Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Размерный эффект плавления тонких медных пленок и его использование для формирования межсоединений кремниевых СБИС

Диссертация: Размерный эффект плавления тонких медных пленок и его использование для формирования межсоединений кремниевых СБИС
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

На основе разработанного метода расчета температуры плавления создана компьютерная программа для определения температуры плавления топкой пленки в зависимости от ее толщины, в которой учтены изменение поверхностной энергии и зависимость теплоты плавления от температуры. На основе разработанного метода расчета температуры плавления создана компьютерная программа для определения температуры… Читать ещё >

Содержание

  • СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ СОКРАЩЕНИЙ
  • 1. АНАЛИЗ ПРОБЛЕМЫ ТЕПЛОВОЙ УСТОЙЧИВОСТИ ПРОВОДНИКОВЫХ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ СБИС
    • 1. 1. СОВРЕМЕННЫЕ МЕТОДЫ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ИС
    • 1. 2. ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НИЗКОРАЗМЕРНЫХ ОБЪЕКТОВ
      • 1. 2. 1. Поверхностное плавление
      • 1. 2. 2. Изменение теплоемкости при уменьшении размеров объектов
      • 1. 2. 3. Зависимость температуры плавления от размера частиц в островковых конденсатах
      • 1. 2. 4. Изменение температуры плавления сплошных пленок
  • ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ 1
  • 2. ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА И ОСОБЕННОСТИ ЕГО ПРОВЕДЕНИЯ
    • 2. 1. ПОДГОТОВКА И ВИДЫ ОБРАЗЦОВ ДЛЯ ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТОВ
    • 2. 2. МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК
      • 2. 2. 1. Нанесение диэлектрических пленок
      • 2. 2. 2. Нанесение плёнок металлов, сплава W-Ta-N и углерода
    • 2. 3. КОНТРОЛЬ ТОЛЩИНЫ ПРИ И ПОСЛЕ НАНЕСЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК
      • 2. 3. 1. Контроль толщины напыляемых пленок с помощью кварцевого измерителя
      • 2. 3. 2. Измерение толщины пленок с помощью микроинтерферометра
  • Линника
    • 2. 3. 3. Методика определения толщин тонких пленок при помощи сканирующей зондовой микроскопии
    • 2. 4. МЕТОДИКА ДЛЯ «IN-SITU» КОНТРОЛЯ ТЕМПЕРАТУРЫ ПЛАВЛЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК МЕТАЛЛОВ НА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОДЛОЖКАХ
    • 2. 4. 1. Общее описание установки для определения плавления топких проводящих пленок
    • 2. 4. 2. Измерительный комплекс для измерения сопротивления в ходе нагрева в вакууме
    • 2. 4. 3. Метод сканирующей или растровой микроскопии
    • 2. 5. ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ МЕДИ
  • 3. НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЕ ПЛАВЛЕНИЕ ТОНКИХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК
    • 3. 1. ПЛАВЛЕНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК
      • 3. 1. 1. Плавление тонких пленок меди
      • 3. 1. 2. Плавление тонких пленок никеля
    • 3. 2. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ПЛАВЛЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК
    • 3. 3. КИНЕТИКА НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОГО ПРОЦЕССА ПЛАВЛЕНИЯ
  • ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ 3
  • 4. РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ БЕСПУСТОТНОГО ЗАПОЛНЕНИЯ УЗКИХ ТРАНШЕЙ И КОНТАКТНЫХ ОКОН КОМБИНАЦИЕЙ МЕТОДОВ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ И НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОГО ПЛАВЛЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК
  • ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ 4

Размерный эффект плавления тонких медных пленок и его использование для формирования межсоединений кремниевых СБИС (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность.

Современное развитие кремниевых СБИС связано с освоением нанометрового диапазона размеров элементов. Однако, несмотря на значительный прогресс в большинстве областей технологии ИС, технология многоуровневой металлизации в значительной степени сдерживает эффективное развитие СБИС. Система многоуровневой металлизации вносит значительный вклад в основные показатели ИС: площадь кристалла, быстродействие, надежность и др. По прогнозу ITRS-2004 (International Technology Roadmap for.

Semiconductors) уже в 2007 году шаг 1-ого уровня металлизации в кремниевых.

СБИС должен достичь размера 152 нм, а межсоединения должны выдерживать.

6 2 плотность тока ~М0 А/см. При таких малых размерах проводников вклад поверхностной энергии в термодинамическую стабильность систем металлизации становится ощутимым. Существующие представления о поведении топкопленочных систем основаны на учете размерных эффектов, которые оказывают значительное влияние на физико-химические, электрофизические и др. свойства элементов межсоединений кремниевых СБИС. Поэтому знание закономерностей процессов, происходящих в такого рода системах при тепловом воздействии, позволит существенно повысить надежность многоуровневой системы металлизации СБИС или разработать новые технологии металлизации, что является актуальной научной и практической задачей.

Целью диссертационной работы является исследование закономерностей поведения тонкопленочпых систем на основе меди при тепловом воздействии на них и изучение путей совершенствования технологии медных межсоединений кремниевых СБИС.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие конкретные задачи:

— критический анализ современных технологий многоуровневых систем металлизации па основе алюминия и меди;

— выявление термодинамических факторов, определяющих снижение температуры плавления тонких пленок меди с уменьшением их толщины;

— разработка методики «in-situ» контроля температуры плавления тонких пленок металлов на диэлектрических подложках;

— исследование кинетики процесса низкотемпературного плавления тонких пленок меди;

— выявление особенностей механизма низкотемпературного плавления тонких пленок меди;

— выработка конструктивно-технологических рекомендаций по применению эффекта низкотемпературного плавления тонких пленок меди в системах металлизации СБИС и МЭМС.

Научная новизна.

1. Установлено, что существенное снижение температуры плавления тонких металлических пленок вызвано температурной зависимостью теплоты плавления вместе с изменением абсолютной поверхностной энергии системы.

2. Разработан метод расчета температуры плавления меди в зависимости от толщины пленки, учитывающий изменение поверхностной энергии и температурную зависимость теплоты плавления.

3. Выявлены кинетические особенности низкотемпературного плавления тонких пленок меди. Предложен активационный механизм, описывающий данное явление.

4. Выявлен эффект влияния толщины адгезионного подслоя на характер смачивания подслоя медью, определяющий качество заполнения медью контактных окон.

Практическая значимость работы.

Разработан комбинированный метод беспустотпого заполнения металлами контактных окон с высоким аспектным отношением, включающий электрохимическое осаждение меди и последующее низкотемпературное оплавление слоя путем термообработки.

На основе разработанного метода расчета температуры плавления создана компьютерная программа для определения температуры плавления тонкой пленки в зависимости от ее толщины, в которой учтены изменение поверхностной энергии и зависимость теплоты плавления от температуры.

Разработаны измерительный комплекс и методика «in-situ» контроля температуры плавления тонких пленок металлов на диэлектрических подложках.

Результаты диссертационной работы использованы в НИР, проводимых в рамках ФЦНТП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники па 2002 — 2006 годы» РИ-112.0/001/196 и ИН-КП. 1/002.

Работа была поддержана Грантами РФФИ: № 06−08−780-а, 05−08−1 508-а, 05−03−32 744-а.

Результаты работы используются при чтении курса лекций «Физико-химические основы технологии микроэлектроники», «Материалы и процессы формирования металлизации кремниевых СБИС».

Результаты диссертационной работы использованы в ООО НПК «ОПТОЛИНК» при создании технологии изготовления микромехапических гироскопов и акселерометров различного класса точности.

На защиту выносятся следующие положения:

— существенное снижение температуры плавления топких металлических пленок вызвано температурной зависимостью теплоты плавления вместе с изменением абсолютной поверхностной энергии системы;

— Метод расчета температуры плавления меди в зависимости от толщины пленки, учитывающий изменение поверхностной энергии и температурную зависимость теплоты плавления;

— Активационный механизм, описывающий кинетические особенности низкотемпературного плавления тонких пленок меди;

Апробация работы.

Основные результаты работы докладывались на следующих конференциях и семинарах: Международная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых по фундаментальным наукам «Ломоносов — 2004», Москва, 2004; 11-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика — 2004», Москва, 2004; 9-я Международная научно-техническая конференция «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники», Дивпоморское, 2004; 6-я международная конференция «Опто-, наноэлектроника, напотехпологии и микросистемы», Туапсе, 2004; «Научная сессия МИФИ-2005», Москва, 2005; 12-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика — 2005», Москва, 2005; Международная конференция «Микрои наноэлектроника — 2005», Звенигород, 2005; Конференция «Индустрия наносистем и материалы», Москва, 2005; Международная конференция «ЭлИнф-05» Москва, 2005; 10-я международная научно-техническая конференция «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники», Дивноморское, 2006; 3-я Всероссийская конференция (с международным участием) «Химия поверхности и напотехпология» Санкт-Петербург, 2006 г.

Публикации.

По теме диссертации опубликованы 20 печатных работ, в том числе: 2 статьи в журнале «Журнал Физической Химии», 1 статья в журнале «Физика Твердого Тела», 1 статья в журнале «Applied Physics А», 2 статьи в сборнике.

Proceedings of SPIE, а также в материалах (статьи и тезисы докладов) российских и международных конференций.

Структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, основных результатов и выводов по работе, содержит 115 страниц машинописного текста, включая 4 таблицы, 53 рисунка и список литературы в количестве 125 наименований.

ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ 4.

1. Выявлен эффект влияния толщины адгезионного подслоя на характер смачивания подслоя медью, определяющий качество заполнения медыо контактных окон, заключающийся в оптимизации толщин смачивающего и затравочного слоев.

2. Разработан комбинированный метод беспустотного заполнения металлами контактных окон с высоким аспектным отношением, включающий электрохимическое осаждение меди и последующее низкотемпературное оплавление слоя путем термообработки.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Основным результатом работы является развитие представления о термической стабильности пленок металлов нанометровой толщины, что вносит существенный вклад в совершенствование технологии многоуровневой металлизации СБИС.

В ходе работы были получены следующие результаты.

3. В результате экспериментального исследования температуры плавления тонких пленок меди и никеля установлено, что существенное снижение температуры плавления тонких металлических пленок вызвано температурной зависимостью теплоты плавления вместе с изменением абсолютной поверхностной энергии системы.

4. Разработан метод расчета температуры плавления меди в зависимости от толщины пленки, учитывающий изменение поверхностной энергии и температурную зависимость теплоты плавления.

5. На основе разработанного метода расчета температуры плавления создана компьютерная программа для определения температуры плавления топкой пленки в зависимости от ее толщины, в которой учтены изменение поверхностной энергии и зависимость теплоты плавления от температуры.

6. Разработаны измерительный комплекс и методика «in-situ» контроля температуры плавления тонких пленок металлов на диэлектрических подложках.

7. Выявлены кинетические особенности низкотемпературного плавления топких пленок меди. Показано, что температура плавления тонкой пленки не является фиксированной величиной, поскольку данный процесс является неравновесным.

8. Установлена экспоненциальная зависимость времени начала процесса плавления тонких пленок меди различной толщины от температуры нагрева в вакууме, что свидетельствует об активационном механизме процесса плавления-диспергирования. Предложено представление о механизме, описывающем данное явление.

9. Выявлен эффект влияния толщины адгезионного подслоя на характер смачивания подслоя медью, определяющий качество заполнения медыо контактных окон.

10. Выработаны конструктивно-технологические рекомендации по применению эффекта низкотемпературного плавления тонких пленок меди в системах металлизации СБИС и МЭМС.

11. Разработан комбинированный метод беспустотного заполнения металлами контактных окон с высоким аспектным отношением, включающий электрохимическое осаждение меди и последующее низкотемпературное оплавление слоя путем термообработки.

Показать весь текст

Список литературы

  1. М., Андерко К.Структуры двойных сплавов. Справочник: В 2 т. -М., 1962.-1488 с.
  2. А.П., Баранов В. В., Шаталов В. В. Пленочные токопроводящие системы СБИС. -Минск: Выш. шк., 1989. 238 с.
  3. А.Е. Структурные дефекты компонентов БИС. Обзоры по ЭТ. Сер.6. Материалы, 1982, № 4 897, -49 с.
  4. Carriere В., Deville J.P. The early stages of oxigen adsorption on silicon surfaces as seen by electron spectroscopy // Sur. Sci., 1979, v. 80, p. 278−286.
  5. Ю.Ф. Физика металлических плёнок. Размерные и структурные эффекты. // М: Атомиздат. — 1979. — 264 с.
  6. Е.В., Трайнис Т. П., Хрусталев В. А., Шкавро А. Г., Щумило А. А. Влияние концентрации примесей в n-Si на высоту барьера и параметры ВАХ контактов Al-p±n-Si с барьером Шоттки Электр.техн., сер. З Микроэлектроника, 1986, в.4, 253 с.
  7. Ш. Силициды для СБИС. М.:Мир, 1986, -176 с.
  8. Hosack Н.Н. Electrical mechanical features of the platinum silicide-aluminum reaction. J. Appl. Phys., 1973, V. 44, № 8, p. 3474−3485.
  9. Parekh D.C., Sirrine R.C., Lemieux P. Solid State Electron. 1976, v. 19, p.493.
  10. Ho P. S., Koster V., Lewis J.E., Libertini S. in «Thin Film Phenomena -Interfaces and Interactions». (J.E.Baglin and J.M.Poate, eds.), Electrochem. Soc., Princeton, New Jersey, 1978, p.66.
  11. Grinolds H., Robinson G.Y. J. Vac. Sci. Technol. 1977, v. 14, p.75.
  12. HokelekE., Robinson G.Y. Thin Solid Films. 1978, v. 53, p. 135.
  13. Shacham-Diamand Y., Dubin V., Angyal M. Electroless copper deposition for ULSI. Thin Solid Films, 1995, v. 262, p. 93−103.
  14. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х книгах. Кн. 1. Пер. с англ. М.: Мир, 1984, -456 с.
  15. Steinbrilchel С. Patterning of copper for multilevel metallization: reactive ion etching and chemical-mechanical polishing. Appl. Sur. Sci. v. 91, 1995, p. 139−146.
  16. HowardВ.J., Steinbrutichel Ch. Appl. Phys. Lett. v. 59, 1991, p. 914.
  17. Howard B.J., Steinbrutichel Ch. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. v. 260, 1993, p. 391.1.HowardB.J., Steinbrutichel Ch. J. Vac. Sci. Technol. v. A12, 1994, p.1259.
  18. Igarashi Y, Yamanobe Т., Yamji Т., Nishikawa S., Ito T. Jpn. J. Appl. Phys. v. 33, 1994, p. 463.
  19. Th.Latsanov Yu., Palmans R., Maex К New plating bath for electroless copper deposition on sputtered barrier layers // Microelectronic Engineering. 2000. -Vol. 50.-P. 441−447.
  20. Shacham-Diamand Y., Dubin V.M. Copper electroless deposition technology for ultra-large-scale-integration (ULSI) metallization // Microelectronic Engineering. 1997. — Vol. 33. — P. 47−58.
  21. Kim J.J., Kim S.-K, Kim Y. S. Catalytic behavior of 3-mercapto-l-propane sulfonic acid on Cu electrodeposition and its effect on Cu film properties for CMOS device metallization // J. Electroanalytical Chemestry. 2003. — Vol. 542.-P. 61−66.
  22. Smith P., Babikian R. Improved PE CVD manufacturability through in-situ plasma clean optimization. Future Fab. 6th issue. Technology Publishing Ltd., L, UK, 1998. p. 183 186.
  23. B.C., Kupeee В.Ю. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов. М.: Энергоатомиздат, 1987. 264 с.
  24. P. С., Uzoh С., Dukovic J. 0., Horkans J., Deligianni H. Damascene copper electroplating for chip interconnections. IBM J. Res. Develop. V. 42, № 5, 1998, p.567−574.
  25. Belov A.N., Gavrilov S.A. Synthesis of nanowires by pulsed current electrodeposition Proceedings of SPIE, 2006, vol. 6260, pp. 62600Y-l -62600Y-8.
  26. Д.Г., Климовщкий А. Г., Мочалов А. И., Сулимин А. Д. Способ заполнения углублений проводящим материалом. Патент РФ № 2 258 274. Дата публикации заявки 10.08.2005.
  27. The International Roadmap for Semiconductors, www.itrs.net, 2004.33 .Суздалев И. П, Нанотехнология: физико-химия панокластеров, наностуктур и напоматериалов. М.: КомКнига, 2006. — 592 с.
  28. А.И., Ремпель А. А. Нанокристаллические материалы. М.: Физматлит, 2001. — 224 с.
  29. Gibbs J. W. On the equilibrium of heterogeneous substances. // Trans. Connecticut Acad. 1875−1876. V.3.P. 108−248- 1877−1878. P. 343−524.
  30. Defay R., Prigogine I., Bellemans A., Everett D. H. Surface Tension and Adsorption. London: Longmans, Green & Company, 1966. — 432 p.
  31. Thomson W. On the equilibrium of vapour at a curved surface of liquid. //Philosoph. Mag. 1871. S.4. V.42. № 282. P.448−452.
  32. Kuhrt F. Das Tropfchenmodel realer Gase. // Z. Physik. 1952. Bd. 131. № 2. S. 185−204.4.Kuhrt F. Das Tropfchenmodel iibersattigter realer Gase. // Z. Physik. 1952. Bd. 131. № 2. S. 205−214.
  33. Rowlinson W., Widom B. Molecular Theory of Capillarity. Oxford: Clarendon Press, 1982. Chap. 2. P. 25−47.
  34. Krishnamachari В., McLean J., Cooper В., Sethna J. Gibbs-Thomson formula for small island sizes: Corrections for high vapor densities. // Phys. Rev. B. 1966. V.54. № 12. P. 8899−8907.
  35. Ю.И. Кластеры и малые частицы. М.: Наука, 1986. — 368с.
  36. Wronski С R. M. The size dependence of the melting point of small patriclcs of tin. 11 Brit. J. Appi. Phys. 1967. V. 18. № 12. P. 1731−1737.
  37. Coombes C. J. The melting of small particles of lead and indium. // J. Phys. F: Metal. Phys. 1972. V.2. № 3. P. 441−449.
  38. Hill T.L. Thermodynamics of Small Systems. New York: Dover Publications, 1994. -416p.
  39. Buffat P., Borel J. Size effect on the melting temperature of gold particles. // Phys. Rev. A. 1976. V. 13. № 6. P. 2287−2298.
  40. Sambles J. R. An electron microscope study of evaporating gold particles: The Kelvin equation for liquid gold and the lowering of the melting point of solid gold particles. // Proc. Roy. Soc. London A.1971. V.324. № 1558. P. 339−351.
  41. В. П., Скоков В. К, Скрипов В. П. Влияние флуктуации и неравновесной огранки на плавление маленьких металлических кристаллов.//ФММ. 1981. Т.51. № 6. С. 1238−1244.
  42. Skripov V. P., Koverda V. P., Skokov V. N. Size effect on melting of small particles. // Phys. Stat. Sol. (a). 1981. V. 66. № 1. P. 109−118.
  43. В. H., Коверда В. П., Скрипов В. П. Фазовый переход жидкость-кристалл в островковых плёнках галлия. // ФТТ. 1982. Т. 24. № 2. С. 562 567.
  44. В. П., Скоков В. Н., Скрипов В. П. Кристаллизация малых частиц в островковых плёнках олова, свинца и висмута. // Кристаллография. 1982. Т. 27. № 2. С. 358−362.
  45. Castro Т., ReifenbergerR., ChoiЕ., AndresR. P. //Phys. Rev. В. 1990. V.42. № 13. P. 8548.
  46. В. H. Жидкости в ультрадисперсных каналах. // УФН. 1978. Т. 124. № 2. С. 171−182.
  47. В.Н., Задорожний А. И., Капанадзе А. А. и др. Влияние размера на температуру плавления 9 А металлических частиц. // ФТТ. 1976. Т. 18. № 10. С. 3050−3053.
  48. Goldstein A.N., Echer СМ., Alivisatos А. P. Melting in semiconductor nanocrystals. // Science. 1992. V.256. № 5062. P. 1425−1427.
  49. Kai H. Y. Nanocrystalline materials. A study of their preparation and characterization. PhD Thesis. Netherlands, Amsterdam: Universiteit van Amsterdam, 1993. — 113 p.
  50. Berry R., Jellinek J., Natanson G. Melting of clusters and melting. // Phys. Rev. A. 1984. V.30, № 3. P. 919−931.
  51. Berry R., Wales D. Freezing, melting, spinodals, and clusters. // Phys. Rev. Lett. 1989. V.63. № 11. P. 1156−1159.61.1ijima S., Ichihashi T. Structural instability of ultrafine particles of metals. // Phys. Rev. Lett. 1986. V. 56. № 6. P.616−619.
  52. Bovin J., Wallenberg R., Smith D. Imaging of atomic clouds outside the surface of gold crystals by electron microscopy. // Nature. 1985. V. 317. № 6032. P. 47−49.
  53. Ercolessi F., Andreoni V, Tosatti E. Melting of small gold particles: Mechanism and size effects. //Phys. Rev. Lett. 1991. V.66. № 7. P.911−914.
  54. Frenken J. W. M., van der Veen J. Observation of surface melting. // Phys. Rev. Lett. 1985. V.54. № 2. P. 134−137.
  55. Frenken J. W.M., Maree P.M., van der Veen J. Observation of surface-initiated melting. // Phys. Rev. B. 1986. V. 34. № 11. P. 7506−7516.
  56. Zhu Da-Ming, Dash J. Surface melting of neon and argon films: Profile of the crystal-melt interface. // Phys. Rev. Lett. 1988. V. 60. № 5. P. 432−435.
  57. В.Ф., Козлов C.H., Зотеев A.B., Основы физики поверхности твердого тела. Изд-во Московского университета. Физический факультет МГУ, М. (1999).
  58. Таттапп G., Z. Phys. Chem.68 (1910), 205 p.
  59. Hansen J. P., and McDonald I. R., Theory of Simple Liquids, (Academic Press, London, 1986).19.3енгуил Э. Физика поверхности, M.: Мир, 1990.
  60. SO. Бакаев В. А., Киселев В. Ф., Красильников КГ. ДАН СССР, 1959, т. 125, 831 с. 81 .Kvlividze V.I. et al., Surf. Sci., 1974. v.44, P.60.
  61. X Wei, P. Miranda, Y. Shen, Phys.Rev.Lett. 86 (2001) P. 1554
  62. . А., Горбачев Б. И., Зражевский В. А. и др. Фононный спектр решётки кремния.//ФТТ. 1974. Т. 16. № 12. С. 3513−3515.
  63. Hoare M.R., Pal P. Physical cluster mechanics. Statics and energy surfaces for monatomic systems.//Adv. Phys. 1971. V. 20. № 84. P. 161−196.
  64. Baltes H.P., Hilf E.R. Specific heat of lead grains. // Solid State Commun. 1973. V. 12. № 5. P. 369−373.
  65. Nonnenmacher Th.F. Quantum size effect on the specific heat of small particles. // Phys. Lett. 1975. V.51A. № 4. P.213−214.
  66. Goll G., Lohneyen H. Specific heat of nanocrystalline and colloidal noble metals at low temperatures. // Nanostruct. Mater. 1995. V. 6. № 5−8. P. 559 562.
  67. Comsa G. H., Heitkamp D, Rade H. S. Specific heat of ultrafine vanadium particles in the temperature range 1,3−10 K. // Solid State Commun. 1976. V. 20. № 9. P. 877−880.
  68. Chen Y. Y., Yao Y. D. Lin В. T. et al. Specific heat of fine copper particles. // Nanostruct. Mater. 1995. V.6. № 5−8. P. 597−600.
  69. Yao Y.D. Chen Y. Y., Hsu CM. et al. Thermal and magnetic studies of nanocrystalline Ni. //Nanostruct. Mater. 1995. V.6. № 5−8. P. 933−936.91 .Rupp J., Birringer R. //Phys. Rev. B. 1987. Vol. 36. P. 7888.
  70. B.H. // УФН. 1978. T.124, № 2. C. 171.
  71. А., Варна П., Лежа Е. Жидкоподобное поведение тонких конденсированных слоев индия при росте. В кн.: Рост кристаллов. М: Наука, 1968.Т.8,С.124.
  72. Н.Т., Зайчик Р. И., Лебедев В. П., Палатник Л. С., Хоткевич В. И. Понижение температуры плавления тонких пленок висмута на различных подложках. Вкн.: Поверхностная диффузия и растекание. М.: Наука, 1969. С. 222.
  73. Gladkih N., Niedermayer R. Nachweis groFier Schmelzpunktemiedrigung des Silber in dunnen Schichten. Kurzachrichten der Akademie der Wissenschriften in Gottingen, 1965, Nr. 16, S. 69.
  74. Gladkih N" Niedermayer R. Nachweis grofier Schmel zpunktemie drigung bei dunnen Metalls chichten Phys. status solidi, 1966, Bd 15, S. 181.
  75. Инструкция по эксплуатации КИТП-5, Bonfon, Минск 2003.
  76. Техническое описание и инструкция по эксплуатации микроинтерферометра Линника МИИ-4, Ленинград 1990.
  77. Инструкция по эксплуатации МИИ-4-Видео, СГУ, Саратов 2003.
  78. Bining G., Quate C.F., Gerber Ch. Atomic force microscope // Phys. Rev. Lett. 1986. — Vol. 56, № 9. — p. 930 — 933.
  79. Ducker W., Cook R., Clarke D. Force measurement using an AC atomic force microscopy // J. Appl. Phys. 1985. — Vol. 67, № 9. — p. 4045 — 4052.
  80. Application Note AN-283: Sigma-Delta ADCs and DACs. -Applications Reference Manual, Analog Devices, 1993, P. 20−3.
  81. Kester W., Bryant J., Buxton J. ADCs for Signal Conditioning. -Practical Design Techniques for Sensor Signal Conditioning, Analog Devices, 1999, P. 8.1.
  82. В., Нищирет Ю. Архитектура сигма-дельта АЦП и ЦАП. -Chip News, 1998, 2, С. 2.
  83. В. Взгляд на сигма-дельта АЦП. Chip News, 1999, 5, С. 23.
  84. Curtin M. Sigma-Delta techniques reduce hardware count and power consumption in biomedical analog front end // Analog Dialogue Journal.-1994.-V. 28.-№ 2.-. 6−8.
  85. Design-In Reference Manual. Data Converter. Analog Devices, Inc. (Norwood, USA, 1996.)
  86. Design-In Reference Manual. AVR 8-bit Microcontroller. Atmel Corporation 2001.
  87. ИЗ. Глазов B.M. Основы физической химии: Учеб. Пособие для вузов. -М.: Высш. Школа, 1981.-456 с.
  88. Д.Г., Гавршов СЛ., Редичев Е. Н. Влияние толщины пленок меди в слоистых структурах Cu/Ta-W-N, Си/С и С/Си/С на температуру процесса плавления диспергирования. Журнал физической химии. № 9, 1.19, 2005, С. 1578−1585.
  89. Д. Г., Гавршов С. А., Климовицкая А. В., Аммосов P.M. Факторы, определяющие температуру плавления тонких пленок Си и Ni на инертных поверхностях. Журнал физической химии. № 11, т 80, 2006, С. 1
  90. Landolt-Bornstein-Group IV Physical Chemistry. Binary systems. Part 1: Elements and binary systems from Ag-Al to Au-Ti. Springer-Verlag Heidelberg. Vol. 19 В1, 2002, -304 p.
  91. А.П., Бабушкина H.A., Братковский A.M. и др.- под ред. Григорьева КС., Мейлихова Е. З. Физические величины. Справочник / -М.: Энергоатомиздат, 1991.-1232 с.
  92. ЭмслиДж. Элементы / Пер. с англ. -М.: Мир, 1993. -256 с.
  93. С. А., Григорьев ДА. ЖТФ 65, 10, 154 (1995).
  94. С. А., Григорьев Д. А., Индейцев Д. А., Потапов О. В., Фокин В. М. Физ. Хим. Стекла 27, 3, 377 (2001).
  95. LuY., Song Q.-L., Xia S.-H. Chin. Phys. Lett. 2005. V.22, No 9. P.2346.
  96. A.E., Жачук P.A., Ольшанецкий Б. З. ФТП 35, 9, 1063 (2001).
  97. Я.Е. В сб.: Поверхностная диффузия и растекание. Под ред. Я. Е. Гегузина. Наука, М. (1969) 386 с.
  98. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. Под. ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера. Мир, М. (1982) 576 с.
  99. Е.Н., Громов Д. Г., Гаврилов С. А., Аммосов P.M. Кинетика процесса плавления-диспергирования тонких пленок меди. Физика твердого тела, том 49, вып. 1,2007, С. 172.
  100. Ландау Л Д., Лившиц Е. М. Теоретическая физика. Учеб. пособ.: для вузов. В 10 т. Т. VI Гидродинамика. 5-е изд., испр. Физматлит, М. (2003) 731с.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?