Влияние параметров центров захвата на фотоэлектрические свойства кристаллов типа силленита
Диссертация
Достоверность результатов исследований обусловлена корректностью и взаимопроверяемостью различных методик. Результаты экспериментальных исследований согласуются с приведенными в данной работе расчетными данными и результатами экспериментальных работ, выполненных другими авторами. Полученные экспериментальные и теоретические зависимости подтверждают предположения, сделанные в работах других… Читать ещё >
Содержание
- ГЛАВА 1. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ ТИПА СИЛЛЕНИТА
- 1. 1. Методы получения кристаллов типа силленита
- 1. 2. Кристаллическое строение кристаллов типа силленита
- 1. 3. Энергетический спектр локальных состояний в запрещенной зоне кристаллов со структурой силленита
- 1. 4. Природа локальных состояний в запрещенной зоне кристаллов со структурой силленита
- 1. 5. Особенности процессов фотогенерации подвижных носителей заряда в кристаллах типа силленита
- Выводы
- ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ И УСТРОЙСТВА
- 2. 1. Экспериментальная установка для вакуумной технологии
- 2. 1. 1. Особенности метода магнетронного нанесения пленок
- 2. 1. 2. Конструкция катодных узлов
- 2. 1. 3. Источник электропитания магнетронной распылительной системы
- 2. 1. 4. Устройство стабилизации давления в рабочем объеме
- 2. 1. 5. Устройство стабилизации температуры подложки
- 2. 2. Методики измерений электрических и оптических свойств пленок
- 2. 3. Физико-химические методы подготовки пластин для вакуумной технологии
- 2. 4. Методика получения проводящих слоев
- 2. 4. 1. Материалы для проводящих слоев
- 2. 4. 2. Режимы получения прозрачных проводящих электродов
- 2. 5. Методика получения диэлектрических слоев
- 2. 5. 1. Диэлектрические материалы
- 2. 5. 2. Режимы получения диэлектрических слоев
- 2. 6. Методики измерения фотоэлектрических свойств образцов
- 2. 6. 1. Методика измерения термостимулированных токов
- 2. 6. 2. Методика измерения спектральных характеристик поглощения и фотопроводимости
- 2. 6. 3. Методика измерения температурной зависимости фототока
- 2. 1. Экспериментальная установка для вакуумной технологии
- 3. 1. Четырехуровневая модель механизма электронных переходов типа уровень прилипания — уровень рекомбинации
- 3. 2. Анализ численных методов решения плохо обусловленных систем нелинейных уравнений
- 3. 3. Алгоритм решения кинетических уравнений для четырехуровневой модели электронных переходов
- 3. 3. 1. Система кинетических уравнений для четырехуровневой модели
- 3. 3. 2. Алгоритм расчета температурной зависимости фототока
- 3. 4. Результаты расчета и их анализ
- 4. 1. Термостимулированный ток в легированных кристаллах титаната висмута
- 4. 2. Исследование температурных зависимостей темнового и фототока легированных кристаллов титаната висмута
Список литературы
- Захаров И.С. Пространственно-временные модуляторы света. Томск: Изд-во Томск, ун-та, 1983. 264 с.
- Васильев А.А., Касасент Д., Компанец И. Н., Парфенов А. В. Пространственные модуляторы света. М.: Радио и связь, 1987. 320 с.
- Думаревский Ю.Д., Ковтонюк Н. Ф., Савин А. И. Преобразователи изображений в структурах полупроводник диэлектрик. М.: Наука, 1987. 176 с.
- Современная кристаллография (в четырех томах). Том 4. Физические свойства кристаллов /Шувалов Л.А., Урусовская А. А., Желудев И. С. и др. М: Наука, 1981. 496 с.
- Петров М.П., Степанов С. И., Хоменко А. В. Фоторефрактивные кристаллы в когерентной оптике. СПб.: Наука. С.-Петербургское отд-ние, 1992. 320 с.
- Hou S.L., Lauer R.B., Aldrich R.E. Transport process of photoinduced carriers in Bi12SiO20// J.Appl. Phys. 1973. V. 44. N 6. P. 2652 2658.
- Гудаев O.A., Гусев B.A., Детиненко B.A., Елисеев А. П., Малиновский В. К. Уровни энергии в запрещенной зоне кристаллов Bii2GeO20, Bii2SiO20 // Автометрия. 1981. № 5. С.38−47.
- Минералы. М.: Наука, 1965. 617 с.
- Sillen L.G. X-Ray studies on bismuth Trioxide//Ark. Kemi, Miner Geol A. 1937. B.12.N18. S.l.
- Levin E.M., Roth R.S. Polimorphism of bismuth sesquioxide//J. Res. Nat. Stand. A. 1964. V. 68. N 2. P.197 203.
- Catttow G., Shroder H. Die kristallstruktur der Hochtemperaturmodifikation von Wismut (Ill)-exid (6=Bi203)// Z. anorg. and allg. Chem. 1962. B. 318. N 3. S.178 -186.
- Schumb W.G., Rittner E.S. Polimorphism of Bismuth Trioxide//J. Amer. Chem. Soc. 1943. V. 65. N 5. P.1055 1068.
- Ballman A.A. The growth and properties of piezoelectric bismuth germanium147oxide// J. Cryst. Growth. 1967. V.l. N 1. P.37 -40.
- Сафонов А.И., Барышев C.A., Никифорова Т. Н., Антонов Т. Н., Федулов С. А. Выращивание и оптические свойства монокристаллов Bi^GeCW/ Кристаллография. 1969. Т. 14. N 1. С. 152 153.
- Сафронов Г. М., Богач В. Н., Красилов Ю. И., Пахомов В. И., Федоров П. М., Бурков В. И., Скориков В. М. Некоторые физико-химические свойства силикатов и германатов висмута силленит-типа// Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1970. Т. 6. N 2. С. 284 288.
- Сафонов А.И., Барышев С. А., Никифорова Т. Н., Антонов Т. Н., Федулов С. А. Выращивание и оптические свойства монокристаллов Bii2Si02o// Кристаллография. 1968. Т. 13. N 5. С.914 915.
- Сперанская Е.И., Скориков В. М., Сафронов Г. М., Миткина Т. Д. Система Bi203 Si02// Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1970. Т.6. N 8. С. 1374−1377.
- Литвин Б.Н., Шалдин Ю. В., Питовранова Н. Е. Синтез и электрооптические свойства монокристаллов Si-силленита// Кристаллография. 1968. T.13.N6. С.1106- 1108.
- Барсукова МЛ., Кузнецов В. А., Лобачев А. Н. Выращивание кристаллов Bij2TiO20 гидротермальным методом// Рост кристаллов из высокотемпературных водных растворов. М.: Наука, 1977. С. 190 197.
- Whiffin Р.А.С., Bruton Т.М., Brice J.C. Stimulated rotational instabilities in melten bithmuth silicon oxide// J. Cryst. Growth. 1976. V.32. N 2. P. 205 210.
- Соболев A.T., Копылов Ю. Л., Кравченко В. Б., Куча В. В. Зависимость оптической однородности монокристаллов германосилленита от условий роста// Кристаллография. 1978. Т.23. N 1. С. 174 -179.
- Сперанская Е.Н., Аршакуни А. А. Система окись висмута двуокись германия// Неорганическая химия. 1964. Т.9. N 2. С. 414 — 421.
- Вишневский В.Н., Романюк Н. А., Стефанский И. В. О температурной зависимости дисперсии двупреломления кристаллов дигидрофосфатов ам148мония// Оптика и спектроскопия. 1965. Т. 18. N 5. С. 838 842.
- Brice J.C., Bruton Т.М., Hill O.F., Whiffrn P.A.C. The Czochralski growth of Bi12SiO20 crystals// J. Cryst. Growth. 1976. V.32. N 2. P.205 210.
- Hill O.F., Brice J.C. The composition of crystals of bismuth silicon oxide// J.Mater. Sci. 1974. V.9. N 8. P. 1252 1253.
- Mori Т., Okamoto Т., Saito M. Suppression of the conductivity of Bii2Ge02o and application to electro-optic light valve// J. Electron. Mater. 1979. V.8. N 3. P. 261−267.
- Нечипоренко A.B., Лукша O.B., Малеш M.B., Окачко И. И., Полянский В. Ф. Получение и некоторые электрофизические свойства пленок герма-ната висмута// Структура и физические свойства тонких пленок. Тез. докл. респ. конф. Ужгород, 1977. С.324 325.
- Mitsyi Т., Wasa К., Nayakava S. Structures and optical properties of RF-sputtered Bi12SiO20 films// J. Electrochem. Soc.:Solid St. Technol. 1976. N 1. P. 94−96.
- Детиненко B.A., Жбанов O.B., Клипко A.T., Покровский Л. Д. Получение пленок силиката висмута и их диффузионное взаимодействие с электродами// Автометрия. 1976. N 1. С. 53 54.
- Багинский И.Л., Косцов Э. Г., Стерелюхина Л. Н. Исследованиеб центров прилипания в пленках силиката висмута// Автометрия. 1974. N4. С.55−57.
- Камышлов В.Ф., Косцов Э. Г., Покровский Л. Д. Фотоэлектрические свойства пленок силиката висмута// Автометрия. 1980. N1. С. 113−115.
- Abrahams S.C., Jamieson Р.В., Bernstein J.L. Crystal structure of piezoelectric Bismuth Germanium Oxide Bi12Ge02o// J. Chem. Phys. 1967. V.47. N10. P.4034−4041.
- Harwig H.A. On the structure of Bismuth sesquioxide: the a-, p-, y- and
- Harwig H.A. and Weenk J.W. Phase relation in Bismuth sesquioxide// Z. anorg. und allg. Chem. 1978. B. 444. N7. S. 167 -174.149
- Быковский Ю.А. и др. Фотоэлектрические свойства Bii2Ge02o // ФТП. 1978. Т.12. Вып 10.
- Гудаев О.А., Детиненко В. А., Малиновский В. К. Энергетический спектр и природа глубоких уровней в кристаллах германата висмута// ФТТ. 1981. T.23.N1.C.195−201.
- Анцыгин В.Д. и др. Фото- и термолюминесценция Bii2GeO20 // Автометрия. 1980. № 1.С. 102−106.
- Гусев В.А., Елисеев A.M. Фотолюминесценция Bii2GeO20 // Автометрия. 1981. № 5. С.47−52.
- Елисеев А.П., Надолинный В. А., Гусев В. А. Вакансионные центры в монокристаллах Bii2R02o (R=Si, Ti, Ge) // В кн.: Тез. докл. Междунар. конф. «Дефекты в диэлектрических кристаллах». Рига: Зинатне. 1981.
- Urbach F. The long-wavelength edge of photographic sensitivity and of the electronic absorption of solids// Phys. Rev. 1953. V.95. N5. P. 1324 1331.
- Антонов-Романовский B.B. Кинетика фотолюминесценции кристалло-фосфоров. М.: Наука, 1966.324 с.
- Wardzynski W., Lukasiewicz Т., Zmija J. Reversible Photochromic Effects in Doped Single Cristals of Bismuth Germanium (Bii2GeO20) and Bismuth Silicon Oxide (Bi12SiO20) // Opt. Comm. 1979. V.30. N 2. P.203−205.
- Березкин В.И., Красинькова M.B. Оптические свойства Bii2SiO20, легированного хромом// Письма в ЖТФ. 1983. Т.9. N 8. С. 467 471.
- Oberschmid R. Absorption center of Bii2GeO20 and Bii2SiO20 crystals// Phys. Stat. Sol. (a). 1985. V.89.N 1. P.263 270.
- Степанов С.И. Особенности фоторефрактивного эффекта в кристаллах с биполярной проводимостью// ЖТФ. 1982. Т.52. N 10. С.2114 2116.
- Lauer R.B. Thermally stimulated current and luminescence in Bii2Si02o and Bii2GeO20// J. Appl. Phys. 1971. V.42. N 5. P. 2147 -2149.
- Lauer R.B. Photoluminescence in Bii2SiO20 and Bi12Ge02o// Appl.Phys.Lett. 1970. V.17.N4. P.178 179.150
- Структурные исследования монокристаллов Ge- и Ti- силленитов/ С. Ф. Радаев, ЛА. Мурадян, В. И. Симонов и др. // Высокочистые вещества. 1990. № 2. С.158−164.
- Сарин В.А., Ридер Е. Э., Канепит В. Н. и др. Нейтроноструктурное исследование монокристалла титаната висмута // Кристаллография. 1989. Т.38. В.7. С.628−631.
- Киттель Ч. введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978. 791 с.
- Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках.М. :Мир, 1973. 456 с.
- Лашкарев В.Е., Любченко А. В., Шейнкман М. К. Неравновесные процессы в фотопроводниках. Киев: Наукова думка, 1981. 264 с.
- Пека Г. П., Бродовой В. А., Шепель Л. Г. О механизме температурного гашения люминесценсции и стимуляции фототока в компенсированном GaAs// ФТП. 1976. Т.10. В.10. С.1915 1919.
- О механизме рекомбинации носителей заряда в CdTe (Ge)/ П. Гешл, Ю. В. Воробьев, В. Н. Захарченко, А.Г.Ильюшенко// Укр. физ. журнал. 1983. Т.23. № 2. С.297 299.
- Демиденко М.В., Бочкарева С. К. Механизм температурного гашения фотопроводимости в CdS с избытком Cd, легированном Си, Ag и Аи// Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1989. Т.25. № 5. С.717 721.
- Bube R.H. Infrared quenching and an unifred deciption of photoconductivity phenomene in cadmium sulfid and selenid// Phys. Rev. 1955. V.99. N4. P.1105 -1116.
- Роуз А. Основы теории фотопроводимости. M.: Мир, 1966. 192 с.
- Rose A. Recombination processes in insulators and semiconductors// Phys. Rev. 1955. V.97. N 2. P.322 328.
- Панченко T.B., Кудзин А. Ю., Трусева H.A. Термостимулированные токи в монокристаллах Bii2SiO20// ФТТ. 1980. Т.22. В.6. С. 1851 -1854.151
- Гусев O.A., Детиненко В. А., Соколов А. П. Фотохромный эффект и оптическая запись информации в силленитах германия, кремния и титана// Автометрия. 1983. № 5. С. 34 44.
- Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963.496 с.
- Захаров И.С. Стационарные характеристики фототока легированных кристаллов типа силленита//ФТТ. 1985. Т.25. Вып.4. С.1062 1068.
- Данилин Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. М.: Энергоатомиздат, 1989. 328 с.
- Фатьянов В.М., Умрихин В. В., Барбин С. И. и др. Применение магне-тронно-ионного распыления для получения пленок теллурида висмута// Тез. докл. 4-научн.-техн. конф.'Ъакуумные покрытия 87″. Рига: ЛатНИИТИ, 1987.4.2. С.3−5.
- Фатьянов В.М., Умрихин В. В., Барбин С. И. Получение тонкослойных защитных покрытий на меди методом магнетронно-ионного распыления// Тез. докл. 4-научн.-техн.конф. «Вакуумные покрытия 87». Рига: ЛатНИИТИ, 1987.4.2. С.6−7.
- Фатьянов В.М., Барбин С. И., Умрихин В. В. и др. Магнетронно-ионное распыление металлов и сплавов// Тез. и матер, докл. регион, научн.-техн. конф. «Материалы и упрочняющие технологии 89». Курск: КПИ, 1989. С.48−50.
- Данилин Б.С. Магнетронное распыление универсальный метод получения тонкопленочных структур// Электронная техника. Сер.6. 1983. Вып.6(179). С.65−73.
- Фатьянов В.М., Барбин С. И., Умрихин В. В., Репин В. Г. Способ изготовления плавких элементов. A.c. СССР N 1 201 911.
- Райзер Ю.П. Физика газового разряда. М.: Наука, 1987. 592 с.
- Фатьянов В.М., Олемской А. И., Умрихин В. В., Барбин С. И., Репин В. Г. Описание газового разряда как кинетического перехода// Известия ву152зов. Физика. 1986. N6. С.3−8.
- Albert P.A., Guarnieri C.R. Influence of biased magnetron deposition parameters on amorphous Gd-Co-Cu properties//!.Vac. Sei. Technol. 1977. V.14.N1.P. 138−140.
- Технология тонких пленок/ Под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга в 2-х т. М.: Советское радио, 1977.
- Данилин Б.С., Сырчин В. К. Магнетронные распылительные системы. М.: Радио и связь, 1982. 72 с.
- Корчагин Б.Б., Орлов В. И. Нанесение металлов и их соединений методами магнетронного и диодного распыления// Обзоры по электронной технике.Сер.7. М.: ЦНИИ «Электроника», 1986. Вып. 15(1222). 42 с.
- Умрихин В.В., Бурмистров В. Н. и др. Расчет распределения на плоской подложке толщины покрытия, наносимого магнетронным распылением цилиндрической мишени// В кн. Рост и структура нитевидных кристаллов. Воронеж: ВПИ, 1984. С. 72 76.
- Захаров И.С., Умрихин В. В., Барбин С. И., Репин В. Г. Планарный магне-тронный распылительный узел с радиально-сканирующей зоной распыления// Тез. научн.-техн.конф. «Вакуумная наука и техника 95». Гурзуф, 1995. С. 75.
- Репин В.Г., Шуклин В. Д., Фатьянов В. М., Барбин С. И., Умрихин В. В. Источник питания для магнетронной распылительной системы// Прибо153ры и техника эксперимента. 1990. N 3. С. 230.
- Данилин Б.С., Сырчин В. К., Неволин В. К. Исследование разряда в маг-нетронных системах ионного распыления//Электронная техника. Сер.З. 1977. Вып. 3. С. 37 44.
- Барбин С.И., Ландышев A.B., Умрихин В. В. и др. Исследование процесса магнетронно-ионного распыления теллурида свинца// Тез. докл. Всес.совещ. «Пленочные термоэлектрические преобразователи и устройства на их основе». Москва, 1988. С. 25.
- Лабунов В.А., Данилевич Н. И., Уксусов A.C., Минайчев В. Е. Современные магнетронные распылительные устройства// Зарубежная электронная техника. 1982. Вып. 10. С. З 62.
- Умрихин В.В., Репин В. Г. и др. Универсальный тиристорный регулятор температуры// В кн.: Ультразвук и термодинамические свойства вещества. Курск: КГПИ, 1985. С.168 172.
- Справочник по преобразовательной технике// Под ред. И. М. Чиженко. Киев: Техника, 1978.447 с.
- Аюров Г. А., Умрихин В. В., Вервейко В. Н. и др. Об автоматизации измерителя теплоемкости ИТС-400 на базе микро-ЭВМ «Искра-1256»// В кн.: Ультразвук и термодинамические свойства вещества. Курск: КГПИ, 1986. С.163−166.
- Умрихин В.В., Репин В. Г., Барбин С. И., Фатьянов В. М. Установка для автоматического измерения электросопротивления в интервале температур 20−1000 °СП Заводская лаборатория. 1984. Т.50. N8.- С.53−55.
- Павлов Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1975. 206 с.154
- Гетц Й. Шлифовка и полировка стекла. Л.: Стройиздат, 1967. 280 с.
- Чопра К., Дас С. Тонкопленочные солнечные элементы. М.: Мир, 1986. 435 с.
- Vossen J.L. Transparent conducting elestrodes, in: Physics of Thin Films. New York: Academic Press, 1977.
- Buchanan M. Preparation of conducting and transparent thin films of tin-doped indium oxide by magnetron sputtering// Appl. Phys. Lett. 1980. V.37. P.213.
- Webb J.B., Williams D.F. Summary abstrakt: Abrupt transition from insulation to highly conducting layers of ZnO by reactive magnetron sputtering//J.Vac.Sci. andTechnol. 1982. V.20. N3. P.467.
- Williams D.F., Buchanan M. Transparent and low-resistance films of ZnO prepared by RF magnetron sputtering// Appl.Phys.Lett. 1981. V.39. N8. P.640- 642.
- Howson R.P. Properties of conducting transparent oxide films produced by ion plating onto room-temperature substrates// Appl.Phys.Lett. 1979. V.35. N2. P.161 -162.
- Manifacter J.C. In203 (Sn) and Sn02 (Sb) Films. Application to solar energy converion. Part 2. Electrical and optical properties// Mat.Res.Bull. 1979. V.14. P.163 175.
- Дудонис Ю., Иотаутис А., Растянис В. Создание электропроводящих прозрачных слоев ионно-плазменным методом// В кн.: Физическая электроника. Вильнюс: 1980. С. 26 48.
- Shiller S., Heisig U., Steinfelder К., Strumfel J. Reactive DC high-rate sputtering with magnetron/plasmatron for industrial application// Vakuum -technik. 1981. V.30. N1. P.3−14.
- Shiller S., Beister G., W. Sieber W. Influence of deposition parameters on the optical and structural properties of titanium oxide films produced by reactive dc plasmatron sputtering// Thin Solid Films. 1981. V.86. P. l-7.155
- Чопра К.JI. Электрические явления в тонких пленках. М.: Мир, 1972. 435 с.
- Палатник Л.С., Фукс М. Я., Косевич В. М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок. М.: Наука, 1972. 320 с.
- Иевлев В.М., Трусов Л. И., Холмянский В. А. Структурные превращения в тонких пленках. М.: Металлургия, 1982. 248 с.
- Берри Р., Холл П, Гаррис М. Тонкопленочная технология. М.: Энергия, 1972. 336 с.
- Olson R. A parilen es electronikal alkalmazasai.// Finommechanika mikrotechnika, 1983. V.22. N 7. P.200 — 202.
- Oliver D.S., Vohl P., Aldrich R.E., Behrndt M.E., Buchan W.R., Ellis R.C., Genthe J.E., Goff J.R., Hou S.L., Mc Daniel G.//Image storage and optical readout in ZnS device// Appl. Phys. Lett. 1970. V.17. N 10. P.416 418.
- Tanguay A.R. Material requirement for optical processing and computing156devices// Opt.Eng.l985.V.24. N1. P.2 -18.
- Физика тонких пленок. T.8. M.: Мир, 1978. 359 с.
- Плазменная технология в производстве СБИС/Под ред. Н. Айнспрука, Д.Брауна. М.: Мир, 1987. 469 с.
- Сейдман JI.A., Спектор А. А. Низкотемпературное нанесение пленок двуокиси кремния //Электронная промышленность. 1988. В.7. С.13−14.
- Steenbeek К. The abrasion of hot Silicon target by reactive sputtering in Ar -02 // Thin Solid Films. 1985. V.123. N 2. P.239 244.
- Фартушная B.M., Фомин А. А. Осаждение пленок оксидов металлов магнетронным реактивным распылением// Электронная промышленность. 1991. В. 2. С. 24 -25.
- Brodcorb W., Salm J., Steinbeiss E. On problems of reaction kinetics in a magnetron sputtering system // Phys. State Solid. A. 1980. V. 57. N 1. P. K49 K53.
- Nowicki R.S. Properties of rf sputtered A1203 films deposited by planar magnetron // J.Vac.Sci.Technol. 1977. V. 14. N1. P.127 -133.
- Вертопрахов B.H., Сальман Е. Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах. Новосибирск: Наука, 1979. 336 с.
- Аскаров П.А., Евстронов В. В., Малкин А. С., Шерняков Ю. М. Криотер-мостат для оптических исследований в диапазоне температур 77- 400 К// ПТЭ. 1981. N 5. С.214−215.
- Захаров И.С., Кичуткин К. М., Скориков В. М., и др. Термостимулированные токи и термолюминесценция в легированных кристаллах типа силленита//Неорг. матер. 1985. Т.21. N 8. С.438−441.
- Захаров И.С., Скориков В. М., Петухов П. А. и др. Термостимулированные токи легированных кристаллов Bii2TiO20// ФТТ. 1985. Т.27. N 2. С.597−599.
- Захаров И.С., Акинфеев П. П., Петухов П. А., Скориков В. М. Определение некоторых электрофизических параметров кристаллов германата вис157мута// Известия вузов. Физика. 1978. N 3. С.121−124.
- Urbach F. Stimulationvon Halfttermspektren mit Hilfe von Glow-kurven// Phys.Stat.Solidi. 1962. V.2. N.10. P.1279 1298.
- Garlik G.F.J., Gibson A.F. The electron trap mechanism of luminescence in sulfide and silikate phospors// Proc. Phys. Soc. 1948. V.60A. Pt.6. N 342. P.574 590.
- Haering R.R., Adams E.N. Theoiy and application of thermally stimulated currents of photoconductors// Phus. Rev. 1960. V. 117. N 2. P.451−454.
- Pickard P. S., Davis M.V. Analysis of electron trapping in aluminia using thermally stimulated electrical currents// J.Appl. Phys. 1970. V.42. N 6. P.2636−2643.
- Halperin A., Braner A.A. Evaluation of thermal activation energies from glow curves//Phys. Rev. 1960. V.117. N 2. P.408−416.
- Abdel-Malik T.G., Abdeen A.M., Aly A.A. Thermally stimulated currents in metal free phtalocyanine single cristals// Phys. Stat. Solid. 1982. A. V.70. N 2. P.703−711.
- Lauer R.B. Electron effective mass and conduction band effective density of statesinBi12Si02o//J. Appl. Phys. 1978. V.45. N 4. P. 1794−1797.
- Петров М.П., Степанов С. И., Хоменко A.B. Фоточувствительные электрооптические среды в голографии и оптической обработке информации. Л.: Наука. Ленинградское отделение, 1983. 270 с.
- Захаров И.С. Оптико-электронные процессы в фоточувствительных электрооптических кристаллах типа силленита и многослойных структурах.: Дис. доктора физ.-мат.наук: Томск, 1985. 422 с.
- Захаров И.С., Спирин Е. А., Умрихин В. В. Сенсибилизация фоторефрак-тивных регистрирующих сред для обработки оптической информации/Известия Курск, гос. техн. универс. 1997. N 1. С.115 125.
- Захаров И.С., Спирин Е. А., Умрихин В. В. О температурной зависимости фототока в кристаллах типа силленита// Тез. Второй Всерос.научн.-техн.конф. «Электроника и информатика-97». Зеленоград: МГИЭТ, 1997. С. 87.
- Захаров И.С., Петухов П. А., Скориков В. М. Импульсная фотопроводимость в кристаллах германата висмута// Известия вузов. Физика. 1978. N5. С.132 134.
- Гудаев O.A. О типе основных носителей в кристаллах германата висму-та//Автометрия. 1980. N 1. С.106 108.
- Крылов В.И., Бобков В. В., Монастырный П. И. Вычислительные методы, том 1. М.: Наука, 1976. 304 с.
- Форсайт Дж., Малькольм М., Моулер К. Машинные методы математический вычислений. М.: Мир. 1980. 279 с.
- Шуп Т. Решение инженерных задач на ЭВМ: Практическое руководство. М.: Мир, 1982. 238 с.
- Трауб Дж. Итерационные методы решения уравнений. М.: Мир, 1985. 264 с.
- Захаров И.С., Кистенева М. Г., Умрихин В. В. Термостимулированный ток и фототок в легированных кристаллах титаната висмута// В кн.: Ультразвук и термодинамические свойства вещества. Курск: КГПИ, 1993. С. 75 87.
- Захаров И.С., Кистенева М. Г., Спирин Е. А., Умрихин В. В. Фотоэлектрические свойства кристаллов силленита, легированных цинком// В кн.: Ультразвук и термодинамические свойства вещества. Курск: КГПИ, 1994. С. 90 99.