, А. А. Селин, В. Б. Уфимцев и др. Жидкофазная эпитаксия твердых растворов Inj. xGaxP и (GaP)X (ZnSe)i.x.//PocT и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, 1977. Ч. 1. С. 144−147.
- Хансен М., Андерко К. Структуры двойных сплавов. Т.П. М., Металлургиздат, 1962, 910 с.
- Rao М. V., Tiller W. A. The system In Ga: thermodynamics and computed phase equilibria — «J. Mater. Sei», 1972, V. 7, № 1, P. 14 -18.
- Мильвидский М.Г., Пелевин О. В., Сахаров Б. А. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений. М., «Металлургия», 1974. 41 с.
- Blom G. М., Plaskett Т. S. Indium gallium — antimony ternary phase diagram — «J. Electrochem. Soc.», 1971, V. 118, № 11, P. 1831 — 1834.
- Максимов C.K., Нагдаев E.H. //Докл. АН СССР. 1979. Т. 245. С. 1369.
- Максимов С.К. Формирование диссипативных структур при кристаллизации эпитаксиальных слоев многокомпонентных соединений АЗВ5 и аморфных пленок Ta-Si. Кристаллография, 1994. Т.39. № 2. С. 315−321.
- Николис Г., Пригожин. И. Самоорганизация в неравновесных процессах. М.: Мир, 1979. 512 с.
- Maksimov S.K. // Phys. Status Solidi A. 1984. V. 83. P. 685.
- Maksimov S.K., NagdaevEM. //Phys. Status Solidi A. 1981. V. 68. P. 645.
- Maksimov S.K., NagdaevEM. //Phys. Status Solidi A. 1982. V. 69. P. 505.
- Maksimov S.C., NagdaevEM. //Phys. Status Solidi A. 1982. V. 72. P. 135.
- Гиммельфарб P.Л., Конелиович Э. С., Маслов B.M. и др // Кристаллография. 1969. Т. 14. С. 1104.
- Чернов А.А., Рузайкин М. П. // Докл. АН СССР.1981. Т. 258. С. 82.
- Chernov А.А., RuzaikinM.P. //J. Crystal Growth. 1981. V. 52. P. 185.
- Рузайкин М.П. //Кристаллография. 1982. Т. 27. С. 368.
- Чернавская О.Д., Чернавский Д. С., Сурис Р.А.//Дефекты структуры в полупроводниках. Методы их исследования и влияние на свойства кристаллов и пленок. М.: МИЭТ, 1982. С. 3.
- Baxter C.S., Stobbs W.M., Wilkie J.H. // Proc. Inst. Phys. Conf. 1991. V. 117. P. 345.
- Семенова Г. В., Сушкова Т. П., Гончаров Е. Г. Дефектообразование в твердых растворах InAsi.xSbx//Неорг.материалы. 1995. Т. 31 — 3. С.304−307.
- Рубцов Э. Р. Особенности фазовых превращений в системах твердых растворов с низкой термодинамической устойчивостью. Диссертация на соискание ученой степени кандидата ф.-м.н. Санкт-Петербург, 1994.
- Казаков А.И., Мокрицкий В. А., Романенко В. Н., Хитова JI. / под ред. Романенко В. Н. Расчет фазовых равновесий в многокомпонентных системах. -М. :Металургия. 1987. С. 10−57.
- Onabe К. Thermodinamics of type Ai-xBxCi-yDy III-V qurternary solid solutions // J. Phis. Chem. Solids. 1982. 43.11. 1071−1086.
- Jordan A .S ., Ilegems M. Solid Liquid Equilibria for Quaternary Solid Solution Involving Compound Semiconductors // J. Phys. and Cem Solids. 1975. V. 36. № 4. P. 329−342.
- Литвак A.M., Чарыков H.A. Новый термодинамический метод расчета фазовых диаграмм двойных и тройных систем, содержащих In, Ga, As и Sb. // Неорг. материалы. 1991. Т.27. № 2. С.225−230.
- Петр Дарахвелидзе, Евгений Марков. Delphi-среда визуального программирования. BHV-Санкт-Петербург. 1996
- С. Орлик. Секреты Delphi на примерах. -М.:Бином, 1996.
- Акчурин Р.Х., Комаров Д. В. Формирование многослойных упругонапряженных гетерокомпозиций методом жидкофазной эпитаксии. Ч. II. ЖТФ, Т. 67. № 7. с. 5056.
- Brebrick R. F. Met. Trans., 1971, V. 2, P. 1657 — 1663- 3377−3381.
- Кузнецов В В., Москвин П. П., Сорокин B.C., Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. /М.: Металлургия, 1991. 175 с.
- Stringfellow О. G. Calculation of Ternary and Quarternary III-V Phase Diagrams // J. Cry stall Growth, 1974, V. 27, P. 21 -27.
- Сорокин B.C., Рубцов Э. Р. Расчет спинодальных изотерм в пятикомпонентных твердых растворах А3В5Л Неорганические материалы. 1993. Т. 29.№ 1. С. 28 32.
- Лозовский В.Н., Лунин Л. С., Аскарян Т. А. Термодинамический анализ устойчивости пятикомпонентных твердых растворов соединений AniBv // Изв. АН СССР. Неорган. Материалы. 1989. Т.25. N4. С.540−546.
- Пригожин И., Дэфэй Р. Химическая термодинамика. Новосибирск: Наука, 1966. 509 с.
- Казаков А.И., Кишмар И. Н. Критические явления в четырехкомпонентных системах // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1987. Т.23. N 1. С.12−15.
- Quillec М&bdquo- Daguet С., Lannois Н. // Appl. Phus. Lett/1982. V.40. Р.325.
- Овчаренко А.Н. Нелинейные явления в процессе эволюции межфазных границ при ЗПГТ. Канд. дис. Новочеркасск, 1988.
- Кулинич Н.В. Эволюция межфазных границ в процессе ЗПГТ с учетом гидродинамических эффектов. Канд. дис. Новочеркасск, 1998.
- Ландау Л.Д., Лифшиц Л. М. Статистическая физикаМ., Наука. 1995.
- Т А.Черепанова. Флуктуационный механизм неустойчивости растущих граней кристаллов. Докл. АН СССР. 1976. Т.226. № 5. С.1066−1068.
- Зиновьев В.Г., Моргун А. И., Уфимцев В. Б. Поведение висмута в эпитаксиальных слоях GaSb // Изв. РАН. Неорганические материалы. 1993. Т.29. № 2. С.177−180.
- В.Н.Лозовский, И. Ю. Гершанов, B.C. Зурнаджян, Б. М. Гуров. К теории роста эпитаксиальных слоев при зонной перекристаллизации градиентом температуры в условиях конвективного перемешивания. Новочеркасский политехнический институт. С.41−47.
- Рогачева Э.Д., Розенблюм А. А., Варламова Г. Б., Бормотова ЛИ. Статистическое исследование зародышеобразования эпсомита при нестационарных условиях кристаллизации//"Кристаллизация и свойства кристаллов", Новочеркасск, 1975. С. 32.
- Кидяров Б.И., Болховитянов Ю. Б., Демьянов Э. А. Статистическое исследование кинетики зародышеобразования в расплавах. ЖФХ., 1979, N 3.
- Кидяров Б.И. Кинетика начальной стадии кристаллизации полупроводников и пьезоэлектриков из расплавов и растворов. Кандидатская диссертация, Новосибирск, 1973.
- Скрипов Н.П. Метастабильная жидкость. М., Наука, 1972.
- Алфимова Д. Л, Благин А. В., Лунин Л. С., Овчинников В. А. Исследование начальных стадий роста эпитаксиальных слоев многокомпонентных твердых растворов А3В5// Изв. ВУЗов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки, — 1997 № 3. — С. 92−99.
- Алфимова Д.Л., Благин А. В., Лунин Л. С., Овчинников В. А. Физико-химические равновесия в системе In-Ga-As-Sb-Bi// Изв. Вузов Сев.-Кавк. рег ион. Естественные науки. 1998.-№ 3. — С. 69−73.
- Alfimova D.L., Konstantinov Р.А., Lunin L.S. Efficiency ssolar cells for mechatronik// 2nd Polish-German Workshop. Werkreuge der Mechatronik 14−15 may, 1998. Ilmenay, Deutschland. -Ilmenay, 1998.
- Лозовский В.Н., Лунина О. Д. Эпитаксия варизонных слоев AlxGai-xAs, в поле температурного градиента// Изв. АН СССР. Неорг. Материалы. 1977. Т. 13. № 6. С. 952−955.
- И. А.Сысоев. Кандидатская диссертация, Новочеркасск, 1993.
- Лозовский В.Н., Кеда А. И., Бизина В Н. Изв. АН СССР// Неорг. материалы. 1972. Т. 8. № 11.
- Лунин Л.С., Попов В. П., Сапелкин С. И., Сушков В. П. Выращивание эпитаксиальных слоев AlxGai-xAs из жидкой фазы в поле температурного градиента// Кристаллизация и свойства кристаллов. Новочеркасск, 1975. Вып. 2. С. 90−92.
- Долгинов Л.М., Дракин А. Е., Елисеев П. Г., Мильвидский М. Г. и др. Высокоэффективные светодиоды на GalnAsP/InP// Квантовая электроника. 1978. 5. № 11. С. 2480−2481.
- Алфимова Д.Л., Благин А. В., Лунин Л. С., Сысоев И. А. Твердые растворы GaP и GaAsP, полученные в поле температурного градиента// Изв. Вузов. Сев.-Кавк. Регион. Техн. Науки. 1999. № 4. С.
- Ратушный В.И. Кандидатская диссертация, Новочеркасск, 1989г.
- Киреев Е.И. Автореферат Кандидатской диссертации. Ростов-на-Дону, 1974
- Папков И.П. Кандидатская диссертация. Новочеркасск. 1974.
- Алфимова Д.Л., Благин А. В., Овчинников В. А. Получение и свойства висмутсодержащих пленок GaAsP //Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр. / Южно-Российский гос. Техн. Ун-т (НПИ) Новочеркасск: «Набла», 1999. С. 66−70.
- Малибашева Л Я., Буддо В. И. Влияние температурно-временных условий ЗПГТна стабильность кольцевых зон//Физика конденсированных сред. Т. 287. Новочеркасск. 1974. С. 35−40.
- Лозовский В Н., Марьев В. Б. -Изв. вузов, Физика. -1974, № 7. -С. 115−118.
- Лозовский В.Н. Зонная плавка с градиентом температуры. М.: Металлургия, 1972. 240 с.
- Лозовский В.Н., Гершанов В. Ю., Зурнаджян B.C. К вопросу об исследовании кинетики кристаллизации методом ЗПГТ. Физика конденсированных сред. Т. 287. Новочеркасск. 1974. С. 3−6.
- Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Теоретическая физика. Учебное пособие. Т. VI. Гидродинамика. 4-е изд. М.: Наука, 1986.
- Рабинович М.И., Трубецков Д. И. Введение в теорию колебаний и волн. М.: Наука, 1984.
- Третьяков Ю.Д., Олейников Н. Н., Гудилин Е. А. и др. Самоорганизация в физико-химических системах на пути создания новых материалов, (обзор)// Неорг. материалы. 1994. Т. 30. № 3. С. 270−290.
- Мильвидский М.Г., Освенский В. Б. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. М.: Металлургия. 1987.256 с.
- Калинин А.А., Мильвидский М. Г., Нуллер Т. А., Шленский Ф. Ф., Югова Т.Г.//Кристаллография. 1991. Т. 36. Вып. 3. С. 750−756.
- Лозовский В.Н., Лунин Л. С., и др. Влияние условий выращивания на совершенство толстых эпитаксиальных слоев AlxGai-xAs// Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1979. Т. 15. № 11. С. 1913−1918.
- Лунин Л.С., Аскарян Т. А., Ратушный В. И. и др. Дефекты в четырехкомпонентных эпитаксиальных композициях1пР-1пОаАзР, полученных методом зонной перекристаллизации градиентом температуры // Изв. СКНЦ ВШ. Естеств. Науки. 1988. № 2. С. 80−85.
- Лунин Л.С., Сысоев И. А., Благин А. В., Алфимова Д. Л. Исследование возможности получения непоглощающих окон в двойных лазерных гетероструктурах методом 3111 'Г. // Изв. Вузов Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. -1999. № 1. — С. 61−66.
- Алфимова Д.Л., Благин A.B., Лунин Л. С., Овчинников В. А. Исследование структурного совершенства многокомпонентных твердых растворов А3В5, полученных в поле температурного градиента// Изв. ВУЗов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. -1997. -№ 4. С. 99−104.
- Аксененко М.Д., Красовский Е. А. Фоторезисторы. М.:Сов.радио, 1973. С. 28.
- Алфимова Д.Л., Благин А. В. Твердые растворы GaInSb: некоторые термодинамические и оптические свойства// Изв. ВУЗов Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. 1998. — № 2. — С. 49−52.
- Алфимова Д. Л., Лозовский В. Н. Люминесценция пятикомпонентных полупроводников А3В5// Оптика полупроводников: Тез. докл. Международной конференции, 22−25 мая, 1998. Ульяновск. УлГУ, 1998. — С. 56−57.
- Alfimova D.L., Konstantinov P.A., Lunin L.S., Mustafinov E.N. Hight efficiency concentrator solar cells for mechatronik// 2nd Polish-German Workshop for mechatronics. Ilmenay, Germany May, 14−15, 1998. Ilmenay, 1998. — P. 39−40.
- Алфимова Д.Л., Лозовский В. Н., Лунин Л. С. Люминесцентные свойства3 5пятикомпонентных гетероструктур на основе соединений, А В // Изв. вузов Сев.-Кавк. регион. Естественные науки. 1997. -№ 4. — С. 47−50.
- Акчурин Р.Х., Жегалин В. А., Сахарова ТВ., Серегин С. В. Получение многослойных гетероструктур на основе арсенида-антимонида-висмутида индия методом «капиллярной» жидкофазной эпитаксии. Письма в ЖТФ. 1997. Т.23. № 7. С. 51−55.
- Свечников Г. С. Тенденции развития фотоприемников для систем обработки оптической информации (обзор).
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М. Мир, 1984, Том 2, -455 с.
- Благин А.В. К проблеме самоорганизации сверхрешеточных структур в тонких пленках многокомпонентных висмутсодержащих соединений.// Кристаллизация и свойства кристаллов. Межвуз. Сб. науч. Тр. Новочеркасск, 1999. С. 71−75.