Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Атомное строение и физико-химические превращения в тонких слоях свинцово-силикатных стекол при внешних воздействиях

ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Впервые предложена методика рептгеноэлектронного анализа, позволяющая проводить одновременно анализ состава и атомной структуры тонких слоев силикатных стекол и силикатных пленок. Методика основана на корреляциях между положением линий Ois и Si2p и величинами межатомного расстояния Si-О и угла связи Si-O-Si. В Oisи Si2p-спектрах силикатных стекол выделены составляющие, соответствующие кольцам… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Анализ литературных данных по строению силикатных стекол
    • 1. 1. Основные представления о строении силикатных стекол
    • 1. 2. Структурные характеристики силикатных стекол
      • 1. 2. 1. Структурные характеристики стеклообразного кварца
      • 1. 2. 2. Структурные характеристики кремнийкислородных анионов
    • 1. 3. Анализ рентгеноэлектронных спектров кремния и кислорода в силикатах и оксидах
    • 1. 4. Строение двойных свинцово-силикатных стекол
    • 1. 5. Строение силикатных пленок
    • 1. 6. Взаимодействие свинцово-силикатных стекол с водородом
    • 1. 7. Постановка задачи
  • Глава 2. Экспериментальные исследования поверхностных слоев неупорядоченных материалов
    • 2. 1. Физические основы метода фотоэлектронных исследований
      • 2. 1. 1. Обработка рентгеноэлектронных спектров методом Фурье преобразования с регуляризацией
      • 2. 1. 2. Влияние ионной бомбардировки на состав и структурное состояние поверхности неупорядоченных материалов
      • 2. 1. 3. Концентрационные профили распределения компонентов в поверхностных слоях неупорядоченных сплавов
      • 2. 1. 4. Методические аспекты рентгеноэлектронных исследований непроводящих образцов
    • 2. 2. Методика фотоэлектронных исследований на модернизированном спектрометре ЭС
      • 2. 2. 1. Камера энергоанализатора
      • 2. 2. 2. Технологические приставки в камере подготовки образцов
      • 2. 2. 3. Анализ эталонных образцов
    • 2. 3. Термодинамическое моделирование состава и структуры поверхностных слоев неупорядоченных систем
      • 2. 3. 1. Термодинамическое моделирование состава и структуры поверхностных слоев неупорядоченных систем на примере 113 аморфного сплава РеуоСг 15В
      • 2. 3. 2. Достоверность результатов термодинамического моделирования
      • 2. 3. 3. Тенденции термостимулированных изменений состава поверхностных слоев неупорядоченных сплавов
    • 2. 4. Краткое описание методики атомной силовой микроскопии
    • 2. 5. Выводы
  • Глава 3. Атомное строение свинцово-силикатных пленок
    • 3. 1. Методика получения образцов свинцово-силикатных стекол
    • 3. 2. Рентгеноэлектронные исследования свинцово-силикатных стекол
    • 3. 3. Термодинамическое моделирование структуры свинцово-силикатных стекол
    • 3. 4. Моделирование структуры свинцово-силикатных стекол методом молекулярной динамики
    • 3. 5. Коэффициенты вторично-электронной эмиссии свинцово-силикатных стекол
      • 3. 5. 1. Механизм вторично-электронной эмиссии
      • 3. 5. 2. Расчет коэффициент вторично-электронной эмиссии свинцово-силикатных стекол
    • 3. 6. Выводы
  • Глава 4. Восстановление свинцово-силикатных стекол при нагреве в водороде
    • 4. 1. Методика восстановления стекол
    • 4. 2. Термодинамический анализ реакции взаимодействия свинцово-силикатных стекол с водородом при нагреве
      • 4. 2. 1. Моделирование системы «свинцово-силикатное стекловодород» в виде смеси оксидов и силикатов свинца
      • 4. 2. 2. Моделирование системы «свинцово-силикатное стекло — 178 водород» в виде смеси оксидов
    • 4. 3. Рентгеноэлектронные исследования восстановленных двойных свинцово-силикатных стекол
    • 4. 4. Влияние режимов восстановления на состав поверхностного слоя свинцово-силикатных стекол
    • 4. 5. Кинетические характеристики процессов в поверхностных слоях свинцово-силикатных стекол при нагреве в водороде
    • 4. 6. Выводы
  • Глава 5. Влияние внешних воздействий на строение поверхностного 193 слоя свинцово-силикатных стекол
    • 5. 1. Термостимулированные изменения в поверхностных слоях стекол
      • 5. 1. 1. Термодинамический анализ термостимулированных изменений состава поверхностного слоя стекол
      • 5. 1. 2. Кинетические характеристики термостимулированных процессов в поверхностных слоях свинцово-силикатных стекол
    • 5. 2. Влияние бомбардировки ионами аргона на состав и строение поверхностных слоев двойных свинцово-силикатных стекол
    • 5. 3. Влияние бомбардировки ионами аргона на состав восстановленного слоя свинцово-силикатных стекол
    • 5. 4. Выводы
  • Глава 6. Строение тонких силикатных пленок
    • 6. 1. Объекты исследования
    • 6. 2. Нелегированные силикатные пленки
      • 6. 2. 1. Пленки, полученные методом ионного распыления
      • 6. 2. 2. Пленки, полученные по золь-гель технологии
    • 6. 3. Легированные силикатные пленки
      • 6. 3. 1. Свинцово-силикатные пленки, полученные методом ионного распыления
      • 6. 3. 2. Строение золь-гель силикатных пленок, 230 легированных платиной и марганцем
    • 6. 4. Выводы

Атомное строение и физико-химические превращения в тонких слоях свинцово-силикатных стекол при внешних воздействиях (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

Проведено систематическое исследование свинцово-силикатных стекол, выявлены особенности их электронной и атомной структуры, на основании которых получены количественные характеристики атомной структуры стекол и установлены закономерности физико-химических превращений в поверхностных слоях этих стекол при внешних воздействиях и предложены способы прогнозирования возможных изменений состава и строения тонких поверхностных слоев стекол и пленок подобного типа веществ при внешних воздействиях.

1. Впервые предложена методика рептгеноэлектронного анализа, позволяющая проводить одновременно анализ состава и атомной структуры тонких слоев силикатных стекол и силикатных пленок. Методика основана на корреляциях между положением линий Ois и Si2p и величинами межатомного расстояния Si-О и угла связи Si-O-Si. В Oisи Si2p-спектрах силикатных стекол выделены составляющие, соответствующие кольцам, сформированным из 3,4 кремнийкислородных тетраэдров и 5,6 кремнийкислородных тетраэдров.

Методика позволяет анализировать количество кремнийкислородных колец, для которых различие величин углов связи Si-0-Si не менее 10°, а различие межатомных расстояний не менее 0,03 нм.

2. На модельной стеклообразной системе хРЬО- (l-x)Si02 проведен анализ возможностей методик рентгеноэлектронной спектроскопии, термодинамического и молекулярно-динамического моделирования для исследования структуры силикатных многокомпонентных стекол. Сравнение с известными результатами анализа кремнийкислородной структуры этих систем дифракционными методами показало информативность методики, основанной на анализе рентгеноэлектронных спектров.

3. Впервые получены характеристики атомной структуры свинцово-силикатных стекол, которые не были определены ранее другими методами:

— определены элементарные евшщовокпелородные структурные единицы;

— получена количественная информация о соотношении содержания структурных форм свинца, статистике кремнийкислородных и свинцовокислородных структур среднего порядкаопределен характер связи структурных форм свинца с кислородом, определяющий его поведение при внешних воздейс i виях;

— показано, что в структуре свинцово-силикатных стекол сосуществуют две подструктуры.

— кремнийкислородная и свинцово-кислородная;

— определены степени связности кремнийкислородной и свинцовокислородной структур;

— измерены размеры пор в структуре стеколвыяснена причина двойственной функциональной роли свинца в структуре силикатных стекол.

Структура малосвинцовых стекол (30 мол.% РЬО) сформирована преимущественно кремнийкислородными структурами, характерными для стеклообразного кварца — малочленными (3,4) и многочленными (5,6) кольцами из тетраэдров [8104]. Степень связности кремнийкислородной структуры 2.7. Свинец-модификатор формирует с кислородом пирамиды [РЬОз], сеткообразователь — пирамиды [РЬ04]. Доля сеткообразователя составляет 20% от общего содержания свинца. Наблюдаются одиночные и сдвоенные пирамиды [РЬОз] и [РЬ04].

В области средних концентраций РЬО (40−55 мол.%) повышается доля свинца-сеткообразователя (до 65%), пирамиды [РЬ04] объединяются в цепочки. Степень связности свинцовокислородной структуры в стекле с содержанием 55 мол.% РЬО составляет 2.0. Степень связности кремнийкислородной структуры уменьшается до 1.9. Возрастает доля малочленных кремнийкислородных группировок.

Структура высокосвинцовых стекол сформирована свинцовокислородными пирамидами [РЬ04], связанными в цепочки. Степень связности свинцовокислородной структуры составляет 2.1. Доля свинца-модификатора составляет 10% от общего содержания свинца.

Определено, что химическое состояние модификатора подобно состоянию свинца в оксиде РЬО, а химическое состояние сеткообразователя — в оксиде РЬ02. Установлено, что причиной двойственной функциональной роли свинца в структуре силикатных стекол является делокализация валентных бэ-электронов свинца, которые принимают участие в формировании связи с кислородом.

4. Предложена методика прогнозирования изменений состава поверхностных слоев силикатных стекол при нагреве, основанная па анализе квазибинарных систем оксидов. Показано, что изменение состава идет в направлении ближайших (по отношению к составу, соответствующему соотношению концентраций компонентов) минимумов на кривой ликвидуса. Для анализа сегрегационных процессов в ногокомпонентных стеклах, последние могут быть представлены как сочетание квазибинарных систем оксидов.

5. Впервые определен механизм формирования поверхностного слоя при взаимодействии свинцово-силикатных стекол с водородом при нагреве. При нагреве наблюдаются следующие процессы: перераспределение компонентов в поверхностном слое (прогнозируемое с помощью предложенной методики), изменение структурного состояния свинца (переход части свинца-сеткообразоватсля в состояние модификатора), переход оксида свинца в газовую фазу, диффузия и агломерация восстановленного свинца. Химические процессы: восстановление свинца до металлического состояния, образование гидроксильных групп, связанных со свинцом-модификатором.

Определены энергии активации термостимулированных и химических процессов. Увеличение доли свинца-модификатора в структуре стекол на 15% приводит к увеличению энергии активации суммарного процесса (термостимулированного и химического) ~ в 2 раза.

6. Впервые исследованы изменения строения свинцово-силикатных стекол под влиянием бомбардировки ионами аргона.

Показано, что состав и структура малосвинцовых стекол практически не изменяют.

17 7 ся вплоть до дозы 2.810 ион/см". В среднесвинцовых и высокосвинцовых стеклах изменяется структурное и химическое состояние свинца: часть свинца-сеткообразователя переходит в состояние модификатора, наблюдается восстановление свинца до металлического состоянияразрушаются многочленные кремнийкислородные структуры и увеличивается доля малочленных структур.

7. Установлено, что в отличие от массивного силикатного стекла в структуре силикатных пленок, полученных методами ионного распыления и золь-гель, повышено относительное содержание малочлснпых кремнийкислородпых структур. Впервые показано, что кремнийкислородная структура напыленных пленок зависит от толщины: уменьшение толщины пленки сопровождается увеличением доли многочленных кремнийкислородных структур.

Установлена корреляция между коэффициентом преломления пленок, гидрофильными свойствами поверхности и соотношением малочленных и многочленных кремний-кислородных колец: увеличение доли многочленных колец приводит к увеличению коэффициента преломления и гидрофильности поверхности.

Состав поверхностных слоев многокомпонентных свинцово-силикатных пленок, полученных методом ионного распыления, определяется соотношением давления паров напыляемых оксидов при температуре гомогенизации и направлением термодиффузионных процессов.

1. Шульц, М. М. Стекло: структура, свойства, применение, химия / М.М.Шульц// Соросовский Образовательный Журнал.- 1996. № 3. С.49−55.

2. Семинар-дискуссия «определение понятия «стеклообразное состояние» // Физика и химия стекла.- 1994.-Т.20, — № 5. С. 658.

3. Стекло и керамика. Перспективы развития/ В. А Жабреев, В. Г. Конаков, М. М Шульц.-С-Пб.: Янус, 2001.-303 с.

4. Займан, Дж. Модели беспорядка / Дж. Займан.- Москва «Мир», 1982. 591 с.

5. Shelby, J.E. Introduction to Glass Science and technology, 2-nd Edition/ J.E. Shelby.- The Royal Society of Chemistry, Cambridg, England, 2005.

6. Frankenheim, M.L. Die Lehre von der Cohasion / M.L. Frankenheim.- Breslau, Shulz, 1835.389 s.

7. Тудоровская, H.A. Изменения в показателях преломления стекла ниже 300 °C / Н. А. Тудоровская // Изв. АН СССР, — 1938. № 1, — С.107−124.

8. Leeg, Е. Uber die Zeitabhangigkeit der inneren Dampfung von spiegelglas und uber Anomalien im Temperaturgang der inneren Dampfung von Quartzglass/ E. Leeg// Naturwiss.- 1957, — Bd. 44, — Н.Ю.- 303 S.

9. Mackenzie, J.D. Fusion of quartz and crystobalite/ J.D. Mackenzie // J. Amer. Ceram. Soc.-1960, — V.43. № 12, — P. 615−620.

10. Bruckner, R. Properties and structure of vitreous silica. I /R. Bruckner // J. Non-Cryst. Solids. 1970. Y.5. № 2, — P. 123−175.

11. Bruckner, R. Properties and structure of vitreous silica. II / R. Bruckner // J. Non-Cryst.-Solids. 1971. V.5. № 3. P.177−216 .

12. Лебедев, А.А. О полиморфизме и отжиге стекла / А. А. Лебедев // Тр. ГОИ.- 1921. N.2.-№ 10. С. 1−20.

13. Лебедев, А. А. Об отжиге оптического стекла / А. А. Лебедев // Тр. ГОИ.- 1924. Т. З-№ 4, — С. 1−24.

14. Valenkov, N. X-ray investigation of the glassy state/ N. Valenkov, E.A.Porai-Koshits // Nature.- 1936.-V. 137- P.237−274.

15. Porai-Koshits E.A. The possibilities and results of X-ray methods for investigation of glassy substances/ E.A. Porai-Koshits // The structure of glasses.- N.Y. (Consultans Bereau), 1958.-P.25−35.

16. Ботвинкин, O.K.

Введение

в физическую химию силикатов / O.K. Ботвинкин.- М.-Л., 1938, — 284 с.

17. Пинскер, Г. З. Принципы образования атомной структуры вещества в аморфном состоянии (жидком и твердом)/ Г. З. Пинскер// Физ.-хим. исслед. металлургических процессов. Тр. Вузов РФ, Свердловск.- 1982. Вып. 10. С.4−20.

18. Китайгородский, А. И. Строение стекла и методы его исследования при помощи рентгеноструктурного анализа / А. И. Китайгородский // Успехи физических наук.-1938, — T.XIX.- Вып.2. С.201−226.

19. Шишаков, Н. А. Успехи в познании строения силикатных стекол / Н. А. Шишаков // Успехи физических наук.- 1941. T.XXV.- Вып. 4. С. 406−429.

20. Zachariasen, W.H. The atomic arrangement in glasses / W.H.Zachariasen // J. Amer. Chem. Soc.- 1932. V.54. P.3841−3851.

21. Warren, B. X-Ray determination of structure of glass / B. Warren // J. Am. Cer. Soc.-1934.-V.17. P.249−265.

22. Кудинова, И. В. Структура расплава из базальтовых горных пород / И. В. Кудинова, Г. М. Додис // Вестник КГНУ, Бишкек, 1998. часть 3. С. 1−17.

23. Hagg, G. Vitrous state / G. Hagg, // J. Chem Phys., 1935, N3, p.42−67.

24. Гаскелл, Ф. Х. Структура простых стекол. Беспорядок или порядок дебаты продолжаются / Ф. Х. Гаскелл // Физика и химия стекла.- 1998, — Т.24. № 3. С.266−277.

25. Мюллер, P.JI. Строение твердых тел по данным электропроводности / Р. Л. Мюллер // Изв. АН СССР, сер. физ. 1940, — Т.4. С.607−612.

26. Кокорина, В.Ф. О необходимых и достаточных условиях стеклообразования/ В. Ф. Кокорина // Физика и химия стекла. 1999. — Т.25, — № 2, — С.130−139.

27. Тамман, Г. Стеклообразное состояние / Г. Тарасов.- М.-Л., 1935. 253 с.

28. Роусон, Г. Неорганические стеклообразующие системы / Г. Роусон.-М.: Мир, 1970.312 с.

29. Goodman C.H.L. Strained mixed-cluster modal for glass structure / C.H.L. Goodman // Nature (London).- 1975, — V.257. № 5525. P. 370−372.

30. Аппен, A.A. Химия стекла / A.A. Annen. Л.: Химия, 1970. 348 С.

31. Тарасов, B.B. Проблемы физики стекла / В. В. Тарасов.- М.: Стройиздат, 1979. 120 с.

32. Бартенев, Г. М. Сверхпрочные и высокопрочные неорганические стекла / Г. М. Бартенев.- М., 1974, 240с.

33. Голубков В. В. Структура и структурные превращения кварцевых стекол/ В. В. Голубков // Физика и химия стекла. 1992. — Т. 18. — № 1. С.57−69.

34. Gerber, Th. Phase transition in vitreous and amorphous SiCV Th. Gerber, В. Himmel, H. Lorenz // Cryst. Res. Technol.- 1988, — V.23. № 10/11, — P.1293−1302.

35. Himmel, В., Gerber Th., Noftz M. Et al. Structural characterization of vitreous S1O2 polymorphic using WAXS and computer simulation /В. Himmel, Th. Gerber, M. Noftz et al. // Proc. XVI Intern. Congress on glass.- V.3. Madrid.- 1992. P.245−250.

36. Минаев, B.C. Полиморфно-кристаллоидное строение стекла/ B.C. Минаев // Физика и химия стекла.- 1996, — Т.22. № 3, — С. 314−325.

37. Андреев, Н. С. Структура оксидных стекол и стеклообразующих расплавов по данным дифракционных, электронно-микроскопических и вычислительных методов/ Н. С. Андреев // Физикохимия силикатов и оксидов.- С.-Пб: Наука, 1998. с.168−179.

38. Минаев, B.C. К определению некристаллического вещества и его разновидностей / В. С. Минаев // Физика и химия стекла.- 1992; Т. 18. № 1, — С.35−42.

39. Порай-Кошиц, Е. А. Новые результаты исследования неоднородного строения стекла / Е.А. Порай-Кошиц // Физика и химия стекла.- 1975, — Т.1. № 5. С.385−394.

40. Порай-Кошиц, Е.А. О строении стекла: проблемы и перспективы / Е.А. Порай-Кошиц // Физика и химия стекла.- 1992. Т. 18. № 6. С.3−9.

41. Gaskell, Р.Н. Medium — range order and random networks / P.H.Gaskell // J. Non-Cryst. Solids.- 2001, — V.293−295. P.146−152.

42. Малиновский, B.K. Низкочастотное комбинационное рассеяние в стеклообразных материалах / В. К. Малиновский, В. Н. Новиков, А. П. Соколов // Физика и химия стекла, — 1989, — Т.15, — № 3, — С.331−344.

43. Arai, М. Intermediate range structure and low energy dynamics of densified vitreous silica / M. Arai, T. Otomo, M. Nakamura et al // J. Non-Cryst.Solids.- 2001. V.293−295. P.389−393.

44. Swenson, J. Intermediate range ordering in a network glass/ J. Swenson, L. Borjesson // J. Non-Cryst. Solids.- 1998. V.223. № 3.-P.223−229.

45. Suzuya, Kentaro. Intermediate range order in lead metasilicate glass/ K. Suzuya, D. Price, M.-L. Sabounji et al. //Nucl. Instr. Meth. 1997, — V.133. № 1−4. P.57−61.

46. Савранский, С. Д. Возникновение и характеристики среднего порядка в однофазных стеклах и их расплавах/ С. Д. Савранский // Физика и химия стекла, — 1992. Т. 18. № 6.1. С.135−141.

47. Голубков В. В. Релаксация структуры в интервале стеклования В2О3 / В.В. Голубков// Физика и химия стекла.- Т. 15. № 3. С.467−479.

48. Almeidia R.M. Short and intermediate range structures in fluoride glasses by vibrational spectroscopy/ R.M. Almeidia // J. Non-Cryst. Solids.- 1992. V.140. № 1. P.92−97.

49. Санин B.H. Ангармонические эффекты в силикатных стеклах: дисс. докт. физ,-мат.наук, — Воронеж, 1995. 278 с.

50. Porai-Koshits, Е.А. The structure of glasses // E.A. Porai-Koshits // J. Non-Cryst. Solids.-1977. V.25. № 1−3, — P.87−128.

51. Евстропьев, К. С. Химия кремния и физическая химия силикатов / К. С. Евстропьев, Н. А. Торопов.- М., 1956, — 340 с.

52. Лисичкин, Г. В. Химия привитых поверхностных соединений / Г. В. Лисичкин.- М.: Физматгиз, 2003. 562 с.

53. Прянишников, В. П. Ковалентная модель кремнезема и общие закономерности процесса стеклообразования/ В. П. Прянишников // Докл. У Всес. совещания «Стеклообразное состояние». — 1969, — С.55−60.

54. Леко, В.К., Мазурин О. В. Свойства кварцевого стекла / В. К. Леко, О. В. Мазурин.- Л.: Наука, 1985, — 166 с.

55. Леко, В. К. Структура стеклообразного кремнезема / В. К. Леко // Физика и химия стекла.- 1993. Т.19. № 5. С.673−715.

56. Шутилов, В. А. Структурные особенности и модели строения кварцевого стекла/ В. А. Шутилов, Б. С. Абезгауз // Физика и химия стекла.- 1985. Т.П.- № 3. С.257−271.

57. Marians, C.S. Network properties of crystalline polymorphic of silica / C.S. Marians, L.W. Hobbs L.W. // J. Non-Cryst.Solids.- 1990. V.124. № 2−3. P.242−253.

58. Sitarz, M. Rings in the structure of silicate glasses/ M. Sitarz, W. Mozgawa, M. Handke // J. Molec. Struct.- 1999, — V.511−512, — P.281−285.

59. Pasquarello, A. Identification of Raman defect lines as signatures of ring structures in vitreous silica/ A. Pasquarello, R. Car // Phys. Rev. Lett.- V.80. № 23. P.5145−5147.

60. Elliot, R. Evidence for rings in the dynamics of tetrahedral glasses / R. Elliot // J. Non-Cryst. Solids.- 1995. V.182. № 1−2, — P. l-8.

61. Kerner, R. Model of rings in the amorphous SiCh: Frank Galeener’s legacy / R. Kerner // J. Non-Cryst. Solids.- 1995,-V.182.-№ 1−2,-P.9−21.

62. Ito, Y. Application of extended energy loss fine structure in determining the structure of amorphous Si02/ Y. Ito, D. Winkler, H. Jain, D.S. Williams // J. Non-Cryst. Solids.- 1997.-V.222. P.83−93.

63. Зюбин, A.C. Квантовохимическое моделирование свойств структурных фрагментов непрерывной неупорядоченной сетки в «тетраэдрических» стеклообразователях Si02, Ge02, GeS2, BeF2 и ZnCl2/ A.C. Зюбин, С. А. Дембовский // Материаловедение, — 1999.-№ 1. С.2−19.

64. Shchipalov, Yu.K. Surface energy of crystalline and vitreous silica / Yu.K. Shchipalov // Glass and ceramics.- 2000.-V.57. № 11−12, — P.374−377.

65. Volmair, K. Cooling rate effects in amorphic silica: a computer-simulation study / K. Volmair, W. Kob, K. Biner//Phys. Rev. В.- 1996, — V.54. № 22, — P.1588−15 827.

66. Либау, Ф. Структурная химия силикатов / Ф. Либау.-М.: Мир, 1988.

67. Winter-Klein, A. Structure, glass formation and properties / A. Winter-Klein // J. Non-Cryst. Solids- 1995, — V. 192−193. P.9−22.

68. Greaves, G.N. Local structure, microstructure and glass properties / G.N. Greaves, W. Smith, E. Giulotto, E. Pantos //J. Non-Cryst. Solids.- 1997, — V.222. P. 13−24.

69. Anand AgarwaL Correlation of silica glass properties with the infrared spectra / Anand Agarwal, Minoru Tomozava // J. Non-Cryst. Solids.- 1997, — V.209. P. 166−174.

70. Xingwei Feng, Bresser W.J., Min Zhang et al. Role of network connectivity on the elastic, plastic and thermal behavior of covalent glasses / Xingwei Feng, W.J. Bresser, Min Zhang et al. //J. Non-Cryst. Solids.- 1997. V.222. P.137- 143.

71. Нефедов, В.И., Гати Д., Джуринский Б. Ф. Рентгеноэлектронные исследования окислов некоторых элементов / В. И. Нефедов, Д. Гати, Б. Ф. Джуринский // Ж. неорг. химии.- Т. 20. С.2307−2314.

72. Нефедов, В. И. Рентгеноэлектронная спектроскопия химических соединений: Справочник / В. И. Нефедов.- М.: Химия, 1984.256 с.

73. Канунникова О. М. Формы адсорбированного кислорода на поверхности меди. дисс. канд. физ.-мат наук., Ижевск, 1993. 160 с.

74. Канунникова, О. М, Формы адсорбированного кислорода на поверхности переходных металлов / О. М. Канунникова, М. Ф. Сорокина // Деп. ВИНИТИ.- 1991. № 561- В91.-56с.

75. Клименко, Н. М. Гипотеза об участии внешних вакантных орбит в образовании молекул в свете современных квантовохимических расчетов / Н. М. Клименко // Ж. структ. химии, — 1973. Т.14. № 1, — С.173−207.

76. Taylor, D. The relationship between Si-0 distances and Si-O-Si bond angles in the silica polymorphs / D. Taylor // Miner. Mag.- 1972. V.38. P.629−631.

77. Brown, G.E. The nature and variation in length of the Si-0 and Al-0 bonds in framework silicates / G.E. Brown, G.Y. Giobs, P.H.Ribbe // Amer. miner.- V.54. № 7/8, — P.1044−1061.

78. Gibbs, G.V. The localization function: a tool for locality favorable proton docking sites in the silica polimorfs / G.Y. Gibbs, D.F. Cox, M.B. Boisen et al. // Phys. Chem. Min.- 2003.-V.30. P.305−316.

79. Rosso, K.M. SiO bonded interaction in coesite: a comparison of crystalline, molecular and experimental electron density distribution / K.M. Rosso, G.Y. Gibbs, M.B. Boisen // Phys. Chem. Miner.- 1999, — V.26- P.264−272.

80. Newton, M.D. Theoretical probes of bonding in the siloxil group / M.D. Newton // Structure and bonding in crystal.- V.I.- New York: Acad. Press- 1988, — P. 175−193.

81. Sprenger, D. Discrete bond model (DBM) of sodium silicate glasses from XPS, Raman and NMR measurements / D. Sprenger, II. Bach, W. Meisel, P. Gutlich // J. Non-Cryst. Solids.-1993.-V.159.-P.187−203.

82. Райт, А. К. Дифракционные исследования стекол: первые 70 лет / А. К. Райт // Физика и химия стекла.- 1998, — Т.24. № 3, — С.218−265.

83. Weeks, R.A. The structure of glass: past, present and prescient/ R.A. Weeks // J. Non-Cryst. Solids.- 1985. V.73. P.103−113.

84. Shelby, J.E. Property / structure relationships in lead silicate glasses / J.E. Shelby // Glastechn. Ber. -1983. Bd. 56, — № 13, — P.1057−1062.

85. Дембовский, С. А. Стеклообразование / С. А. Дембовский, E.A. Чечеткина.- M.: Наука, 1990, 250 с.

86. Бреховских, М. М. Радиационные эффекты в стеклах / М.М.Бреховских// Материалы Всесоюзного совещения «Стеклообразное состояние». — Ленинград, — 1983. С. 10−17.

87. Бальмаков, М. Д. Стеклообразное состояние вещества / М. Д. Бальмаков.- С.-Пб: Изд-во СПбГУ, 1996, — 182с.

88. Porai-Koshits, Е.А. Structure of glass: the struggle of ideas and prospects / E.A. Porai-Koshits//J. Non-Cryst. Solids.- 1985. V.73.-№ 1−3, — P.79−91.

89. Williams, K.F.E. Mossbauer spectra of tin in binary Si-Sn oxide glasses / K.F.E. Williams, C.E. Johnson, J.A. Johnson et al. // J.Phys.: Condens. Mater.- 1995. V.7. P.9485−9497.

90. Jialing, Y. Further studies on the IR spectra of silicate glasses / Y. Jialing // J. Non-Cryst. Solids.- 1986,-№ 84,-P.114−119.

91. Колесова, В. А. Исследование структуры оксидных стекол методами колебательной спектроскопии/ В. А. Колесова // Физика и химия стекла, — 1983, — Т.9. № 3. С.257−266.

92. Jones, F.L. Optical properties and the constitution of glass /F.L. Jones, N.J. Kreidl // J. Soc. Glass. Technology.- 1949, — V.33. № 153. P.239 254.

93. Сидоров, Т. А. Инфракрасные и ультрафиолетовые спектры и структура свинцовосиликатных стекол / Т. А. Сидоров // Журнал прикладной спектроскопии.-1967, — Т.6. № 1. С.98−101.

94. Etchapare, J. Interpretation of the Raman scattering spectra of binary silicate glasses/ J. Etchapare // Spectrochim. Acta.- Pt. A.- 1969. V.26. № 11. P.2147−2154.

95. Bourdillon, A.J. The reflection spectrum of lead glass / A.J. Bourdillon // Phil. Mag.- 1978.-V.37. № 6. P.731−738.

96. Bent Julian, F. The structure of tin silicate glasses / F. Bent Julian, C. Yfnnon Alex, Holland Diane et al. // J. Non-Cryst. Solids.- 1998, — V.232−234. P.300−308.

97. Bair, G.J. J. Structure of lead-silicate glasses studied by x-ray diffraction/ G.J.J. Bair // J. Amer. Ceram. Soc.- 1936. V.13. P. 339−352.

98. Шахмин А. А. Электронная структура свинцовосиликатных стекол и ее связь с коэффициентом вторично-электронной эмиссии: дисс. канд. физ.-мат.наук., С. Петербург, 2000, — 166 с.

99. Moore, M. Structural analysis of lead silicate glasses / M. Moore, M. Caroy // Trans. Soc. Glass. Techn.- 1949.-V.33. P.239.

100. Пакшеев, И.Ю. К вопросу о фазовых равновесиях в системе Pb0-Si02 / И. Ю. Пакшеев, В. Н. Власов // Изв. вузов: Цветная металлургия, 1999, № 4, С. 1−7.

101. Imaoka, М. X-Ray diffraction analysis on the structure of the glasses in the system PbO-Si02/M. Imaoka, H. Hasagawa, I. Yasui // J. Non-Cryst. Solids.- 1986. V.85. P.393−412.

102. Leventahl, M. Nuclear Magnetic Resonance investigation of compounds and glasses in the systems Pb0-B203, and Pb0-S102 / M. Leventahl, P.J. Bray // Phys. Chem. Glasses.-1965.-V.6.-№ 4.-P.l 13−125.

103. Dupree, R. NMR investigation of lead silicate glasses/ R. Dupree // Trans. Soc. Glass. Techn.- 1949,-V.33.-P.239.

104. Кабанов, В. О. Спектры комбинационного рассеяния и структура стекол системы Pb0-Si02 / В. О. Кабанов, Т. М. Подольская, О. В. Януш // Физика и химия стекла.-1996, — Т.22. № 1. С.25−33.1. О Q 0П7.

105. Fay on, F. Si and Pb NMR study of local order in lead silicate glasses / F. Fayon, С. Bessada, D. Massiot // J. Non-Cryst. Solids.- 1998. V. 232−234. P. 403−408.

106. Демкина, JI.И. Исследование зависимости свойств стекол от их состава / Л. И. Демкина.- М., Оборонгиз, 1958. 156 с.

107. Verjey, Н. Structural units in К 20-Pb0-Si02 glasses by Raman spectroscopy / H. Verjey, W.L. Kanjnendijk // J. Am. Ceram. Soc.- 1976. V.59. № 11/12. P. 517−521.

108. Hosono, H. Coordination of Pb in oxide glasses determined by ESP and properties of binary lead glasses / H. Hosono, H. Kawazoe, T. Kanazawa // Yogyo-Kyokai-Shi.- 1982.-V.90. № 9. P.544−551.

109. Шахмин, А. Исследование электронной структуры свинцовосиликатных стекол методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / А. Шахмин, А. Тютиков //.

110. Физика и химия стекла.- 1990. Т.16, — № 6, — С.833−839.

111. Brosset, С. X-ray diffraction study of lead silicate glasses / C. Brosset // Phys. Chem. Glasses.- 1963.-V.4.-P.99−106.

112. Mydlar, M.F. X-ray diffraction study of lead silicate glasses / M.F. Mydlar, H.J. Kreidl, J.K. Hendren, G.T. Clayton //Phys. Chem. Glasses.- 1970, — V. II.- № 6, — P. 196−204.

113. Gotz, J. On the constitution of silicate groupings in binary lead silicate glasses / J. Gotz, D. Hoebbel, W. Wieker // J. Non-Cryst. Solids.- 1976. V.22. P.391−398.

114. Порай-Кошиц E.A. О стеклообразном состоянии (рентгенографическое исследование): канд. дисс., Казань, 1942.

115. Morikawa, Н. Structural analysis of 2РЬО Si02 glasses / H. Morikawa, Y. Takagi, H. Ohno // J. Non-Cryst.Solids.- 1982. V.53. P.173−182.

116. Zahra, A.-M. DSC and Raman studies of lead borate and lead silicate glasses / A.-M. Zahra, C.Y. Zahra, B. Piriou // J. Non-Cryst. Solids.- 1993, — V.155. P. 45−55.

117. Piriou В., Arashi H. Raman and infrared investigation of lead silicate glasses/ B. Piriou, H. Arashi //High Temp. Sci.- 1980, — V.13. P. 299−313.

118. Liping, L. Infrared spectroscopy on lead silicate glasses / L. Liping // Z. Phys. B. 1993.-V.90. P.393 — 399.

119. Furukawa, T. The structure of lead silicate glasses determined by vibrational spectroscopy / T. Furukawa, S.A.Brawer, W.B.White // J. Mater. Sci.- 1978, — V.13- P. 268−282.

120. Worrell, C.A. Vibrational spectroscopic studies of some lead silicate glasses/ C.A. Worrell, T. Henshall //J. Non-Cryst. Solids.- 1978, — V. 29. P. 283−299.

121. Roy, N.H. Oxide glasses of very low softening point. A study of potassium lead phosphate glasses by Raman spectroscopy / N.H. Roy // Glass Technol.- 1975. V. 16. № 5. P. 107 108.

122. Witkowska, A. Influence of hydrogen reduction on the structure of PbSiCb glass: an EXAFS study / A. Witkowska, J. Rybicki, K. Trzebiatowski et al. // J. Non-Cryst. Solids.-2000, — V.276. P. 19−26.

123. Немилов, C.B. Вязкость и структура стекол системы PbO-SiC>2 / C.B. Немилов // Неорг. матер.- 1968. T.IV.- С.952−955.

124. Смирнова, Е. В. Исследование структуры свинцовосиликатных стекол методом инфракрасной спектроскопии / Е. В. Смирнова // Неорг. Матер.- 1965. Т.1. № 8,-С.1410−1417.

125. Fajans, К. The structure of lead silicate glasses / K. Fajans, N.J. Kreidl // J. Amer. Soc.-1948. Y.48. P.105−112.

126. Krogh-Moe, J. Interpretation of the infrared spectra of boron oxide and alkali borate glasses / J. Krogh-Moe // Zs.phys.chem.- 1958, — V.18. P.239−252.

127. Fayon, F. Pb2+ environment in lead silicate glasses proved by Pb-Ьш edge XAFS and 207 Pb NMR / F., Fayon, C. Landron, K. Sacurai et al. // J. Non-Cryst. Solids.- 1999. V. 243,-№ 1. P.39−44.

128. Tiago Takaishi. Structural study on PbO-SiCh glasses by x-ray and neutron diffraction and Si MAS Measurements / Tiago Takaishi, Masahide Takahashi, Jisun Jin et al.// J. Am. Ceram. Soc.- 2005; V.88. № 6, — P.1591−1596.

129. Rybica, J. The structure of the first coordination shell of Pb atoms in lead-silicate glasses: a molecular dynamic studies / J. Rybica, A. Rybica // Сотр. Meth. Sci. Techn.- 1990; V.5.-P.67−74.

130. Rybica, J. The structure of lead-silicate glasses: a molecular dynamic and EXAFS studies / J. Rybica, A. Rybica, A. Witkowska et al. // J. Non-Cryst. Solids.- 2000. V.276. P. 19−26.

131. Тютиков, A.M. Влияние окислов металлов на свойства эмитирующего слоя свинцово-силикатных стекол / A.M. Тютиков, М. Н. Тоисева, В. Н. Полухин, Н. В. Лобанова, В. Е. Яковлева // Физика и химия стекла.- 1981. № 6, — С.705−711.

132. Тютиков, A.M. Исследование связи эмиссионных свойств свинцово-силикатных стекол с их составом и структурой / A.M. Тютиков, М. Н. Тоисева, В. Н. Полухин, Н. В. Лобанова, В. Е. Яковлева // Физика и химия стекла.- 1979. Т.5. № 5. С.628−631.

133. Kaneko, Yasunari. Fundamental studies on quantitative analysis of О0, O" and 02~ ions in silicate by X-ray photoelectron spectroscopy / Kaneko Yasunari, Y. Suginohara // Yogyo-Kyikai-Shi.- 1975. V. 41. № 4. P. 375−380.

134. Smets, B.M.J. The structure of glasses and crystalline compounds in the system Pb0-Si02, studied by X-ray photoelectron spectroscopy / B.M.J. Smets, T.P. Lommen // J. Non-Cryst. Solids.- 1982, — V. 48. P. 423−430.

135. Wang Paul, W. Structural role of lead in lead silicate glasses derived from XPS spectra / W. Wang Paul, Zhang Lipeng // J. Non-Cryst. Solids.- 1996. V. 194, — № 1−2. P. 129−134.

136. Гончаров, О. Ю. Универсальная методика оценки термодинамических свойств / О. Ю. Гончаров // Труды Всероссийского семинара «Термодинамика поверхностных явлений и адсорбции», Иваново, Плес, 2006. С. 85−88.

137. Rigato, V. Physical properties of lead-silicate glassy thin films deposited by spattering in Ar: H2 mixtures/V. Rigato, D. Boscarino, D. Maggoni, et al. //Nuclear Instr. Meth.- 1996.-V.116.-P. 424−428.

138. Стекло и керамика. Перспективы развития / В. А Жабреев, В. Г. Конаков, М. М Шульц, — С-Пб.: Янус, 2001. 303 с.

139. Flitsch, R. Electron mean escape depth from x-ray photoelectron spectra of thermally oxidized silicon dioxide films on silicon / R. Flitsch, S.I. Raider // J. Vac. Sci. Techn.-1975;V.12.-№ 1. P.305−311.

140. Hill, J.M. Properties of oxidized silicon as determined by angular-dependent x-ray photoelectron spectroscopy / J.M.Hill, D.C. Roycer, C.S. Fadley et al. // Chem. Phys. Lett.- 1976. V.44. № 2, — p.225−231.

141. Braun, W. Chemical structure of ultrathin thermally grown oxides on a Si (100)-wafer using core-level photoemission / W. Braun, H. Kuhlebeck // Surf. Sei.- V.180. № 1.-P.279−288.

142. Garner, C.M. Electron-spectroscopic studies of the early stages of the oxidation of Si / C.M. Garner, I. Lindau, C.Y. Su et al. // Phys. Rev. B.- V. B19. № 8−15. P.3944−3956.

143. Ishizaka, A. Si-Si02 interface characterization from angular-dependence of x-ray photoelectron spectra / C.M.Garner, I. Lindau, C. Y. Su et al. // Appl. Phys. Lett.- 1980.-V.36. № 1. P.71−73.

144. Hecht, M.H. Electron-escape depth variation in thin Si02 films measured with variable photon energy / M.H. Hecht, F J. Grunthaner, P. Pianetta et al. // J. Vac. Sei. Techn.-1984, — V.2. № 2, — P.584−587.

145. Grunhaner, F.J. High-resolution x-ray photoelectron spectroscopy as a probe of local atomic structure / F.J. Grunhaner, P.J. Grunhaner, R.P. Vasques et al. // Phys. Rev. Lett.-1979. V.43. № 22. P.1683−1686.

146. Himpsel, F.J. Microscopic structure of the Si-Si02 interface / F.J. Himpsel, F.R. McFeely, A. Taleb-Ibrahimi, J.A. Yarmoff// Phys. Rev. B- 1988, — V.38. № 9. P.6084−6096.

147. Jolly, F. Oxidized silicon surfaces studied by high resolution Si2p core-level photoelectron spectroscopy using synchrotron radiation / F. Jolly, F. Rochet, G. Dufour et al. // J. Non-Cryst. Solids.- 2001, — V.280. № 1−3. P.150−155.

148. Johansson, L.I. Synchrotron radiation stadies of the Si02/ SiC (0001) interface / L.I. Johansson, C. Virojanadara//J.Physics: Condense Matter.-2004. V.16. S3423-S3434.

149. Revesz, A.G. Density gradient in SiC>2 films on silicon as revealed by positron annihilation spectroscopy / A.G. Revesz, W. Anwand, G. Brauer et al. // Appl. Surf. Sci.- 2002; V.194-P. 101−105.

150. Лисовский, И. П. Изучение структурного состояния кислорода в пленках SiOx методом ИК-спектроскопии / И. П. Лисовский, В. Б. Лозинский, С. И. Фролов // Украинский физический журнал.- 1993. Т.38. № 5, — С. 745−752.

151. Ту, К. Методы получения и исследования тонких пленок / К. Ту, С. Лау // Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. -М. Мир, 1982. с.83−122.

152. Чопра, К. Л. Электрические явления в тонких пленках / К. Л. Чопра.- М. Мир, 1972.

153. Технология тонких пленок. Справочник / Под ред. Л. Майсселя, Р. Гмэнга.- М.: Советское радио, 1977, гл.З.

154. Almeida R.M. Spectroscopy and structure of sol-gel system / R.M. Almeida // J. Sol-Gel Science and Technol.- 1998, — V.13. P.51−59.

155. Uhlmann, D.R. Sol-gel science and technology: current state and future prospects / D.R. Uhlmann, G. Teowell // J. Sol-Gel Sci. Techn.- 1998.-V.13. P.153−162.

156. Brinker, C.F. Sol-Gel Science/ C.F. Brinker, G.W. Scherer // The Physics and Chemistry of Sol-Gel Processing.- San Diego: Academic Press, Inc. 1990.

157. Almeida R.M. Spectroscopy and structure of sol-gel system / R.M. Almeida // J. Sol-Gel Science and Technol.- 1998. V.13. P.51−59.

158. Simeonova, J.M. Surface compositional studies of heat reduced lead silicate glass / J.M. Simeonova//J. Non-Cryst. Solids.- 1983, — V.57. P. 177−187.

159. Bongiorno, A. Migration of atomic hydrogen in crystalline and amorphous Si02: amolecular dynamic study / A. Bongiorno, L. Colombo, M.I. Trioni // J. Non-Cryst. Solids.-1997. V.216. P.30−35.

160. Kama, S.P. Interaction of H7 H° with О atom in thin Si02 films: a firstprinciples quantum mechanical study / S.P. Kama, R.D. Pugh, W.M. Schedd, B.B.K. Singaraju // J. Non-Cryst. Solids.- 1999.-V.254.-P.66−73.

161. Lopez, N. Interaction of H2 with strained rings at the silica surface from ab initio calculations / N. Lopez, M. Vitello, F. Illas, G. Pacconi // J. Non-Cryst. Solids.- 2000, — V. 271. P.56−63.

162. Файнберг, E.A. Химический состав фазы, восстанавливающейся на поверхности свинцовосиликатных стекол в процессе их термообработки в водороде / Е.А. Файнберг//Ж. прикладной химии, — 1965. Т.39. № 10. С.2192−2196.

163. Гусинский, Г. М. Влияние термоводородной обработки на концентрационный профиль свинца в свинцовосиликатном стекле/ Г. М. Гусинский, Г. М. Осетинский и др. // Физика и химия стекла. -1987, — Т.13, — № 5. С.732−740.

164. Елисеев, С. А. Применение Оже-спектроскопии для изучения распределения элементов в поверхностном слое восстановленных свинцовосиликатных стекол / С.А.Елисеев//Физика и химия стекла, — 1985. Т.П.-№ 5. С.600−602.

165. Елисеев, С. А. Профили распределения элементов в поверхностном слое восстановленных свинцовосиликатных стекол / С. А. Елисеев // Физика и химия стекла, — 1985. Т.П.- № 5. С.603−604.

166. Гравель, JI.A. Об изменении состояния поверхности восстановленных свинцовосиликатных стекол при их термообработке / JI.A. Гравель, Н. Б. Леонов и др. // Физика и химия стекла, — 1984.-Т.10, — № 1, — С.75−78.

167. Зигбан, К. Электронная спектроскопия / К. Зигбан, К. Нордлинг, А. Фальман А. и др.-М.:Мир, 1971.-493 с.

168. Вовна, В. И. Фотоэлектронная спектроскопия свободных молекул / В. И. Вовна, Ф. И. Вилесов // Успехи фотоники. JL: Изд-во Ленингр. ун-та, 1975. с.3−149.

169. Нефедов, В. И. Применение электронной спектроскопии в химии / В. И. Нефедов // ВИНИТИ, М., 1973, 148 с.

170. Немошкаленко, В. В. Электронная спектроскопия кристаллов / В. В. Немошкаленко, В. Г. Алешин.- Киев: Наукова думка, 1976. 336 с.

171. Пролейко, В. М. Аналитическое приборостроение электроники / В. М. Пролейко // Электронная промышленность, — 1978, — Вып. 11−12. С.3−9.

172. Трапезников, В. А. Рентгеноэлектронная спектроскопия сверхтонких поверхностных слоев конденсированных систем / В. А. Трапезников, И. Н. Шабанова.- М.: Наука,-1988, 200с.

173. Карлсон, Т. А. Фотоэлектронная и Оже-спектроскопия / Т. А. Карлсон.- Л: Машиностроение, 1981. 431 с.

174. Миначев, Х.М. Е. С. Фотоэлектронная спектроскопия и ее применение в катализе / Миначев Х. М., Антошин Г. В., Шпиро Е. С. М.: Наука, 1981.213с.

175. Нефедов, В. И. Физические методы исследования поверхности твердых тел / В. И. Нефедов, В. Т. Черепин, — М.:Наука, 1983.296 с.

176. Анализ поверхности методами ожеи рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии/ Д. Бриггс, М. П. Сих.-. М.: Мир, 1987.-598 с.

177. Вудраф, Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности / Д. Вудраф, Т. Делчар.- М.: Мир, 1989, — 568с.

178. Синхротронное излучение / К. Кунц.- М.: Мир, 1981. 526с.

179. Бейкер, А. Фотоэлектронная спектроскопия / А. Бейкер, Д. Беттеридж .- М.: Мир, 1975. 200с.

180. Электронная и ионная спектроскопия / Под ред. Л. Фрименса, — М., 1981.-467 с.

181. Photoemission in solids. I. /Ed. M. Cardona, L. Ley. Berlin, 1978. 290 p.

182. Photoemission in solids. II. /Ed. L. Ley, M. Cardona. Berlin, 1979. 300 p.

183. Гомоюнова, M.B. Фотоэлектронная спектроскопия адсорбированных атомов и молекул/ М.В.Гомоюнова// Журнал технической физики- 1977. Т.47, — Вып. 4,-С.673−708.

184. Гомоюнова, М. В. Электронная спектроскопия поверхности твердого тела / М. В. Гомоюнова // Усп. физ. Наук.-1982, — Т.136, — № 1. С.105−148.

185. Праттон, М.

Введение

в физику поверхности / М. Праттон.- М.- Ижевск, 2000.256 с.

186. Hufner, S. Photoelectron spectroscopy / S. Hufner.- Springer-Verlag, 2000. 508 p.

187. Yen, J.J. I Atomic subshell photoionization cross-section and asymmetry parameters: l.

188. Goldberg, S.M. Photoionisation cross-section for atomic orbitals with random and fixed spatial orientation / S.M. Goldberg, C.S. Fadley, S. Kono // J. Electr. Spectr.Rel. Phenom.-1981;V.21. P. 285−363.

189. Woodruff, P. The quantitative interpretation in photoelectron spectra obtained with dispersive electrostatic analyzers / P. Woodruff, L. Torop, J.B. West // J. Electr. Spect. Rel.Phenom.-1977. № 12. P.133−142.

190. Fister, J. Quantitative ESCA surface analysis applied to catalysts: Investigation ofconcentration gradients / J. Fister, P. Lorenz, A. Meisel // Surf. Interf. Analysis.- 1979;V.1.-N6. P. 179−184.

191. Carter, W. Experimental evaluation of a simple model for quantitative analysis in X-ray photoelectron spectroscopy / W. Carter, C. Schweitzer, T. Carlson // J. Electr. Spect. Rel. Phen.- 1974. V.5. P.827−835.

192. Powell, C.J. Quantitative surface analysis by X-ray photoelectron spectroscopy / C.J. Powell, P.E. Larson//Appl. Surf. Sci.- 1978, — V.I.- P. 186−201.

193. Szajman, J. Subshell photoionisation cross-sections, electron mean free paths and quantitative X-ray photoelectron spectroscopy / J. Szajman, I.J. Jenkin, R. Leckey, Liesegang J. // J. Electr. Spect. Rel. Phen.- 1980. V.5. P.393−408.

194. Hoffmann, S. Quantitative depth profiling in surface analysis: a review / S. Hoffmann // Surf. Interface Anal.- 1988. V.2. № 4. P.148−160.

195. Шаков А. А. Развитие методов количественного анализа функциональных групп органических соединений с помощью рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии: дисс.канд. физ.-мат. наук, Ижевск, 1999.

196. Beamson, G. High Resolution XPS of Organic Polymers: The Scienta ESCA300 Database / G. Beamson, D. Briggs // Wiley & Sons-Chichester, New York, Brisbane, Toronto, Singapore, 1992.-582 p.

197. Naguib, H.M. Criteria for bombardment-induced structural changes in non-metallic solids /.

198. H.M. Naguib, R. Kelly // Radiation effects.- 1975, — V.25. P. l-12.

199. Garrido, B. Reconstruction of the Si02 structure damaged by low-energy Ar-implanted ions /B. Garrido, J. Samitier, S. Botaetal. //J. Appl. Phys.- 1997. V.81. № 1. P.126−134.

200. Kim Hong-Ryul. The effect of Ar+ -ion bombardment on SiC>2 aerogel film/ Kim Hong-Ryul, Park Hyung-Ho. // Jap. J. Appl. Phys.- Pt.l.- 1998, — V.37. № 12B.- P.6955−6958.

201. Mizutani Tatsumi. Compositional and structural modifications of amorphous SiO by low-energy ion and neutral beam irradiation / Mizutani Tatsumi // J. Non-Cryst. Solids.- 1995.-V. 181.-№ 1−2. P.123−134.

202. Douillard, L. Swift heavy ion amorphization of quartz a comparative study of the particle amorphization mechanism of quartz / L. Douillard, J.P. Duraud //Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B.- 1996, — V.107. P.212−217.

203. Hobbs, L.W. The role of topology and geometry in the irradiation-induced amorphization of network structures / L.W. Hobbs // // J. Non-Cryst. Solids.- 1995. V.182. P.27−39.

204. Holloway, P.H. Limitation of ion etching for interface analysis / P.H. Holloway, P. Bhattacharia. // Surf. Interface Anal.- 1981. V.3. № 3. P. 118−125.

205. Kelly, R. On the problem of whether mass of chemical bonding is more important to bombardment-induced compositional changes in alloys and oxide / R. Kelly // Surf. Sci.-1980.-V.100.-P.85−107.

206. Chuang, T. An X-ray photoelectron spectroscopy study of chemical changes in oxide and hydroxide surfaces inducted by Ar bombardment / T. Chuang, G. Brundelt, K. Wandelt // Thin Solid Films.-1978. V.53. № 1, — P.19−27.

207. Kim, K.S. ESCA studies of metal-oxygen surfaces using argon and oxygen ion-bombardment / K.S. Kim, W. E. Baitinger, J. W. Amy, N. Winograd // J. Electron Spect. Relat. Phenom.- 1974.-V.5. P.351−367.

208. Wagner, S.D. Studies of the charging of insulators in ESCA / S.D. Wagner // J. Electr. Spect. Rel. Phenom. -1980, — V.18. P.345−349.

209. Клещевииков A.M. Профили концентраций элементов по глубине твердых тел на основе данных рентгеноэлектронной спектроскопии: дисс. канд. физ.-мат. наук., Москва, 1983. 160 с.

210. Treglia, G. Alloy surfaces: segregation, reconstruction and phase transitions / G. Treglia, B. Legrand, F. Ducastelle et al. // Сотр. Mater. Sci.- 1999, — XslS.- P.196−235.

211. Матвеев, В. И. Распыление металла в виде больших кластеров при ионной бомбардировке / В. И. Матвеев, С. Ф. Белых, И. В. Веревкин // ЖТФ, — 1999. Т.69.-Вып.З.- С.64−68.

212. Wolf, G.K. Chemical effects of ion bombardment / G.K. Wolf// Instr. Inorg. Chem.-1979. V.83. P.1−34.

213. Wu, O.K.T. ESCA signal intensity dependence on surface area (roughness) /.

214. K.T.Wu, G.G. Peterson, W.J. LaRocca, E.M.Butler//Appl. Surf. Sci.- 1982,-№ 11/12. P.118−130.

215. Lomaev, I.L. Application of atomic force microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy to measuring thickness of surface coating for nanostructured materials /.

216. L. Lomaev, S.F.Lomaeva//Phys. Low-Dim. Struct.- 2003. -N 2/3. P. 175−182.

217. Urch D.S., Webber M. The unsuitability of gold as a standard non conducting samples in X-ray photoelectron spectroscopy / D.S. Urch, M. Webber // J. Electr. Spectr. Relat. Phenom.- 1974,-V.5. P.791−798.

218. Hatowich, D.G. Determination of charging effect in photoelectron spectroscopy of non conducting solids / D.G. Hatowich, J. Hudis, M. L. Perlman, R.C. Ragaini // J. Appl. Phys.- 1971. V.42. № 12, — P.4883−4886.

219. Уэстон, Дж. Техника сверхвысокого вакуума / Дж. Уэстон.- М.: Мир, 1988. 365 с.

220. Frost, D.C. A versatile, fast pumping ultraviolet photoelectron spectrometer for the study of transient and unstable species / D.G. Hatowich, J. Hudis, M.L. Perlman, R.C. Ragaini // J. Electron Spectr. Relat. Phenom.- 1977. V.12. P.95−100.

221. Кожевников, В. И. Расширение диапазона возбуждающего излучения электронного спектрометра ЭС-2401 / В. И. Кожевников, Ф. З. Гильмутдинов, О. М. Канунникова,.

222. B.А. Трапезников, С. В. Антонов // Приборы и техника эксперимента.- 1995. № 4.1. C.159−161.

223. Кожевников, В.И., Индукционный нагрев образцов в электронных спектрометрах / В. И. Кожевников, Д. В. Мерзляков, Ф. З. Гильмутдинов, О. М. Канунникова, М. Ф. Сорокина // Приборы и техника эксперимента.- 1991. № 2. С.200−201.

224. Вотяков, В. А. Шлюзовая камера для электронных спектрометров / В. А. Вотяков, П. Г. Мерзляков, В. П. Кожевников // Заводская лаборатория, — 1994. № 2. С. 24 25.

225. Rondon, S. Core level and valence band spectra of PbO by XPS / S. Rondon, P.M. Sherwood// Surf. Sci. Spectra.- 1998, — V.5. P.97−103.

226. Jolly, F. Oxidized silicon surfaces studied by high resolution Si2p core-level photoelectron spectroscopy using synchrotron radiation / F. Jolly, F. Rochet, G. Dufour et al. // J. Non-Cryst. Solids.- 2001. V.280. № 1−3, — P.150−155.

227. Johansson, L.I. Synchrotron radiation stadies of the ЭЮг/ SiC (0001) interface / L.I. Johansson, C. Virojanadara//J.Physics: Condense Matter.-2004. V.16. S3423-S3434.

228. Bach, H. Advanced surface analysis of silicate glasses, oxides and other insulating materials: a review / H. Bach // J. Non-Cryst. Solids.- 1997, — V.209. P. 1−18.

229. Фельц, А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела / А.Фельц.- М.: Мир, 1986, 558 с.

230. Бальмаков, М. Д. Стеклообразное состояние вещества / М. Д. Бальмаков, — СПб: Изд-во СПбГУ, 1996. 182с.1. О 2.

231. Kaneko Yasunari. Fundamental studies on quantitative analysis of О, О" and О «ions in silicate by X-ray photoelectron spectroscopy / Kaneko Yasunari, Y. Suginohara // Yogyo-Kyikai-Shi.- 1975. V. 41. № 4. P. 375−380.

232. Киселев, В. Ф. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников и диэлектриков / В. Ф. Киселев, О. В. Крылов.- М.: Наука, 1978, — 256 с.

233. Dickens, В. The bonding in red PbO / В. Dickens // J. Inorg. Nucl. Chem.- 1965, — v.27.-P.1503−1507.

234. Dickens, B. The bonding in the yellow form of lead monoxide / B. Dickens // J. Inorg. Nucl. Chem.- 1965. V.27. P.1495−1501.

235. Hewitt, R.W. Investigation of the oxidation of polycrystalline lead by XPS and SIMS / R. W. Hewitt, N. Winograd // Surf. Sci.- 1978, — V.78. P. l-14.

236. Joyner R.W., Low energy electron diffraction and electron spectroscopic studies of the oxidation and sulphidation of Pb (100) and Pb (l 10) surfaces / R.W. Joyner, R. Kishi R, M.W. Roberts // Proc. R. Soc. Lond.- 1977. V. A358. P.223−247.

237. Kim, K.S. Observation of polymorphic lead monoxide surfaces using x-ray photoelectron spectroscopy /K.S. Kim, N. Winograd // Chem. Phys. Lett.- 1973. V.19. № 2, — P.209−212.

238. Taylor, J. A. An x-ray photoelectron and electron energy loss study of the oxidation of lead / J.A. Taylor, D. L. Perry //J. Vac. Sci. Technol.- 1984, — V. A2(2).- P.771−774.

239. Dickens, B. The bonding in РЬзОз and structural principles in stoichiometric lead oxides/ B. Dickens // J. Inorg. Nucl. Chem.- 1965, — V.27. P. 1509−1515.

240. Rondon, S. Core level and valence band spectra of Pb02 by XPS/ S. Rondon, P.M. Sherwood // Surf. Sci. Spectra.- 1998. V.5. P. 104−110.

241. Von Katsuo Kato Die OD-Structur von bleisilicat Pb2Si04 und bleisilicat-germanat mischkristall Pb2 (Si, Ge)04 / Von Katsuo Kato // Acta Cryst.- 1980, — V. B36. P.2539 -2545.

242. Rondon, S. Core level and valence band spectra of Pb by XPS / S. Rondon, P.M. Sherwood // Surf. Sei. Spectra.- 1998, — V.5. P.83−89.

243. Анфилогов B.H., Быков B.H., Осипов A.A. Силикатные расплавы / В. Н. Анфилогов, В. Н. Быков, A.A. Осипов.- М.:Наука, 2005, 360 с.

244. Термодинамические свойства индивидуальных веществ. Справочное издание: в 4-х т.

245. Л. В. Гурвич, И. В. Вейц, В. А. Медведев и др.- М.: Наука, 1982.

246. Моисеев, Г. К. Температурные зависимости приведенной энергии Гиббса некоторых неорганических веществ / Г. К. Моисеев, H.A. Ватолин, Л. А. Маршук, Н. И. Ильина,-Екатеринбург: УрО РАН, 1997, — 231.

247. Бровко, А.П. О природе кристаллов на контактной поверхности аморфных лент сплавов (Fe, Cr)85Bi5 / А. П. Бровко, В. В. Маслов, Д. Ю. Падерно и др. // Металлофизика, — 1990. Т. 12.-№ 4, — С. 116- 119.

248. Диаграммы состояний двойных и многокомпонентных систем на основе железа. Справочник /O.A. Банных, М. Е. Дрица.- М.: Металлургия, 1986. 440 с.

249. Ватолин, H.A. Термодинамическое моделирование в высокотемпературных неорганических системах / H.A. Ватолин, Г. К. Моисеев, Б. Г. Трусов.- М.: Металлургия, 1994, 352 с.

250. Моисеев, Г. К. Оценка погрешностей термодинамического моделирования, связанных с учетом неидеальности металлургических растворов / Г. К. Моисеев, Л. А. Маршук, С. К. Попов // Изв. АН СССР. Металлы.- 1987. № 6. С.45−52.

251. Кубашевский, О. Металлургическая термохимия / О. Кубашевский, С. Б. Олкокк,-М.: Металлургия, 1982, 392 с.

252. Othmer, H.G. Nonuniquenss of equilibria in closed reacted systems / Othmer, H.G. // Chem. Eng. Sci.- 1979, — V.31. № 11. P.993−1003.

253. Соловьев, В.А. О моделях молекулярных ассоциатов в теориях термодинамических свойств стеклообразующих расплавов / В. А. Соловьев, Е. В. Живаева, А. О. Кислюк // Физ.хим.стекла, — 1998. Т.24, — С. 345 354.

254. Mydler, M.F. X-ray diffraction study of lead silicate glasses / M.F. Mydler, N.J. Kreidl, J.K. Hendren et al. // Phys.Chem.Glasses.- 1970, — V. l 1, — P.196−204.

255. Иодко Э. А. Термодинамически оправданные модели многокомпонентных систем / Э. А. Иодко // Высокотемпературная физическая химия и электрохимия, — Свердловск: ИЭ УНЦ АН СССР, 1965, — с.69−71.

256. Gumen, L.N. Surface segregation of interacting atoms: analytical approach, using thermodynamic model / L.N. Gumen, E.P.Feldman, V.M. Yurchenko // Surf. Sci.- 2000.-V.445. P.526−534.

257. Bozzolo, G. Surface segregation in multicomponent systems: modeling of surface alloys and alloy surfaces / G. Bozzolo, J. Ferrante, R.D. Noebe et al. // Сотр. Mat. Sci.- 1999.-P.169−195.

258. Ossi, P.M. Surface segregation in transition metal alloys: experiment and theories / P.M. Ossi // Surf. Sci.- 1988. № 3. L519-L532.

259. Teraoka, Y. Surface segregation and surface melting in segregating alloy / Y. Teraoka, M. Komaki // Surf. Sci.- 1999. V.439. P. l-13.

260. Teraoka, Y. Surface segregation and bulk phase separation in segregation alloys / Y. Teraoka, T. Seto // Surf. Sci.- 1991. V.255. № 3, — P.209−218.

261. Гиббс, Дж. Термодинамические работы / Дж. Гиббс.- Госхимиздат, 1950.421 с.

262. Liuten, J. Segregation in ternary alloys: an interplay of driving forces / J. Liuten, S. Helfensteyn, C. Creems //Appl. Surf. Sci.- 2003, — V.212−213. P.833−838.

263. Физическая химия неорганических материалов, т.2 / В. Н. Еременко В.Н.- Киев «Наукова думка», 1988. 191 с.

264. Wautelet, М. Estimation on the variation of the melting temperature with the size of small particles, on the basis of a surface-phonon instability model / M. Wautelet // J. Phys. D: Appl. Phys.- 1991. V.24. P.343−346.

265. Иодко Э. А. Принцип «независимости» и модели реальных бинарных растворов / Э. А. Иодко // Высокотемпературная физическая химия и электрохимия.- Свердловск: ИЭ УНЦАН СССР, 1965, — с.69−71.

266. Radlein, E. Atomic force microscopy as a tool to correlate nanostructure to properties of glasses / E. Radlein, G.H. Frischat // J. Non-Cryst. Solids.- 1997. V.222. P.69−82.

267. Aim, H.-S. Application of phase contrast imaging atomic force microscopy to tribofilms on DLC coating / H.-S. Ahn, S.A. Chizik, A.M. Dubravin et al. // Wear.- 2001, — V.249.-P.617−625.

268. Езиков В. И., Пасишник C.B. Строение и распределение анионов в стеклах системы Pb0-PbSi03/B.H. Езиков, C.B. Пасишник//Физика и химия стекла, — 1989, — Т. 15,-№ 6, — С.900−911.

269. Иодко Э. А. Термодинамически оправданные модели многокомпонентных систем / Э. А. Иодко // Высокотемпературная физическая химия и электрохимия.- Свердловск: ИЭ УНЦ АН СССР, 1965. с.69−71.

270. De Boer. Cohesion in metals. Transition metal alloys / de Boer, R. Boom, W.C.M. Mattens //NorthHolland. 1998. 761 p.

271. Radlein, E. Atomic force microscopy as a tool to correlate nanostructure to properties of glasses / E. Radlein, G.H. Frischat // J. Non-Cryst. Solids.- 1997. V.222. P.69−82.

272. Ahn, H.-S. Application of phase contrast imaging atomic force microscopy to tribofilms on DLC coating / H.-S. Ahn, S.A. Chizik, A.M. Dubravin et al. // Wear.- 2001. V.249.-P.617−625.

273. Езиков В. И., Пасишник С. В. Строение и распределение анионов в стеклах системы РЬО-РЬЭЮз/ В. И. Езиков, С. В. Пасишник // Физика и химия стекла.- 1989. Т. 15.-№ 6. С.900−911.

274. Schrikhande, V.K. 29Si MAS NMR and microhardness studies of some lead silicate glasses with and without modifires / V.K. Schrikhande, V. Sudarsan, G.P. Kothiyal, S.K. Kulshreshtha // J. Non-Cryst. Solids.- 2001. V.283. P. 18−26.

275. Белл, P. Распределение во времени аннигиляции позитронов в жидкостях и твердых телах /Р. Белл, Р. Грэм // Аннигиляция позитронов в твердых телах, — М., 1960.-С.167−198.

276. Huges, А.Е. Positron annihilation: non-destructive tool / A. E. Huges // Curr. Eng. Pract.-1981. V.24.-№ 2. P.1−7.

277. Сандитов Д. С., Сангадиев С. Ш. Новый подход к интерпретации флуктуационного свободного объема аморфных полимеров и стекол / Д. С. Сандитов, С. Ш. Сангадиев // Высокомолек. соед.- А, — 1999. Т.41, — № 6. С. 1−24.

278. Elsukov, Е.Р. Local atomic environment parameters and magnetic properties of disordered crystalline and amorphous iron-silicon alloys / E.P. Elsukov, G.N. Konygin, V.A. Barinov, E.V.Voronina//J. Phys.: Cond. Mater.- 1992.-Vol.4.-P.7597−7606.

279. Williams, K.F.E. Mossbauer spectra of tin in binary Si-Sn oxide glasses / K.F.E. Williams, C.E. Johnson, J.A. Johnson et al. // J. Phys.Condens. Mater.- 1995. V.7.-P.9485−9497.

280. Самсонов, Г. В. Конфигурационная модель вещества / Г. В. Самсонов, И. Ф. Прядко, Л. Ф. Прядко.- Киев: Наукова думка, 1971. 231 с.

281. Самсонов, Г. В. Конфигурационная модель вещества и метод ГК ЛКАО / Г. В. Самсонов, Ю. М. Горячев, Б. А. Ковенская // Конфигурационная локализация электронов в твердом теле. Киев: Наукова Думка, 1975. с.19−25.

282. Shakhmatkin V.A., Vedishcheva N.M. Thermodynamic studies of oxide glassforming liquids by the electromotive force method / V.A. Shakhmatkin, N.M. Vedishcheva // J. Non-Cryst. Solids.- 1994. V.171.-№ 1,-P.l-30.

283. Пригожин, И. Химическая термодинамика / И. Пригожин, Р. Дефей.- Новосибирск: Наука, 1966, — 508 с.

284. Анфилогов, В. Н. Силикатные расплавы / В. Н. Анфилогов, В. Н. Быков, А. А. Осипов,-Москва: Наука, 2005. 356 с.

285. Soules, T.F. Computer simulation of glass structure / T.F. Soules // J. Non-Cryst. Solids.-1990. Y.123.-P.48−70.

286. Wolff, D.A. A molecular dynamics study of two and three-body potential models for liquid and amorphous SiC>2 / D.A.Wolff // .http://www.cs.plu.edu/~dwolff/papers/silical999.pdf.

287. Huff, N.T. Factors affecting molecular dynamic simulated vitreous silica structures / N.T. Huff, E. Demirlap, T. Cagin, W.A. Goddard//J. Non-Cryst. Solids.- 1999, — V.253. P.133−142.

288. Вике, P.А. Воздействие температуры синтеза на структуру стеклообразной двуокиси германия / Р. А. Вике, Р. Х. Макрудер, Д. Л. Кинсер // Физ. хим. стекла, — 1998. Т.24,-№ 3, — С.317−325.

289. Damadaran K.V., Rao B.G., Rao K.J. A molecular dynamic study of a PbO Si02 glass and melt / K.V. Damadaran, B.G. Rao, K.J. Rao // Phys. Chem. Glasses.- 1990, — V.31. P.212−217.

290. Gusarov, A.I. The role of plasmon mechanism in secondary electron emission in LiF / A.I. Gusarov, S.V. Murashov // Surf. Sci.- 1994. V.320. P.361−368.

291. Гусева, М. Б. Физические основы твердотельной электроники / М. Б. Гусева, Е. М. Дубинина, — Изд-во МГУ, 1986, — 312 с.

292. Мурашев С. В. Вторично-электронная эмиссия некоторых широкозонных диэлектриков: дисс. канд. физ.-мат. наук. С.-Петербург, 1992. 123 с.

293. Машков, В. А. Модель эффективных координационных состояний для свинцово-силикатных стекол / В. А. Машков // Физика и химия стекла.- 1980, — Т.6. № 3, — С.269−276.

294. Тюрин, Ю. И. Аккумулирующие свойства водорода в твердом теле / Ю. И. Тюрин, И. П. Чернов.- Научн.изд.-М.: Энергоатомиздат, 2000, 288 с.

295. Торопов, Н. А. Диаграммы состояний силикатных систем. Справочник, ч. 1 / Н. А. Торопов, В. П. Барзаковский, В. В. Лапин, Н. Н. Курцева. Л.: Наука, 1969. — 882 с.

296. Cooper, A.R. Model for multicomponent diffusion / A.R. Cooper // Phys. Chem. Glasses.-1965,-V.6.-P. 55−61.

297. Cooper, A.R. The use and limitation of the concept of an effective binary diffusion coefficient for multicomponent diffusion / A.R. Cooper // in @Mass transport in oxides. Ed. J.B. Wachtman, A.D. Franklin, NBS Special publ. 1968. — V.296. — P. 79−84.

298. Liang, Y. Diffusion in silicate melts: I. Self diffusion in Ca0-Al203 Si02 at 1500 °C and lGPa / Y. Liang, F.M. Ritcher, A.M. Davis et al // Geochem. Cosmochim. Acta.- 1996. -V. 60.-N22.-P.4353 -4367.

299. Liang, Y. Diffusion in silicate melts: II. Multicomponent diffusion in СаО-А12Оз — Si02 at 1500 °C and lGPa / Y. Liang, F.M. Ritcher, A.M. Davis et al // Geochem. Cosmochim. Acta.- 1996. V. 60. — N24. — P.5021 — 5035.

300. Панченков, Г. М. Химическая кинетика и катализ / Г. М. Панченков, В. П. Лебедев. М.: Химия, 1985, с. 278.

301. Торопов, Н. А. Высокотемпературная химия силикатов и других оксидных систем / Торопов Н. А., Барзаковский В. П. М., 1963. с. 117.

302. Dudko, Y.V. ElectronObeam modification of silicate glass surfaces / Y.Y.Dudko, A.A.Kravchenko, D.I. Cheridnichenko //J. Non-Cryst Solids.- 1995, — V.188. P.87−92.

303. Hobbs, L. W. The role of topology and geometry in the irradiation-induced amorphizationof network structure / L.W. Hobs // J. Non-Cryst Solids.- 1995. V. 182. P. 27−39.

304. Майер, Дж. Методы определения профилей концентраций / Дж. Мейер, Дж. Поут, К. Ту // Тонкие пленки: взаимная диффузия и реакции. Мир, 1982.

305. Технология тонких пленок. Справочник./ JI. Майссель, Р. Гмэнг-. М.: Советское радио, 1977. гл.З.

306. Mackenzie, J.D. Physical properties of sol-gel coatings / J.D. Mackenzie, E.P. Bescher // J. Sol-Gel Sci. Techn.- 2000, — V.19. P.23- 29.

307. Удалов, Ю.П., Германский A.M., Жабрев В. А. и др. Технология неорганический порошковых материалов и покрытий функционального назначения / Ю. П. Удалов, A.M. Германский, В. А. Жабрев В.А. и др.- С.-Петербург, 2001. 428 с.

308. Gratz, H. Ostwald ripening: a new relations between particle growth and particle size distribution / H. Gratz // Scripta Mater.- 1997, — V.37. № 1, — P.9−16.

309. Suemitsu, M. Autocalalytic reaction model: a phenomenology for nucleation-coalescence growth of thin films / M. Suemitsu, H. Togashi, T. Abe // Thin Solid Films.- 2003.-V.428. P.83−86.

310. Sholl, D.S. Late-stage coarsening of adlayers by dynamic cluster coalescence / D.S. Sholl, R.T. Skodje//Physica A.- 1996,-V.231.-P.631−647.

311. Sondergard, E. Production of nanostructures by self-organization of liquid Volmer-Weber films / E. Sondergard, R. Kofinan, P. Cheyssac, A. Stella // Surf. Sci.- 1996, — V.364.-P.467−476.

312. Куликов, И. С. Термодинамика оксидов / И. С. Куликов.- М.:Металлургия, 1986, 342с.

313. Фридрихсберг Д. А. Курс коллоидной химии. / Д. А. Фридрихсберг Л.: Химия. 1974. 351 с.

314. Бабанов, Ю. А. Применение метода регуляризации в задаче исправленияэкспериментальных данных на аппаратурную функцию / Ю. А. Бабанов, И. Ю. Каменский, В. Л. Кузнецов, С. С. Михайлова, П. В. Титов, A. JL Филатов // Поверхность.- 2006. № 11. С.44−48.

315. Тихонов А. Н., Арсенин В. Я. Методы решения некорректно поставленных задач /.

316. A.Н. Тихонов, В. Я. Арсенин.- М.:Наука, 1979, 285 с.

317. Яржемский, В. Г. Теория формы линий в фотоэлектронной и ожеспектроскопии/.

318. B.Г. Яржемский // Журнал структурной химии.- 1998. Т.39. № 6. С. 985−997.

319. Блохин М. А., Швейцер И. Г. Рентгеноспектральный справочник / М. А. Блохин, И. Г. Швейцер, — Москва: Наука. 1982. 376 с.

320. Pijpers, А.Р. / А.Р. Pijpers, R.J. Meier // J. Elect. Spect. Rei. Phenom.-1987. V.43.-P.131.

321. Pijpers, A.P., Donners W.A.B. / А.Р. Pijpers, W.A.B. Donners // J. Polym. Sci, Polym. Chem.Ed.- 1985, — V. 23, — p. 453.

322. Boyen, H.-G. Systematics in the electronic structure of amorphous transition metal/tin alloys / H.-G. Boyen, G. Indelkofer, P. Oelhafen et al // Mat. Sci. Eng.- 1991. V. A133.-P.107−110.

323. Кулькова C.E. Электронная структура и физические свойства ряда перспективных сплавов и соединений переходных металлов: дисс. докт. физ.-мат. наук, Томск, 1997. 352 с.

324. Аветисян, А. О. Влияние давления на электрон-электронное взаимодействие в некоторых силицидах 3dметаллов / А. О. Аветисян, И. И. Белан, Ю. М. Горячев и др. // Физ. техн. высоких давлений.- 1985. Вып.20. С.22−25.

325. Зауличный Я. В. Рентгеноспектральное исследование электронной структуры в некоторых метастабильных фазах высокого давления: дисс. канд. физ.-мат. Наук, Львов, 1986, — 160 с.

326. Хижун, О. Ю. Особенности электронного строения германидов вольфрами и молибдена, полученных при высоком давлении / О. Ю. Хижун, Я. В. Зауличный, А. К. Синельченко и др. // Металлофизика и новые технологии, — 1994. Т.16. № 7. С.19−27.

327. Гришков, В. Н. Влияние гидростатического давления на электронную структуру и объемные изменения сплавов на основе никелида титана / В. Н. Гришков, С. Е. Кулькова // ФТТ, — 1996. Т.38, — № 9, — С.2631−263.

328. Багдыкъянц, Г. О. Стеклообразное состояние. / Г. О. Багдыкъянц, А. Г. Алексеев Изд-во АН СССР. М.-Л.Д960, 226 с.

329. Основное содержание работы изложено в следующих пу б л и кациях.

330. А1. Канунникова, О. М. Методы фотоэлектронных исследований неорганических материалов. Учебное пособие./ О. М. Канунникова, Ф. З. Гильмутдинов, В. И. Кожевников, В. А. Трапезников Изд-во Удм. ун-та, 1992; 249 с.

331. A3. Канунникова О. М. Исследование строения тонких силикатных пленок методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и атомной силовой микроскопии / О.М. Канунникова// Перспективные материалы.- 2006. № 6. С.88−92.

332. А 4. Канунникова, О. М. Методика анализа строения тонких силикатных пленок О. М. Канунникова // http://zhumal.ape.relarn.rU//articles/2006/225.pdf.

333. А5. Канунникова, О. М. Строение тонких силикатных пленок: РФЭС и АСМ анализ / О. М. Канунникова, С. Ф. Ломаева // Нанои микросистемная техника.- 2007. № 1.-С.14−17.

334. А6. Канунникова, О. М. Строение тонких пленок свинцовосиликатных двойных и многокомпонентных стекол на металлах / О. М. Канунникова, Ф. З. Гильмутдинов, С. Ф. Ломаева, О. Ю. Гончаров // Стекло и керамика.- 2003. Т.З.- С.28−32.

335. А7. Гончаров, О. Ю. Состав поверхностных слоев, образующихся при получении аморфного сплава Fe7oCri5Bi5 / О. Ю. Гончаров, О. М. Канунникова, С. Ф. Ломаева, А. А. Шаков // Физика металлов и металловедение.- 2001. Т.91, — № 6. С.64−71.

336. А9. Гильмутдинов, Ф. З. Прогнозирование изменений состава поверхности многокомпонентных сплавов при термических воздействиях / Ф. З. Гильмутдинов, О. М. Канунникова // Физика металлов и металловедение.- 1997. Т.84. Вып.2. — С. 78−88.

337. А 10. Сорокина, М. Ф. Исследование структуры двойных свинцовосиликатных стеколметодом рентгеноэлектронной спектроскопии / М. Ф. Сорокина, О. М. Канунникова, Ф. З. Гильмутдинов, В. И. Кожевников // Стекло и керамика.- 1996, — №.1−2. С. 12−14.

338. All. Канунникова, О. М. Влияние механических воздействий на электронную структуру порошков Fe-Sn / О. М. Канунникова, Ф. З. Гильмутдинов, Д. А. Королев, В. Я. Баянкин, В.А. Трапезников// Изв. ВУЗов: Цветная металлургия. 2000. № 6. С. 2832.

339. А 12. Ильин, И. А. Применение термодинамического анализа для оценки содержания структурных составляющих свинцово-силикатных стекол / И. А. Ильин, О. Ю. Гончаров, О. М. Канунникова // Химическая физика и мезоскопия. 2006. — № 4. С. 398−410.

340. Al5. Канунникова, О. М. Фотоэмиссионое исследования порошков Fe (l-x)Sn (x) / О. М. Канунникова, Ф. З. Гильмутдинов, Е. П. Елсуков // Перспективные материалы. -1996,-№ 6. С.71−64.

341. AI6. Канунникова, O.M. Влияние обработки на состав поверхностного слоя и результаты восстановления свинцово-силикатных стекол / О. М. Канунникова, Ф. З. Гильмутдинов, В. И. Кожевников, М. Ф. Сорокина // Стекло и керамика.- 1995. № 8.-С. 11−13.

342. А17. Сорокина, М. Ф. Рентгеноэлектронное исследование восстановления свинцово-силикатных стекол при нагреве в водороде / М. Ф. Сорокина, О. М. Канунникова, Ф. З. Гильмутдинов, В. И. Кожевников // Неорг. матер. -1997. Т. 33. № 5. С. 621−626.

343. AI 8. Kanunnikova, О.М. Interaction of lead silicate glasses with hydrogen under heating / O.M. Kanunnikova, F.Z. Gilmutdinov, A.A. Shakov // Int. Journal of Hydrogen Energy. 2002,-V.27. P.783−791.

344. A19. Канунникова, О. М. Механизм восстановления свинцовосиликатных стекол в водороде / О. М. Канунникова // Хим. физика и мезоскопия. 2003. Т.5. № 1. — С. 1 Ollis.

345. А 20. Канунникова, О. М. Взаимодействия свинцово-силикатных стекол с водородом при нагреве. I. Химические превращения в системе РЬОЭЮг-Нг / О. М. Канунникова, О. Ю. Гончаров // Физика и химия обработки материалов, — 2005. № 6. С.62−66.

346. А 21. Канунникова, О. М. Особенности строения золь-гель силикатных пленок, легированных Мп и Pt / О. М. Канунникова, С. С. Михайлова, А. Е. Муравьев, О. Ю. Гончаров, O.A. Шилова, Ю. З. Бубнов // Физика и химия стекла. 2006. — Т.32, — № 2.-С.316−325.

347. А 25. Канунникова, О. М. Влияние бомбардировки ионами аргона на состав и структуру поверхностного слоя свинцовосиликатных стекол / О.М. Канунникова// Физика и химия обработки материалов, — 2007.-№ 3.-С.8−12.

348. А 26. Канунникова, О. М. Взаимодействие свинцовосиликатных стекол с водородом при нагреве / О. М. Канунникова, Ф. З. Гильмутдинов, A.A. Шаков // Труды международной конференции «Водородная обработка материалов. Донецк.-2001, 4.1. С.270−273.

349. А 28. Канунникова О. М. Рентгеноэлектронное исследование тонких пленок свинцовосиликатных стекол / О. М. Канунникова, Ф. З. Гильмутдинов, В. И. Кожевников, М. Ф. Сорокина // Стекло и керамика. 1995. — № 12. — С. 9−10.

350. А 29. Кожевников, В. И. Исследование причин брака алюминиевых зеркал на силикатных стеклах / В. И. Кожевников, Ф. З. Гильмутдинов, О. М. Канунникова //Стекло и керамика.- 2002. Т.8. С.27−28.

351. А 30. Канунникова, О. М. Состав и строение тонких пленок меди, золота и алюминия на силикатном стекле / О. М. Канунникова, О. Ю. Гончаров, Ф. З. Гильмутдинов, С. Ф. Ломаева // Стекло и керамика. 2002. — Т.10. — С.29−31.

352. А 31. Канунникова, О. М. Состав и строение тонких пленок Si02 / О. М. Канунникова, С. Ф. Ломаева, А. А. Шаков, Ф. З. Гильмутдинов // Стекло и керамика. 2003. — Т.2. -С.24−29.

353. А 32. Канунникова, О. М. Влияние режимов получения на состав и строение золь-гель силикатных пленок, легированных платиной/ О. М. Канунникова, А. Е. Муравьев, С. С. Михайлова, О. А. Шилова, Ю. З. Бубнов //Химическая физика и мезоскопия.-2006, — Т.4. С.421−440.

354. А 33. Канунникова, О.М. РФЭС и АСМ исследования состава и строения золь-гель силикатных пленок, легированных платиной / О. М. Канунникова, А. Е. Муравьев, С. С. Михайлова // Стекло и керамика. 2007. — № 6. — С. 19−24.

355. А 34. Канунникова, О. М. Состав и строение легированных платиной силикатных пленок, полученных золь-гель методом / О. М. Канунникова, А. Е. Муравьев, С. С. Михайлова // Перспективные материалы. 2007. — № 5. — С.47−52.

356. А 36. Гильмутдинов, Ф. З. Дефекты алюминиевых покрытий на силикатных стеклах / Ф. З. Гильмутдинов, В. И. Кожевников, О. М. Канунникова // Стекло и керамика. 2001. -Т.5. — С.23−25.

357. А 37. Канунникова, О. М. Состав и строение тонких алюминиевых пленок на силикатных стеклах / О. М. Канунникова, В. И. Кожевников, О. Ю. Гончаров // Химическая физика и мезоскопия. 2008. -№ 1. — С.63 — 68.

358. А 39. Канунникова, О. М. Строение двойных свинцово-силикатных стекол / О. М. Канунникова. // Химическая физика и мезоскопия. 2003. — Т.5. — № 1. — С.81−101.

Показать весь текст
Заполнить форму текущей работой