Оптическая спектроскопия поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных структур на основе соединений A3 B5
Диссертация
Механизмы рассеяния электронов в эпитаксиальных слоях изучались методом поляризационно-зависимых магнитоиндуцированных баллистических фотоэффектов. Использование этих эффектов дает возможность исследовать рассеяние импульса электронов как на поверхности, так и на границе эпитаксиального слоя с подложкой. Встроенные электрические поля определялись методами спектроскопии фототока и фотоотражения… Читать ещё >
Содержание
- Глава 1. ОПТИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТИ И ГРАНИЦ РАЗДЕЛА ПОЛУПЮВОДНИКОВБ1Х СТРУКТУР
- 1. 1. Фотоэлектрическая спектроскопия полупроводниковых структур
- 1. 2. Спектроскопия фотоотражения
- 1. 3. Спектроскопия анизотропного отражения
- 1. 4. Фотоэлектронная спектроскопия
Список литературы
- Молекулярная эпитаксия и гетероструктуры. Под ред. Л. Ченга и К.Плога. — М.: Мир, 1989. — 582 с.
- BeehstedtF., SchefflerM. Alkali adsorption on GaAs (llO): atomic structure, electronic states and surface dipoles. Surf. Sci. Rep., 1993, v. 18, p. 145−198.
- M6nchW. Semiconductor surfaces and interfaces. Springer-Verlag, Berlin, 1993. -366 p.
- Spicer W.E., ChyeP.W., SkeathP.R., SuC.Y., Lindau I. New and unified model Schottky barrier and III-V insulator interface states formation. J. Vac. Sci. Technol., 1979, v.16, N 5, p.1422−1432.
- Альперович В.Л., Белиничер В. И., Новиков B.H., Терехов A.C. Поверхностный фотогальванический эффект в арсениде галлия. Письма в ЖЭТФ, 1980, т.31, в. 10, с.581−584
- Альперович В.Л., Белиничер В. И., Гусев Г. М., Новиков В. Н., Терехов А. С. Длина свободного пробега и диффузность рассеяния электронов в арсениде галлия. -Письма в ЖЭТФ, 1981, т.34, в.8, с.437−440.
- Дымников В.Д., Дьяконов М. И., Перель В. И. Анизотропия импульсного распределения фотовозбужденных электронов и поляризация горячей люминесценции в полупроводниках. ЖЭТФ, 1976, т.71, в.6, с.2373−2380.
- Захарченя Б.П., МирлинД.Н., Перель В. И., РешинаИ.И. Спектр и поляризация фотолюминесценции горячих электронов в полупроводниках. УФН, 1982, т. 136, N 1, с. 459−499.
- Альперович В.Л., Минаев А. О., Мощенко С. П., Терехов А. С. Электрооптический модулятор с большой апертурой для поляризационной модуляционной спектроскопии. Оптика и спектроскопия, 1988, т.65, в.6, с. 1352−1356.
- Альперович В.Л., Минаев А. О., Мощенко С. П., Терехов А. С. Установка для поляризационной модуляционной спектроскопии полупроводников. Приборы и техника эксперимента, 1988, № 4, с. 172−174.
- Альперович B.JI., Минаев A.O., Терехов A.C. Магнитоиндуцированная поляризационно-зависимая баллистическая фотоэдс в структуре полупроводник-металл. Письма в ЖЭТФ, 1989, т.49, в.1, с. 19−21.
- Альперович В.Л., Минаев А. О., Терехов А. С. Баллистический перенос электронов через эпитаксиальные слои GaAs в эффекте магнитоиндуцированного поверхностного фототока. Письма в ЖЭТФ, 1989, т.49, в.11, с.610−612.
- Alperovich V.L., Minaev А.О., Terekhov A.S. Ballistic photocurrents in GaAs layers: momentum relaxation on the surface and interface. Proc. 20th Intern. Conf. on Physics of Semiconductors, Thessaloniki, Greece, August 6−10, 1990, p.2487−2490.
- Альперович В.Л., Минаев A.O., Рудая H.C., Терехов A.C. Релаксация импульса фотоэлектронов на поверхности GaAs в эффекте магнитоиндуцированной поляризационно-зависимой фотопроводимости. ФТТ, 1990, т.32, в.7, с.2152−2154.
- Альперович В.Л., ЛубышевД.И., МигальВ.П., СемягинБ.Р., ЯрошевичА.С. Спектры фототока дельта-легированных GaAs сверхрешеток n-i-p-i. ФТП, 1990, т.24, в. З, с.451−455.
- Alperovich V.L., Minaev А.О., Terekhov A.S. Ballistic electron spectroscopy in GaAs: momentum and energy relaxation on the surface and interfaces. Abstracts of the Ballistic Electron Emission Microscopy Workshop, Pasadena, USA, 1991.
- Альперович В.Л., Минаев А. О., Терехов А. С. Рассеяние баллистических электронов на границах эпитаксиального GaAs. Тез. докл. Всес. сем. «Горячие электроны в полупроводниковых структурах с пониженной размерностью», Звенигород, 1990, стр. 35.
- Альперович В.Л., Минаев А. О., Терехов А. С. Баллистические электроны в слоях GaAs: релаксация импульса и энергии на поверхности и границах раздела. Тез. докл. 12-ой Всес. конф. по физике полупроводников, Киев, 1990, т.1, стр. 22.
- Alperovich V.L., Jaroshevich A.S., Lubyshev D.I., MigalV.P., Preobrazhenskii V.V., Semyagin B.R. Photocurrent and photoreflectance spectra of GaAs sawtooth doping superlattices. Superlattices and Microstructures, 1991, v. 10, № 131, p. 131−134.
- Alperovich V.L., Jaroshevich A. S., Lubyshev D.I., MigalV.P. Tunneling-assisted optical transitions in GaAs delta-doped superlattices. Physica B, 1991, v. 175, p. 153 157.
- Alperovich V.L., HaislerV.A., Jaroshevich A.S., Moshegov N.T., Terekhov A.S., Toropov A.I., Tkachenko V.A. Electron and hole tunneling resonances of Wannier-Stark states in GaAs/AlAs superlattices. Surf. Sci., 1992, v.267, p.541−544.
- Альперович В.Л., Паулиш А. Г., Терехов A.C., Ярошевич А. С. Отсутствие закрепления уровня Ферми на поверхности p-GaAs(lOO) при адсорбции цезия и кислорода. Письма в ЖЭТФ, 1992, т.55, в.5, с.289−292.
- Альперович B. JL, Болховитянов Ю. Б., Паулиш А. Г., Терехов А. С. Использование эпитаксиальных слоев InGaAsP для фотоэмиссионных источников электронов. -Письма в ЖТФ, 1992, т. 18, в.22, с.67−71.
- Alperovich V.L., Bolkhovitaynov Yu.B., Jaroshevich A.S., Paulish A.G., Terekhov A.S. InGaAsP as a promising material for a polarized electron source. Proc. 10th Intern. Symp. on High Energy Spin Physics, Nagoya, Japan, November, 9−14, 1992, p.853 856.
- Alperovich V.L., Jaroshevich A.S., Scheibler H.E., Terekhov A.S. Elucidation of photoreflectance mechanisms by phase resolution spectroscopy: application to delta-doped GaAs. Phys. Stat. Sol. (b), 1993, v.175, № 1, p. K35-K38.
- Alperovich V.L., Bolkhovitaynov Yu.B., Paulish A.G., Terekhov A.S. New material for photoemission electron source: semiconductor alloy InGaAsP grown on GaAs substrate. Nuclear Instrum. and Methods A, 1994, v.340, p.429−435.
- Alperovich V.L., Jaroshevich A.S., Scheibler H.E., TerekhovA.S. Determination of built-in electric fields in delta-doped GaAs structures by phase-sensitive photoreflectance. Solid State Electronics, 1994, v.37, № 4−6, p.657−660.
- Alperovich V.L., Paulish A.G., TerekhovA.S. Domination of adatom-induced over defect-induced surface states on p-type GaAs (Cs, 0) at room temperature. Phys. Rev. B, 1994, v.50, № 8, p.5480−5483.
- Alperovich V.L., Paulish A.G., Scheibler H.E., TerekhovA.S. Evolution of electronic properties at p-GaAs (Cs, 0) surface during negative electron affinity state formation. -Appl. Phys. Lett., 1995, v.66, № 16, p.2122−2124.
- Alperovich V.L., Paulish A.G., TerekhovA.S. Unpinned behavior of electronic properties of p-GaAs (Cs, 0) surface at room temperature. Surf. Sci., 1995, v.331−333, p.1250−1255.
- Альперович B.JI., КузаевВ.Н., Терехов A.C., Шевелев C.B. Исследование обратимых изменений изгиба зон на поверхности p-GaAs (Cs, 0) при комнатной температуре методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. ФТТ, 1995, т.37, в.2, с.344−350.
- Scheibler H.E., Alperovich V.L., Jaroshevich A.S., Terekhov A.S. Fourier resolution of surface and interface contributions to photoreflectance spectra of multilayered structures. Phys. Stat. Sol. (a), 1995, v. 152, № 1, p. 113−122.
- Alperovich V.L., Bolkhovityanov Yu.B., Jaroshevich A.S., KatkovA.V., Revenko M.A., Scheibler H.E., Terekhov A.S. Shifts and splitting of energy bands in elastically strained InGaP/GaAs (lll)B epitaxial films. J. Appl. Phys., 1997, v.82, p.1214−1219.
- Альперович B.JI., Мошегов H.T., Попов B.B., Терехов A.C., Ткаченко B.A., Торопов А. И., Ярошевич A.C. Определение шероховатостей гетерограниц по спектрам фототока короткопериодных сверхрешеток AlAs/GaAs. ФТТ, 1997, т.39, в. 11, с.2085−2089.
- Alperovich V.L., Paget D. Diffusion and ordering of Cs adatoms on GaAs (OOl) studied by reflectance anisotropy spectroscopy. Phys. Rev. B, 1997, v.56, № 24, p. R15565-R15568.
- Kamiya I., Aspnes D.E., Florez L.T., Harbison J.P. Reflectance difference spectroscopy of (OOl)GaAs surface in ultrahigh vacuum. Phys. Rev. B, 1992, v.46 № 24, p.15 894−15 904.
- Resch U., Scholz S.M., Rossow U., Mtiller A.B., Richter W., Forster A. Thermal desorption of amorphous caps from GaAs (lOO) monitored by reflection anisotropy spectroscopy. Appl. Surf. Sci., 1993, v.63, № 1, p.106−110.
- Рыбкин C.M. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963. -496 с.
- Marfaing Y. Photoconductivity, photoelectric effects. Handbook on Semiconductors. -Amsterdam, 1980, v.2, p.417−495.
- Альперович B.JT., Мощенко С. П., Терехов A.C. Термализация фотоэлектронов на границе раздела арсенид галлия-металл. Проявление в спектрах фотоэдс. ФТТ, 1984, т.26, в.12, с.3532−3536.
- Белиничер В.И., Стурман Б. И. Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии. УФН, 1980, т. 130, в. З, с.415−458.
- Фридкин В.М., Попов Б. Н. Аномальный фотовольтаический эффект в сегнетоэлектриках. УФН, 1978, т.126, в.4, с.657−671.
- Пожела Ю. Физика быстродействующих транзисторов. Вильнюс: Мокслас, 1989, 264с.
- Ивченко Е.Л., Пикус Г. Е. Фотогальванические эффекты в полупроводниках. В кн.: Проблемы современной физики. — Л., 1980, с.275−293.
- Рыбкин С.М., Ярошецкий И. Д. Увлечение электронов фотонами в полупроводниках. В кн.: Проблемы современной физики. — Л., 1980, с. 173−185.
- Альперович В.Л., Белиничер В. И., Новиков В. Н., Терехов А. С. Поверхностный фотогальванический эффект в твердых телах. Теория и эксперимент для межзонных переходов в арсениде галлия. ЖЭТФ, 1981, т.80, N6, с.2298−2312.
- Магарилл Jl.И., Энтин М. В. Фотогальванический эффект в пленках. ФТТ, 1979, т.21, в.5, с.1280−1286.
- Белиничер В.И., Новиков В. Н. Поверхностные фототоки в твердых телах. -Препринт ИАЭ СОАН СССР № 127, Новосибирск, 1980. -6 с.
- Петров М.П., Грачев А. И. Объемные фотогальванические эффекты в кристаллах типа силленита. ФТТ, 1980, т.22, в.6, с.1671−1675.
- Бакун А.А., Захарченя Б. П., Рогачев А. А., ТкачукМ.Н., ФлейшерВ.Г. Обнаружение поверхностного фототока, обусловленного оптической ориентацией электронов в полупроводнике. Письма в ЖЭТФ, 1984, т.40, в.11, с.464−466.
- Берковиц В.Л., Иванцов Л. Ф., Киселев В. А., Макаренко И. В., Минашвили Т. А., СафаровВ.И. Поляризационные спектры оптических переходов на чистой поверхности GaAs (llO). Письма в ЖЭТФ, 1985, т.41, в.11, с.453−455.
- Куцаенко В.В., Потапов В. Т., ШпилевскийР.В. Волоконно-оптический датчик электрического поля на основе Bij2SiO20- ЖТФ, 1985, т.55, в.7, с.1370−1376.
- Копылов Ю.Л., Кравченко В. Б., КучаВ.В., Сидоренко B.C., ЧикинаЛ.О. Электрооптическая модуляция света в кристаллах Bi 12^1020- Радиотехника и электроника, 1986, т.31, в. З, с.593−601.
- Куцаенко В.В., Потапов В. Т., Горчаков В. К. Дисперсия электрооптических констант в силикате висмута. ФТТ, 1986, т.28, в.6, с. 1778−1782.
- Чмырев В.И., Скориков В. М. Электрооптические явления в германате и силикате висмута. Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1983, т. 19, в.2, с.259−264.
- Рез И.С., Мейснер Л. Б., Сафонов А. П., Барышев С. А., Плотинская Т. А., Клюев В. П. Оптические свойства монокристаллов силленита. Кристаллография, 1970, т.15, в.6, с.1168−1170.
- Bottka N., Gaskill D.K., Sillmon R.S., Henry R., GlosserR. Elelectronic material characterization by electromodulation spectroscopy. Journal of Electronic Materials, 1988, v.17, № 2, p.161−170.
- Pollak F.H. and Shen H. Photoreflectance characterization of semiconductors and semiconductor heterostructures. Journal of Electronic Materials, 1990, v. 19, № 5, p.399−406.
- Тягай B.A., Снитко O.B. Электроотражение света в полупроводниках. Киев: Наук, думка, 1980. -304 с.
- Aspnes D.E. Modulation spectroscopy: Electric field effects on the dielectric function of semiconductors. In: Handbook on Semiconductors. — Ed. by Moss T.S.Amsterdam: North-Holland.- 1980.- v.2, p. 109−154.
- Shen H., Dutta M. Franz-Keldysh oscillations in modulation spectroscopy. J. Appl. Phys., 1995, v.78, № 4, p.2151−2176.
- Неизвестный И.Г., ОвсюкН.Н., Синюков М. П. Многоосцилляционные спектры электроотражения германия. Письма ЖЭТФ, 1976, т.24, № 7, с.393−397.
- Van Hoof С., Deneffe К., De Boek J., Arent D.J., Borghs G. Franz-Keldysh oscillations originating from well-controled electric field in GaAs depletion region. Appl. Phys. Lett., 1989, v.54, № 7, p.608−610.
- Handler P., Jasperson S., Koeppen S. Interference of light- and heavy-hole contributions to the electroreflectance spectrum of germanium. Phys. Rev. Lett., 1969, v.23, № 24, p.1387−1391.
- Lu C.R., Anderson J.R., Stone D.R., Beard W.T., Wilson R.A. Photoreflectance study of the electric fields at the n-type GaAs surface and across the n-type GaAs/substrate interface. Superlattices and Microstructures, 1990, v.8, № 2, p.155−157.
- Shen H., Pollak F.H., Woodall J.M., Sacks R.N. Photoreflectance study of electric field distributions in semiconductor heterostructures grown on semi-insulating substrates. -Journal of Electronic Materials, 1990, v.19, № 3, p.283−286.
- Bottka N., Gaskill D.K., Wright P.D., Kaliski R.W., Williams D.A. Qualification of OMVPE AlGaAs/GaAs НТВ structures using nondestructive photoreflectance spectroscopy. J. Cryst. Growth, 1991, v. 107, p.893−897.
- Sydor M., Badakhshan A., Engholm J.R. Differential photoreflectance from delta-doped structures and GaAs/n-GaAs interfaces. J. Appl. Phys., 1991, v.59, № 6, p.677−679.
- Марпл-мл. C.JI. Цифровой спектральный анализ и его применения. М.: Мир, 1990. 584 с.
- Alperovich V.L., Jaroshevich A.S., Scheibler Н.Е., Terekhov A.S., ToberR.L. Fourier transform analysis of electromodulation spectra: effects of the modulation amplitude. -Appl. Phys. Lett., 1997, v.71, № 19, p.2788−2790.
- Ржанов A.B. Электронные процессы на поверхности полупроводников.- М: Наука, 1971.- 480с.
- ОвсюкВ.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда.- Новосибирск: Наука, 1984. 254с.
- Пека Г. П. Физические явления на поверхности полупроводников. Киев: Вища шк., 1984, — 214с.
- Yin X., Chen Н.-М., PollakF.H., Chan Y., Montano P.A., Kirchner P.D., Pettit G.P., WoodalJ.M. Photoreflectance study of surface photovoltage effects at (100)GaAs surfaces/interfaces. Appl. Phys. Lett., 1991, v.58, № 3, p.260−262.
- Kanata Т., Matsunaga M., Takakura H., Hamakawa Y, Nishino T. Deep-level characterization of n-type GaAs by photoreflectance spectroscopy. J. Appl. Phys., 1991, v.69, № 6, p.3691−3695.
- Chen H., Hang Z., Pan S.H., Pollak F.H. Dependence of the photoreflectance of semi-insulating GaAs on temperature and pump chopping frequency. Appl. Phys. Lett., 1988, v.52, № 24, p.2058−2060.
- SeebauerE.G. Oxidation and annealing of GaAs (lOO) studied by photoreflectance. J. Appl. Phys., 1989, v.66, № 10, p.4963−4972.
- Shen H, Pollak F.H., Woodall J.M., Sacks R.N. Photoreflectance study of electric field distributions in semiconductor heterostructures grown on semi-insulating substrates. J. Electronic Materials, 1990, v. 19, № 3, 283−286.
- ВеселоваТ.В., Черкасов A.C., Широков В. И. Флуорометрический способ регистрации индивидуальных спектров систем, содержащих центры свечения двух типов. Оптика и спектроскопия, 1970, т.29, с. 1155−1156.
- Lakowicz J.R. Principles of Fluorescent Spectroscopy. New York: Plenum Press, 1983.
- Aspnes D.E. Above-Bandgap Optical Anisotropics in Cubic Semiconductors: A Visible-Near Ultraviolet Probe of Surfaces J. Vac. Sei. Technol. B, 1985, v.3, № 5, p. 1498.
- Берковиц B.JI., Макаренко И. В., Минашвили T.A., СафаровВ.И. Анизотропия оптического отражения кубических полупроводников, обусловленная поверхностным изгибом зон. ФТП, 1986, т.20, в.6, с. 1037−1041.
- DrathenP., Ranke W., Jacobi К. Composition and structure of differently prepared GaAs (lOO) surfaces studied by LEED and ATS. Surf. Sei., 1978, v.77, № 1, p. L162-L166.
- Pashley M.D. Electron counting model and its application to island structures on molecular-beam epitaxy grown GaAs (OOl) and ZnSe (OOl). Phys. Rev. B, 1989, v.40, № 15, p.10 481−10 487.
- Biegelsen D.K., Bringans R.D., Northrup J.E., Swartz L.-E. Surface reconstructions of GaAs (100) observed by scanning tunneling microscopy Phys. Rev. B, 1990, v.41, № 9, p.5701−5706.
- Berkovits V.L., Paget D. Optical study of surface dimers on sulfur-passivated (OOl)GaAs Appl. Phys. Lett., 1992, v.61, № 5, p.1835−1839.
- Esser N., Shkrebtii A.I., Resch-Esser U., Springer C., Richter W., Schmidt W.G., Bechstedt F., Del Sole R. Atomic structure of the Sb-stabilized GaAs (100)-(2×4) surface. Phys. Rev. Lett., 1996, v.77, № 21, p.4402−4405.
- Gusev A.O., Paget D., Aristov V.Yu., Soukiassian P., Berkovits V.L., Thierry-Mieg V. Combined reflectance anisotropy and photoemission spectroscopies of Cs/GaAs (001) interface formation. J. Vac. Sei. Technol. A, 1997, v.15, № 1, p.192−195.
- Агранович В.М., Гинзбург B.JI. Кристаллооптика с учетом пространственной дисперсии. М.: Наука, 1979. 432 с.
- Paget D., Berkovits V.L., Gusev A.O. Reflectance anisotropy spectroscopy: a probe for surface chemistry the case ofNa2S and (NH^S-passivated (OOl)GaAs — J. Vac. Sei. Technol. A, 1995, v. 13, p.2368−2373.
- Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Под ред. Бриггса Д., Сиха М. П. М.: Мир, 1987. — 600 с.
- Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности. М.: Мир, 1989. — 564 с.
- Гантмахер В.Ф., ЛевинсонИ.Б. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках. М: Наука, 1984. 352 с.
- Оптическая ориентация. Под ред. Захарчени Б. П., Майера Ф. Л.: Наука, 1989. -408 с.
- Дмитрук Н.Л., ЛяшенкоВ.И., Терещенко А. К. Влияние света на работу выхода монокристаллов GaAs при низких температурах. УФЖ, 1972, т. 17, в.8, с. 13 561 358.
- Альперович В.Л., Кравченко А. Ф., Паханов H.A., Терехов A.C. Влияние осциллирующей ЭДС Дембера на спектры фотоэде арсенида галлия. ФТП, 1980, т. 14, в.9, с.1768−1771.
- Ефанов A.B., ЭнтинМ.В. Поведение ЭДС Дембера на горячих электронах в слабом магнитном поле. ФТП, 1988, т.22, в. З, с.386−389.
- Белиничер В.И., Браславец A.B., Терехов A.C. Механизмы поляризационной зависимости фотопроводимости в кубических полупроводниках. ФТТ, 1988, т. ЗО, в.2, с.342−347.
- Альперович В.Л., Белиничер В. И., Браславец A.B., Ефанов A.B., МощенкоС.П., Терехов A.C., ЭнтинМ.В. Поляризационно-зависимая баллистическая фотоэде в структуре металл-полупроводник. Письма в ЖЭТФ, 1985, т.41, в.10, с.413−415.
- Альперович В.Л., Белиничер В. И., Минаев А. О., Мощенко С. П., Терехов А. С. Баллистический фотогальванический эффект на межзонных переходах в арсениде галлия. ФТТ, 1988, т.30, в. 10, с.3111−3117.
- HechtM.H. Role of photocurrent in low-temperature photoemission of Schottky-barrier formation. Phys. Rev. В., 1990, v.41, № 11, p.7918−7921.
- Кравченко А.Ф., ОвсюкВ.Н., Паханов H.A. Осциллирующая поверхностная фотоэдс на горячих электронах. Письма ЖЭТФ, 1981, т.34, в. З, с.129−132.
- Альперович B. JL, Мощенко С. П., Терехов А. С. Термализация фотоэлектронов на границе раздела арсенид галлия-металл. Проявление в спектрах фотоэдс. ФТТ, 1984, т.26, в. 12, с.3532−3536.
- Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки. М.: Мир, 1989. — 240 с.
- OrmeC., Johnson M.D., Sudijono J.L., Leung К.Т., OrrB.G. Large scale surface structure formed during GaAs (OOl) homoepitaxy. Appl. Phys. Lett., 1994, v.64, № 7, p.860−862.
- PloogK. Delta-doping in MBE-grown GaAs: concept and device application. J. Cryst. Growth, 1987, v.81, p.304−313.
- Schubert E.F., Stark J.B., Ullrich В., Cunningham J.E. Spatial localization of impurities in delta-doped GaAs. Appl. Phys. Lett., 1988, v.52, № 18, p.1508−1510.
- Wagner J., Ramsteiner M., Stolz W., Hauser M. Ploog K. Incorporation of Si in delta-doped GaAs studied by local vibrational mode spectroscopy. Appl. Phys. Lett., 1989, v.55, № 10, p.978−980.
- Perry C.H., Lee K.S., ZhouW., WorlockJ.M., ZrennerA., KochF., Ploog K. Magneto-optical studies of a silicon delta-doped layer in n-GaAs Surface Science, 1988, v.196, p.677−682.
- Wagner J., Fischer A., Ploog K. Photoluminescence from the quasi-two-dimensional electron gas at a single silicon delta-doped layer in GaAs Phys. Rev. B, 1990, v.42, № 11, p.7280−7283.
- Bernussi A.A., Iikawa F., Motisuke P., Basmaji P., Li M.S., Hipolito O. Photoreflectance measurements on Si delta-doped GaAs samples grown by molecular beam epitaxy. J. Appl. Phys., 1990, v.61, № 9, p.4149−4151.
- Zhou W., Perry C.H., MaL., Lee K.S., WorlockJ.M., ZrennerA., KochF., PloogK. Photoreflectance studies of GaAs containing a Si-5-doping layer Appl. Phys. Lett., 1991, v.69, № 7, p.4075−4079.
- Mendoca C.A.C., Scolfaro L.M.R., PlenzF., Meneses E.A., Oliveira Jr. A.T., Rodrigues R., Guimaraes P. S.S., Bezerra J.C., Dias I.F.L., Oliveira A.G. Hot electrons in delta-doped GaAs (Si) layers. Solid State Commun., 1990, v.75, № 9, p.707−710.
- Альперович B.JI., Журавлев K.C., ЛубышевД.И., МигальВ.П., СемягинБ.Р. Излучательная рекомбинация фотодырок, локализованных в потенциале 5-легированных n-i-n-i-сверхрешеток. Письма в ЖЭТФ, 1989, т.50, в.11, с.476−478.
- Basmaji P., Ceschin A.M., Li M.S., Hipolito О., Bernussi A.A., Iikawa F., Motisuke P. MBE growth and characterization of 5-doping in GaAs and GaAs/Si. Surf. Sci., 1990, v.228, p.356−358.
- Bernussi A.A., Brum J.A., Motisuke P., Basmaji P., Li M.S., Hipolito O. Continuous to bound interband transitions in 8-doped GaAs layers. Superlattices and Microstructures, 1990, v.8, № 2, p.205−208.
- Schubert E.F., Stark J.B., ChiuT.H., TellB. Diffusion of atomic silicon in gallium arsenide. Appl. Phys. Lett., 1988, v.53, № 4, p.293−295.
- Зенгуил Э. Физика поверхности.- M: Мир, 1990.- 536с.
- Look D.C., Evans K.R., Stutz С.Е. Effects of a buffer layer on free-carrier depletion in и-type GaAs. IEEE Transactions on electron devices, 1991, v.38, № 6, p. 1280−1284.
- Esaki L., Tsu R. Superlattice and negative differential conductivity in semiconductors. IBM J. Res. Develop., 1970, v.14, p.61−65.
- Ovsyannikov M.I., Romanov Yu.A., Shabanov V.N., LoginovaR.G. Periodic semiconductor structures. Soviet Phys.-Semicond., 1971, v.4, p. 1919−1924.
- Dohler G.H. Electron states in crystal with «nipi-superstructures». Phys. Stat. Sol. B, 1972, v.52, p.79−92.
- Dohler G.H., PloogK. Compositional and doping superlattices in III-V semiconductors. Advances in Physics, 1983, v.32, № 3, p.285−359.
- Schubert E.F., Harris T.D., Cunningham J.E. Minimization of dopant-induced random potential fluctuations in sawtooth doping superlattice. Appl. Phys. Lett., 1988, v.53, № 22, p.2208−2210.
- Schubert E.F., Ullrich В., Harris T.D., Cunningham J.E. Quantum-confined interband absorption in GaAs sawtooth doping superlattice. Phys. Rev. B, 1988, v.38, № 12, p.8305−8308.
- Shen X.C., ShenH., Parayanthal P., PollakF.H., Schulman J.N., SmirlA.L., McFarlane R.M. D’Haenens I. Photoreflectance of GaAs doping superlattices. -Superlattices and Microstructures, 1986, v.2, № 4, p.513−516.
- Tang Y., Wang В., Jiang D., ZhuangW., Liang J. Photoreflectance spectroscopy of GaAs doping superlattices. Sol. State Commun., 1987, v.63, № 9, p.793−796.
- Thorn A.P., Klipstein P.C., Glew R.W. Electro-optical modulation properties of n-i-p-i superlattices. IEEE Proceedings, 1989, v.136, p.38−41.
- Dow J.D., Redfield D. Electroabsorption in semiconductors: The excitionic absorption edge. Phys. Rev. B, 1970, v. l, № 8, p.3358−3371.
- Blossey D.F. Wannier exciton in electric field. Optical absorption by bound and continuum states. Phys. Rev. B, 1970, v.2, № 10, p.3976−3990
- Merkulov I.A., Perel V. L Effects of electron-hole interaction on electroabsorption in semiconductors. Phys. Lett. A, 1973, v.45, № 2, p.83−84.
- Меркулов И.А. Влияние экситонного эффекта на электропоглощение в полупроводниках. ЖЭТФ, 1974, т.66, № 6, с.2314−2324.
- Ralph H.I. On the theory of Franz-Keldysh effect. J.Phys.C: Solid State Phys., ser.2, 1968, v. l, № 2, p.378−386.
- Ullrich В., Zhang С., Fronius H., v. KlitzingK. Photocurrent spectroscopy in a sawtooth doping superlattice. Appl. Phys. Lett., 1988, v.52, № 23, p. 1967−1969.
- Reeder A.A., McCombe B.D., Chambers F.A., Devane G.P. Confinement effects on Be acceptors in GaAs/AlGaAs multi-quantum well structures. Superlattices and Microstructures, 1988, v.4, № 3, p.381−383.
- Schubert E.F., KuoJ.M., Kopf R.F., LuftmanH.S., Hopkins L.C., SauerN.J. Beryllium 8-doping of GaAs grown by molecular beam epitaxy. Appl. Phys. Lett., 1990, v.67, № 4, p.1969−1979.
- Sibille A., Palmier J.F., Wang H., Mollot F. Observation of Esaki-Tsu negative differential velocity in GaAs/AlAs superlattices. Phys. Rev. Lett., 1990, v.64, № 1, p.52−55.
- Bar-Joseph I., GoossenK.W., KuoJ. M, Kopf R. F, Miller D.A.B, ChemlaD.S. Room-temperature electroabsorption and switching in a GaAs/AlGaAs superlattice. -Appl. Phys. Lett., 1989, v.55, № 4, p.340−342.
- Schneider H, FujiwaraK, Grahn H. T, Klitzing K.v., PloogK. Electro-optical multistability in GaAs/AlAs superlattices at room temperature. Appl. Phys. Lett, 1990, v.56, № 7, p.605−607.
- MendezE.E, Agullo-RuedaF, HongJ.M. Stark localization in GaAs-GaAlAs superlattices under an electric field. Phys. Rev. Lett, 1988, v.60, № 23, p.2426−2429.
- Voisin P, Bleuse J, Bouche C, Gaillard S, Alibert C, Regreny A. Observation of the Wannier-Stark quantization in a semiconductor superlattice. Phys. Rev. Lett, 1988, v.61, № 14, p.1639−1642.
- FujiwaraK, Schneider H, Chingolani R, PloogK. Successive Wannier-Stark localization and excitonic enhancement of intersubband absorption in a short-period GaAs/AlAs superlattice. Sol. State Commun, 1989, v.72, № 9, p.935−939.
- Moshegov N.T., SokolovL.V., ToropovA.I., BakarovA.K., KalaginA.K., Tichomirov V.V. The influence of surface reconstructions on the GaAs/AlAs interface formation by MBE. Inst. Phys. Conf. Ser. 1996, № 145, Chapter 2, p.97−100.
- Agullo-Rueda F., BrumJ.A., MendezE.E., Hong J.M. Change in dimensionality of superlattice excitons induced by an electric field. Phys. Rev. B, 1990, v.41, p.1676−1679.
- Schneider H., GrahnH.T., Klitzing K.v., PloogK. Resonance-induced derealization of electrons in GaAs-AlAs superlattices. Phys. Rev. Lett., 1990, v.65, № 21 p.2720−2723.
- LeavittR.P., Little J.W. Stark ladders in strongly coupled superlattices and their interactions with embedded quantum wells. Phys. Rev. B, 1990, v.41, № 8, p.5174−5177.
- Tkachenko V.A., Tkachenko O.A., Kotkin G.L., Tupitsin V.G. Programs for modelling waves in quantum -size microstructures. Physica B, 1991, v. 175, № 1, p.75−79.
- Meynadier M.-H., NahoryR.E., WorlockJ.M., Tamargo M.C., de Miguel J.L., SturgeM.D. Inderect-direct anticrossing in GaAs-AlAs superlattices induced by an electric field: evidence of T-X mixing. Phys. Rev. Lett., 1988, v.60, № 13, p.1338−1341.
- Herman M.A., BimbergD., Christen J. Heterointerfaces in quantum wells and epitaxial growth processes: evaluation by photoluminescence techniques. J. Appl. Phys., 1991, v.70, R1-R20.
- TanakaM., Sakaki H. Atomistic models of interface structures of GaAs-AlxGaixAs (x=0.2-l) quantum wells grown by interrupted and uniterrupted MBE. J. of Crys. Growth, 1987, v.81, № 1, p.153−158.
- Regreny A., AuvrayP., ChometteA., DeveaudB., Dupas G., Emery J.Y. PoudoulecA. Growth and interface characterization of GaAs/AlGaAs superlattices. -Revue Phys. Appl., 1987, v.22, № 5, 273−278.
- Kopf R.F., Schubert E.F., Harris T.D., Becker R.S. Photoluminescence of GaAs quantum wells by molecular beam epitaxy with growth interruptions. Appl. Phys. Lett., 1991, v.58, № 6, p.631−633.
- Molinari Е., Baroni S., Giannozzi P., de Gironcoli S. Effect of disorder on the Raman spectra of GaAs/AlAs superlattices. Phys. Rev. B, 1992, v.45, № 8, p.4280−4288.
- Гайслер B.A., ТеннеД.А., МошеговН.Т., ТороповА.И., ШебанинА.П., Яскин А. А. Фононный спектр сверхрешеток GaAs/AlAs: прямая и обратная спектральные задачи. ФТТ, 1996, т.38, № 7, 2242−2252.
- Pfeffer P., Zawadzki W. Five-level k-p model for the conduction and valence bands of GaAs and InP. Phys. Rev. B, 1996, v.53, № 19, p.12 813−12 828.
- Prietsch M., DomkeM., Laubschat C., Mandel Т., Xue С., Kaindl G. Photoemission study of alkali/GaAs (110) interfaces. Z. Phys. B, 1989, v.74, № 1, p.21−33.
- Whitman L.J., Stroscio J.A., Dragoset R.A., CelottaR.J. Geometric and electronic properties of Cs structures on III-V (110) surfaces: from ID and 2D insulators to 3D metal Phys. Rev. Lett., 1991, v.66, № 10, p. 1338−1341.
- Белл P.JI. Эмиттеры с отрицательным электронным сродством. М.: «Энергия», 1978, 192 с.
- Brillson L.J. Chemical mechanisms of Schottky barrier formation. J. Vac. Sci. Techno1., 1979, v. 16, № 5, p. l 137−1142.
- Freeouf J.L., Woodall J.M. Schottky barriers: An effective work function model. -Appl. Phys. Lett., 1981, v.39, № 9, p.727−729.о с
- Heine V. Theory of surface states. Phys. Rev., 1965, v.138, №A6, p. A1689-A1696.
- Tersoff J. Schottky barrier heights and the continuum of gap states. Phys. Rev. Lett., 1984, v.52, № 6, p.465−468.
- Spicer W.E., LindauL, SkeathP., Su C.Y., ChyeP. Unified mechanism for Schottky barrier formation and III-V oxide interface states. Phys. Rev. Lett., 1980, v.44, № 6, p.420−423.
- Бехпггедт Ф., ЭндерлайнР. Поверхности и границы раздела.- М.: Мир, 1990.-488с.
- Viturro R.E., Mailhiot C., ShawJ.L., Brillson L.J., LaGraffeD., Margaritondo G., Pettit G.D., Woodall J.M. Interface states and Schottky barrier farmation at metal/GaAs junctions. J. Vac. Sci. Technol. A, 1989, v.7, № 3, p.855−860.
- Yablonovitch E., Sandroff C.J., BhatR., GmitterT. Nearly ideal electronic properties of sulfide coated GaAs surfaces. Appl. Phys. Lett., 1987, v.51, № 6, p.439−441.
- SpindtC.J., Besser R.S., Cao R., Miyno K., Helms C.R., SpicerW.E. Photoemission study of the band bending and chemistry of sodium sulfide on GaAs (lOO). Appl. Phys. Lett, 1989, v.54, № 12, p. l 148−1150.
- Laubschat C, Prietsch M, DomkeM, Weschke E, Remmers E, Mandel T, Ortega E., Kaindl G. Switching of band bending at the nonreactive (Cs, 0)/GaAs (110) interface. Phys. Rev. Lett., 1989, v.62, № 11, p.1306−1309.
- Cao R, Miyano K, Kendelewicz T, Lindau I, Spicer W.E. Fermi level movement at the Cs/GaAs (l 10) interfaces. Appl. Phys. Lett, 1989, v.54, № 13, p. 1250−1252- On the aspects of GaAs initial stage band bending. — Physica Scripta, 1990, v.41, p.887−891.
- Петухов Б. В, Покровский В. JI, ЧапликА.В. Состояния электронов, локализованных у поверхностных зарядов. ФТТ, 1967, т.9, № 1, с.70−74.
- PenninoU, Salvarani В, CompanoR, PankratovO. Evidence of a bipolaronic, insulating state of Na submonolayer on GaAs (llO). Phys. Rev. B, 1995, v.52, № 15, p.10 717−10 720.
- Klepeis J. E, Harrison W.A. Coverage dependence of Schottky barrier formation. J. Vac. Sci. Technol. B, 1989, v.7, № 4, p.964−970.
- PashleyM.D, HaberernK. W, FeenstraR. M, KirchnerP.D. Different Fermi level behavior on n- and /"-type GaAs (OOl). Phys. Rev. B, 1993, v.52, № 7, p.4612−4615.
- Vasquez R. P, Lewis B. F, Grunthaner F.J. Cleaning chemistry of GaAs (100) and InSb (lOO) substrates for molecular beam epitaxy. J. Vac. Sci. Technol. B, 1983, v. l, № 3,p.791−794.
- Галицын Ю.Г., Пошевнев В. И., Мансуров В. Г., Терехов А. С., Окорокова Л. Г. Остаточные углеродные загрязнения на поверхности GaAs, обработанной в спиртовых растворах НС 1. Поверхность, 1989, № 4, с.147−150.
- Chen W., Dumas М., Мао D., KahnA. Work function, electron affinity, and band bending at decapped GaAs (lOO) surfaces J. Vac. Sci. Technol. B, 1992, v. 10, № 4, p.1886−1890.
- Wang Z., KwanS.L., Pearsall T.P., Booth J.L., Beard B.T., Johnson S.R. Real-time, noninvasive temperature control of wafer processing based on diffusive reflectance spectroscopy. J. Vac. Sci. Technol. B, 1997, v. 15, № 1, p. l 16−121.
- Pollak F.H., ShenH. Generalized Franz-Keldysh theory of electromodulation. Phys. Rev. B, 1990, v.42, № 11, p.7097−7002.
- Мусатов А.Л., Смирнов С. Ю. Спектры поверхностной фотоэдс и поверхностные состояния GaAs(100) с субмоноатомными слоями цезия. ФТТ, 1994, т.36, № 1, с.9−19.
- Musatov A.L., Izraeljants K.R., Filippov S.L. Surface photovoltage spectra and surface states of InP (100)-Cs. Phys. Low-Dim. Struct., 1994, v.3, p.35−40.
- Rodway C.D., Allenson M.B. In situ surface study of the activating layer on GaAs (Cs, 0) photocathodes. J. Phys. D: Appl. Phys., 1986, v.19, p.1353−1371.
- Alperovich V.L., PaulishA.G., Scheibler H.E., TynnyiV.I., TerekhovA.S. Unpinned behavior of the Fermi level and photovoltage on p-(100)GaAs surface facilitated by deposition of cesium. Appl. Surf. Sci., 1996, v.104/105, p.228−233.
- Hasegawa H, Ishii H, Sawada T, Saitoh T, Konishi S, Liu Y, Ohno H. Control of Fermi level pinning and recombination process at GaAs surfaces by chemical and photochemical treatments. J. Vac. Sci. Technol. B, 1988, v.6, № 4, p. 1184−1192.
- Лифшиц T. M, Мусатов А. Л, Коротких В. Л, Коринфский А. Д, Турчинский В. М. Эффективные фотоэмиттеры с отрицательным электронным сродством. Проблемы современной радиотехники и электроники /под ред. Котельникова В. А. — М: Наука, 1987.- с.195−217.
- Pankratov О, Scheffler М. Hubbard correlations and charge transfer at the GaAs (l 10) surface with alkali adsorbates. Phys. Rev. Lett, 1993, v.70, № 3, p.351−354.
- Plummer E. W, Wong T. M, DiNardoN.J. Semiconductor-to-metal transition in an ultrathin interface: Cs/GaAs (l 10). Phys. Rev. Lett, 1990, v.65, № 17, p.2177−2180.
- Allan G, Lannoo M. Negative-U character of the adsorption on semiconductor surfaces: application to metals on GaAs Phys. Rev. Lett, 1991, v.66, № 9, p.1209−1212.
- Bagraev N.T. Metastable surface defects in p-type GaAs. Material Science Forum (Trans. Tech. Publications, Switzerland), 1994, v.143−147, p.543−548.
- Bai C, Hashizume T, Jeon D. R, Sakurai T. Geometric and electronic structures of Na/GaAs. J. Vac. Sci. Technol. A, 1993, v. ll, № 3, p.525−528.
- Evans D. A, Lapeyre G. J, Horn K. Overlyer-induced valence states, and evidence for charge transfer in Na/GaP (l 10) and Na/GaAs (l 10): a comparative photoemission study. J. Vac. Sci.Technol. B, 1993, v. l 1, № 4, p.1492−1496.
- HeskettD, TangD, McLean A. B, Ludeke R, Prietsch M, Wong T. M, Plummer E. W, DiNardo N.J. Metal-induced states on the GaAs (l 10) surface probed by angle-resolved photoemission spectroscopy. Appl. Surf. Sci, 1991, v.48/49, p.260−263.
- Magnusson K.O., Reihl В. Surface electronic structure of submonolayer to full-monolayer coverages of alkali metals on GaAs (llO): К and Cs. Phys. Rev. B, 1989, v.40, № 11, p.7814−7818.
- Neuhold G., Chasse Т., Paggel J.J., Horn K. Observation of a Cs-induced state in the band gap of GaP (llO): alkali-metal bonding and Fermi-level pinning. Phys. Rev. B, 1996, v.54, № 12, p.8623−8626.
- Ребане К.К. Элементарная теория колебательной структуры спектров примесных центров кристаллов. М.: Наука, 1968. — 232 с.
- Naumovets A.G., Vedula Yu.S. Surface diffusion of adsorbates Surf. Sci. Rep., 1885, v.4, p.365−434.
- Tsong T.T. Experimental studies of the behavior of single adsorbed atoms on solid surfaces. Rep. Prog. Phys., 1988, v.51, p.759−832.
- Westre E.D., Brown D.E., Kutzner J., George S.M. Surface diffusion of potassium on Ru (OOl). Surf. Sci. 1993, v.294, p.185−196.
- Milne R.H., AzimM., PersaudR., Venables J.A. Surface diffusion of Cs on Si (100)-2×1. Surf. Sci., 1995, v.336, № 1, p.63−75.
- Godstein B. LEED-Auger characterization of GaAs during activation to negative electron affinity by the adsorption of Cs and O. Surf. Sci. 1975, v.47, № 1, p. 143−161.
- Thurmond C.D. The standard thermodynamic functions for the formation of electrons and holes in Ge, Si, GaAs, and GaP. J. Electrochem. Soc., 1975, v.122, № 8, p.1133−1141.
- Rodway D. AES, photoemission and work function study of the deposition of Cs on (100) and (111)B GaAs epitaxial layers. Surf. Sci., 1984, v.147, № 1, p.103−114.
- Kierren В., Paget D. Formation of the Cs/GaAs (001) interface: Work function, cesium sticking coefficient, and surface opnical anisotropy. J. Vac. Sci. Technol. A, 1997, v. 15, № 1, p.2074−2080.
- Kamaratos M., Bauer E. Interaction of Cs with the GaAs (lOO) surface. J. Appl. Phys., 1991, v.70, № 12, p.7564−7572.
- Yang Y.N., Luo Y.S., Weaver J.H., Florez L.T., Palmstrom C.J. Effects of annnealing on the surface morphologyof decapped GaAs (OOl). Appl. Phys. Lett. 1992, v.61, № 16, p.1930−1932.
- Bell R.L., Spicer W.E. 3−5 compaund photocathodes: A new family of photoemitters with greatly improved performance. Proc. IEEE., 1970, v.58, p.1788−1802.
- Pierce D.T., Celotta R.J., Wang G.-G., Unertl W.N., Galejs A., Kuyatt C.E., Mielczarek S.R. GaAs spin polarized electron source. Rev. Sci. Instrum., 1980, v.51, № 4, p.478−499.
- Kolac U., Donath M., Ertl K., Liebl H., Dose V. High performance GaAs polarized electron source for use in inverse photoemission spectroscopy. Rev. Sci. Instrum., 1988, v.59, № 9, p.1933−1940.
- Lampel G., Weisbuch C. Proposal for an efficient source of polarized photoelectrons from semiconductors. Sol. State Commun., 1975, v.16, p.877−880.
- Drouhin H.-J., Hermann C., Lampel G. Photoemission from activated gallium arsenide. Very-high-resolution energy distribution curves. Phys. Rev. В., 1985, v.31, No.6, p.3859−3871.
- Sheer J.J., Van Laar J. GaAs-Cs: A new type of photoemitter. Solid State Commun., 1965, v.3, p.189−193.
- SuC.Y., Spicer W.E., Lindaul. Photoelectron spectroscopic determination of the structure of (Cs, 0) activated GaAs (110) surfaces. J. Appl. Phys., 1983, v.54, № 3, p.1413−1422.
- Коринфский А.Д., Мусатов A.JI. Приповерхностный изгиб зон в GaAs с отрицательным электронным сродством. ФТП, 1986, т.20, в.2, с.330−332.
- Нолле Э.Л. Выход фотоэлектронов в вакуум из GaAs с рассеянием энергии в процессе тунелирования через потенциальный барьер, образованный активирующим слоем. ФТТ, 1989, т.31, в.11, с.225−232.
- Aspnes D.E. GaAs lower conduction-band minima: Ordering and properties. Phys. Rev. B, 1976, v.14, № 12, p.5331−5343.
- James L.W., Antypas G.A., Edgecumbe J., Moon R.L., Bell R.L. Dependence on crystalline face of the band bending in Cs O-activated GaAs. J. Appl. Phys., 1971, v.42, № 12, p.4976−4980.
- Herrera-Gomez A., Vergara G., Spicer W.E. Physics of high-intensity nanosecond electron source: Charge limit phenomenon in GaAs photocathodes. J. Appl. Phys. 1996, v.79, № 9, p.7318−7323.
- Bolkhovityanov Yu.B., Jaroshevich A.S., Nomerotsky N.V., Revenko M.A., Trukhanov E.M. Liquid phase epitaxy of highly strained InGaAsP/GaAs films in the 1.4−1.8 eV interval of band gaps. J. Crystal Growth, 1996, v.158, p.217−223.
- Nakanishi Т., Aoyagi H., HorinakaH., KamiyaY., Kato Т., Nakamura S., SakaT., Tsubata M. Large enhancement of spin polarization observed by photoelectrons from a strained GaAs layer. Phys. Lett. A, 1991, v.158, p.345−349.
- Кейси X., Паниш M. Лазеры на гетероструктурах. 1981, М., Мир, т.2 -299с.
- Mamaev Yu.A., Yashin Yu.P., Subashiev A.V., Galactionov M.S., YavichB.S., Kovalenkov O.V., Vinokurov D.A., FaleevN.N. High polarization in electron photoemission from semiconductor heterostructures. Phys. Low-Dim. Struct., 1994, № 7, p.27−36.
- Maruyama Т., GarwinE.L., PrepostR., Zapalac G.H., Smith J.C., Walker J.D. Observation of strain-enhanced electron spin polarization in photoemission from InGaAs. Phys. Rev. Lett., 1991, v.66, № 18, p.2376−2379.
- Бир Г. Л., Пикус Г. Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М.: Наука, 1972. — 584 с.
- Chandrasekhar М., Pollak F.H. Effects of uniaxial stress on the electroreflectance spectrum of Ge and GaAs. Phys. Rev. B, 1977, v. 15, № 4, p.2127−2144.
- Adachi S. Material parameters of InixGaxAsyPiy and related binaries. J. Appl. Phys., 1982, v.53, № 12, p.8775−8792.
- Asai H., Oe K. GaxInixP liquid phase epitaxial growth on (001), (lll)A, and (lll)B GaAs substrates. J. Crys. Growth, 1983, v.62, № 1, p.67−84.
- Matthews J.W., Blakeslee А.Е. Defects in epitaxial multilayers. J. Crystal Growth, 1974, v.27,№l, p. l 18−125.
- CaridiE.A., Stark J.B. Strain tensor elements for misfit-strained hhk]-oriented cubic crystals. Appl. Phys. Lett., 1992, v.60, p.1441−1443.
- Jain S.C., Willander M., Maes H. Stresses and strains in epilayers, stripes and quantum structures of III-V compound semiconductors. Semicond. Sci. Technol., 1996, v. ll, p.641−671- p.975.
- Ландау Л.Д., Лифшиц E.M. Квантовая механика. M.: Наука, 1974, 752 с.
- Пикус Т.Е., Титков А. Н. Спиновая релаксация носителей при оптической ориентации в полупроводниках. В кн. Оптическая ориентация. Под ред. Захарчени Б. П., Майера Ф. — Л.: Наука, 1989, с.62−108.
- Onabe К. Immiscibility in type Aj. xBxCyDiy strictly regular quaternary solid solutions. Unstable region. Jap. J. Appl. Phys., 1983, v.22, № 4, p.663−673.
- Kurihara Y. et al. A polarization and high quantum efficiency photocathode using a GaAs-AlGaAs superlattice. KEK Preprint 94−59- SLAC-PUB-6530, 1994, p.1−14.
- Saka T. et al. New-type photocathode for polarized electron source with distributed Bragg reflector. Jpn. J. Appl. Phys, 1993, v.32, p. L1837-L1840.
- Иогансен JI.В. О резонансном туннелировании электронов в кристаллах. -ЖЭТФ, 1964, т.47, в.1, с.270−277- Об ошибках в работах по резонансному туннелированию электронов в конечных сверхрешетках. Письма ЖТФ, 1987, т.13, в.18, с.1143−1146.
- Ткаченко В. А, Ткаченко О. А. Подавление переотражений электронов от краев одномерной полупроводниковой сверхрешетки. Письма ЖТФ, 1993, т. 19, в.24, с.36−41.
- Vanbesian О, Leroux Н, Lippens D. Maximally flat transmission windows in finite superlattices. Solid-St. Electron, 1992, v.35, № 5, p.665−669.