Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Электронные спектры Cd Ga/2 Se/4 и Cd Ga/2 S/4 в области 2-6 эВ

Диссертация: Электронные спектры Cd Ga/2 Se/4 и Cd Ga/2 S/4 в области 2-6 эВ
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Для успешного применения этих соединений необходимо детальное исследование их физических свойств. Поскольку основные физические процессы происходящие в полупроводниках определяются особенностями их электронных спектров, то исследование зонной структуры полупроводников как экспериментально, так и теоретически является одной из актуальных проблем современной физики твердого тела. Поэтому… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА I. Обзор литературных данных по кристаллохимии, зонной структуре и физическим свойствам Сс/ Gc^Se^ и Cc/Go?S
    • 1. 1. Кристаллохимия соединений Gc/Gc^S^и Gc/
    • 1. 2. Симметрия электронных состояний и зонная структура соединений Cc/Go2 $e4 и Gc/Gc^S
    • 1. 3. Оптические свойства соединений Gc/Gc^Se4 и
  • Cc/Gq, Sj
    • 1. 4. Фотоэлектрические и люминесцентные свойства
  • Gc/Gcz,*%и Gc/Go^
    • 1. 5. Некоторые аспекты практического применения соединений Gc/Ga, 5e4 и Gc/Gc^S^
  • ГЛАВА 2. Получение монокристаллов Go/Gc^Se^ и (7с/ и методика эксперимента
    • 2. 1. Синтез и выращивание монокристаллов Gc/Gc^5e и Сс/ (?с?
    • 2. 2. Определение оптических постоянных и методика эксперимента
      • 2. 2. 1. Определение оптических постоянных
      • 2. 2. 2. Приготовление образцов для оптических измерений
      • 2. 2. 3. Установка для измерения оптических спектров
  • ГЛАВА 3. Оптические спектры Сс/ Gc^5e4 и Cc/Go?S4 в области 2*6 эВ
    • 3. 1. Край собственного поглощения Gc/Gc^Se
    • 3. 2. Край собственного поглощения Cc/Go^S*?
    • 3. 3. Параметры валентной зоны Gc/Gc^Se^ и Gc/Gc^S^
    • 3. 4. Оптические спектры и в глубине собственного поглощения
    • 3. 5. Выводы к главе
  • ГЛАВА. Влияние температуры на электронные спектры в области края собственного поглощения и
  • Cc/Gcz, Sj
    • 4. 1. Температурная зависимость края собственного поглощения Сс/6>q, Se4 и СсУ&о^З^
    • 4. 2. Перестройка электронного спектра в ^с/бс^З^
    • 4. 3. Выводы к главе
  • ГЛАВА 5. Термостимулированная проводимость и излучательная рекомбинация в монокристаллах ^е/й^еЗ*ийтйя-/^
    • 5. 1. Спектр локальных уровней в
      • 5. 1. 1. Термостимулированная проводимость
      • 5. 1. 2. Токи ограниченные пространственными зарядами
    • 5. 2. Излучательная рекомбинация в
    • 5. 3. Излучательная рекомбинация в ^cZ&c^Sj
    • 5. 4. Выводы к главе

Электронные спектры Cd Ga/2 Se/4 и Cd Ga/2 S/4 в области 2-6 эВ (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Постоянно растущие запросы полупроводниковой электроники требуют расширения класса исследуемых соединений. В этой связи в последние десятилетия интенсивно исследуются многокомпонентные соединения, среди которых особое место принадлежит алмазоподобным полупроводникам A-Wc1″ АПВ1УС2″ A^bSJcJ1. Наименее изученными среди них являются соединения последнего класса. Наличие двулучепреломления, оптической активности /I, 2/, больших значений коэффициента нелинейной восприимчивости /3/ в сочетании с широкой областью прозрачности, яркой люминесценцией /4/" значительной фоточувствительностью, возможностью использования в электрофотографии /5/ выдвигает этот класс соединений в число перспективных материалов для полупроводниковой и квантовой электроники. В частности, в /б/ сообщается о создании узкополосного темпера-турно-перестраиваемого оптического фильтра на ^'c/^pg^Sj .

Для успешного применения этих соединений необходимо детальное исследование их физических свойств. Поскольку основные физические процессы происходящие в полупроводниках определяются особенностями их электронных спектров, то исследование зонной структуры полупроводников как экспериментально, так и теоретически является одной из актуальных проблем современной физики твердого тела. Поэтому представлялось актуальным исследование электронных спектров как в области края, так и в глубине собственного поглощения для определения характера оптических переходов и параметров зонной структуры Cc/Gc^Sej и Сс/б^о^/З^, так как имеющиеся результаты исследования оптических свойств привели к противоречивым выводам для структуры энергетических зон и правилам отбора для оптических переходов. С другой стороны сложность кристаллической структуры и наличие упорядоченной вакансии в катионной подрешетке приводят к богатому спектру локальных состояний. Несмотря на ряд исследований до настоящего времени нет единого мнения относительно механизма излучательной рекомбинации в них.

Целью настоящей работы явилось установление особенностей электронных спектров и механизма излучательной рекомбинации в монокристаллах Cc/Ga^Se^ и в интервале температур 4,2*300 К.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи: I) Собрать установку для спектров поглощения и отражения методом модуляции длины волны. 2) Исследовать оптические спектры на краю и в глубине области собственного поглощения методом модуляции длины волны в поляризованном излучении. Определить характер и поляризационную зависимость оптических переходов в высокосимметричных точках зоны Бриллюэна. Установить структуру и определить характеристические параметры валентной зоны и fcZ&c^Sj в центре зоны Бриллюэна. 3) Исследовать температурную зависимость оптического поглощения в области минимальных межзонных переходов в интервале 4,2*300 К. 4) Исследовать спектр локальных состояний, а также зависимости интенсивности излучения от температуры и уровня возбуждения.

Для проведения вышеуказанных измерений необходимо было получить совершенные монокристаллы и ^с/б^а,^ .

Научная новизна работы. I) Впервые методом модуляции длины волны исследована поляризационная зависимость особенностей в оптических спектрах Cc/Gc^Se^ и Сс/бро^З^ в области 2*6 эВ. Установлена структура и определены характеристические параметры (кристаллическое и спин-орбитальное расщепления) валентной зоны ^cZ&qS^ и CcZ&c^Sj. Показано, что вершина валентной зоны этих соединений формируется, в основном, рсостояниями атомов во.

2) Впервые исследована температурная зависимость смещения края собственного поглощения Cc/Ga25eA и в интервале 4,2−5-300 К.

3) Впервые обнаружена перестройка электронного спектра с температурой в монокристаллах ^/^й^Д^ .

4) Впервые наблюдена краевая излучательная рекомбинация в Сс/и исследована зависимость ее интенсивности от температуры и уровня возбуждения.

Основные положения выносимые на защиту.

1) Минимум зоны проводимости Cc/6>c^/Se4 формируется состоянием Гр происшедшим из Tj состояния в сфалерите, а в Go/Ga^S^ - состоянием Tj, происшедшим из Х^ состояния в сфалерите.

2) Валентная зона Сс/бЬ^Зе^ и Cc/Gc^/S^ состоит из трех подзон Ig+Гу, Г^+Гу, расстояния между которыми определяются кристаллическим и спин-орбитальным расщеплениями. Вершина валентной зоны исследуемых соединений, в основном, формируется.

Рсостояниями атомов 6>о. Величина кристаллического расщепления зависит от смещения атомов анионов из идеальных тетраэдрических положений.

3) Наблюдаемые особенности в спектрах Ямодулированного отражения в области 2−5-6 эВ обусловлены оптическими переходами в высокосимметричных точках зоны Бриллюэна Г (0 0 0), А/ {q? 0), т (0 0|).

Перестройка электронного спектра с температурой в области края собственного поглощения Сс/6>ое$е4 обусловлена различной скоростью движения энергетических зон в высокосимметричных точках зоны Бриллюэна.

5) Коротковолновые линии излучения в Сс/связаны с излучательной рекомбинацией зона-зона и мелкая примесь-зона.

6) В процессе излучательной рекомбинации в б^с/бго,^ участвуют два типа медленных центров с энергиями активации 0,60 и.

1,10 эВ.

Практическая ценность" Полученные в диссертации данные о дисперсии коэффициента поглощения, характере оптических переходов, структуре валентной зоны важны для построения картины зонного спектра Сс/ба25е^ и. Данные о значениях оптических постоянных и спектре локальных состояний могут быть использованы при конструировании поляризационных оптических фильтров и поляриметрических детекторов, создаваемых на основе исследуемых соединений.

Апробация работы. Основные результаты диссертации обсуждены на Республиканском симпозиуме по физическим свойствам сложных полупроводников (Баку, 1978 г.), У Всесоюзной конференции по химии, физике и техническому применению халькогенидов (Баку, 1979 г.), Республиканской конференции «Фотоэлектрические явления в полупроводниках» (Ужгород, 1979 г.), Всесоюзной конференции по физике полупроводников (Баку, 1982 г.), Всесоюзной конференции «Тройные полупроводники и их применение» (Кишинев, 1983 г.).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 16 научных работ.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, пяти глав, основных выводов и списка литературы (страниц машинописного текста — 137, рисунков — 43, таблиц — 9, библиография — 142 наименований).

Основные результаты диссертации обсуждены на Республиканском симпозиуме по физическим свойствам сложных полупроводников (Баку,.

1978 г.), У Всесоюзной конференции по химии, физике и техническому применению халькогенидов (Баку, 1979 г.), Республиканской конференции- «Фотоэлектрические явления в полупроводниках» (Ужгород,.

1979 г.), Всесоюзной конференции по физике полупроводников (Баку, 1982 г.), Всесоюзной конференции «Тройные полупроводники и их применение» (Кишинев, 1983 г.) и семинарах ордена Трудового Красного Знамени Института физики АН Азерб. ССР и опубликованы в работах:

I. Мамедов Ш. С., Мехтиев Н. М. Структура валентной зоны Cc/Gc^Se4. — Тез. докл. / 1У Республиканской конференции молодых ученых-физиков, Баку, 1978, с. 32.

2. Керимова Т. Г., Алиев А. А., Мамедов Ш. С., Нани Р. Х., Сала-ев Э. Ю. Энергетический спектр и. — Тез. докл. / Республиканского симпозиума по физическим свойствам сложных полупроводников, Баку, 1978, с. 54.

3. Керимова Т. Г., Мамедов Ш. С., Мехтиев Н. М., Нани Р. Х., Са-лаев Э. Ю. Структура валентной зоны /7с/б^3е4. — ФТП, 1979, т. 13, в. 3, с. 494−497.

4. Керимова Т. Г., Мамедов Ш. С., Нани Р. Х. О зонной структуре некоторых сложных халькогенидов типа аЩ>С^. ~ Тез. докл. / У Всесоюзная конференция по химии, физике и техническому применению халькогенидов, Баку, 1979, с. 98.

5. Керимова Т. Г., Мамедов Ш. С., Мехтиев Н. М., Нани Р. Х. Поляризованная фотопроводимость монокристаллов Сс/. — Тез. докл. / Республиканская конференция «Фотоэлектрические явления в полупроводниках», Ужгород, 1979, с. 133.

6. Мамедов Ш. С. О межзонных переходах в Сс//ро234. — Тез. докл. / У Республиканская конференция молодых ученых-физиков, Баку, 1980, с. 45.

7. Мамедов Ш. С. Фотолюминесценция монокристаллов /Ус/&сг?3е4. — Тез. докл./ У Республиканская конференция молодыхученых-физиков, Баку, 1980, с. 47.

8. Керимова Т. Г., Мамедов Ш. С., Нани Р. Х. Спектры Лмодулированного отражения и зонная структура Сс/б^З^* - ФТП, 1981, т. 15, в. I, с. I38-I4I.

9. //е г/то v<7 A/a/nec/ov ЗАЗ., А/сю/ tf./f/r. ///?//re.

Sane/ s/zt/c/t/ze о/ ~ PAyS. 3/cr/.3oA./#A.

10. /fe fffO vo A/asne с/о у ЗА ЗаAcre у ^oec/crA^ecr/t/ res о///re e/ec/rwc Spectre//?? о//с/6Ьг$ 4 /л//re zeg/M о///re ъегг/af ogsor/?/ro* ecfye. Stat JotA6jl к Щ *.

11. Керимова Т. Г., Мамедов Ш. С., Нани Р. Х., Салаев Э. Ю. Оптические спектры и Сс/(?ог$ 4 в области 2*6 эВ.- В кн.:Фи-зические свойства сложных полупроводников, Баку, Элм, 1982, с.90−96.

12. Керимова Т. Г., Мамедов Ш. С., Мехтиев Н. М., Хидиров А. Ш., Штейншрайбер В. Я. Электронные и фононные спектры соединений A^bSJcJ*. — Вс. конф. по физике полупроводников, Баку, 1982, т. 2, с* 184−185.

13. Керимова Т. Г., Мамедов Ш. С., Салаев Э. Ю. Краевая фотолюминесценция монокристаллов — ФТП, 1982, т. 16, в. 10, с. I904−1905.

14. Керимова Т. Г., Мамедов Ш. С., Хидиров А. Ш. Особенности электронных и колебательных спектров соединений АПв5>СУ*. — Вс. конф. «Тройные полупроводники и их применение», Кишинев, Штиинца, 1983, с. 15−16.

S/nottett ,>7 Ве4. -Sof.ZM. Орютил, /Щ vtyA/fyW-W.

16. Керимова Т. Г., Абдуллаева С. Г., Мамедов Ш. С., Салаев Э. Ю., Гулиев Р. А. Оптическое поглощение и фотолюминесценция в Cc/G^S4. — Препринт № 91, 1984, Баку, Институт физики АН Азерб. ССР, 17 с.

В заключении считаю своим приятным долгом выразить искреннюю благодарность научным руководителям — доктору физико-математических наук Абдуллаевой С. Г. и кандидату физико-математических наук Керимовой Т. Г. за предложенную тему и постоянную помощь при выполнении поставленных задач, члену-корреспонденту АН Азерб. ССР, доктору физико-математических наук Гашимзаде Ф. М. за ценное и плодотворное обсуждение данной работы.

Приношу благодарность коллективу лабораторий «Полупроводниковые материалы» и «Полупроводниковая квантовая электроника» за постоянное внимание и оказанную помощь в процессе выполнения работы.

Показать весь текст

Список литературы

  1. t/обе/е/г MX ty//co7 а И/ w/tf /я & no/7- errant/' о ~ hiozphous yzt/s/of о/ с/ass Gc/ Gc^S4. ~/Jc/o
  2. Copz., /969, v. A2J, rJ5, p 633−638
  3. Л.М., Гадьмаши З. П., Копинед И. Ф., Сливка В. Ю. Оптическая активность в кристаллах Gc/Go54. Опт. и спектр., 1981, т. 50, № 4, с. 700−705.
  4. Lewne 3./, fielhecr G.G., /(ospez ААМ. A/on Gне, а г ор/гса 7 Suscep/tS/A/Aep о/ /А/ауа/А'аАе GcAGo254.~7£Е£ J. 0uo"L 8бес/г., т, №-///, л/0/2, p. 904−906
  5. Spztnp/ozc/ А/. ТАе? с//т?//7еscence of some, А е т/raze/ сАо бсо^еп/с/е S оке/ /п/хес/ б/яа'су sc/sr/ems о/с г о ар ///~У/ сояуроикс/з. Ргос. РА (/з. 5
  6. Г. Б., Агаев В. Г. Нани Р.Х., Салаев Э. Ю. Электрофотографические свойства соединения Gc/Go?3e4 чистого и легированного золотом. Изв. АН Аз. ССР, сер. физ.-тех. и мат. наук, 1977, т. 41, № 4, с. 54−58.
  7. В.В., Матвеев И. М., Пшеничников С. М., Рычик Q.B., Проценко Н. К., Устинов Н. Д. Узкополосный перестраиваемый оптический фильтр на монокристаллах1. Сс/боА
  8. Квантовая электроника, 1981, т. 8, в. 4, с. 910−912.
  9. А/аАп АА., fzgnk G. //Gnqez К 5/ог
  10. GAe*?., /933, 3c1229, з. 24/-270
  11. A/oosez Peozson W.3. Десо<�р/7///оп сюс/c6ass (/'co-A/o/7 of se/77 f co^c/crс /thy cofrrp? ouffc/s with ie/ z
  12. Зеин Id. A/ftSche ft., L/c/r/efrs?e/c?ez/V. ф/fcat one/ e^ec/zrca^ f>zopez//es о/ lez^ozy cAafcoyeT/c/es.
  13. М. И. Демина Т.В. Дону B.C. Механические свойства соединений Cc/Ga,(S, 5e, Те)4. Вс. конф. «Тройные полупроводники и их применение», Кишинев, Штиинца, 1976, с. 147−149.
  14. Г. Ф., Бабюк Т. И., Лазаренко Л. С. Маркус М.М., Радауцан С. И. Рентгенографическое исследование соединения Cc/Go2^e4 в широком интервале температур. Физическая электроника, Львов, Вища школа, 1977, в. 15, с. 64−68.
  15. Г. Ф., Бабюк Т. И. Лазаренко Л.С. Маркус М.М.
  16. Т. Н. Мочарнюк Г. Ф., Лазаренко Л. С. Рентгенографическое исследование твердых растворовGd G^ в широком интервале температур. Вс. конф. «Тройные полупроводники и их применение», Кишинев, Штиинца, 1976, с. 146.
  17. Т. И. Мочарнюк Г. Ф. Рентгенографическое исследование соединения CdGo2S4 в широком интервале температур. Вс. конф. «Тройные полупроводники и их применение», Кишинев, Штиинца, 1979, с. 96−97.
  18. Т. И. Дону B.C. Житарь В. Ф., Мочарнюк Г. Ф. Рентгенографическое исследование GdGg2S4 в широком интервале температур. Изв. АН Молд. ССР, сер. физ.-тех. и мат. наук, 1981, № 2, с. 72−74.
  19. . Мавлонов Ш." Умаров Б. С. Анизотропия линейного расширения GdGo?^5e4. Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1978, т. 14, № 5, с. 863−865.
  20. Д. А. Керимова Т.Г. Нани Р. Х. Оптические спектры и зонная структура монокристаллов и- ФТП, 1977, т. II, в. 6, с. II35-II42.
  21. Mc/uftoeV GA, Gvse//iovo йА., Ае z/тою F6., Мот/ Я. М-/(е//ес//оъ spec/та o/GdGa254 о/ус/GdGc^Se^ ^ г/гес/tight. 5/а/. So/У6J} л?, к //5-///
  22. Г. Б. Гусейнова Д.А. Керимова Т. Г. Нани Р.Х. Оптические свойства Gc/Go2S4 и GdGc^Se^ в области 200−600 нм.- ФТП, 1973, т. 7, в. 4, с. 840−842.
  23. Д. А. Керимова Т.Г. Нани Р. Х. Зонная структура Cc/Gc^Sj и Сс/65^. Вс. конф. «Тройные полупроводники и их применение», Кишинев, Штиинца, 1976, с. 167.
  24. В.А., Караваев Г. Ф. К вопросу о структуре валентной зоны соединений типа халькопирита. Изв. ВУЗов СССР, Физика, 1963, т. 6, № 5, с. I03-II2.
  25. В. Л., Понедельников Б. Э., Розенсон А. Э. Чижиков В.И. Зонная структура полупроводников с решеткой тиогаллата кадмия. Изв. ВУЗов, Физика, 1979, т. 22, в. 8, с. 57−64.
  26. Jan/at tons V. L, Рапес/еМогЗ.Е., Aosensov/I.E., TchijikovVJ.5l?:i/c??/zesc/e Sarrc/e des sofe/f/опз soGc/ez Gc//X Gq, One/ Gc/Gq,. -/Mf/Z- /France), /^Щ^^/у.
  27. Ф. М. Гусейнова Д.А. Штейншрайбер В. Я. Расчет зонной структуры тиогаллатов кадмия методом ЭО ЛКАО, 1980, № 21, 20 с. Препринт, АН Аз. ССР, Инст. физ.
  28. М. Н. Черных В.Я. Петров В. М. Влияние температуры и электрического поля на оптические свойства Cc/Gc^Se^. -ФТП, 1967, т. I, в. 5, с. 793−795.
  29. М. П. Тырзиу В.Г. Физические свойства соединения Cc/Go25e4 • ~ Неорганические материалы, 1971, т. 7, № 10, с.1855−1856.
  30. С. И. Житарь В.Ф., Кесничан И. Г. Шмиглюк М.И. Спектры фотопроводимости монокристаллов Gc/G&, Se4. фтп, 1971, т. 5, в. II, с. 2240−2242.
  31. С. И. Житарь В.Ф., Райлян В. А. Длинноволновой край поглощения монокристаллов Cc/Go?Se^. Изв. АН Молд. ССР, сер. физ.-тех. и мат. наук, 1973, № 3, с. 41−46.
  32. С. И. Сырбу Н.Н., Небола П. И. Тырзиу В.Г. Берча М. Д. Структура энергетических зон и двухфононное поглощениев кристаллах Cc/Go254 и Cc/Go25e4. ФТП, 1977, т. II, в. I, с. 69−72.
  33. Bacebstczfr. Tzi/?oz/cofi., Sotp/res/A.Ccr/bS/aj?/?' feguz-го/7/ ?. A6soz/?//orr ecfye //e ггт? оге/Рес/
  34. Д. Т. Джураев Н.Д., Нани Р. Х. Оптическое поглощение монокристаллов Сс/У/?2 $ 4 и. В кн.: Тройные полупроводники АПВ1Ус| и АПв! рСУ1, Кишинев, Штиинца, 1972, с.228−230.
  35. В.Ф., Райлян В. Я. Оптическое поглощение и отражение тиогаллата кадмия. В кн.: Полупроводниковые материалы и их применение, Кишинев, Штиинца, 1976, с. 192−195.
  36. В.Я. Спектры отражения монокристаллов, Cc/Go/ZSeJj. Вс. конф. «Тройные полупроводники и их применение», Кишинев, Штиинца, 1979, с. 125−126.
  37. А.Н., Тигиняну И. М. Разрешенные экситоны в Cc/Go^S^. Краткие сообщения по физике. ФИАН, 1981, № 2, с. 3.7.
  38. А. Н. Озеров Ю.В., Радауцан С. И., Тигиняну И.М. Исследование фундаментальных оптических переходов в
  39. Gc/Gc54 методами модуляционной спектроскопии. ФТТ, 1981, т. 23, в. 7, с. 2094−2099.
  40. Л.М., Гадьмаши З. П., Ковач Д. Ш., Сливка В. Ю. Край поглощения одноосно деформированных монокристаллов Gc/Gc54. ФТП, 1982, т. 16, в. I, с. 143−146.
  41. Л. М. Гадьмаши З.П., Сливка В. Ю. Влияние температуры на эффекты проявления пространственной дисперсии в кристаллах Gc/Go3S4. ФТП, 1982, т. 16, в. II, с. 1955−1958.
  42. Т. Г. Нани Р.Х., Салаев Э. Ю. Штейншрайбер В.Я. Алиев А. А. Колебательный спектр Сс/Са25е4. фтт, 1979, т. 21, в. 6, с. I899-I90I.
  43. Т.Г. Динамика решетки соединений, кристаллизующихся в структуре тиогаллата. ДАН Аз. ССР, 1979, т. 35, № 6, с. 29−33.
  44. Л. М. Небола И.И. Переш Е. Ю., Ворошилов Ю. В. Берча Д.М., Сливка В. Ю. Оптические фононы в Gc/C^Se^. ФТТ, 1978, т. 20, в. 10, с. 3186−3189.
  45. Л. М. Переш Е.Ю. Сливка В. Ю. Колебательные спектры монокристаллов Cc/{?c^S4 • Вс. конф. «Тройные полупроводники и их применение», Кишинев, Штиинца, 1979, с. 127−128.
  46. Г. Б. Агаев В.Г. Антонов В. Б. Нани Р.Х., Са-лаев Э.Ю. Фотопроводимость, процессы прилипания и рекомбинации в монокристаллах Сс/бог5е4. ФТП, 1972, т. 6, в. 9, с. 1729−1743.
  47. Г. Б., Агаев В. Г., Антонов В. Б. Мамедов А.А. Нани Р. Х. Салаев Э.Ю. Фотопроводимость, процессы прилипания и рекомбинации в монокристаллах С/с/б'ОгЗе4, легированных золотом.- ФТП, 1973, т. 7, в. 6, с. I05I-I057.
  48. Г. Б. Агаев В.Г., Антонов В. Б. Нани Р.Х., Са-лаев Э.Ю. Оптическое поглощение монокристаллов Cc/Go^Se^. -ФТП, 1971, т. 5, в. II, с. 2132−2135.
  49. В.Ф., Райлян В. Я. Некоторые электрические и фотоэлектрические свойства кристаллов Сс/6о?5е4. в кн.: Физические свойства сложных полупроводников, Кишинев, Штиица, 1973, с. 64−69.
  50. В. Ф. Безрядин Н.Н. Равинский А. П. Сысоев Б.И. Особенности термостимулированного тока монокристаллов Сс/Оог5е4 .- Вс. конф. «Тройные полупроводники и их применение», Кишинев, Штиица, 1976, с. 162−164.
  51. В. Ф. Безрядин Н.Н. Равинский А. П., Сысоев Б. И. О релаксации фототока в монокристаллах . ФТП, 1977, т. II, в. 7, с. 1439.
  52. В. Ф. Безрядин Н.Н., Равинский А. П., Сысоев Б. И. Энергетический спектр центров прилипания в монокристаллах Сс/6аг5е4. Изв. ВУЗов, Физика, 1978, т. 21, № 4, с. 127−130.
  53. В.М., Караман М. И. Мушинский В.П. Продольная фотопроводимость слоев Сс/б>ог5е4. В кн.: Физика сложных полупроводниковых соединений, Кишинев, Штиинца, 1979, с. I05-III.
  54. С.И., Житарь В. Ф., Дону B.C. Спектры фотопроводимости монокристаллов Cc/GozS4. ФТП, 1975, т. 9, в. 5, с. I0I8-I020.
  55. В. Ф. Дону B.C. Молдовян Н. А. Рекомбинационные центры и ловушки в Zn7tr254 и Cc/Go2S4. Вс.конф. «Тройные полупроводники и их применение», Кишинев, Штиинца, 1976, с. 156 158.
  56. В. Ф. Дону B.C. Радауцан С. И., Струмбан Э. Е. Релаксация тока в фотоприемниках на основе тиогаллата кадмия, Электронная обработка материалов, АН Молд.ССР, 1982, № 5, с. 54−58.
  57. А.Н., Грузинцев А. Н., Тигиняну И. М. Исследование локальных состояний в Gc/Go254. Краткие сообщения по физике, ФИАН, 1981, № 2, с. 3−7.
  58. GeozpoS/an/ AN., ftp с/о utSon 57., T/tjitiyonuJ.M. ?fec/zoa&$oz/yt/o/7 ал с/ поп z/u/n cozz/ez гесопт&по//'оп /п G/Go?54
  59. J.Phys., /mс./с Wfi256/-2370
  60. В. П. Караман М.И., Грамацкий В. И. Чеботарь В.В. Оптические и фотоэлектрические свойства кристаллов
  61. С/с/6>а?54, полученных газотранспортным методом. Вс. конф. «Материалы для оптоэлектроники», Ужгород, 1980, с. 40−41.
  62. В. Ф. Таран Н.И. Доника Т. В. Спектры излучения кристаллов Cc/GqrSj. В кн.: Исследование сложных полупроводников, Кишинев, Штиинца, 1970, с. 89−97.
  63. А. Н. Дону B.C. Илюхина З. П. Павленко В.И.
  64. И.М. Голубая фотолюминесценция тиогаллата кадмия. ФТП, 1983, т. 17, в. 8, с. 1524−1525.
  65. А. Н. Дону B.C. Илюхина З. П. Павленко В.И. Тигиняну И.М. О связи центров свечения с собственными дефектами в
  66. Сс/Оаг$ 4. Краткие сообщения по физике ФИАН, 1981, № 12, с. 48−52.
  67. С.И., Дерид Ю. О. Житарь В.Ф., Дерид О. П. Тро-ценко Н.К. Тюлюпа А. Г. Диаграмма состояния Ccf5~6>&-г35, ДАН СССР, 1982, т. 267, № 3, с. 673−675.
  68. А.А. Поляризованная люминесценция монокристаллов Cc/G>a, 5e4, Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук, Баку, 1978,1. ПО с.
  69. В.Ю. Оптические свойства сложных халько-, гало- и халькогалогенидов. Вс. конф. «Материалы для оптоэлектроники», Ужгород, 1980, с. 7−8.
  70. Л. М. Галъдмаши З.П. Копинец И. Ф. Переш Е.Ю. Сливка В. Ю. Получение и оптические свойства монокристаллов Cc/Go254. Вс. конф. «Материалы для оптоэлектроники», Ужгород, 1980, с. 26−27.
  71. Л. М. Галъдмаши З.П. Копинец И. Ф. Переш Е.Ю. Сливка В. Ю. Двулучепреломление монокристаллов Cc/G<725^. Опт. и спектр., 1980, т. 49, № I, с. 97−99.87• Сусликов Л. М. Галъдмаши З.П. Копинец И. Ф. Сливка В.Ю.
  72. Эффекты пространственной дисперсии в кристаллах Cd Gc. -Опт. и спектр., 1981, т. 51, № 2, с. 307−311.
  73. Р.Х. Фотоэлектрические и оптические свойства, энергетические спектры полупроводников типа Апв5! сУ1. Дис.. докт. физ.-мат. наук, Баку, 1977, 239 с.
  74. Phttf/pp H-fc, Tajt £.Л O/pt/caf covs/o/rts о/conf&bdquo- /to /0е V. yfe* 3, к Щ^р. ЗГ’ЗЗ
  75. Phi tt/pp РЛ, ?Агеггте/сА P. car f/trope rt/esr
  76. О/ Se/n/coKc/cctarx. PAyS. fer. /?63, К /Р9, V^ p. /550-/56О
  77. Ш. С. Мехтиев H.M. Структура валентной зоны Gc/Go25e4″ Тез. докл./ 1У Республиканская конференция молодыхученых-физиков, Баку, 1978, с. 32.
  78. Т. Г. Алиев А.А. Мамедов Ш. С. Нани Р.Х., Салаев Э. Ю. Энергетический спектр и t7a/G<^Se<. Тез.докл. / Республиканский симпозиум по физическим свойствам сложных полупроводников, Баку, 1978, с. 54.
  79. Т. Г. Мамедов Ш. С., Мехтиев Н. М., Нани Р. Х. Поляризованная фотопроводимость монокристаллов Сс/баг5е4. Тез. докл./ Республиканская конференция «Фотоэлектрические явления в полупроводниках», Ужгород, 1979, с. 133.
  80. Ш. С. О межзонных переходах в Cc/Gq,$ 4. Тез. докл./ У Республиканская конференция молодых ученых-физиков, Баку, 1980, с. 45.
  81. Т. Г. Мамедов Ш. С., Нани Р. Х. Спектры Я -модулированного отражения и зонная структура Сс/Go25e4. ФТП, 1981, т. 15, в. I, с. I38-I4I.
  82. Кет/то va Т&-, /Чамес/ог 5A. Л/оп/ fi/fA. 7/п the Son с/stzucr/t/ze О/ Gc/G
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?