Физическое моделирование наноструктуры МОП-инвертора — схемы переходной схемотехники
На рисунках 10.8−10.11 отображены результаты моделирования: функции состояния, когда на вход наноструктуры подана логическая единица, — высокий уровень напряжения, и когда открыты оба транзистора. Хорошо видно, что проводимость правого транзистора намного выше проводимости левого (нагрузочного) транзистора, что обеспечивает достаточно невысокое выходное напряжение, соответствующее напряжению… Читать ещё >
Физическое моделирование наноструктуры МОП-инвертора — схемы переходной схемотехники (реферат, курсовая, диплом, контрольная)
На рисунках 10.8−10.11 отображены результаты моделирования: функции состояния, когда на вход наноструктуры подана логическая единица, — высокий уровень напряжения, и когда открыты оба транзистора [115]. Хорошо видно, что проводимость правого транзистора намного выше проводимости левого (нагрузочного) транзистора, что обеспечивает достаточно невысокое выходное напряжение, соответствующее напряжению логического нуля (рис. 10.12).
На цветной вкладке представлены:
- • рисунок 10.8 — результаты 2D моделирования наноструктуры МОП-инвертора (схемы «НЕ») с размерностью N = 6 с минимальным топологическим размером 10 нм и толщиной подзатворного оксида, равной 4 нм для функций: а) 2D МОП-наноструктура НЕ с размерностью N = 6 с расчетной сеткой, б) SRH-рекомбинация, в) скорость дырок, г) подвижность дырок;
- • рисунок 10.9 — результаты 2D моделирования МОП-наноструктуры НЕ для функций: а) плотность дырок, б) скорость электронов, в) квазипотенциал Ферми для электронов, г) подвижность электронов;
- • рисунок 10.10 — результаты 3D моделирования МОП-наноструктуры НЕ (рис. 10.10, а) с размерностью N = 6 с минимальным топологическим размеров 10 нм и толщиной подзатворного оксида, равной 4 нм для функций: б) SRH-рекомбинация, в) скорость дырок, г) подвижность дырок;
Рис. 10.8. Результаты 2D моделирования МОП-наноструктуры НЕ с размерностью Л/ = 6 с минимальным топологическим размером 10 нм и толщиной подзатворного оксида, равной 4 нм: а) 2D МОП-наноструктура НЕ с размерностью N = 6 с расчетной сеткой, б) SRH-рекомбинация, в) скорость дырок, г) подвижность дырок
Рис. 10.9. Результаты 2D моделирования МОП-наноструктуры НЕ с размерностью N = 6 с минимальным топологическим размером 10 нм и толщиной подзатворного оксида, равной 4 нм (продолжение): а) плотность дырок, б) скорость электронов, в) квазипотенциал Ферми для электронов, г) подвижность электронов.
Рис. 10.10. Результаты 3D моделирования МОП-наноструктуры НЕ с размерностью N = 6 с минимальным топологическим размером 10 нм и толщиной подзатворного оксида, равной 4 нм: а) 3D МОП-наноструктура НЕ с размерностью N = 6 с расчетной сеткой, б) SRH-рекомбинация, в) скорость дырок, г) подвижность дырок.
Рис. 10.11. Результаты 3D моделирования МОП-наноструктуры НЕ с размерностью N = 6 с минимальным топологическим размеров 10 нм и толщиной подзатворного оксида, равной 4 нм (продолжение): а) подвижность электронов, б) плотность дырок, в) пространственный заряд, г) электростатический потенциал.
Рис. 10.12. Результаты моделирования наноструктуры МОП-инвертора: а) передаточная характеристика, б) характеристика выходного тока.
- • рисунок 10.11 — результаты 3D моделирования МОП-наноструктуры НЕ с размерностью N = 6 с минимальным топологическим размеров 10 нм и толщиной подзатворного оксида, равной 4 нм, для функций (продолжение): а) подвижность электронов,
- б) плотность дырок, в) пространственный заряд, г) электростатический потенциал.
Было проведено моделирование функций выходного напряжения от входного (передаточной характеристики) и функции выходного тока (рис. 10.12). Результаты моделирования передаточной характеристики наноструктуры МОП-инвертора подтверждают наличие системы параметров, при которых наноструктура будет работоспособной и сможет работать в системе с подобными структурами.