Влияние сверхкоротких импульсов электромагнитного излучения на электрические параметры биполярных и полевых структур
Объекты и методы исследования. В экспериментах по исследованию влияния мощных СКИ ЭМИ на биполярные структуры исследовались стандартные р-п-диоды типа Д 106А, Д 223А и Д 509А, а также маломощные транзисторы различного частотного диапазона КТ 630Б, КТ 3107А, КТ 343Б и КТ 347 В. Характер и степень воздействия оценивались по величине обратного тока диодов, обратного коллекторного тока транзисторов… Читать ещё >
Содержание
- Введение
- 1. Воздействие импульсных электромагнитных полей на электронные устройства 12 1.1. Влияние мощных импульсных микроволновых помех на полупроводниковые приборы и интегральные схемы
- 1. 1. 1. Модели воздействия ИМП. Первичные эффекты
- 1. 1. 2. Вторичные эффекты. Вторичный тепловой пробой
- 1. 1. 3. Электрическое защелкивание в ИМС
- 1. 1. 4. Доминирующие механизмы отказа в полупроводниковых структурах при воздействии ИМП. Диодные структуры
- 1. 1. 5. Биполярные транзисторы
- 1. 1. 6. Интегральные микросхемы
1.2 Влияние широкополосного и сверхширокополосного импульсного электромагнитного излучения на электронные устройства 27 1.2.1 Основные модели, описывающие взаимодействие электронной аппаратуры с широкополосной импульсной помехой
2 Методика и объекты исследования.
2.1 Схемные решения генераторов СКИ и аттестационные параметры сигнала.
2.1.1 Генератор ГНИ-1 (ТТХ)
2.1.2 Генератор ГНИ — ЗУ (ТТХ)
2.2 Широкополосная коаксиальная нагрузка
2.3 Объекты и методики измерений 62 2.3.1 Биполярные транзисторы и диоды 62 2.3.2. Цифровые и аналоговые микросхемы
2.3.3 Полевые кремниевые СВЧ транзисторы
2П 305Б, КП 305Д, КП 305Е
3. Влияние СКИ ЭМИ на параметры биполярных структур
3.1 Влияние СКИ на параметры и характеристики диодов
3.2 Влияние СКИ ЭМИ на параметры биполярных транзисторов
3.3 Влияние СКИ ЭМИ на биполярные микросхемы
3.3.1. Влияние СКИ ЭМИ на функционирование логических элементов К155JIH-1, изготовленных по биполярной технологии
3.3.2. Исследования воздействия СКИ ЭМИ на малошумящий усилитель на биполярной микросхеме К157УД2 100 4 Исследование воздействия СКИ ЭМИ на полевые структуры 108 4.1 Кремниевые полевые СВЧ транзисторы 2П 305Б, КП 305Д,
КП305Е
4.2. Воздействие СКИ ЭМИ на функционирование микросхем на полевых транзисторах
4.2.1 Влияние СКИ ЭМИ на функционирование логических элементов 74HC04N МДП-технологии
4.2.1.1 Влияние СКИ ЭМИ на функционирование мультивибратора с частотой 500Гц на микросхеме 74HC04N
4.2.1.2 Влияние СКИ ЭМИ на функционирование мультивибратора с частотой 100 кГц на микросхеме 74HC04N
4.2.2 Исследование влияния СКИ ЭМИ на параметры малошумящего усилителя на полевых транзисторах К504УН2А
Список литературы
- Florig H.K. IEEE Spectrum, 1988, March. P.50−53.
- Шпак В. Г., Яландин М. И., Шунайлов С. А. и др. // Доклады РАН. 1999. № 1 с. 50−53.
- Goldstein В.М., Stettner R. IEEE Trabs., 1979, v. NS-27, N 6. P.5006−5011.
- Anderson W.T., Simons M., King E.E., Dietrich H.B., Lambert R.J. IEEE Trans., 1982, v. NS-29, N 6, P.1533−1538.
- Kocot C., Stolter C.A. IEEE Trans., 1982, v. ED-29, N 7, P.1059−1064.
- О.К.Барановский, П. В. Кучинский, В. М. Лутковский, А. П. Петрунин,
- Е.Д.Савенок. Физика и техника п/п, 2001, т. 35, № 3. С.352−356.
- Н.М.Викулин, В. И. Стафеев. Физика полупроводниковых приборов. М.:
- Советское радио, 1980, 296 с.
- Wunsch D., Bell R. IEEE Trans. 1968, v. NS-15. N 6. P.244−259.
- Tasca D.M. IEEE Trans. 1970, v. NS-17. P.364−372.
- Christou A. Annual Proc. Reliab. Phyeics, 1980, P.140−144.
- Anand Y. Microwave Journ., March, 1979.
- Amdory R.A., Puglielly V.G., Richardson R.E. IEEE Trans., 1975, v. EMC-17, N 4, P.216−225.
- Whalen J.J. IEEE Trans., 1977, v. EMC-19, N 2. P.49−56.
- Whalen J.J. IEEE Trans., 1975, v. EMC-17, N 1. P.220−225.
- Larson C.E., Roe J.M. IEEE Trans., 1979, v. EMC-21. November, P.283−290.
- Jenkins C.R., Durgin D.L. IEEE Trans., 1975, v. NS-22. N 6. P.2404−2409.
- Технология СБИС. В 2-х кн. Кн.1. Пер. с англ./Под ред. С. Зи. М.: Мир. 1986. 405 с.
- Bormontov E.N., Lukin S.V., Simulation of C-V curves of MIS structures with nonuniformly distributed surface potential // Proc. Of the 5th International Conference on Simulation of Devices and Technologies. Obninsk. 1996.P.35−39.
- M.Camp, H. Garbe, D. Nitsch, «Influence of the Technology on the Destruction Effects of Semiconductors by Impact of EMP and UWB Pulses», IEEE EMC, Minneapolis, August 19−23, 2002, pp. 87−92.
- M. Camp, H. Gerth, and H. Haase, «Predicting the breakdown behaviour of microcontrollers under EMP/UWB impact using a statistical analysis,» IEEE Transaction on electromagnetic compatibility, vol. 46, no. 3, pp. 368−379, August 2004.
- D. Nitsch, M. Camp, F. Sabath, J. Luiken, and H. Garbe, «Susceptibility of some electronic equipment to HPEM threats,» IEEE Transaction on electromagnetic compatibility, vol. 46, no. 3, pp. 380−388, August 2004.
- M. Camp, H. Garbe, D. Nitsch. Influence of the Technology on the Destruction Effects of Semiconducters by Impact of EMP and UWB Pulses. Technical reports of Munchen University, 2004.
- H. Herlemann, S. Korte, M. Camp, H. Garbe, M. Koch, and F. Sabath. Shielding of Electronic Systems against Transient Electromagnetic Interferences. Advances in Radio Science, 3, 131−135, 2005.
- R.E. Richardson, «Modeling of low- level rectification RFI in bipolar circuitry,» IEEE Transaction on electromagnetic compatibility, vol. 21, no. 4, pp. 307−311, November 1979.
- C. Lertsirimit, D.R. Jackson, D.R. Wilton, D. Erricolo, and H.Y. Yang, «EMC coupling to a circuit board from a wire penetrating a cavity aperture», 2004 IEEE AP-s International Symposium Digest, Monterey, CA, June 25, 2004.
- H.Y. David Yang and R. Kollman. Analysis of high-power RF interference on digital circuits. Electromagnetics special issue on RF interference on electronics systems, January, 2006 (pp. 1−16).
- Требунских С.Ю. Эффекты пробоя воздействия СКИ ЭМИ в биполярных структурах / С. Ю. Требунских, В. Н. Левченко и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XIII Международ, науч.-техн. конф., 2007 г. — Воронеж, 2007 .— Т. 2. — С. 1582−1586 .
- Викулин И.М., Стафеев В. И. Физика полупроводниковых приборов. М., Сов. Радио, 1980
- Терехов В. А. Влияние сверхкоротких импульсов электромагнитного излучения на параметры структур металл диэлектрик — полупроводник / В. А. Терехов, В. Н. Левченко, и др.] // ФТП, -2004, -Т 38, № 12, -С. 1435−1438.