Паразитные R и L параметры ИДМ

Паразитные параметры: активное сопротивление R_n и индуктивность (рис. 1.8) определяются в основном параметрами коммутатора, подводящих проводов и внутренними активным собственным сопротивлением конденсатора и его собственной индуктивностью.

Для напряжений на конденсаторе до 1000 -1500 В в качестве коммутатора в ИДМ обычно используют тиристоры. Так как процесс разряда конденсатора достаточно кратковременный, то для тиристоров, используемых в ИДМ, допускается пяти — десятикратная перегрузка по току против номинального тока тиристора. При выборе конкретного тиристора, по справочнику устанавливают его собственные индуктивность и активное сопротивление R_T, которые и участвуют в расчёте паразитных активного сопротивления R_n и индуктивности 1^ контура питания ИДМ.

Для уменьшения индуктивности и активного сопротивления подводящих проводов, они должны быть минимально короткими, и укладываться так, чтобы контур, охватываемый прямым и обратным током разряда конденсатора, имел минимальную площадь.

Если используются проводники круглого сечения диаметром 2 г, (рис. 1.9) и длиной /, то при расстоянии d между их осями индуктивность проводников при постоянном токе и низкой частоте может быть найдена по формуле [Л1]:

где jUq= 4Л" -10 — магнитная постоянная, Гн/м, а активное сопротивление по обычной формуле.

где р- удельное электросопротивление материала проводников, Ом м.

При выборе ёмкостного накопителя энергии (ЕНЭ) — конденсатора С на схеме замещения рис. 1.8 — по справочнику устанавливают собственное активное сопротивление конденсатора R_c и собственную индуктивность L_c.

Таким образом, паразитные сопротивление R_u и индуктивность на рис. 1.8 могут быть определены как.

При суммировании индуктивностей в (1.3) предполагается, что взаимная индуктивность тиристора, проводов и конденсатора — нулевая.