Оксидирование кремния. 
Основы конструирования и технологии производства радиоэлектронных средств. 
Интегральные схемы

Оксидирование кремния Si — процесс создания оксидной пленки (оксида кремния SiCb) на поверхности кремниевой подложки.

Задача оксидирования — вырастить на подложке из кремния высококачественный слой оксида. Оксид кремния образуется в процессе химической реакции между кислородом и кремнием. В качестве окислительной среды обычно используется сухой или влажный (с паром) кислород, в которой на поверхности кремниевой подложки при нагревании в печи формируется оксид кремния.

Слои оксида кремния в электронике широко используются в качестве:

• — маски для диффузии легирующих примесей;
• — пассивирующего слоя поверхности полупроводниковых структур;
• — изоляции отдельных элементов сверхбыстродействующих интегральных схем (СБИС) друг от друга;
• — подзатворного диэлектрика в микроприборах;
• — одного из многослойных диэлектриков в производстве металл — нитрид кремния — оксид кремния — полупроводник (МНОП) элементов памяти;
• — изоляции в схемах с многослойной металлизацией;
• — в шаблонах для рентгеновской литографии.

В настоящее время для формирования оксидных слоёв разработан ряд методов, которые включают в себя термическое оксидирование, анодирование в растворах электролитов, пиролитическое осаждение (осаждение из газовой фазы) и плазменное анодирование, или оксидирование.