Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером

РефератПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

На входной статической характеристике для схем ОЭ (рис. 3, б) откладываем точки и по значениям и, найденных на выходной характеристике. Определяем значение и наибольшие амплитудные значения входного напряжения, необходимые для обеспечения заданного значения. Исходные данные: 1) напряжение на выходе каскада (напряжение на нагрузке); 2) сопротивление нагрузки; 3) нижняя граничная частота; 4… Читать ещё >

Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером

Рассчитать каскад транзисторного усилителя напряжения, принципиальная схема которого изображена на рис. 1.

Рис.1.

Рис. 1.

Исходные данные: 1) напряжение на выходе каскада (напряжение на нагрузке); 2) сопротивление нагрузки; 3) нижняя граничная частота; 4) допустимое значение коэффициента частотных искажений каскада в области нижних частот .

Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.

Примечание. Считать, что каскад работает в стационарных условиях (;). При расчете влиянием температуры на режим транзистора пренебрегаем.

Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.

Определить: 1) тип транзистора; 2) режим работы транзистора; 3) сопротивление коллекторной нагрузки; 4) сопротивление в цепи эмиттера;5) напряжение источника питания; 6) сопротивления делителя напряжения и стабилизирующие режим работы транзистора; 7) емкость разделительного конденсатора; 8) емкость конденсатора в цепи эмиттера; 9) коэффициент усиления каскада по напряжению.

Расчет транзисторного усилителя по схеме с ОЭ:

Определяем значение сопротивления.

Задаемся начальным значением, которое обычно принимают для повышения коэффициента усиления большим, чем в раз.

Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.

Определяем значение сопротивления Для обеспечения термостабилизации режима покоя транзистора значение сопротивления должно быть как можно больше. Но его увеличение приводит к уменьшению падения напряжения на сопротивлении, а следовательно к уменьшению коэффициента усиления транзисторного усилителя. Поэтому принято выбирать значение в пределах .

Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.

Примечание. Полученные значения сопротивлений и уточняем из параметрического ряда сопротивлений Е24.

RK = 1500 Ом.

RЭ = 240 Ом Выбираем тип транзистора.

а) Определяем предельно-допустимый ток.

.

Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.
Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.
Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.
Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.

где — наибольшая возможная амплитуда тока нагрузки; наибольший допустимый ток коллектора, приводится в справочниках, — амплитуда выходного напряжения.

б) Определяем предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер.

Выбор предельно-допустимого напряжения коллектор-эмиттер производится по напряжению питания усилителя.

Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.

.

где — наибольшее допустимое напряжение между коллектором и эмиттером приводится в справочниках.

Но поскольку напряжение питания нам предстоит еще определить, то воспользуемся приближенной формулой его расчета:

Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.
Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.
Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.

Выбираем транзистор МП26.

  • в) Для выбранного типа транзистора выписываем из справочных данных значения коэффициентов усиления по току для ОЭ и (или и). В некоторых справочниках дается коэффициент усиления по току для схемы ОБ и начальный ток коллектора. Тогда (при выборе режима работы транзистора необходимо выполнить условие).
  • г) Для каскадов усилителей напряжения обычно применяют маломощные транзисторы.
  • д) К заданному диапазону температур удовлетворяет любой транзистор.

Примечание. Произведенный выбор транзистора носит ориентировочный характер и в процессе расчета требует проверки.

Определяем параметры режима покоя транзистора.

Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.

Приняв сопротивление конденсатора равным нулю, то можно использовать для расчета тока эквивалентную схему замещения рис. 4.

Определяем амплитуду тока коллектора транзистора:

¦,.

где ¦.

Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.
Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.

Выбираем, где превышает область нелинейных искажений в режиме отсечки.

Напряжение покоя определяем из неравенства.

.

где напряжение на коллекторе, соответствующее области нелинейных начальных участков выходных характеристик транзистора.

Определяем напряжение питания.

Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.

По второму закону Кирхгофа для основной цепи транзисторного усилителя (рис. 2) для режима покоя составим уравнение:

Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.

.

где — падение напряжения на сопротивлении в режиме покоя,.

— падение напряжения на сопротивлении в режиме покоя,.

Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.
Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.
Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.
Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.

— падение напряжения на электродах транзистора коллектор — эмиттер в режиме покоя.

Падение напряжения на сопротивлениях и определяются из уравнений:

Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.

.

Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.

.

Ток эмиттера в режиме покоя равен:

Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.

.

Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.
Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.
Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.

Поскольку ток базы в десятки раз меньше, то для упрощения расчетов примем .

Уравнение для определения напряжения источника питания примет вид:

Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.
Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.

По полученному значению напряжения питания выбираем стабилизированный источник питания.

Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.

Например. К142ЕН11 имеет В. Принимаем В.

Строим линию нагрузки и определяем режим работы транзистора.

Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.

Режим работы транзистора по постоянному току определяется по нагрузочной прямой, построенной на семействе выходных статических (коллекторных) характеристик для схемы с ОЭ. Нагрузочная прямая строится по двум точкам: точка покоя (рабочая) и, определяемая значением напряжения источника питания. Координатами являются ток покоя и напряжения покоя .

Координаты точки :

Определяем положение рабочей точки по значению тока базы, полученной для рабочей точки на выходной характеристике.

Строим линию нагрузки по переменному току, которая проходит через точку и точки 1, 2.

Координаты точки 1:

Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.

Координаты точки 2:

Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.

На входной статической характеристике для схем ОЭ (рис. 3, б) откладываем точки и по значениям и, найденных на выходной характеристике. Определяем значение и наибольшие амплитудные значения входного напряжения, необходимые для обеспечения заданного значения .

Примечание. Производим проверку:

— рабочая точка при изменении выходного напряжения не заходит за область недопустимых значений определяемую предельно-допустимой мощностью Ркдоп:

Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.

Координаты точки (а): (Uкэ=13; Iк=15).

Координаты точки (b): (Uкэ=9; Iк=22).

Координаты точки (с): (Uкэ=5; Iк=40).

— точки и на входной характеристике должны находиться на линейном участке.

Точка (П'): П'= Iбп = кп*ДIб=7,3*0,1 = 0,73 мА;

Точка (1'): 1' = Iб1 = к1* ДIб = 13,5*0,1 = 1, 35 мА;

Точка (2'): 2' = Iб2 = к2* ДIб = 1,6*0,1 = 0,16 мА;

Определяем входное сопротивление транзисторного каскада переменному току (без учета делителя напряжения и):

Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.
Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.
Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.

Рассчитываем сопротивления делителя и. Для уменьшения шунтирующего действия делителя на входную цепь каскада по переменному току принимают .

По приложению 1 получаем: R1−2=13 000 Ом Тогда, ,.

Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.
Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.
Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.
Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.

Примечание. Выбирать из параметрического ряда номиналов сопротивлений Е24 сопротивления:

R1=130 000.

R2=15 000.

Коэффициент нестабильности работы каскада.

Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.
Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.

где наибольший возможный коэффициент усиления по току выбранного типа транзистора.

Для нормальной работы каскада коэффициент нестабильности не должен превышать нескольких единиц.

Определяем емкость разделительного конденсатора :

Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.
Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.

; ,.

выходное сопротивление транзистора, определяемое по выходным статическим характеристикам для схемы ОЭ. В большинстве случаев «, поэтому можно принять ;

Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.

Находим емкость конденсатора.

.

Выбираем из параметрического ряда для емкостей номиналы конденсаторов и .

Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером.

Рассчитываем коэффициент усиления каскада по напряжению.

.

Примечание. Приведенный порядок расчета не учитывает требований на стабильность работы каскада.

  • 1. Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник/Под ред. Н. Н. Горюнова,-М.: Энергоатомиздат, 1983.
  • 2. Лавриненко В. Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. Киев: Техника, 1980.
  • 3. Справочник радиолюбителя-конструктора, — М.: Энергия, 1977.
  • 4. Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Справочник/Под ред. Б, Л. Перельмана, — М.: Радио и связь, 1981.
Показать весь текст
Заполнить форму текущей работой