Модификации схем ТТЛ со сложным инвертором

Модификация схемы наблюдается, как правило, в результате схемного устранения того или иного ее недостатка. Рассмотрим несколько модификаций схем ТТЛ со сложным инвертором, а вместе с ними — приемы оптимизации схем.

ТТЛ с диодом в базовой цепи нагрузочного транзистора

Перемещение диода из эмиттерной цепи транзистора Т_л в базовую повышает запас помехоустойчивости схемы вследствие увеличения напряжения логической единицы.

Так как ток, протекающий через диод в базовой цепи I_D меньше тока через диод в эмиттерной цепи I_Da примерно в (5 раз (где (} — коэффициент усиления транзистора), то в соответствии с вольт-амперной характеристикой диода (рис. 8.21, б) напряжение на открытом диоде в базовой цепи U_D меньше напряжения на открытом диоде в эмиттерной цепи транзистора U,_K. Благодаря этому в формуле определения напряжения логической единицы U¹ - и_{бЭ (} — и_п «вырастет» значение!/¹.

В передаточной характеристике уровень логической единицы повысит;

Рис. 8.21. Перенесение диода из эмиттерной в базовую цепь транзистора Т₄: а) схема ТТЛ, б) вольт-амперная характеристика диода ся, рабочая точка В сдвинется вправо, запас помехоустойчивости по отрицательной помехе возрастет.

Недостатком «перемещения» диода в базовую цепь транзистора Т_л является снижение быстродействия схемы вследствие увеличения паразитной емкости, подключенной к базе этого транзистора.