Разработка и исследование гетероструктур InP/InGaAsP для систем волоконно-оптических линий связи и промышленной технологии их производства
Диссертация
Один из широкозонных слоев служит «окном» для ввода излучения, свет с энергией меньше ширины запрещенной зоны широкозонной области практически без потерь доходит до области разделения неравновесных носителей заряда (ННЗ). Наличие широкозонного «окна» позволяет управлять коротковолновой границей области спектральной чувствительности, уменьшить влияние поверхностной рекомбинации на величину… Читать ещё >
Содержание
- Глава 1. Состояние проблемы получения гетероструктур InP / InGaAsP для элементов BOJIC
- 1. 1. Краткая характеристика фотопрёмников для BOJIC
- 1. 2. Проблемы технологии гетероструктур для фотоприемников
- 1. 2. 1. Управление составом многокомпонентных TP в процессе ЖФЭ
- 1. 2. 2. Проблема согласования параметров решеток
- 1. 2. 3. Проблема получения чистого материала
- 1. 2. 4. Проблема легирования и локализации р-п-перехода в гетероструктурах
- 1. 2. 5. Проблема защиты поверхности
- 1. 3. Параметры фотоприемников
- 1. 4. Технические требования, предъявляемые к гетероструктурам для излучателей
- 1. 4. 1. Электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев на основе InGaAsP
- 1. 4. 2. Оптические свойства гетероструктур на основе твердых растворов InGaAsP
- 1. 4. 3. Основные конструкции светодиодов, используемые в BOJIC
Список литературы
- Д и, а н о в Е. М. Перспективы использования диапазона длин волн1.1,6 мкм для осуществления волоконно-оптической связи (обзор).-Квантовая электроника, 1980, t.7,N 3, с. 453−4682. Васильев М. Г., Гвоздев А. А., Гореленок А. Т. 191
- Низкопороговые полосковые зарощенные гетеролазеры на основе InGaAsP/InP (А,"1,3 мкм), полученные гибридной технологией. -ЖТФД983, t.53,N 7, с. 1413−1414
- Н i г, а о М., Т s u j i S. J.Opt. Commun., 1980, vol. 1, N 1, p.10−1 4.
- Алферов Ж.И., Гореленок A.T., Г p у з д о в В.Г. Светодиоды на основе ДГС InGaAsP/InP (к «1,55 мм) с внешним квантовым выходом Г| «30% (300 К). Письма в ЖТФ, 1982, т. 8,1. N5, с. 257−262.
- Агафонов В.Г., Гарбузов Д. З., Гореленок А. Т. Светодиоды на основе InGaAsP/InP (^"1,3 мкм) с внешним квантовым выходом г|*40% (300 К). Письма в ЖТФ, 1982, т.8, N 5, с. 262−266.
- Корольков В.И., Михайлова М. П. Лавинные фотодиоды на основе твердых растворов полупроводниковых соединений А3В5. -ФТП, 1983, т.17, N 4, с. 569−582.
- St i 1 1 m an G.E., Cook L.W., Bulman G.E. IEEE Transact on Electron Devices, 1982, VED-29, N 9, h.1355−1371.
- Kaneda Т., Kagama S., M i ka wa Т., TojamaY. Appl.
- Phys.Lett., 1980, N 7, p.572−576.
- Korol’kov V.I. Photodetectors based on heterostrures. In: Semiconductor optoelectronics/ Ed. M.A. Herman. Warszawa: P.W.W., 1980, p. 387−415.
- А 1 f е г о v Zh.I., Andreev V.M., Konnikov S.G. et al. In: International conference on the physics and chemistry of semiconductor heterojunctions and Laver structures. Budapest, 1971, vol. 1, p. 93−106.
- Долгинов JI.M., Елисеев П. Г., Мильвидский М. Г. Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в лазерах (обзор). Квантовая электроника, 1976, т. 3, N7, с. 1381−1393.
- В е n е k i n g Н. IEEE Transact, on Electron. Devices, 1982, vol. VED-29, N9, p. 1420−1431.
- Гарбузов Д.З., Гореленок A.T., Мдивани B.H.
- Времена жизни неравновесных носителей и эффекты переизлучения в InGaAsP-гетероструктурах. ФТП, 1981, т. 15, N 2, с. 373−384.
- L i, К., R е z е k Е., Law H.D. Electron. Lett., 1984, vol. 20, N5, p. 196−198.
- Forrest S.R.-IEEE J. Quant. Electron., 1981, vol. QE-17, N2, p. 217−226.
- Pearsall T.R., Piskorski M., Brochet A., Chevrier J. IEEE J.Quant. Electron., 1981, vol. QE-17, N 2, p. 255−259.
- Жингарев M.3., Корольков В. И., Михайлова М. П., Яссиевич И. Н. Особенности ударной ионизации в GaSb и твердых растворах на его основе. Письма в ЖТФ, 1979, т.5, N 14, с. 862−866.
- Жингарев М.З., Корольков В. И., Михайлова М. П., СазоновВ.В. Зависимости коэффициентов ударной ионизации Электронов и дырок от ориентации и состава в твердых растворах AlxGaixSb. Письма в ЖТФ, 1981, т. 7, N 24, с. 1487−1492.
- Chin R., Holonj ak N., S ti 11 man G.E.-Electron. Lett., 1980, vol. 16, N 12, p. 467−468.
- Pearsall T.P.-Electron. Lett., 1980, vol. 16, N 20, p. 771−773.
- Ni shida K., Taguchi К., M a t s u m о t о Y. Appl. Phys. Lett., 1979, vol. 35, N3, p. 251−253.
- Kim O.K., Forrest S.R., Bonner W.A., Smith R.G. Appl. Phys. Lett., 1981, vol. 39, N 5, p. 402−404.
- Forrest S.R., Smith R.G., Kim O.K.-IEEE J. Quantum. Electron., 1982, vo. QE-18, N 2, p. 2040−2048.
- Алферов Ж.И., Васильев М. Г., Гореленок A.T. Лавинные фотодиоды на основе гетероструктур InGaAsP/InPс р-п-переходом в InP. Письма в ЖТФ, 1982, т. N 12, с. 722−724.
- Y a s u d, а К., М i k a w, а Т., К i s h i Y., К a n e d a T. Electron.1.tt., 1984, vjl. 20, N 9, p. 373−375.
- A n d a H, SusaN, KanbeM.- Electron. Lett., 1981, vol. 17, N 6, p. 292−294
- Forrest S.R., DiDomtnico, Smith R.G., S t о с к e r H.J. -Appl. Phys. Lett., 1980, vol. 36, N. 7, p. 580−582.
- A n d a H., К n a b e H., 11 о M., Kaneda T. Jap. Appl. Phys., 1980, vol. 19, N 6, p. 1277−1280.
- Гореленок A.T., Груздов В. Г., Евстропов B.B. Влияние Несоответствия параметров решетки на I-V характеристики InGaAs/InP р-п-гетероструктур. ФТП, 1984, т. 18, N 8, с.1413−1415.
- Андреев В.М., Гореленок А. Т., Жингарев М. З. Исследование токов утечки планарных р-п-переходов в InP и р-п-структур на основе InGaAs/InP. -ФТП, 1985, т. 19, N4, с. 431.
- Taranashi Y., Horikoshi Y. Jap. J. Fppl. Pgys., 1980, vol. 19, N 8, p. 687−692.
- Lee T.P., В u r r u s C.A. Appl. Phys. Lett., 1980, vol. 36, N 6, p. 587 590.
- Kagawa Т., Motogushi G. Jap. J. Appl. Phys., 1979, vol. 18, N 11, p. 2317−2325.34. 11 о Т., К a n e d, а Т., N, а к a j a m a K. Electron. Lett., 1978, vol. 14, N 11, p. 418−420.
- Гореленок A.T. Груз до в В.Г., Данильченко В. Г. Фототранзисторы на основе N-p-N-гетероструктур InP-InGaAsP -Письма в ЖТФ, 1984, т. 10, N21, с. 1294−1297.
- Kobajashi M., Sakai S., Umeno M.-Jap. FPPL. Phys., 1983, 1983, vol. 22, N3, 1159−1161.
- Гореленок Ф.Т., Дзигасов Ф. Г., Москвин П. П. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердых растворов In^GaxAsi. УРУ.-ФТП, 1981, т. 15, N 12, с. 2410−2414.
- N a h о г у R.E., Pollack М.А., В е е b е E.D., D е W i n t е г J.C. -J.Electrochem. Soc., 1978, vol. 125, N7, p. 1053−1058.
- Бирюлин Ю.Ф., Буль С. П., Дедегкаев Т. Т. Зависимость Ширины запрещенной зоны от состава в твердом растворе AlxGa! xSb.-ФТП, 1977, т. 11, N8, с. 1555−1559.
- Gopelenok А.Т., М d i v a n i V.N., M о s k v i n P.P. et al. J. Crowth, 1982, vol. 60, N 2, p. 355−362.
- Баранов A.H., Яковлев Ю.П. Особенности жидкофазной эпитаксии изопериодических варизонных структур
- Изв. АН СССР. Неорган. Материалы, 1982, т. 18, N2, с. 203−208.
- Р a n i s h М.В., Ilegems М. Progr. in Solid State Chemistra, N.Y.- L.: Pergamon Press, 1971, vol. 39, p. 7.
- Nakajama K., Kusunoki Т., Akita K., Kotani T.-J. Electrochem. Soc., 1978, vol. 125, N 1, p. 123.
- Perea E.H., F о n s t a d J. Appl. Phys., 1980, vol. 51, N 1, p. 331−335.
- Болховитянову Ю.Б. Контактные явления на границе раздела фаз перед жидкофазной гетероэпитаксией соединений А3В5. Новосибирск, 1982. 42 с. (Препринт/СО АН СССР, 2−82).
- Small M.B., Cherz R., Potemski R.M., W о о d a 11 J. M Appl. Phys. Lett., 1979, vol. 35, N 3, p. 209.
- Болховитянов Ю.Ч., Ч и к и ч е в С.И. Устойчивость неравновесной границы раздела расплав-кристалл перед жидкофазной3 5гетероэпитаксией соединений, А В. Новосибирск, 1982. 47 с. (Препринт/ СО АН СССР, 5−82).
- Kuznetsov V.V., Moskvin P.P., S о г о k i n V.S. J. Crystal Growth, 1984, vol. 66, p. 562−575.
- Дедегкаев Т.Т., Крюков И. И., Лидейкис Т. П. Фазовая диаграмма Ga-Al-Sb для жидкостной эпитаксии. ЖТФ, 1978, т.48, N3, с. 599−605.
- Jordan A.S., Wei пег М.Е. J. Phys. and Chem. Solids, 1975, vol. 36, p. 1335−1339.
- Вигдорович B.H., Долгинов Л.М., M, а л и н и н А.Ю., Селин А. А. Расчет состава фаз четырехкомпонентных систем с помощью ЭВМ (на примере Al-Ga-As-Sb). Докл. АН СССР, 1978, т. 243, N 1, с. 125−128.
- А 1 f е г о v Zh.I., Garbuzov D.Z., Gorelenok А.Т. In: Advances in science and tehnology in USSR. Physics Series. — Problems in
- Sol. St. Physics. M.: Mir, 1984, p. 201−235/
- К a p я e в B.H., Савельев И. Г. О влиянии дислокаций на величину обратного тока р-п-переходов в твердых растворах GaixSbx-ФТП, 1983, т. 17, N 7, с. 1205−1210.
- В у л ь А.Я., К, а р я е в В.Н., Петросян П. Г. P-n-переходы в твердых растворах GaAs-GaSb. ФТП, 1982, т. 16, N 10, с. 1838−1842.
- F е n g М., Т a s h i m a H.H., Cook L.W. Appl. Phys. Lett., 1979, vol. 34, N 1, p. 91−93.
- N, а к a j a m, а К., К о m i j a S., А к i t a. J. Electrochem. Soc., 1980, vol.127, N7, 1568−1572.
- Берт H.A., Гореленок A.T., Конников С. Г. и др. Экспериментальное определение коэффициентов термического расширения в гетероструктурах GaxInixAsyPi.y InP — ЖТФ, 1981, т.51, N 10, с. 1018−1020.
- Feng M., Cook L.W., Т a s h i m, а M.M., S t i 11 m a n. Appl. Phys. Lett., 1979, vol. 34, N 10, p. 697−690.
- R e i d F.J., D a n t e r R.D., Miller S.E. -Electrochem. Soc., 1966, vol. 113, p. 713.
- Capasso F., Panish M.B., Sumski S. IEEE L.Quantum. Electron., 1981, vol. 17, N2, p. 273−274.
- Low H.D., Chin R., N a k a n о К., M i 1 a n о R. IEEE J. Quantum. Electron., 1981, vol. QE-17, N 2, p. 175−183.
- Cook L.W., T a s h i m a M.M. J. Crystal Growth, 1982, vol. 56, N 2, p. 475−481.
- Groves S.H., P 1 о n k о M.S. -Inst. Phys. Conf., 1979, N 45, p. 71−77.
- Kuphal E., P о cker AJ.-J. Crystal. Growth, 1982, vol. 64, p. 133−139.
- Вельский A.A., Гореленок A.T., Дзигасов А. Г. Получение не легированных слоев InP жидкостной эпитксией. В кн.: Полупроводниковые гетероструктуры и фотопреобразователи солнечной энергии. Ереван, 1982, с. 6−9.
- Г, а ц о е в К.А., Гореленок А. Т., Карпенко C.JI. Эффекты легирования редкоземельными элементами в низкотемпературной краевой люминесценции InP. ФТП, 1983, т. 17, N 12, с. 2148−2151.
- Б, а г р, а е в Н.Т., Власенко Л. С., Г, а ц о е в К.А., Гореленок А. Т. Влияние редкоземельных элементов на подвижность носителей в эпитаксиальных слоях InP и InGaAs. ФТП, 1984, т. 18, N 1, с. 83−84.
- Алферов Ж.И., Гореленок А. Т., К, а м е н и н А.В. Двумерный электронный газ в InGaAs/InP-гетероструктурах, полученных жидкофазной эпитаксией. ФТП, 1984, т. 18, N 7, с. 1230−1232.
- Factor М. М, Н a i g h J. Пат. 4 339 302 (США). — Опубл. 13.07.82.
- Eastman L.F. In: Proceed. Of The 1980 NATO sponsored InP. Workshop. 1980. 117 p.
- W a d a O., N a j e r f e 1 d A., R о b s о n P.N. J.Eletroch. Soc., 1980, vol. 127, N 12, p. 2278−2283.
- Coleman J.J., Nash P.R. Electron. Lett., 1978, vol. N 17, p. 588−589.
- Гореленок A.T., Груздов В. Г., Тарасов И. С. Влияние технологических факторов на люминесцентные характеристики гетеролазеров InGaAsP/InP (к «1,55 мкм). ЖТФ, 1984, т. 54, N 10, с.2017−2021.
- Yeats R., Von Dessohnech К. Appl. Phys. Lett., 1984, vol. 44, N 1, p. 145- 147. '
- Андреев B.M., Богданович M.C., Гореленок А. Т. Исследование p-i-n-фотодиодов на основе InGaAsP/InP. ЖТФ, 1985, т. 55, N5, с. 532−536.
- Pearsall Т.Р., Piskorski М., Brochet A., Chevrier. IEEE J. Quantum Electron., 1981, vol. QE-17, N 2, p. 255−259.
- Law H.D., Nakano K., Tamasetta L.R. IEEE J. Quantum Electron., 1979, vol. QE-15,N 7, p. 549−558.
- Т о b е М., A m е ш i j о X., S, а к a i S, Umeno М. Appl. Phys. Lett., 1980, vol. 37, p. 73.
- Ахмедов Д., Данильченко В. Г., Жингарев М. З. Гетерофототранзисторы в системе InGaAsP/InP. ФТП, 1982, т. 16, с. 372 — 373.
- Eritzche D., Kuphal Е., Aulbach R. Electron. Lett., 1983, vol. 43, p. 99.
- С a m m e 1 J.C., Ohno H., Ballantyne J.M. IEEE Quantum.
- Electron, 1981, vol. QE-17, N 2, p. 269−279.
- С h e n C. Y, Pang Y. M, A 1 a v i J. Appl. Phys. Lett, 1984, vol. 44, p. 99.
- Cappasso F, Logan R. A, T s a n g W.T. Electron. Lett, 1982, vol. 18, N 18, p. 760−761.
- W i 11 i a m s W» E 1 d e r W, J. Electrochem. Soc, 1973, v. 120, N 12, p. 1741−1749.
- С о 1 e m e n J. J, Nash P.R. J. Electron. Lett, 1978, v. 14, N 17, p. 558 559.
- P e r s a 11 T. P, Miller B.F. Appl. Phys. Lett, 1976, v. 28, N 9, p. 499.
- Feng M, T о с h i m a M.M. Appl. Phys. Lett, 1979, v. 34, N 1, p. 91−93.
- Годлинник T. B, Гореленок A. T, Конников С. Г. Особенности выращивания твердых растворов InGaAsP. Всесоюзное научно-техническое совещание «Дальнейшее развитие оптоэлектроники», М, 1977.
- Low H. D, Tom a s е tt a L.R. Appl. Phys. Lett, 1976, v. 33, N 1 l, p. 920.
- Долгинов Jl. M, Ибрагимов К, Высокоэффективная электролюминисценция в InGaAsP. ФТП, 1975, т. 9, N 7, с. 1319−1323.
- Casey H. G, В и с h 1 е г Е. Appl. Phys. Lett, 1977, v. 30, N 5, p. 247−249.
- Колесник Л.И., Ловинский A.M., Рогулин В. Ю. Фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев InGaAsP. ФТП, 1979, т. 13, N6, с. 1151−1155.
- Nagai H., Noquehi V. J. Appl. Phys., 1979, v. 50, N 3, p. 1544−1545.
- Двигасов А.Г. Исследование фото- и электролюминисцентных свойств гетероструктур InGaAsP/InP для спонтанных излучателей. Кандидатская диссертация., 1981.
- Д е х н о А.Н., Емельяненков О. В. Особенности переноса электронов в компенсированных кристаллах n-InP, ФТП, 1979, т. 13, N9, с. 1788−1799.
- Зи С. «Физика полупроводниковых приборов» т. 2, М., «Мир», 1984.
- Y е t s R., D е s s h n e с h К. Appl. Phys.Lett. 1984, v. 44, N 1, p. 145- 147.
- Yets R., D e s s h n e с h K. AppL. Phys. Lett. 1981, v. QE-17, N 2, pp.217−220.
- Бергман Я.В., Корольков В. И., Ларионов B.P.,
- Никитин В.Г. Фотодиоды на основе гетеропереходов GaAs-AlxGa,.xAs, ФТП, 1976, т. 10, N 10, с. 1933−1938.
- Андреев В.М., Богданович М. С., Гореленок А.Т.
- Исследование p-i-n-фотодиодов на основе InGaAsP/InP, ЖТФ, 1985, т.55, N 5, с. 532−536.
- L i К., R е z е k Е., L a w H.D. Electron. L ett., 1984, v. 20, N 5, р.196−198.
- А 1 f е г о v J.I., Garbuzov D.J., Gorelenok А.Т., Sol.St.Phys., M., Mir, 1984, р.201−235.
- Карпов В.Н., Савельев И. Г. О влиянии дислокаций на величину обратного тока р-п-переходов в твердых растворах GaAlAs, ФТП, 1983, т.17, N 7, с. 1205−1210.
- Kuznezov V.V., M о s к v i n P.P., S о г о к i n V.S.-J.Cryst.Grow., 1984, v. 66, p. 562−575.
- Cook L.W., T a s h i m a M.M. J. Cryst.Grow., 1982, v. 56, N 2, p.475−481.
- Groves S. H, P 1 о n к о M.S., Inst. Phys. Conf., 1979, N 45, p.71−77.
- Kuphal E., Pocker A.J. J. Cryst.Grow., 1982, v. 64, p. 133−139.
- Гореленок A.T., Дзигасов А. Г., Москвин П. П. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава TP InGaAsP. ФТП, 1981, т. 15, N 12, с. 2410−2414.
- Бондарь С.А., Галченков Д. В., Гореленок А. Т., Науменко Н. В., Фетисова В. И. Исследование легирования магнием эпитаксиальных слоев InGaAsP Электронная техника, сер. «Материалы», 1988, вып. 8, с. 6−8.
- KugavaT., Motogushi G.- Jap. J. Appl.Phys., 1981, v. 20, N 11, p. 2105−2110.
- Науменко H.B., Фурманов Г. П. и др. Научно-технический отчет по НИР «Айсберг», 1987, г.Калуга.
- Берт И.А., Конников С. Г., Уманский В. Е. определение несоответствия параметров элементарной ячейки в полупроводниковых гетероструктурах. ФТП, 1980, 14, N 10 с. 18 991 903.
- Батавин В.В., Концевой Ю. А., Федорович Ю. В. Измерение параметров полупроводниковых материалов.М., Радио и связь, 1985, 264 с.
- Фомин И.А., А н е н к о Н.М., Барков В. Б. Измерение времени жизни носителей тока в эпитаксиальных слоях. -Электронная техника, сер. «Материалы», 1979, в. 1, с. 107−108.
- М и л н с А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках., М., Мир, 1977, с. 562.
- Барков В.Б., Лебедева Л. В., Фомин И. А. Установка для исследования параметров глубоких центров в полупроводниках. Приборы и техника эксперимента, 1982, N 6, с. 178−181.
- Р е 11 о i е J.L., G i n ill о t G. J. Appl. Phys., 1986, v. 59, N 5, p. 15 361 543.
- Науменко H.B., Фур манов Г.П. Материал для фотоприемных устройств систем волоконно- оптических линий связи./В кн. «Перспективные материалы оптоэлектроники», Изд. ЭПП МЗМП РФ, 1999 г с. 52−66.
- Фетисова В.И., Галченков Д. В., Бондарь С. А., Гореленок А. Т., Науменко Н. В. Эффективные гетероструктуры на основе твердых растворов InGaAsP для излучателей ВОЛС, Электронная техника, сер. «Материалы», N 8, с. 51−53.
- Науменко Н.В. и др. Способ подготовки растворов расплавов для ЖФЭ твердых растворов А3 В5, А.с. № 1 732 705, 1989г
- Науменко Н.В., Фур манов Г.П Материал для элементной базы систем волоконно оптических линий связи / В кн. «Прикладная оптоэлектроника», Изд. ЭПП МЗМП РФ, 2000 г с. 31 -103.1. POCCSf. tf'.V1467-У