Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Модифицирование полимерных, композиционных и твердотельных компонентов электролюминесцентных конденсаторов

Диссертация: Модифицирование полимерных, композиционных и твердотельных компонентов электролюминесцентных конденсаторов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Яркость свечения ЭЛИС также в значительной степени8 определяется характеристиками электролюминофора: Известные способы’получения цинк-сульфидных электролюминофоров, содержащих марганец и медьв качестве • активаторов, не позволяют получать материалы с достаточной, яркостью электролюминесценции. Для преодоления указанного недостатка некоторыми авторами предложен синтез электролюминофоров… Читать ещё >

Содержание

  • Ь ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
  • Г. 1 Электролюминесцентные источники света1 постоянного тока
  • 112. ' Цианэтиловыйд эфир* поливинилового спирта* как материал пленочнойэлектроники. Синтез и-свойства^
    • 1. 3. *Полиимид"как, материал* современной электроники, его" синтез и физико-электрические свойства в" исходном^ состоянии" и. после радиационного модифицирования*
  • 2. ОБЪЕКТЫ ИМЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
  • 2. Г Исходные материалы
    • 2. 2. Методики исследования^ полимеров* и" твердотельных наполнителей
    • 2. 3. Изготовление конденсаторов на* основе полиимида, ЦЭПС и композиционных материалов нашего основе
    • 2. 4. Методика измерения' электрических характеристик конденсаторов5 на основе полиимида, ЦЭПС и композиционных материалов на его основе
    • 2. 5. Методика изготовления электролюминесцентных источников света постоянного тока^
    • 2. 6. Измерения характеристик источников света постоянного тока
  • 3. МОДИФИЦИРОВАНИЕ ЦИАНОВОГО ЭФИРА ПОЛИВИНИЛОВОГО СПИРТА И КОМПОЗИЦИОННОГО МАТЕРИАЛА НА ЕГО ОСНОВЕ
    • 3. 1. Исследование надмолекулярной структуры образцов ЦЭПС методом просвечнвающей*электрониой спектроскопии
    • 3. 2. Определение макромолекулярной структуры образцов ЦЭПС по данным^ ИК-, УФ-видимой- и С13 ЯМР спектроскопии в исходном состоянии и после электронно-лучевого модифицирования
    • 3. 3. * Влияние электронно-лучевого модифицирования на изменение диэлектрических характеристик образцов ЦЭПС и- их композитов1 с
  • ВаТЮз
  • 4. РАДИАЦИОННО-ХИМИЧЕСКИЕ ИЗМЕНЕНИЯ ПОЛИИМИДА ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ УСКОРЕННЫХ, ЭЛЕКТРОНОВ
  • 4. il> Изменениям структуры1 полиимида Apicalu под* воздействием* электронно-лучевой обработки! по" данным ИК- ir УФ-видимой' спектроскопии
    • 4. 2. Исследование полиимида Apical методамш термического анализа
    • 4. 3. Исследование надмолекулярной" структуры- полиимида" Apical методом рентгенофазового анализа.>104*
    • 4. 4. Исследование’надмолекулярной структуры образцов полиимида* Apicalt методами растровой электронной, микроскопии" и атомносиловой микроскопии.104'
  • 4. ^5 Влияние электронно-лучевой обработки на1 активные центры" поверхности^ полиимида Apical
  • 4. 6- Воздействие электронно-лучевой обработки на механические свойства полиимида Apical^
  • 4. ?7 Исследование стабильности электрических свойств полиимида Apical" и полипиромеллитимида* под воздействием ускоренных электронов
  • 4. 8 Изменения диэлектрических свойств модельных, конденсаторов на основе полиимида Apical и полипиромеллитимида под воздействием ускоренных электронов
    • 4. 9. Прогнозирование изменений свойств конденсатора на' основе полиимида Apical под воздействием ускоренных электронов1 с использованием модели трехслойного конденсатора

    4.10 Изменения частотных и температурных зависимостей диэлектрических свойств полиимида Apical. и полипиромеллитимида под воздействием ускоренных электронов 134 5 ПОВЫШЕНИЕ ЯРКОСТИ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ ИСТОЧНИКОВ СВЕТА ПОСТОЯННОГО ТОКА.

    5.1 Влияние обработки ZnS взрывом на. характеристики, ЭЛИСПТ на его основе.139″

    5.2 Влияние концентрации И' способа нанесения проводящего- слоя CuiS-на электрофизические свойства ЭЛПТ состава ZnS: Cu, Mn-CuxS

    5.3 Влияние концентрации проводящего* слоя GuxS на характеристики1 ЭЛИСПТ на основе — электролюминофора состава ZnS: Cu, Mn-CuxS.151?

    5.4 Характеристика функционального состава поверхности ЭЛПТ состава ZnS: Cu-Mn и ZnS: Cu, Mn-CuxS.

    5.5 Исследование* поверхности ЭЛПТ состава ZnS: Cu, Mn-CuxS методом растровой электронной микроскопии' с предварительным ионнымтравлением.

    5.6 Влияние толщины излучающего слоя^ на характеристики

    ЭЛИСПТ на основе ЭЛПТ состава ZnS: Cu, Mn-CuxS.

    ВЫВОДЫ.

Модифицирование полимерных, композиционных и твердотельных компонентов электролюминесцентных конденсаторов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Полимерные и композиционные материалы находят. широкое применение. в современнойэлектронике— в.-.том: числе' в технологии электролюминесцентных источников? света:(ЭЛИ€)г В^настоящее-время за рубежом достигнуты значительные успехи, в расширении! сферы применения ЭЛИС за счет существенного увеличенияяркостиэлектролюминесценции: Поэтому актуальной. задачей является совершенствованиетехнологии отечественных ЭЛИС с целью? получения изделий с: повышенной яркостью, для чего необходимо модифицирование-их компонентов.. Одним. из факторов, обусловливающих высокую— - яркость электролюминесценции ЭЛИС, является высокая диэлектрическая проницаемость (в) связующего полимера, излучающего .и диэлектрического слоев. Распространенным связующим функциональных: слоев ЭЛИС, обладающим высокой е, является цианэтиловый эфир поливинилового спирта (ЦЭПС). В работах С. А. Алексеева и соавторов показано, что оптимизация условий синтеза позволяет повысить, величину е ЦЭПС до 25, а введение микрои наноразмериого титаната бария в ЦЭПС позволяет создавать композиционный материал на его основе с е 100−120. Для, дальнейшего повышения 8 необходимо^ применение новых подходов^ не связанныхс: условиямисинтеза? пленок г и композитов. В данной работе предложено использовать электронно-лучевое: модифицирование ЦЭПС, так какданный метод эффективен для направленного безреагентного регулирования и улучшения характеристик ряда материалов.

Яркость свечения ЭЛИС также в значительной степени8 определяется характеристиками электролюминофора: Известные способы’получения цинк-сульфидных электролюминофоров, содержащих марганец и медьв качестве • активаторов, не позволяют получать материалы с достаточной, яркостью электролюминесценции. Для преодоления указанного недостатка некоторыми авторами предложен синтез электролюминофоров не в муфельной печи, а в сосуде высокого давления в условиях горения и/или взрыва взрывчатого вещества, помещенного в сосуд совместно с навеской шихты (патент О^аш). Однако указанный способ имеет существенные недостатки: сложность (и высокая? стоимость процесса, сложность отделения* полученного электролюминофора от продуктов* взрыва, образование большого количества структурных дефектов, приводящих к выделению" металлического цинка и появлению" электронных ловушек. Исходя из" этого, актуальным/ является исследование возможности применения высокоэнергетической обработки материалов, используемых при синтезе электролюминофоров состава Еп8: Си, Мп, в сочетании с изученной и широко применяемой * технологией синтеза в муфельной печи с целью повышения* яркости люминесценции люминофоров. '.

В1 связи с применением электронно-лучевого модифицирования’ЦЭПО, и представленными в работах Е. А. Комарова и В: В. Бахметьева результатами по> увеличению яркости люминесценции электролюминофоров' под воздействием электронно-лучевогомодифицирования большое значение имеет использование в качестве подложки ЭЛИС радиационно-стойких полимеров и исследование радиационно-химических превращений, происходящих в этих полимерах под воздействием облучения. В качестве такого материала перспективным является использование полиимида, применяемого в электронике в качестве радиационно-стойкого диэлектрика. Поэтому актуальным" является исследование изменений в объеме и на поверхности пленок полиимида в результате электронно-лучевой обработки с целью их дальнейшего использования в качестве подложки радиационно-стойких ЭЛИС и конденсаторов.

Работа проводилась в соответствии с планом научно-исследовательских работ Санкт-Петербургского государственного технологического института (технического университета) по научному направлению «Физико-химические основы создания функциональных наноразмерных систем и нанокомпозитов на их основе» з/н Г. 1.08, а также при поддержке гранта Правительства Санкт-Петербурга 3,6/30−04/027 (2009), программы СТАРТ (Рос. контракт № 5 871р/8276) и в рамках контракта с компанией Showa Вепко (Япония).. Цель работы. Направленное регулирование характеристик дисперсных, полимерных: И' композиционных, компонентовэлектролюминесцентных источников светамодифицированием их свойств на поверхности и в объеме .

В работе решались следующие задачи:

— Изучение влияния электронно-лучевой обработки. наэлектрофизические и оптические характеристики пленок ЦЭПС и композитов на>, его основе: Определение: оптимальных параметров? обработки, обеспечивающих максимальное улучшение исследуемых, свойств. .

— Исследование особенностей взаимодействия активныхцентров поверхности титаната бария с ЦЭПС в растворе полимераи- их влиянияна характеристики композитов ВаТЮз/ЦЭПС. • - Исследование превращенийна поверхности и в объеме: полиимида под воздействием ускоренных электронов, а также связанных с ними изменений электрических, оптических и механических свойств материала:

— Исследование, влияния: пиротехнической обработки на химический, состав, кристаллическую структуру и люминесцентные свойства и получаемого на его основе электролюминофора 2п8: Си, Мп.

— Оптимизация методики формирования проводящего слоя? Сих8 на поверхности, люминофоров составап8:Си, Мп по критерию максимальной яркости и КПД электролюминесцентных источников света на их основе.

Научная новизна:

— Впервые показано, что при электронно-лучевой обработке в ЦЭПС происходит превращение гидроксильных групп в =0: группы-, и разблокирование нитрильных групп от водородных связей, дополнительное цианэтилирование ЦЭПС.. В результате существенновозрастает е, полимерных пленок. .-. :'.. .:.

— Установлено, что наличиеОН иС=Ы: групп в структуре ЦЭПС способствует межфазовому взаимодействию на границе ВаТЮ3/ЦЭПС, а соответственно и увеличению 8 композита, в то время как наличие в полимере полиакрилонитрила препятствует межфазовому взаимодействию, и приводит к менее значительному увеличению 8 композита при электроннолучевом модифицировании.

— Показано, что5 применение модели трехслойного конденсатора позволяет прогнозировать изменения электрофизических и оптических свойства полиимидной пленки под воздействиемпотока ускоренных электронов в зависимости от параметров обработки.

— Методами РФА, анализа спектров? фотолюминесценции № химического анализа установлено, что пиротехническая обработка приводит к увеличению' количества структурных дефектов, таких как ионы меди, Мп2+ в междоузлиях и вакансии цинка, и связанных с ними центровсвечения в синтезированном на его основе электролюминофоре состава 2п8: Си, Мп.

Практическая значимость:

— Показано, что диэлектрическая проницаемость ЦЭПС и его композитов с ВаТЮз может быть существенно повышена посредством электроннолучевой обработки. Определены оптимальные значения поглощенной дозы при электронно-лучевом модифицирования ЦЭПС и его композита с ВаТЮз, обеспечивающие максимальное повышение их 8 соответственно .на 250х и 23%.

— Исследованы изменения механических, оптических и электрофизических свойств пленок полиимида и конденсаторов на их основе под влиянием облучения ускоренными электронами. Установлено, что при поглощенной дозе 100 000 кГр начинается дециклизация имидных групп полиимида с восстановлением бензольных колец, приводящая к увеличениям оптической плотности основных полос его ИК-спектров. и диэлектрической проницаемости. Проведенные исследования позволяют прогнозировать изменения оптических и электрических свойств пленок полиимида, в широком диапазоне значений поглощенной дозы.

10 :

— Разработан метод получения электролюминофоров постоянного тока (ЭЛПТ) повышенной яркости состава7п8: Си, Мп-Сих8, синтезированного из 7, п8, подвергаемого предварительной пиротехнической обработке. .

— Установлено, что при1, осажденишпроводящейг фазы^@и?& на поверхности электролюминофоров' состава? 2п8: Си, Мп, несмотря на повышенную однородность слоя. Сих8, получаемого при. осаждений в процессе ультразвукового перемешивания, • происходит, экранирование центровлюминесценции Мп2+ и снижение яркости люминесценции. по сравнениккс: формированием' более неоднородного"островкового" слоя^Си^ при механическом.перемешивании.. ;

— Результаты работы использованы при разработке. и внедрении технологии производства гибких электролюминесцентных источников света. на производственной базеООО ЭЛИСАР (г. Саров). Выпущена опытно-промышленная партия гибких ЭЛИС.

Апробация работы. Результаты работы апробированы на Политехническом симпозиуме (Санкт-Петербург, 2006), всероссийских конференциях: ВКС — XVIII (Санкт-Петербург, 2008), Фагран (Воронеж, 2008),. Микроэлектроника и информатика (Москва, 2009), VI' межвузовской конференции молодых ученых (Санкт-Петербург, 2009) — Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения (Москва, 2009), Опто-, наноэлектроника. и микросистемы-. (Ульяновск, — 2009)-: международных конференциях: ЕигосНэрку 2007, 2008 (Москва. 2007; Рим, 2008), Физика диэлектриков (Санкт-Петербург, 2008), Материалы и покрытия в экстремальных условиях (Бол. Ялта, 2008), ЕЬ — 2008 (Рим 2008), Физика в системе современного образования (Санкт-Петербург, 2009), ГУТчГС 2009 (Япония, Хамамацу, 2009), Фундаментальные проблемы физики твердого тела (Минск, 2009).

ПубликацииРезультаты исследований опубликованы, в девятнадцати работах, в том числе в одной статье в журнале, входящем вперечень ВАК, двух статьях в сборниках статей, тезисах пятнадцати докладов на российских и международных конференциях и одной монографии.

Объем и структура диссертации. Диссертация изложена на 184 стр. машинописного текста и содержит 86 рисунков и 13 таблиц. Работа состоит из введения, обзора литературы, методической и 3 глав экспериментальной части, выводов, списка литературы и приложений. Библиографический список состоит из 138 наименований.

7. Результаты работы использованы при разработке и внедрении технологии производства гибких ЭЛИС на производственной базе ООО ЭЛИСАР (г. Саров). Выпущена опытно-промышленная партия гибких ЭЛИС, имеется акт о выпуске опытной партии, протокол испытаний и акт внедрения.

Показать весь текст

Список литературы

  1. , А.Б. Физико-химические закономерности процессов, протекающих в электролюминофорах постоянного тока: дис.. д-ра техн. наук/ Саутиев Ахмед Мусаевич. — Ставрополь, 2002. — 415 с.
  2. , В.П. Электролюминесцентные устройства/ В. П. Деркач, В. М. Корсунский. Киев: Наук, думка, 1968. — 301с.
  3. , О.Н. Неорганические люминофоры/ О. Н. Казанкин, Л. Я. Марковский, И. А. Миронов. Л.: Химия, 1975. — 192 с.
  4. , Г. Электролюминесценция/ Г. Хениш. М.: «Мир», 1964. — 455с.
  5. , И.К. Электролюминесценция кристаллов/ И. К. Верещагин. -М.: Наука, 1974.-272 с.
  6. Фок, М. В. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров/ М. В: Фок. М.: Наука, 1964. — 283 с.
  7. , А.Н. Электролюминесценция кристаллов/ А. Н. Георгобиани // Тр. Физ. ин-та АН СССР. Москва, 1963. — Т. 23. — С. 3 — 63.
  8. , Д. Люминесценция кристаллов/ Д. Кюри. М.: Изд-во иностр. лит., 1961.-199 с.
  9. , Ю.Н. Деградационные процессы в электролюминесценции твердых тел/ Ю. Н. Веревкин. Л.: Наука, 1983. — 122 с.
  10. , A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров/ A.M. Гурвич. М.: Высшая школа, 1971. — 333 с.
  11. О механизме старения электролюминесцирующих пленок сульфида цинка и путях повышения их долговечности/ H.A. Власенко // Труды по электролюминесценции. Уч. зап. Тартусский гос. ун та. — Тарту, 1976. — Вып. 279.-С. 22−50.
  12. , Б.М. Электролюминофоры постоянного тока/ Б. М. Синельников. Ставрополь: Пресса, 1996. — 225 с.
  13. Electroluminescence ZnS phosphors/ P. Zalm, G. Diemer, N.A. Klasens //Philips Res. Repts. 1954. — Vol. .9, № 2. — P. 81 — 108.,
  14. Observations, of electroluminescence excited by AC and DC fields in surface-treated phosphors/ J.N. Bowtell, H.C. Bate // Proc. Inst, of Radio Engin.-1956. Vol. 44, № 5. — P. 697 — 698.
  15. Electroluminescence, ZnS: Ei S: Mn compounds/ P. Zalm, G. Diemer, N.A. Klasens••//. Philips Res Repts. 1955: -Vol. 10--P: 205 -215.
  16. Электролюминесценция фосфоров ZnS: Cu, Mn в постоянном поле/ O.H. Казанкин, Ф. М. Пекерман, Л. М. Петошина // Оптика и- спектроскопия. -1959.-Т.:6, вып. 6.-С. 776−779. — :
  17. Электролюминесценция порошкообразного электролюминофора ZnS: Cu, Mn в постоянном поле/ В. И. Фаворин, Ж. С. Козина // Оптика и спектроскопия. 1961. — Г. 10, вып. 1. — С. 91 — 95.
  18. Прикладная электролюминесценция/ Под ред. М'.В. Фока. М.: Советское радио, 1974. — 416 с. О4 А
  19. , Ф.Ф. Физика и химия соединении, А В / Ф. Ф. Морхед М.: Мир, 1970.-465 с.
  20. D C. electroluminescence mechanisms in ZnS devices/ M. I- Abdalla, A. Godin, J: P. Noblanc // Journal of Luminescence. 1979. — Vol. 18−19, № 2. — P- 743 -748.. — ¦¦¦•
  21. Direct current electroluminescence in ZnS/ A. Vecht, N.J. Werring // J: — Phys. D: Appl Phys. 1970. — Vol.3, № 2. — P. 105 — 120.
  22. Bulk and junction effects in D.C. electroluminescent ZnS: Cu, Mn powder panels/ C.J. Alder et al. // Electronic letters. 1980. — Vol. 16, № 14. — P. 571 -572. — ¦
  23. Электролюминофоры^ возбуждаемые постоянным электрическим током/ O. H- Казанкин и др:.//Светотехника. -1976.^ № 12.--С. 3 — 4: ••170 '
  24. Барьеры, учавствующие в возбуждении электролюминесценции ZnS: Cu/ И. К. Верещагин // Жур. Известия вузов. Физика, — 1998. № 2. — С. 89 -91.. .'¦••• -
  25. Электрофизические свойства электролюминофора постоянного тока на базе ZnS: Mn/ В. П. Васильченко, А. К. Кокин // Уч. зап. Тартусский гос. ун та. — Тарту, 1979. — вып. 509. — С. 44 — 57.
  26. К теории деградации гетеропереходов CiixS -ZnSiMn/Ф:И- Вергунас, М. Н. Гущин, В. И. Лурье // Микроэлектроника. -1981. Т. 10, вып. 3. — С. 235 -239. ' ¦ '¦¦•.'¦.,'.'.' .
  27. Зависимость средней яркости электролюминесценции от напряжения/ И. К. Верещагин // Оптика и. спектроскопия. 1964. — Т- 16, вып. 2. — С. 290 — 296.
  28. Electroluminescent Displays/ A. Vecht // J. of Vac. Sci. and Technol. — 1973.-Vol. 10, № 5.-P. 789−795.
  29. Electrical conduction and degradation mechanisms in powder ZnS: Mn, Cu direct cuixent electroluminescent devices/ M.I. Abdalla et al. // Electron Devices. -1981. Vol. 28, № 6. — P. 689 — 693.
  30. Особенности поведения p-n перехода в сильных боковых электрических полях/ А. И. Вайнер, А. А. Кочарян // ФТП. 1980- - Т. 14, вып. .9. -С. 1821 — 1823.
  31. Полупроводниковые гетероструктуры/ Ж. И. Алферов // ФТП. 1977. -Т. 11-, вып.11. — С. 2072 — 2083... .: —
  32. Барьерная неустойчивость в кристаллах сульфида цинка/ B.C.Мыльников, .G'.ГГ. Воронин // ФТП. 1979. — Т. 13, вып 2. — С. 370 — 372.
  33. Влияние адсорбции. газов на электролюминесценцию/ И. К. Верещагин // Оптика и спектроскопия. 1960. — Т.8, вып. 3. — G. 420 — 421.
  34. Андреев, А. И- Исследование электролюминесценции цинксульфидных люминофоров, возбуждаемых постоянным электрическим полем: — автореф. дис. v. канд: физ.-мат. наук/: А'.И- Андреев- Тартусский1гос., ун — т.- — Тарту, 1982.-38 с. •. -
  35. , С.Ш. Синтез и физико-химические исследования' электролюминесцентных материалов на основе сульфида цинка: дисс. канд.хим. наук /Шахмалиева Светлана Шахмалиевна. Ставрополь, 2001. — 146 с.
  36. Пат. 1 300 548 Великобритания. Improvements in or' relating to electroluminescent devices/ A.Vecht. опубл. дек. 1972. — 2 с.
  37. Пат. 1 314 522'Великобритания. Improvements in or-relating to a process for. coating phosphors/-A. Vecht. опубл. anp. 1973.- 2 c.
  38. Пат. 2 095 870 Франция., Procede de’fabrication de’matieres electroluminescents et nouveaux produits ainsi obtenus/ R. Yamamoto, N. Onoshima, H. Suto. .- опубл. нояб- 1973.-2 с.
  39. DC EIS materials and techniques for flat-panel TV displays/ Hi Kawarada, N. Onoshima // Proc IEEE. 1973. — Vol. 61, № 7. — P. 907 — 915.
  40. Пат. 1 353 143 Великобритания. Improvement in electroluminescent devices/ A. Vecht, N.J. Werring', P.J.E. Smith.- опубл. май:1974.-2 с.
  41. А. с. 1 279 233 СССР, Кл. С 09 К 11/54. Способ обработки электролюминофора на основе сульфида цинка, активированного медью и/или марганцем/ Б. М. Синельников, И. А Койбаева, ВМ. Швецов, Л.П. ЕрмолинаСССР). опубл. 1983, Бюл. № 14. — 2 с.
  42. An investigation of the electrical and optical properties of DC electroluminescent ZnS: Mn, Cu-powder panels/ C.J. Alder et al. // El. Dev. 1981.- Vol. 28, № 6. P. 680 — 688.
  43. , H.A. Электролюминесцентные тонкопленочные излучатели и их применение/ Н. А. Власенко, Б. В. Кириленко, Ю. А. Цыркунов. Киев: Знание, 1981.-23 с.
  44. Параметры электродиффузионных процессов при формировании гетероперехода в ЭЛПТ на основе ZnS/ И. В. Свистунов и др. // Вестник СевКавГТУ. Серия «Физико-химическая». 2004. — № 1 (8). — С. 25 — 28.
  45. Пат. 3 731 353 США. Method of making electroluminescent devices/ A. Vecht. опубл. май 1973. — 2 с.
  46. , В.Т. Пленочные конденсаторы с органическим синтетическим диэлектриком/ В. Т. Ренне. М.: Госэнергоиздат, 1963. — 203 с.
  47. The Effect of the Dielectric Constant of the Embedding Media on Electroluminescent Light Intensity/ J. Tanaka, D. Berg // J. Electrochem. Soc. 1963.- Vol. 110, № 6. P. 580 — 582.
  48. A. c. 385 408 СССР. Способ изготовления электролюминесцентных панелей/ В. И. Долгополов, JI.H. Долгополова, Т. И. Белогловская (СССР). — опубл. 1973, Бюл. № 25. 8 с.
  49. Цианэтилирование гидроксилсодержащих полимеров/ М. П. Козлов, М. В. Прокофьева // Пласт, массы. 1966. — № 10. — С. 17 — 20.
  50. Исследование электрических свойств полимеров/ Г. П. Михайлов // Журнал Всесоюзн. хим. общества им. Д. И. Менделеева. 1961. — Т. 6, № 4. — С. 404−411.
  51. , С.Н. Поливиниловый спирт и его производные. Т. 2/ С. Н. Ушаков. М.: Изд. АН СССР, 1960. — 311 с.
  52. , А.Ф. Водорастворимые полимеры/ А. Ф. Николаев, Г. И. Охрименко. JL: Химия, 1979. — 144 с.
  53. ЦЭПС связующее для электролюминесцентных источников света/ А. Г. Родионов и др. // Новые исследования в материаловедении и экологии: А науч. трудов./ под ред. Л. Б. Сватовской. — ПГУПС- СПб., 2003. — Вып. 3. — С. 108−112.
  54. , А.Ф. Химическая технология, свойства и применение пластмасс/ А. Ф. Николаев. Л.: Химия, 1976. — 101 с.
  55. Binder for Brightness Electroluminescent Panels/ J. Parol // J. Prot.: Polymers. 1976.-№ l.-P. 21.
  56. Makromomolekulyar structures PVA/ L. Alexandru, M. Opris, A. Ciacabel // J. Polym. Sci. 1962. — № 50. — P. 29.
  57. Reports of the Government Chemical/ M. Tsuda // Industrial Research Inst. Tokyo. 1968. — T. 63, № 3. — P. 242 — 248.
  58. Пат. 1 528 799 Китай. Improved polyvinyl alcohol-beta-cyanoethyl ether preparing method/ L. Tieming. опубл. сент. 2004. — 2 с.
  59. Пат. 575 626 Великобритания. Improvements in or relating to the production of polyvinyl ethers/ Du Pont, R.C. Houtz. опубл. февр. 1946.-2 с.
  60. Пат. 2 341 553 США. Polyvinyl cyanoethyl ether/ R.C. Houtz. опубл. февр. 1944.-2 с.
  61. Synteza i wlasnosci cyjanoetylowanego alkoholupoliwinylowego/ J. Parol // Uniejow- 1971.-P. 248−260.
  62. Wybrane aspekty zastosowania cyjanoetylowa-nego alkoholu poliwinylowego/ J. Kosiuczenko // Uniejow 1972. — P. 138 — 140.
  63. Otrzymywanie i ba-badanie wlasnosci polimerow о wysokiej stalej dielektrycznej/ J. Hrabowska, J. Kosiuczenko, J. Parol //Uniejow. -1972 P. 52 — 58.
  64. Пат. 3 023 903 Япония. Method and device for image generation/ M. Masakazu, I. Katsumi. опубл. март 2000. — 3 с.
  65. Пат. 872 542 Великобритания. Products having improved properties derived from acrylonitrile/Montedison S.p.A. опубл. июль 1961.-2 с.
  66. , С.А. Влияние донорно-акцепторных свойств поверхности функциональных наполнителей на характеристики композитов с циановымэфиром поливинилового спирта: дис.. канд. хим. наук/ Алексеев Сергей: Александрович. СПб-, 2005. — 140 с.
  67. Применение метода сеткографии в технологии изготовления электролюминесцентных панелей/ Г. 13. Кудрявцева, В. И. Овчинников // Ученые записки ТГУ. Томск, 1989.- Вып. 867. — С. 148 — 153.
  68. В.Д., Степанова Н. А., Лейко В. В. Получение электролюминесцентных панелей-, методом1 сеткотрафаретпой печати// Межд. конф. пошюминесценцииг Тез: докл-- М.: Изд. ФИАН, 1994.-С. 93-
  69. , ЮЖ. Исследование процессов нанесения декоративных эмалей: Автореф. дис.. канд. техн. наук/ Ю.К. Казанов- Новочеркасск, политех, ин-т-Новочеркасск, 1969--16 с.
  70. Пат. 8 003 459 Япония- Fine high-permittivityorganic polymer, particle, its. production, and high-permittivity organic polymer material/ Y. Makiko, S. Shoji. -опубл. янв. 1996. 4 с. «
  71. Пат. 7 161 231 Япония- High- dielectric substance/ U. Hiroshi, 1 Ikuo. -опубл. июнь 1995. — 3 с. «
  72. Пат. 63 221 189 Япония. .Electrochromic element/ S. Takuo, О. Yutaka. -опубл- сент. 1988.-2 c. .
  73. Polyimide foams for. aerospace vehicles/ E. S Weiser at al. // High Perform- Polym. -2000.- Vol 12, № 1.- P. 1- 12.
  74. , М.И. Полиимиды -класс термостойких полимеров/М-И: Бессонов и др. Л.: Наука, 1983 г. — 307 с.
  75. , В.В. Термостойкие полимеры/ В. В. Коршак. — М.: Наука, 1969: 381 с.. '
  76. Ghosh, Malay К. Polyiniides: Fundamental and Applications/ Malay K. Ghosh, K! L. Mittal. NY: Iviarcel Dekker Inc. 1996.- 912 p. .•'. «
  77. О причинах окраски ароматических полиимидов/ Б. Р. Бриксон, Я.Ф. Фрейманис//Высокомолекулярные соединения 1970.- Т. А 12, № I- С. 69−72.
  78. , Т.А. Комплексы с: переносом заряда некоторых ароматических полиимидов/. Т. А. Гордина: и др.' // Высокомолекулярные соединения. 1973. — Т. Б 15, № 5. — С. 378 — 380.
  79. , Б.В. Ароматические полиимйдьг как комплексы с переносом заряда/Б.Вv Котов?// Высокомолекулярные соединения., — 1977.- Т. А 19, № 3. -С. 614 -618. ¦ '¦••'. '.• ^ ': «'
  80. A spectroscopic study of polyimide films exposed in low earth orbits/ O.F. Pasevich, У.К. Milinchuk // High Energy, Chemistry. --2005. Vol- 39: No- 6. — P. 368−372.. .. '
  81. Пентин, IO: A. Физические методы исследования в химии/ Ю. А. Иентин, Л: В: Вилков.-М.: Мир, 2003- 688-с.
  82. Structure-Properties Correlation:^^inj Polyimide/Silica Hybrids/ P. Musto at al. // High Performance Polymers. 2006- - Vol. 18, № 5.- P. 799^- 816-:
  83. The preparation^ of new poly (phenylsilsesquioxane)-polyimide hybrid-: films by the sol-gel process and their properties/.Y. :Iyoku, Mi Kakimoto, Y. Imai // High Performance Polymers. 1994: — Vol. 6, №. Д. — P. 53 — 62.
  84. Электрические свойства некоторых:. полипиромеллитимидов/ B.C.Воищев и др. // Высокомолек. соед. 1973. — Т. Б 15, № 5. — С. 361 — 365.
  85. Электрические свойства некоторых ароматических сополимеров/B.C. Воищев и др. // Высокомолек. соед. 1978. — Т. Б.20, № 4. — С.259 — 263.
  86. Электропроводность, фотоэлектродвижущая- сила ш электронные спектры, поглощения полипиромеллитимидной пленки- и полибеизоксазола/ B.C. Воищев и др.//Высокомолек. соед.- 1973. Т. Б 15, № 10 — С. 775−778.
  87. Электрические, фотополупроводниковые и парамагнитные свойства полипиромеллитимидов/В^С. Воищев и др. // Высокомолек. соед. 1974. -Т. Б 16, № 4.-С. 295−298.
  88. Electroluminescence characteristics of card. anthracene-containing: polyimide: the effect of the cathode and. anode materials/. V.A. Kolesnikov at al. // Russian Journal of Electrochemistry. -2002. -Vol. 38, № 11. P. 1163- 1172.
  89. Низкочастотная диэлектрическая релаксация пленок на основе полиметилметакрилата и полиимида/ Л. Г. Брадулина и: др-. //Высокомолек. соед, — 1999:-Т. Б 41, № 5.-С. 901 -905.
  90. Dielectric property of polyimide/barium titanate: composites and its influence factors (II)/ W. Liu at al. //Frontiers of Chemical Engineering in China. -2008. Vol. 2, № 4. — P. 417 — 421.
  91. H-film a new high temperature dielectric/ L.E. Ambroski // Indv and Engng Chem., Prod. Res. Div. — 1963. — Vol. 2, № 3. — P. 189 — 196.
  92. Mechanical relaxation phenomena in polyimide and polyphenylene oxide from 100 К to 700 К/ T. Lim at al.-// Polym. Engng and Sci. 1973. — Vol. 13, № 1. — P. 51 — 58.
  93. Joung-s modulus and secondary mechanical dispersions in polypyromellitirnides/ E. Butta, S. de Petris, M. Pasquoni:// J>. Appl. Polym. Sci. 1969. — Vol. 13, № 6. -P. 1073- 1078.
  94. Dynamic mechanical behavior of a polyimide/ G.A. Bernier, D.E. Kline//J. Appl. Polym. Sci. 1968. — Vol. 12, № 3. — P. 593 — 600.
  95. A mechanical effect of orientation/ R. Ikeda // J. Polym. Sci., pt.B. 1966.-Vol.4, № 5.-P. 353 -359.
  96. Motion in polypyromellitimide/ W.I. Wrasidlo // J. Macromolec. Sci., Phys. 1972. — Vol. 6, № 3. — P. 559 — 570.
  97. Влияние воды и растворителя на релаксационное поведение полиамидов/ Н. А. Адрова и др. // Высокомолек. соед. 1976. — Т. Б 18, № 6.C. 449−453.
  98. Релаксационные явления в полипиромеллитимидной пленке/ Г. А. Лущейкин, Б. С. Грингут / Высокомолек. соед 1972 — Т. Б 14, № 1. -С. 53 — 56.
  99. Dielectric properties of fluoride-containing polymethylsiloxane-imide films/ H. Wang, X. Tao, E. Newton // High performance polymers. 2002. — № 14. -P. 271 -283.
  100. Изучение кинетики имидазации и молекулярной подвижности полиимида диэлектрическим методом/ Н. А. Адрова, Т. И. Борисова, И. А. Никанорова // Высокомолек. соед. 1974. — Т. Б 16, № 8 — С. 621 — 627.
  101. Сажин, Б. И. Электрические свойства полимеров/ Б. И. Сажин, A.M. Лобанов, О. С. Романовская. Л.:Химия, 1986. — 192 с.
  102. McCrum, N.G. Anelastic and dielectric effects in polymeric solids/ N.G. McCrum, B.E. Read, G. Williams.- N.Y.:Dover Publications, Inc., 1967.
  103. Поведение полиимида на основе анилинфталеина и пиромелитового диангидрида под действием у-излучения/ В. В Коршак и др. // Высокомолек. соед. 1980. — Т. А 22, № 11. — С. 2559 — 2566.
  104. Effect of electron beam radiolysis on mechanical properties of high performance polyimides. A comparative study of transparent polymer films/ S. Devasahayam, D.J.T. Hill, J.W. Connell // High performance polymers. 2005. -№ 17.-P. 547−559.
  105. Действия облучения на на диэлектрические свойства и структуру полиимида/ Бартенев Г. М. и др. // Высокомолек. соед. 1977. — Т. А 19, № 10.-С. 2217−2223.
  106. Fabrication, evaluation and radiation behavior of S2-glass fiber reinforced polyimide laminates for cryogenic applications/ C.L. Homrighausen at al. // High Performance Polymers. 2007. — Vol. 19, № 4. — P. 382 — 400.
  107. Исследование односторонне алюминированных полиимидных пленок, экспонированных на орбитальной космической станции «Мир"/ О. А. Ананьева, В. К. Милинчук, Д. Л. Загорский // Химия высоких энергий. 2007. -Т. 41, № 6. — С. 445−451.
  108. Physical and chemical response of 70 MeV carbon ion irradiated Kapton-H polymer/ H.S. Virk, P. S. Chandi, A.K. Srivastava // Bulletin of Materials Science. -2001. Vol. 24, № 5. — P. 529 — 534.
  109. Radiation-induced change of polyimide properties under high-fluence and high ion current density implantation/ V.N. Popok at al. // App. Phys. A: Materials Science & Processing. 2004. — Vol. 78, № 7. — P. 1067 — 1072.
  110. Changes in the mechanical properties of polyimides induced by electron bombardment/ B.G. Mudyugin, P.A. Fefelov // Mechanics of Composite Materials. -1969.-Vol. 5,№ 6.-P. 1111−1112.
  111. Effect of electron irradiation on the mechanical and thermal properties of some polymer materials/ B. A, Kozhamkulov at al. // Mechanics of Composite Materials. 1998. — Vol. 34, № 5. — P. 489 — 494.
  112. Mechanism of radiation-induced degradation in mechanical properties of polymer matrix composites/ S. Egusa // Journal of Materials Science. 1988. — Vol. 23, № 8.-P. 2753−2760.
  113. On the thermal stability of polyimides for space application/ C.O.A. Semprimoschnig at al. // Protection of Materials and Structures from Space Environment. -2004. Vol. 5, P. 2. — P. 171 — 181.
  114. Электронно-лучевое модифицирование поверхности оксидных материалов (Si02, BaTi03)/ И. В. Васильева и др. // Журнал физической химии. -2002.-Т. 76, № 1. С. 84 — 89.
  115. Electron beam induced modification of poly (ethylene terephthalate films)/ I.V. Vasiljeva at al.// Applied Surface Science.- 2006.- Vol. 252, No.24.- P. 87 688 775.
  116. Исследование функционально-химического состава поверхности кварцевого стекла, обработанного под воздействием ускоренных электронов/ В. Е. Курочкин и др.// Научное приборостроение 2008. — Т. 18, № 1. — С. 3 — 9.
  117. , В.В. Синтез и направленное регулирование электрооптических свойств электролюминофоров на основе сульфида цинка: дисс.. канд. хим. наук / Бахметьев Вадим Владимирович. Санкт-Петербург, 2005.-161 с.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?