Число транзисторов в процессорах Intel

Крейг Барретт в своем докладе на IDF Spring 2002 отметил, что в ближайшие 15 лет развитие полупроводниковых технологий позволит разработчикам процессоров реализовать следующие характеристики: 6 млрд транзисторов; тактовая частота процессоров достигнет 30 ГГц; 1 трлн инструкций в секунду; размер транзисторов 10 нм (0,01 мкм); станет возможным использование подложек 18″. Уменьшение расстояния между элементами на одной микросхеме является следствием развития технологических процессов их производства (табл. 2.2).

Таблица 2.2 Эволюция технологических процессов.

Потребляемая мощность в процессорах Intel.

Патрик Гелсингер: «В 1980;е гг. рубеж в 1 мкм был успешно преодолен. В 1990;е гг. граница была отодвинута уже до 0,1 мкм (100 нм). В 2002 г. «Intel» уже демонстрирует чипы, созданные по технологии 0,09 мкм (90 нм). А сегодня речь уже идет о преодолении барьера в 0,01 мкм (10 нм). Мы предсказываем, что следующие 10 лет в первую очередь мы будем ограничены таким параметром, как мощность. В 2010 г. мы планируем процессор с частотой 30 ГГц, с 10 млрд транзисторов, технология 20 нм или еще меньше. Все это принесет просто сногсшибательное быстродействие. Но следует вспомнить, что мы очень плавно двигались от 1 до 10 Вт, затем от 10 до 100 Вт. И мы на пути от 100 до 1000 Вт, а за 1000 идет 10 000.

Рис. 2.1. Потребляемая мощность в процессорах Intel.

В этом заключается экспоненциальный рост, который великолепно работает как за, так и против"^[1] (рис. 2.1).

• [1] Режим доступа: http://www.cinemamebel.ru/Zakon_Gordona_Mura/Potrebljaemaja_moshhnost_v_processorakh_Intel/index.html.