Проектирование четырех равновеликих участков (полевого севооборота)
Контролем является определение площади поля IV, которая должна равняться средней площади поля. Допустимое отклонение не должно превышать 0,2 мм. на плане. Вычисления произведены в таблице 9. Таблица 9. — Проектирование полей: А3 = v а22 -2Р*(ctgб + ctg в). H1 = 2Р / а2 + а3. Р*(ctgб + ctg в). Р = h2(а3 + а4). А4 = d — 2 а1. А1 = Р (м2) / h. А1 = Р (м2) / h. С1 = h1 / sinб. Рисунок 4: Значения. D1… Читать ещё >
Проектирование четырех равновеликих участков (полевого севооборота) (реферат, курсовая, диплом, контрольная)
Рисунок 4:
В пределах построенного участка необходимо запроектировать 4 равновеликих поля полевого севооборота. Определив среднюю площадь поля и установив его рациональную форму, начинают проектирование (рис. 3).
Рекомендуется два поля (I и II) запроектировать длинными сторонами параллельно одной из сторон трапеции и два поля (III и IV) — длинными сторонами параллельно основаниям трапеции (рис.).
Для полей I и II необходимо определить основание параллелограмма a1, высота которого вычислена при проектировании трапеции. Проектирование поля III производится аналогично проектированию большой трапеции.
Контролем является определение площади поля IV, которая должна равняться средней площади поля.
Вычисления произведены в таблице 9.
Таблица 9. — Проектирование полей:
№ поля. | Формулы. | Значения. |
I. | а1 = Р (м2) / h. | 1273,24. |
II. | а1 = Р (м2) / h. | 1273,24. |
III. | б. | 1,72. |
ctgб. | — 0,15. | |
в. | 2,03. | |
ctg в. | — 0,50. | |
ctgб + ctg в. | — 0,65. | |
2Р (м2). | ||
2Р*(ctgб + ctg в). | — 3 094 293,91. | |
а2 = а- 2а1 | 2008,91. | |
а22 | 3 910 935,16. | |
а3 = v а22 -2Р*(ctgб + ctg в). | 2602,61. | |
а2 + а3 | 4611,52. | |
h1 = 2Р / а2 + а3 | 908,73. | |
sinб. | 0,98. | |
С1 = h1 / sinб. | 919,00. | |
sin в. | 0,89. | |
d1 = h1 / sin в. | 1016,6. | |
IV. | h2 = hh1 | 736,93. |
а4 = d — 2 а1 | 3084,06. | |
2Р = h2(а3 + а4). | ||
Р (га). | 209,53. |
Полученные линейные данные с помощью измерителя и масштабной линейки наносятся на чертеж. Построение осуществляется согласно схеме, отраженной на рис. 3.
Расхождение между вычисленными и запроектированными данными не должно превышать удвоенной графической точности масштаба (0,2 мм. на плане). В противном случае необходимо отыскать источники ошибок и устранить их. Контроль осуществляется по параметрам четвертого поля:
h2 = h — h1
a4 = b — 2a1
c2 = c — c1
d2 = d — d1
Допустимое отклонение не должно превышать 0,2 мм. на плане.