Магнитный контраст. 
Материаловедение: методы исследования структуры и состава материалов

Так как на траектории движения электронов влияют магнитные поля, имеющиеся в образце или вблизи его поверхности, растровая микроскопия позволяет исследовать распределение магнитных полей на поверхности магнитных материалов. Все магнитные материалы можно условно разделить на две группы:

• • одноосные кристаллы, у которых магнитные поля доменов замыкаются внешними полями вблизи образца;
• • кристаллы более высокой магнитной симметрии с очень малыми внешними полями благодаря присутствию в приповерхностном слое специальных замыкающих доменов.

Из электродинамики хорошо известно, что на электрон, движущийся в магнитном поле, действует сила Лоренца.

где е — заряд электрона; v — вектор скорости электрона; В — вектор магнитной индукции.

Различают магнитный контраст первого и второго рода. Магнитный контраст первого рода обусловлен перераспределением вторичных низкоэнергетических электронов во внешнем магнитном поле над поверхностью образца. Магнитный контраст второго рода образуется в результате взаимодействия первичных электронов с магнитным полем внутри образца, когда под действием силы Лоренца происходит отклонение электронов, причем в соседних 180-градусных доменах — в противоположную сторону. Соответствующим наклоном образца можно так изменить путь электронов, что возникнет асимметрия контраста в соседних доменах.

Потенциальный (вольтовый) контраст.

Совершенно очевидно, что эффекты, аналогичные магнитному контрасту, должны возникать и под действием неоднородностей электростатических полей на поверхности образца. Следует однако отметить, что заметный эффект возможен только для низкоэнергетических электронов с энергией порядка нескольких десятков электронвольт. Механизм такого контраста связан с изменением числа вторичных электронов, попадающих в детектор из различных точек образца за счет изменения их траекторий под действием потенциала, распределенного на поверхности. Этот тип контраста особенно эффективно используется для наблюдения интегральных схем разной степени сложности в процессе их работы и позволяет наблюдать за изменениями потенциального рельефа, происходящими при разнообразных переключениях в схеме.