Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами

Диссертация: Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Результаты исследования электрофизических свойств и особенностей отжига показывают, что при облучении высокоэнергетическими электронами, протонами или быстрыми нейтронами в соединениях InSb и GaSb вводятся радиационные дефекты как донорной, так и акцепторной природы, эффективность влияния которых на электрофизические свойства материала зависит от типа проводимости и уровня легирования исходного… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ В АНТИМОНИДАХ (In, Ga)-Sb
    • 1. 1. Антимонид индия (InSb)
      • 1. 1. 1. Электрофизические свойства облученного InSb
      • 1. 1. 2. Отжиг радиационных дефектов в InSb
      • 1. 1. 3. Трансмутационное легирование InSb
    • 1. 2. Антимонид галлия (GaSb)
      • 1. 2. 1. Электрофизические свойства облученного GaSb
      • 1. 2. 2. Отжиг радиационных дефектов
    • 1. 3. Цель и задачи исследования
  • ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Параметры исследуемых полупроводников
    • 2. 2. Характеристики исследуемых материалов
    • 2. 3. Методика измерения, облучения и отжига
      • 2. 3. 1. Измерение электрических параметров
    • 2. 3. 2. Измерение электрических параметров GaSb в условиях всестороннего сжатия
    • 2. 3. 3. Облучение электронами и протонами
      • 2. 3. 4. Облучение реакторными нейтронами
    • 2. 3. 5. Изохронный отжиг
  • ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В InSb
    • 3. 1. Электрофизические характеристики облученного InSb
    • 3. 1. 1. InSb, облученный электронами
      • 3. 1. 2. InSb, облученный ионами водорода
    • 3. 2. Нитевидные микрокристаллы InSb, облученные нейтронами
    • 3. 3. Уровни радиационных дефектов в InSb
    • 3. 4. Термическая стабильность радиационных дефектов в InSb
    • 3. 5. Выводы
  • ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В GaSb
    • 4. 1. Электрофизические характеристики облученного GaSb
      • 4. 1. 1. GaSb, облученный электронами
      • 4. 1. 2. GaSb, облученный ионами водорода
    • 4. 2. Уровни радиационных дефектов в GaSb
    • 4. 3. Радиационные дефекты в GaSb в условиях гидростатического сжатия
    • 4. 4. Термическая стабильность радиационных дефектов в GaSb
    • 4. 5. Выводы

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

5.1. Закрепление уровня Ферми в облученных соединениях группы III-Sb.75

5.2. Радиационные дефекты в условиях гидростатического сжатия.81

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

84

ЛИТЕРАТУРА

86

ПРИЛОЖЕНИЕ.93

Актуальность темы

Соединения на основе сурьмы — InSb и GaSb — являются представителями полупроводников группы III-V, характерной особенностью которых являются: малые значения ширины запрещенной зоны, высокие значения спин-орбитального расщепления валентных зон Лад, большие значения подвижности электронов, высокие значения барических коэффициентов ширины запрещенной зоны, низкие температуры плавления. Основной областью использования InSb и GaSb является производство датчиков Холла, фотоприемников среднего ИК-диапазона, включая устройства на основе квантовых точек InSb/GaSb, туннельных диодов, датчиков давления, а также применение данных материалов в твердых растворах полупроводников с близкими значениями постоянной решетки — AlSb, InAs.

Полупроводники (In, Ga)-Sb получают в виде объемных кристаллов, эпитаксиальных пленок и нитевидных микрокристаллов («усов»). Предполагается, что собственные несовершенства структуры — вакансии и антиструктурные дефекты — в антимонидах являются фактором, от которого в сильной степени зависят свойства материала. Так, особенностью GaSb является р~тип проводимости ростового материала, и для получения материала «-типа проводимости необходима его перекомпенсация примесями донорного типа. Поэтому исследованию собственных дефектов в облученных InSb и GaSb уделяется особое внимание, что определяет актуальность данной работы.

Облучение высокоэнергетическим частицами (электронами, ионами, нейтронами) может быть использовано как для контролируемого введения собственных дефектов решетки с целью их последующего изучения, так и в методах радиационной технологии — ионном и трансмутационном легировании полупроводников. Этим вопросам и посвящена данная работа.

Объект исследований

Объектом исследования являются объемные кристаллы InSb и GaSb п-ир-типа проводимости, полученные методом Чохральского, ядерно-легированные кристаллы «-InSb и нитевидные микрокристаллы w-InSb (Sn), полученные методом свободной кристаллизации из газовой фазы, облученные электронами интегральными потоками до 1×1019см» 2, протонами до 2хЮ16см'2 и быстрыми нейтронами до 3.1 *1016 см'2.

Научная новизна результатов работы

1. Обнаружено явление закрепления уровня Ферми в «предельном» положении Fun, в облученных большими интегральными потоками электронов, протонов и быстрых нейтронов кристаллах InSb и GaSb и выявлена связь величины Fliin с особенностями энергетического спектра данных соединений. В основу анализа экспериментальных данных положен принцип физико-химических аналогий, используемый при описании свойств материалов с родственным типом химических связей.

2. Установлена чувствительность удельного сопротивления облученных электронами кристаллов GaSb к гидростатическому сжатию при изменении энергетического положения уровня Ферми в пределах запрещенной зоны материала вследствие различного исходного уровня легирования и дозы облучения.

3. Определено условие высокой устойчивости электрофизических свойств микрокристаллов InSb (Sn) при реакторном облучении.

4. Обнаружены стадии отжига радиационных дефектов в интервале температур (20−500) °С в облученных электронами и протонами кристаллах InSb и GaSb различного исходного типа проводимости и уровня легирования.

Практическая значимость работы

Представленные в работе результаты исследований электрофизических свойств облученных электронами, протонами и быстрыми нейтронами соединений InSb и GaSb, данные по чувствительности облученных электронами кристаллов GaSb к гидростатическому сжатию и данные по термической стабильности радиационных дефектов в этих соединениях могут быть использованы при разработке методов ионного и трансмутационного легирования данных полупроводников, при радиационном модифицировании свойств (изменении удельного сопротивления, типа проводимости) данных материалов, при разработке сенсоров давления, при прогнозировании стойкости соединений InSb и GaSb к воздействию высокоэнергетического облучения.

Результаты исследований, вошедших в данную работу, получены при исполнении ГБ НИР по заказ-нарядам Министерства образования РФ, хоздоговорам с предприятиями Министерства химической промышленности СССР и проекта МТЦ № 1630 «Радиационно-стойкие полупроводники».

Научные положения, выносимые на защиту

1.При облучении в InSb и GaSb вводятся радиационные дефекты как донорной, так и акцепторной природы, эффективность влияния которых на электрофизические свойства данных соединений определяется уровнем легирования и типом проводимости исходного материала.

2. Облучение InSb и GaSb приводит к стабилизации (закреплению) уровня Ферми в «предельном» (стационарном) положении Fiim, вблизи потолка валентной зоны кристалла независимо от вида облучения и типа исходного материала.

3. Радиационные дефекты являются сильно локализованными («глубокими») состояниями, в формировании которых участвуют энергетические состояния всей зоны Бриллюэна кристалла.

4. Радиационные дефекты, как и термодефекты, в InSb и GaSb ответственны за р-тип проводимости материала. Образование радиационных дефектов донорного и акцепторного типов при облучении InSb подтверждается многократной п->р—>п->р конверсией типа проводимости при отжиге в интервале температур (20−500) °С.

Апробация работы

Результаты исследований докладывались на XII Международной конференции «Radiation physics and chemistry of inorganic materials» (Томск, Россия, 2003 г.), VIII Российской конференции «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V (GaAs-2002)» (Томск, 2002 г.), VIII Международной конференции «Физико-химические процессы в неорганических материалах» (Кемерово, Россия, 2001 г.), VII Международной конференции «Физико-химические процессы в неорганических материалах» (Кемерово, Россия, 1998 г.), II Всесоюзном семинаре «Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках» (Павлодар, 1989 г.), XIV семинаре «Взаимодействие радиационных и термических дефектов в полупроводниках» (Киев, 1988 г.), XIII семинаре «Радиационная физика полупроводников» (Новосибирск, 1987 г.).

Публикации

По тематике диссертации опубликовано 6 статей в рецензируемых научных журналах: Физика и Техника Полупроводников (3), Physica Status Solidi (1), Известия вузов. Физика (2) и 5 тезисов докладов на научных конференциях. В опубликованных работах автору принадлежат результаты, отображенные в выводах диссертации.

Личный вклад автора

Диссертационная работа — результат многолетних исследований автора, часть из которых выполнена лично автором, а часть совместно с сотрудниками отдела физики полупроводников ОСП «СФТИ ТГУ» (г.Томск). Автором проводилось планирование эксперимента, подготовка образцов для облучения, измерение свойств образцов до и после облучения и обработка экспериментальных данных. Автору принадлежит существенная часть результатов, опубликованных в совместных с другими исследователями работах, относящихся к анализу полученных данных, их обобщению и выводам.

Структура работы

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и приложения и содержит 104 страницы, включая 50 рисунков, 11 таблиц и список цитируемой литературы из 73 наименований.

Результаты исследования электрофизических свойств и особенностей отжига показывают, что при облучении высокоэнергетическими электронами, протонами или быстрыми нейтронами в соединениях InSb и GaSb вводятся радиационные дефекты как донорной, так и акцепторной природы, эффективность влияния которых на электрофизические свойства материала зависит от типа проводимости и уровня легирования исходного материала. Облучение высокоэнергетическими частицами приводит к стабилизации («закреплению») уровня Ферми в «предельном» положении вблизи потолка валентной зоны, независимо от типа проводимости и вида легирующей химической примеси. Предполагается, что при радиационном воздействии, когда формируется большой набор собственных дефектов решетки, в полупроводнике протекает процесс радиационной самокомпенсации, эффективность которого определяется как условиями облучения, так и исходным уровнем легирования материала [57]. При этом электрическая активность исходного полупроводника может уменьшаться при захвате свободных электронов или дырок радиационными акцепторами или донорами, соответственно, либо увеличиваться вплоть до конверсии типа проводимости в результате облучения, например, в случае облучения исходного п-GaSb. В конечном счете, при облучении уровень Ферми всегда закрепляется в предельном" положении Fiim, характерном для каждого полупроводника. Это указывает на то, что в таком материале степень взаимной компенсации радиационных доноров и акцепторов должна быть близка единице даже в том случае, когда «предельные» электрофизические свойства облученного полупроводника соответствуют вырождению материала, например для

1 О -5 облученного GaSb, где £>ит" 2.5×10 см". Степень компенсации такого материала после облучения будет определяться только исходным уровнем легирования полупроводника и дозой облучения (соотношением между плотностью радиационных дефектов и плотностью легирующей химической примеси). В целом это соответствует результатам исследований других облученных полупроводниковых материалов группы III-V.

Особенностью соединений InSb, GaSb и AlSb по сравнению с нитридами, фосфидами и арсенидами группы полупроводников III-V является то, что в результате облучения данные материалы приобретают р-тип проводимости, в то время как соединения III-(N, Р, As) при облучении приобретают тип проводимости близкий к собственному типу в случае A1N, GaN, GaP, GaAs, AlAs и другие, «-тип проводимости для InP, либо п±тип проводимости в случае облучения InN и InAs. Для оценки величины Fijm в антимонидах используем несколько модельных подходов.

Облучение высокоэнергетическими частицами приводит к разрыву химических связей и формированию дефектов оборванных связей, таких как вакансии, антиструктурные дефекты (дефекты антизамещения), междоузельные атомы. Рассмотрим один из основных дефектов в решетке облученного полупроводника — вакансию. В тетраэдрических полупроводниках при образовании собственного дефекта на ближайших к вакансии атомах появляются оборванные sp2 ~ гибридные связи с энергией, зарядовое состояние которых ± или 0 определяется положением уровня Ферми относительно энергии, так что условию электронейтральности этого состояния соответствует выражение

F = = (?hA + Ehc)/2, где Eh = (Es + 3Ер)/4, здесь Es и Ер энергии sи рорбиталей анионов (А) и катионов ©, соответственно. Поэтому энергию можно отождествить с положением Fijm в облученном полупроводнике [39]. Тогда можно записать, что относительно потолка валентной зоны полупроводника

Еы = = ЕШ-<�Еь>, где

Е (Г^) = (£ра + Ерс + X, а + Л с)/2 — РРА — £рс + Я, а + Д с)2/4 + Гхх2]½. При оценках учтен вклад спинорбитального расщепления валентной зоны

А р полупроводника ДА = Ag0 /3 и /1с = Ago /3 [67] в величину А,. Здесь, VXK=Axxh2/4n2md1, Ахх — эмпирический матричный элемент межатомного взаимодействия равный 2.16 для орбиталей Хермана — Скиллмана (ХС) и 1.28 — для орбиталей Хартри-Фока (ХФ) [68]. Хотя оценочные значения Дх. ф и Дхс (табл. 5.1) не точны для каждого отдельного полупроводника, они выявляют физический смысл величины Fim и воспроизводят «химические» тенденции в ее изменении в исследованных материалах.

В табл. 5.1 также представлены значения «нейтральной» точки кристалла для InSb, GaSb и AlSb, отождествляемой с положением FVm в облученных полупроводниках [39] и оцененной в рамках моделей амфотерного дефектного уровня? adl [12], наиболее «глубоко» дефектного уровня EDDL [49] и энергетического уровня <�Е0>/2 [57], где — средний энергетический интервал между нижней зоной проводимости и верхней валентной зоной в пределах первой зоны Бриллюэна кристалла (средняя изотропная энергетическая щель). Эти расчетные модели показывают удовлетворительное соответствие с экспериментальными значениями F\m в исследованных материалах.

При отождествлении «нейтральной» точки кристалла с энергетическим положением Fnm в облученном материале в моделях [12, 39, 49] собственные дефекты кристалла присутствуют в решетке полупроводника «по умолчанию», т. е. их природа и электронная структура в каждом конкретном случае остается неизвестной. В работе [69] был выполнен расчет энергетических уровней нейтральных вакансий анионов Уд, катионов Vc и антиструктурных дефектованион на месте катиона Ас и катион на месте аниона СА в группе полупроводниковых соединений III-V. Точечные дефекты такого типа образуются как основные дефекты в бинарных полупроводниках при электроном (1−2 МэВ) и гамма — облучении, а также присутствуют в материале при других типах высокоэнергетического воздействия. По результатам этого расчета с учетом энергетического положения уровней дефектов, а также их донорной и акцепторной природы, было оценено энергетическое положение уровня зарядовой нейтральности для этих простейших дефектов <�Е L>, которое можно отождествить с положением F|im в облученном полупроводнике. Эти данные, представленные в табл. 5.1, также качественно коррелируют с экспериментальными и расчетными значениями величины Fiim, полученными в других моделях.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. При облучении InSb и GaSb вводятся радиационные дефекты как донорной, так и акцепторной природы, эффективность влияния которых на электрофизические свойства полупроводника определяется уровнем легирования и типом проводимости исходного материала. Поэтому радиационное модифицирование является процессом самокомпенсации материала, при котором плотности радиационных доноров и акцепторов в условиях высокодозового облучения близки. Эта компенсация тем более точна, чем выше доза облучения и ниже уровень исходного легирования материала химическими примесями.

2. Высокоэнергетическое облучение приводит к закреплению уровня Ферми в «предельном» положении FVim вблизи потолка валентной зоны в соединениях InSb и GaSb, что обусловлено особенностями энергетических зонных спектров данных полупроводников, а именно, высокими значениями спин — орбитального расщепления их валентных зон по отношению к величине минимальной запрещенной зоны. Такая особенность соединений на основе Sb приводит к «выталкиванию» потолка валентной зоны в направлении уровня Fiim, что обеспечиваетр-тт проводимости данных материалов после облучения.

3. Выявлена область высокой (Ес F >Еу) чувствительности удельного сопротивления р к всестороннему сжатию в облученном электронами GaSb, что является следствием «закрепления» уровней РД относительно потолка валентной зоны в данном соединении. Это предполагает, что РД являются сильно локализованными («глубокими») состояниями независимо от их расположения в запрещенной зоне кристалла, в формировании которых участвуют состояния всей зоны Бриллюэна полупроводника.

4. При нагреве облученных образцов InSb и GaSb в интервале температур (20−500)°С обнаружены стадии отжига дефектов донорного и акцепторного типа, что подтверждает одновременное образование радиационных доноров и акцепторов в результате облучения. При этом отжиг облученного InSb выявляет многократную п->р—>п->р конверсию типа проводимости вследствие последовательного смещения уровня Ферми к краям запрещенной зоны материала при селективном отжиге радиационных доноров и акцепторов.

5. Отмечено, что термодефекты и радиационные дефекты в кристаллах InSb и GaSb ответственны за р — типа проводимости материала, а в случае GaSb такими свойствами обладают и ростовые дефекты. Такие особенности соединений (In, Ga)-Sb обусловлены тем, что их «нейтральная» точка, тождественная уровню Fim, располагается вблизи потолка валентной зоны данных соединений, что обуславливает высокую эффективность образования собственных дефектов с энергетическими уровнями в нижней половине запрещенной зоны данных материалов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Cleland J.W., Crawford J.H., Jr. Radiation Effects in 1. dium Antimonide // Phys. Rev.-1954.- V.93, № 4.- P. 894−895.
  2. Aukerman L.W. Radiation Effects // Semiconductors and Semimetals / ed. Willardson R.K. and Bear A.C.-N.Y: AP, 1968.- P. 343−409.
  3. Koumitzi S.D. Evidence of a radiation induced defect level in «-type InSb // Sol. State Commun.- 1987.- V.64,N8.-P. 1171−1173.
  4. H.A., Машовец T.B., Оганесян O.B., Бахбухчан Н. Х. Кинетика изменения концентрации носителей заряда в антимониде индия при облучении электронами с энергией 50 МэВ // Физ. Техн. Полупров.- 1978.- Т. 12, в.9.- С. 1861−1862.
  5. Е.П., Дмитриев В. В., Заитов Ф. А., Кольцов Г. И., Ладыгин Е. А. Электрофизические свойства антимонида индия «-типа, облученного быстрыми электронами // Физ. Техн. Полупров.- 1986.- Т.20, № 10.- С. 1787−1790.
  6. Л.К., Курдиани Н. И. О разупорядоченных областях в InSb, обусловленных облучением быстрыми нейтронами // Физ. Техн. Полупров.- 1967.-Т.1, № 5.- С. 646−648.
  7. Baramidze N.V., Bonch-Bruevich V.L., Georgadze М. Р, Kurdiani N.I. Electrical Properties of InSb Irradiated with Fast Neutrons // Phys. Stat.Sol.(b).- 1982.- V.110, № 1.-P. 33−37.
  8. Gossik B.R. Disordered Regions in Semiconductors Bombarded by Fast Neutrons // J.Appl. Phys.- 1959.- V.30, № 8.- P. 1214−1218.
  9. Л.К., Курдиани Н. И. Электрические свойства сурьмянистого индия, облученного нейтронами при 77 К и электронами при 300 К // Физ. Тверд. Тела.-1965.- Т.7, № 9.- С. 2749−2753.
  10. Н.Г., Миркурисов Д. И., Соловьев С. П. Электрофизические свойства InSb, облученного быстрыми нейтронами реактора// Физ. Техн. Полупров.- 1999.-Т.ЗЗ, в. 8.- С. 927−930.
  11. Stein HJ. Fast Neutron Irradiation of InSb // Bull.Am.Phys.Soc., Ser.II.- 1962.- V.7, № 8.- P. 543.
  12. Brudnyi V.N., Grinyaev S.N., Stepanov V.E. Local neutrality conception: Fermi level pinning in defective semiconductors // Physica B: Condense Matter. -1995.- V.212.-P. 429−435.
  13. Eisen F.H., Bickel P.W. Electron Damage Threshold in InSb // Phys, Rev.- 1959.-V.115, № 2.- P.345−346.
  14. Eisen F.H. Orientation Dependence of Electron Radiation Damage in InSb // Phys.Rev.- 1964.- V.135, № 5A.- P. A1394-A1399.
  15. Eisen FM Recovery of Electron Radiation Damage in n-type InSb // Phys.Rev.-1961.- V.123, №.3.- P. 736−744.
  16. Ф.А., Исаев Ф. К., Поляков А. Я., Кузьмин А. В. Влияние проникающей радиации на свойства антимонида и арсенида индия.- Баку: Элм, 1984.- 205 с.
  17. B.C., Ольховникова Т. И., Селянина В. И., Фомин В. Г. Влияние некоторых дефектов роста на изменение типа проводимости InSb при термообработке // Электронная техника, серия 6. Материалы.- 1972.- В.1.- С. 71−77.
  18. Ш. М., Нанобашвили Д. И., Размадзе З. Г. О возможности трансмутационного легирования антимонида индия // Физ.Тверд.Тела.- 1965, — Т.7, №.12.- С. 3566−3570.
  19. Kucher F., Fantner Е., Bauer G. Systematic Control of Doping Characteristics of n-InSb by Nuclear Reactions // Phys. Stat. Sol.- 1974.- V.24, № 2.- P. 513−518.
  20. Н.Г., Миркурисов Д. И., Соловьев С. П. Электрофизические свойства ядерно-легированного InSb // Физ. Техн. Полупров.- 1999.- Т. З, № 7- С. 774- 777.
  21. Н.Г. Ядерное легирование и радиационное модифицирование полупроводников: состояние и перспективы // Известия вузов. Физика.- 2003.- № 6.-С. 12−20.
  22. Nakashima К. Electrical and optical studies in gallium arsenide // Jap. J. Appl.Phys.-1981.- V.20, № 6.- P. 1085−1094.
  23. B.H. Определение параметров собственных акцепторов в нелегированном GaSb // Изв. АН СССР. Неорганические материалы, — 1978.- Т. 14, № 3.- С. 401−406.
  24. Н.Х., Колокольцев В. Н., Скуднова Е. В. Введение радиационных дефектов в антимонид галлия, легированный цинком и теллуром // Свойства легированных полупроводников.- М.: Наука, 1977.- С. 183−189.
  25. Kaiser R., Fan H.Y. Optical and electrical studies of electron bombarded GaSb // Phys. Rev.- 1965.- V.138, № 1A.- P. 156−161.
  26. Poujade A.M., Albany H.J. Conversion do type n au type p, har irradiation electronique, de Tantimoniure de gallium dope au tellure: etude par conductibilite thermique // C.r. Acod.Sci.- 1970.- V.270, № 13.- P. 840−873.
  27. H.X., Колокольцев B.H., Скуднова E.B. Воздействие электронного облучения на нелегированный GaSb // Физика и химия обработки материалов.-1974,-№ 6.- С. 21−24.
  28. Thommen К. Energy and orientation dependence of electron-irradiation-induced damage in undoped GaSb // Phys. Rev.- 1968.- V.174, № 3, — P. 938−945.
  29. Thommen K. Effect of low-temperature electron irradiation on the electrical properties of undoped GaSb // Phys. Rev.- 1967.- V.161, № 3, — P. 769−778.
  30. H.X., Колокольцев B.H., Скуднова E.B. Отжиг радиационных дефектов в р- GaSb / Изв. АН СССР. Неорганические материалы.- 1976.- Т. 12, № 6.-С. 1017−1020.
  31. Н.Х., Колокольцев В. Н., Скуднова Е. В. Взаимодействие примесей акцепторного и донорного типов с радиационными дефектами в антимониде галлия //Свойства легированных полупроводников.- М.: Наука, 1977.-С. 137−152.
  32. Н.Х., Колокольцев В. Н., Скуднова Е. В. Влияние легирующих примесей акцепторного и донорного типа на отжиг радиационных дефектов в антимониде галлия // Космическое материаловедение и технология.- М.: Наука, 1977.- С. 90−94.
  33. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology. Ed. Madelung O. // Group III: Crystal and Solid State Physics. Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg.- 1987, — V.22.- 451 p.
  34. Gertenberg H., Glaser W. Transmutation doping and lattice defects degenerate InSb // Phys.St.Sol. (a). 1990.-V. 118,№ 1.-P. 241−252.
  35. Е.И. Методы исследования эффекта Холла.- М.: Сов. Радио, 1974.- 328 с.
  36. П.С. Физика полупроводников.- М.: Высшая школа, 1969 590 с.
  37. .М. Кинетические эффекты в полупроводниках. Ленинград: Наука, 1970.- 304 с.
  38. В.Н. Радиационная модификация и дефекты некоторых алмазоподобных полупроводников сложного состава. // Дис. на соискание ученой степени доктора физ.-матем. наук. Томск, ТомГУ.-1993.- 383 с.
  39. Дж. Ядерное излучение и защита в космосе.-М.:Атомиздат, 1971.-320 с.
  40. Блаут-Блачев А.Н., Ивлева B.C., Кеворков М. Н., Пепик Н. И., Попков А. Н., Селянина В. И. Влияние термообработки на свойства InSb, легированного Ge, Zn, Mn, Cd // Изв. АН СССР. Неорг. Матер.- 1977.- Т.13, № 4.- С. 620−622.
  41. Oszwaldowski М., Berus Т. Effect of tin doping on InSb thin films. // Thin Solid Films.-1989.-V.172.-P. 71−80.
  42. B.H., Каменская И. В., Колин Н. Г. Электрические свойства сильнооблученного InSb // Материалы 2-го Всесоюзного семинара «Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках». АН СССР, Павлодар.-1989. часть 2.-С. 140−144.
  43. В.Н., Каменская И. В., Колин Н. Г. Электрофизические свойства InSb, облученного электронами при 300 К // Изв.вузов. Физика. -1991, — Т.34, № 7.-С. 99−103.
  44. Брудный В. Н, Бойко B. M, Каменская И. В, Колин Н. Г. Электрофизические характеристики и предельное положение уровня Ферми в InSb, облученном прогонами // Физ. Техн. Полупр.- 2004.- Т.38, в. 7.- С. 802−807.
  45. Большакова И. А, Бойко В. М, Брудный В. Н, Каменская И. В, Колин Н. Г, Макидо ЕЛО, Московец Т. А, Меркурисов Д. И. Влияние нейтронного облученияна свойства нитевидных микрокристаллов «-InSb // Физ. Техн. Полупр.- 2005.-Т.39, в.7.- С. 814−819.
  46. Brudnyi V.N., Grinyaev S.N., Kolin N.G. A model for Fermi-level pinning in semiconductors: radiation defects, interface boundaries. // Phys. B: Condense Matter-2004.- V.348.- P. 213−225.
  47. B.H., Гриняев C.H., Катаев С. Г. Стабилизация уровня Ферми в облученных полупроводниках// Материалы 2-го Всесоюзного семинара «Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках».- АН СССР, Павлодар.- 1989.-Ч. II.-С.145−150.
  48. Н.Б., Дмитриев В. В., Ладыгин Е. А., Скипетров Е. П. Влияние давления на электрофизические свойства антимонида индия р-типа, облученного быстрыми электронами // Физ. Техн. Полупр.- 1987.-Т.21, в.З.-С. 514−520.
  49. В.Н. Исследование радиационных дефектов в полупроводниках в условиях гидростатического сжатия // Физ. Техн. Полупров.- 1999-Т.ЗЗ, Вып. 11.-С. 1290−1294.
  50. Т.В., Хансеваров Р. Ю. Низкотемпературное у-облучение и отжиг сурьмянистого индия / Радиационная физика неметаллических кристаллов, — Киев.: Наукова Думка, 1967.- С. 200−206.
  51. Myhra S. Radiation damage and recovery effects in p-type InSb // Radiation Effects.-1981.- V.59, № 1−2.- P. 1−6.
  52. В.В., Скипетров Е. П. Глубокий радиационный уровень в антимониде индия «-типа, облученном электронами// Физ. Техн. Полупров.- 1990.-Т.24, в.5.-С.897−901.
  53. В.Н., Колин Н. Г., Смирнов JI.C. Модель самокомпенсации и стабилизация уровня Ферми в облученных полупроводниках // Физ. Техн. Полупр.-2007.- Т.41, Вып.9.- С. 1031−1040.
  54. Brudnyi V.N., Kamenskaya I.V. The Electrical Properties and Fermi Level Pinning in Proton-Irradiated GaSb //Phys.Stat.Sol (a). 1988.- V.105.- P. K141-K144.
  55. В.Н., Каменская И. В. Электрофизические свойства антимонида галлия, облученного ионами водорода // Известия вузов. Физика. Деп. в ВИНИТИ, № 104-В88.- 1988.
  56. В.Н., Каменская И. В. Радиационная модификация свойств антимонида галлия// Материалы 7-ой Международной конференции «Физико-химические процессы в неорганических материалах.- Кемерово.- (6−9) октября 1998.-4.IL-С. 18−19.
  57. В.Н., Каменская И. В. Исследование радиационных дефектов в полупроводниках в условиях всестороннего сжатия // Физ. Техн. Полупр.- 1999.-Т.ЗЗ, в. 11.-С. 1290−1294.
  58. И.В. Радиационные дефекты в антимониде галлия // Материалы 8-ой Международной конференции «Физико-химические процессы в неорганических материалах». Кемерово.- (9−12) октября 2001.- Ч.1.- С. 54−55
  59. Murewala Р.А., Arora В.М., Chadvankar S.S. Low Temperature Electron Irradiation Induced Defects inn- GaSb //Mater.Sci.Forum.- 1986.- V. 10−12, № 3.- P. 1069−1073.
  60. Leifer H.N., Dunlap W.C. Some properties of p-tipe GaSb between 15 К and 925 К // Phys.Rev.-1954.-V.95, № 1, — P. 51−56.
  61. В., Яковец В., Пилкун С. Излучательная рекомбинация с участием акцепторов в GaSb // Изв. АН СССР. Сер. Физика.- 1973.- Т.37, № 3.-С. 570−572.
  62. Р.А. Квантово-химические методы в теории твердого тела.-Ленинград: ЛГУ, 1982.- 279 с.
  63. Chadi D.J. Spin-orbit splitting and compositionally disordered semiconductors // Phys. Rev. B.-1977.- V.16, N2.-P. 790−796.
  64. B.H., Гриняев C.H., Колин Н. Г. Корреляция положения глубоких уровней собственных точечных дефектов с «предельным» положением уровня Ферми в облученных полупроводниках группы III-V // Изв. Вузов. Физика.- 2007.-Т.50, № 5.- С. 17−22.
  65. Brydnyi V.N., Grinyaev S.N., Stepanov V.E. Local neutrality conception: Fermi level pinning in defective semiconductors // Physica B. Condensed Matter 1995.- P. 429−435.
  66. Van de Walle C.G. and Neugebauer J. Universal alignment of hydrogen levels in semiconductors, insulators and solutions // Nature.- 2003.- V.423, № 5.- P. 626−628.
  67. H.B., Машовец T.B. Самокомпенсация в полупроводниках // Физ. Техн. Полупр.- 1994.-Т. 28, в. 9.- С. 1505−1534.
  68. Cardona М. Christensen N.E. Acoustic deformation potentials and heterostructure band offsets in semiconductors // Phys. Rev. B. 1987.- V.35, № 12.- P. 6182−6194.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?