На ту же роль, что и MRAM, претендует новый тип энергонезависимой памяти, которым уже несколько лет занимается компания Intel. Над подобной технологией работает также компания Royal Philips Electronics. Речь идет о разработке твердотельной памяти на аморфных полупроводниках (Ovonic Unified Memory, OUM). В основу работы такой памяти положена технология фазового перехода, аналогичная принципу записи на перезаписываемые диски CD-RW или DVD-RW, при котором в электрическом поле фазовое состояние вещества изменяется из кристаллического в аморфное, причем изменение структуры сохраняется при отключении тока. Принципиальное отличие OUM-памяти от традиционной оптической записи заключается в том, что если в оптических носителях применяется нагрев лазером, то в OUM нагрев осуществляется непосредственно электрическим током. Процесс считывания, в свою очередь, основан на разнице отражающей способности вещества в разных состояниях, воспринимаемой датчиком дисковода. По аналогичному принципу действует и память Philips, в которой используется смесь иридия с сурьмой. В предложенной компанией технологии участок материала, выполняющий роль ячейки памяти, окружен слоем диоксида кремния, который, во-первых, обладает малой теплопроводностью, а во-вторых, позволяет предотвратить химические реакции на поверхностях соприкосновения и предоставляет таким образом дополнительную свободу в выборе вещества электродов. Изменение фазового состояния происходит очень быстро — так, в прототипах, изготовленных Philips, для этого требовалось примерно 30 нс. В компании полагают, что благодаря подобным функциональным характеристикам разработка вполне может рассматриваться в качестве альтернативы нынешней DRAM, а в дальнейшем претендовать на роль так называемой унифицированной памяти.
Как заявляют в Intel, в отличие от флэш-памяти, OUM теоретически обладает более высокой надежностью и плотностью хранения данных, а также повышенным быстродействием — до 100−200 нс. Отметим, что максимальное число циклов записи/стирания в OUM-памяти превышает 10 трлн, что на несколько порядков больше, чем у флэш-памяти. Однако несмотря на то, что в Intel заявляют о работах над OUM-памятью уже в течение более пяти лет, промышленное производство таких чипов, по оценкам специалистов, начнется не раньше следующего десятилетия.
Впрочем, магниторезистивная память (MRAM) существенно опережает по быстродействию OUM-память: время доступа этих чипов сегодня составляет не более 10−15 нс. Благодаря этому память типа MRAM может применяться не только для длительного хранения данных, но и в качестве оперативной памяти, а OUM уготована второстепенная роль.
