Образование и свойства электрически активных кислородосодержащих дефектов в термообработанных и облученных кристаллах германия
Диссертация
К настоящему времени наиболее полно изучены оптические свойства кислорода и кислородосодержащих комплексов, образуемых при облучении германия высокоэнергетическими частицами /6/. Тем не менее микроструктура и электрические свойства кислородосодержащих радиационных дефектов остаются неустановленными. Известным является и образование в германии кислородосодержащих термодоноров /8−11/, с которыми… Читать ещё >
Содержание
- ГЛАВА I. РОЛЬ КИСЛОРОДА В ОБРАЗОВАНИИ ТЕРМИЧЕСКИХ И РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ГЕРМАНИИ (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ)
- 1. 1. Основные физические свойства кислорода в германии
- 1. 2. Природа и свойства кислородосодержащих термодоноров
- 1. 2. 1. Кинетика образования и структура
- 1. 2. 2. Оптические свойства
- 1. 2. 3. Спектр энергетических уровней
- 1. 2. 4. Долговременные релаксации неравновесной проводимости
- 1. 2. 5. Взаимодействие с радиационными дефектами
- 1. 2. 6. О механизме образования термодоноров в германии
- 1. 3. Образование и отжиг ки с лор одос одержащих радиационных дефектов
- 1. 3. 1. Данные ИК-поглощения, ЭПР и фотолюминесценции
- 1. 3. 2. Результаты фотоэлектрических измерений. 50 Заклшение
- 2. 1. Измерение температурных и временных зависимостей постоянной Холла и проводимости
- 2. 2. Определение параметров дефектов
- 2. 2. 1. Расчет температурных зависмостей концентрации носителей (ТЗКН)
- 2. 2. 2. Анализ ТЗКН методом наименьших квадратов
- 2. 3. Образцы, облучение, термообработка
- 3. 1. Природа ДРНП и спектр энергетических уровней термодоноров
- 3. 2. Перестраивающиеся термодоноры как центры с отрицательной эффективной корреляционной энергией Хаббарда
- 3. 3. Кинетика ДРНП и ее описание
Список литературы
- Piedmont J.R., Riorden R.J. The supply of germanium forfuture word demands. Proc. Soc. Photo — Opt. Instrum. Eng., 1979, v.164, p. 216 — 222.
- Ровинский P.E., Рогалин B.E., Шершель В. А. Оптические свойства и области применения полупроводниковых монокристаллов германия. Изв. АН СССР, сер. физ., 1983, т.47, Ш, с. 406−409.
- Дудник Е.П., Кузнецов А. С., Левинзон Д.И.Применение способа Степанова для получения крупногабаритных профилированных монокристаллов германия. Изв. АН СССР, сер. физ., 1976, т.40, Ш, с. 1332 — 1336.
- Haller Е.Ё. Defects in germanium: new results and novel: .methods. В кн.: Труды Межд. конф. по радиац. физике полупро-водн. и родств. матер. — Тбилиси: Т61У, 1980, с. 233 — 248.
- Шершель В.А., Левинзон Д. И., Макаров Г. Г., Сачков Г. В. К вопросу о получении германия с пониженным содержанием кислорода.- Изв. АН СССР, сер. физ., 1969, т.33, И2, с. 2025 2026.
- Whan R.E. Investigations of oxygen-defect interactions between 25 and 700 К in irradiated germanium. Phys. Rev., 1965, v.140, а 2A, p. 690 — 698.
- Brand S., Jaros M. Electronic properties and stability of first-row impurities in semiconductors. Phil. Mag. B, 1983, v.47, U 2, p. 199 — 210.
- Глазов B.M., Земсков B.C. Физико-химические основы легирования полупроводников. М.: Наука, 1967. — 371 с.
- Емцев В.В., Машовец Т. В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и. связь, 1981. -.248 с.
- Гончаров Л.А., Леонов П. А., Хорват A.M. Поведение кислорода в. германии. В кн.: Свойства легированных полупроводников. -М.: Наука, 1977, с. 9 — 16.- 188
- Puller G.S., Kaiser W., Thur mond C.D. Donor equilibria in the germanium oxygen system. — J.Phys. Chem. Sol., 1960, v.16,
- U ½, p. 161 163 — 1−961, v. 17, IT ¾, p. 301 — 307:.
- Puller C.S., Dolei&en P.H. The ionisation behavior of donors formed from oxygen in germanium. J. Phys. Chem. Sol., 1961, v.19, N ¾, P. 251 — 260.
- Bioem J., Haas C., Penning P. Properties of oxygen in germanium. J. Phys. Chem. Sol., 1959, v.12, H ½, p. 22 — 27.
- Гончаров Л.А., Ильин M.A., Рашевская Е. Д., Хорват A.M., Леонов П. А. Влияние кислорода на свойства . Изв. АН СССР, неорган, материалы, 1976, т.12, М, с. 9 — II.
- Емцев В.В., Гончаров Л. А., Достходжаев Т.Н./Кислород в германии и его взаимодействие с точечными дефектами. Физ. и техн. полупроводников, 1978, т.12, в.1, с. 139 — 144.
- Бокий Г. Б. Кристаллохимия. М.: Наука, 1971, — 400 е.
- I
- Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. M.: Мир, 1969. -654-е.
- Kaiser W., Thurmond C.D. Solubility of oxygen in germanium. -" J. Appl. Phys., 1961, v.32, N 1, p. 115 118.
- Millett E.J., Wood L.S., Bew G. Oxygen in germanium by vacuum fusion and infra-red absorption. Brit. J. Appl. Phys., 1965, v. 1:6, N 10, p. 1593 — 1594.
- Thurmond C.D., Guldner, W.G., Beach A.L. Hydrogen. and oxygen in single-crystal germanium as determined by vacuum fusion gas analysis. J. Electrochem. Soc., 1956, v.103, N 11, p. 603 605.
- Aleksandrova G.I., Shmanenkova G.I., Shchulepnikov M.N., Kond-ratiev L.G. Analyse De Metaux Rares et de Materiaux semiconductors A L7 aide De L’activation aux Helious-3 et aux Neutrons Thermigues. J. Radional. Chem., 1974, v.19, N 1, p. 65 -75.
- Александрова Г. И., Гончаров Л. А., Ильин М. А., Рашевская Е. П., Леонов П. А., Хорват A.M. Определение кислорода в германии. -Зав. лабор., 1976, т.42, № 9, с. 1079 1081.
- Pell Е.М. Solubility of lithium in germaiiium. J. Phys. Chem. Sol., 1957, v.3, U ½, p. 74 — 76.
- Pox R.J. Lithium drift rates and oxygen contamination in germanium. IEEE Trans. Nucl. Sci, 1966, NS-13, p. 367 — 369.
- Souhgate P.D. Temperature dependence of internal friction in germanium. Phys. Rev., 1958, v. 11:0, N 4, p. 855 — 857.
- Шершель В.А. Исследование электрофизических свойств германия с примесью кислорода.: Автореферат Дис.. канд. физ.~ мат. наук. Киев, 1970. — II с.- 190
- Darken L.S. Oxygen equilibrium between germanium and gas over melt during growth. J. Electrochem. Soc., 1979″ v.126, N 5, p. 827 — 833.
- Darken L.S. The measurement of low levels of oxygen in germanium by the lithium precipitation technique. J. Electrochem. Soc., 1982, v.129, N 1, p. 226— 227.
- Puller G.S., Wolfstim K.B. Kinetics and equilibria involving copper and oxygen in germanium. J. Appl. Phys., 1962, v.34, N 1., p. 438 — 446.
- Edwards W.D. Interaction between oxygen and aluminium in germanium.- J. Appl. Phys., 1963, v.34, N 8, p. 2497 2498.
- Elliott G. Oxygen as donor element in germanium. Nature (London), 1957, v.180, N 14, p. 1350 — 1351.
- Быковский В.A., ?4удрыйА.В., Поскребышев. В. П. Излучательная рекомбинация на термических дефектах в германии, легированном кислородом. Физ. и техн. полупроводников, 1982, т.16, в.2, с. 351 — 353.
- Fuller C.S. Kinetics of donor reactions, in oxygen-doped germanium.- J. Phys. Chem. Sol., 1961, v.19, N ½, p. 18 28.
- Гончаров Л.А., Леонов П. А., Хорват A.M. Электрические свойства германия, легированного кислородом. Физ. и техн. полупроводников, 1976, т.10, в.5, с. 981 — 984.
- Clauws P., Broeckx J., Simoen Е., Vennik J. DLTS and PTIS of new donors in oxygen-doped germanium. Sol. State Gommun., 1982, v.44, N 7, p. 1011 — 1014.
- Lang D.V. Deep level transient spectroscopy: a new method characterize traps in semiconductors. J. Appl. Phys., 1974, v.45, N 7, p. 3023 — 3032.- 191
- Kogan Sh.M., Lifshits T.M. Photoelectric spectroscopy a new method of analysis of impurities in semiconductors. -Phys. stat. sol.(a), 1977, v.39, N 1, p. 11 — 39.
- Y/ruck D., Gaworzewski P. Electrical and infrared spectroscopic investigations of oxygen-related donors in silicon. -Phys. stat. sol.(a), 1979, v.56, N 2, p. 557 564.
- Adachi E. Slow photoconductivity relaxation in oxygen-doped n-germanium. J. Appl. Phys., 1967, v.38, N 4, p. 1972.
- Шик А.Я.,"Byль А. Я. Долговременные релаксации проводимости в полупроводниках. Физ. и техн. полупроводников, 1974, т.8,, в.9, с. 1675 — 1682.
- Hiraki A.", Fukuhaga К. Electron irradiation of germanium containing unusual donors and acceptors. Ins Defects. in semiconductors: London-Bristol, 1972, p. 335 — 340.
- Gleland J.W., James.F.J., Westbrook R.D. Defect-impurity interactions in irradiated germanium. IEEE Trans. Nucl. Sci, 1975, v.22, H6, p. 2289 — 2294.
- Баранский П.И., Найдученко В. В., Шершель В. А. Анизотропия эффекта Холла в 2Г- облученном п-бе с примесью кислорода. -Укр. физ. журнал, 1970, т. 15, с. 1194 1197.
- Баранский П.Й., Пеллер В.В.', Шершель В. А. Анизотропия холлов-ской подвижности носителей тока в -у- облученном п-ве с примесью кислорода. Укр. физ. журнал, 1972, т.17, № 5,с.834−835.- 192
- Soma. Т., Morita A. Perturbation theory of covalent crystals. III. Calculation of formation and. migration energies of a vacancy in Si and Ge.-J. Phys! Soc. Jap., 1972, v.32,N2,p.357−364.
- Бабич B.M., Баранский П. И., Ильчишин В. А., Шершель В. А. Термоотжиг и электрическая активность кислорода в &-е . Физ. и техн. полупроводников, 1974, т.8, в.6, — с. 1232 — 1235 .
- Бабич В.М., Баранский П. И., Ильчишин В. А., Шершель В. А. Об аномально большом магнитосопротивлении бездислокационных кристаллов n-Ge, обогащенных примесью кислорода. Физ. и техн. полупроводников, 1976, т.10, в.9, с. 1735 — 1738.
- Whan R.E. Optical studies of oxygen-defect complexes 'in ger-. manium. Bull. Am. Phys. Soc., 1964, v.9, ИЗ"'p. 278.
- Whan R.E. Compositions of oxygen-defect complexes in irradiated germanium. Bull. Am. Phys. Soc., 1965, v.10, N3, p.320.
- Whan R.E. Evidence for low-temperature motion of vacanciens in germanium. Appl. Phys. Lett., 1965, v.6, Ж 1,1,p. 221 223.
- Becker J.P., Corelli J.C. Infrared properties of 40−60 MeV electron-irradiated germanium. J. Appl. Phys., 1965, v.36, H 11, p. 3606 — 3609.
- Whan R.E. Oxygen-defect complexes in neutron-irradiated germanium. J. Appl. Phys., 1966, v.37, N 6, p. 2435 — 2439.
- Stein H.J. Localized vibrational modes for implanted oxygen in germanium. J. Appl. Phys., 1973, v.44, Ж 6, p. 2889 2890.
- Corbett J.W., Watkins G.D., Mc Donald R.S. Hew oxygen infrared bands in annealed irradiated silicon. Phys. Rev., 1964, v. 135, И 5A, p. A1.381 — A1388.- 193
- Corelli J.C., Oehler G.C., Becker J.F., Eisentraut K.J. Annealing of infrared defect absorption bands in 40-MeV electron-irradiated silicon. J. Appl. Phys., 1965, v.36, N 5, p. 1787 -1788.
- Callcott T.A., Mac Kay J.W. Irradiation damage in n-type germanium at 4,2 K. Phys. Rev., 1967, v.161, N 3, p. 698 — 710.
- Watkins G.D. EPR studies of the. lattice vacancy and low-tempe*-. rature damage processes in silicon. Ini Lattice Defects in Semiconductors: London-Bristol, 1975, p. 1 — 22.
- Baldwin J.A. Electron paramagnetic resonance in irradiated oxygen-doped germanium. J. Appl. Phys., 1965, v.36, N 3, P. 793 — 795.
- Baldwin J.A. Two new paramagnetic centers in irradiated, oxygen-doped germanium. J. Appl. Phys., 1965, v.36, К 6, p. 2079.
- Horiye H. Electron paramagnetic resonance in irradiated germanium. J. Appl. Phys., 1968, v.39, N 4, p. 2146 — 2147.
- Быковский В.A., Мудрый А. В., Поскребышев В. П., Ткачев В. Д. Фотолюминисценция германия, облученного у- квантами- Физ. и техн. полупроводников, 1983, т.17, в. З, с.479 483.
- Pigg J.C., Crawford J.H. Radiation effects and their annealing in gamma-irradiated Sb-doped germanium. Phys. Rev., 1964, v. 135, N 4A, p. A1141 — A11'50.
- Акимченко Й.П., Вавилов B.C., Плотников А. Ф. Спектры фотопроводимости кристаллов германия, легированных кислородом и облученных быстрыми электронами. Физ. тверд, тела, 1966, т.8, в.7, с. 1981 — 1984.- 194
- Ткачев В.Д., Уренев В. И. Влияние кислорода на образование радиационных дефектов в германии. Физ. и техн. полупроводников, 1971, т.5, в.8, с. 1622 — 1624.
- Cleland J.W. Radiation and annealing studies on oxygen-doped and lithium diffused germanium. IEEE Trans. Nucl. Sci., 1972, v.19, И 6, p. 224 — 229.
- Fukuoka N., Saito H., Tatsumi Y. The EQ- 0,20 eV level in germanium. In: Radiation Damage and Defects Semiconductors: London-Bristol, 1973, p. 328 — 334.
- Ткачев В.Д., Уренев В. И. Взаимодействие элементарных дефектов решетки с атомами донорной примеси в германии. Физ. и техн. полупроводников, 1971, т.5, в.8, с. 1516 — 1521.
- Витовский Н.А., Емцев В. В., Котина И. М., Машовец Т. В. Об одной закономерности радиационного дефектообразования в германии. Физ. и техн. полупроводников, 1971, т.5, в. II, с. 2231 2233.
- Гончаров Л.А., Емцев В. В., Машовец Т. В., Рыбкин С. М. О комплексах дивакансия донор в бескислородном германии, облученном у — лучами. — Физ. и техн. полупроводников, 1972, т.6, в.2, с. 424 — 426. '
- Cleland J.W., Crowford J.H., Holmes D.K. Effects of gamma radiation on germanium. Phys. Rev., 1956, v.102, IT 3, p. 722 724.
- Витовский Н.А., Максимов M. ., Машовец Т. В. Кинетика накопления радиационных дефектов в германии высокой чистоты при гамма облучении. — Физ. и техн. полупроводников, 1970, т.4, в.12, с. 2276 — 2284. «'
- Гершензон Е.М., Гольцман Г. Н., Емцев В. В., Машовец Т. В., Пти-цына Н.Г., Рывкин С. М. Роль примесей III и У групп в процессах образования дефектов при облучении германия. Письма в ЖЭТФ, 1971, т.14, в.6, с. 360 — 363.
- Емцев В.В., Машовец Т. В. О комплексах вакансия донор в германии. — Письма в ЖЭТФ, 1971, т.13, в.12, с. 675 -679.
- Машовец Т.В. Термодефекты в полупроводниках (обзор) Физ. и техн. полупроводников, 1982, т.16, в.1, с. 3 — 18.
- Kaiser W., Frisch. H.L., Reiss H. Mechanism of the formation of donor states in heat-treated silicon. Phys. Rev., 1958, v.112, N 5, p. 1546 — 1554.83. 1{учис E.B. Методы исследования эффекта Холла. М.: Советское радио, 1974. — 328 с.
- Debye Р.£., Conwell Е.М. Electrical properties on n-type Ge.~ Phys. Rev., 1954, v.93, H 4, p. 693 706.
- Прикладная электрохимия J Под редакцией А. Л. Ретиняна. Л.: Химия, 1974. — 536 с. I
- Еучинский П.В., Ломако В. М. Стабилизатор температуры в области 77 340 К. — Приб. и техн. эксперимента, 1976, М, с. 261 -'26'2.
- Абдурахманов К.П., Котов Б. А., Тадки Аглаева С.Г., Умаров Т. А. Управляемый стабилизатор температуры. — Приб. и техн. эксперимента, 1982, J6I, с. 241 — 242.
- Morin P.J. Lattice-scattering mobility in germanium. Phys. Rev., 1954, v.93, N 1, p. 62 — 63.
- Morin F.J., Maita J.P. Conductivity and Hall effect in the intrinsic range of germanium. Phys. Rev., 1954, v.94, N 6, p. 1525 — 1529.
- Минаев H.C., Поклонский H.A. Неравновесная стационарная функция распределения дефектов по зарядовым состояниям в полупроводниках. Вестн. Белорусского ун — та, 1975, сер.1, Ш, с. 66 — 68.
- Бонч Бруевич В. Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. — М.: Наука, 1977. — 672 с.- 126
- Блекмор Д. Статистика электронов в полупроводниках. М.: Мир, 1964. — 393 с.
- Мак Кракен Д.,' Дорн У. Численные методы и программирование на фортране. — М.: Мир, 1977. — 584 с.
- Баранский П.И., Клочков В. Г., Потыкевич И. В. Полупроводниковая электроника. Киев: Наукова думка, 1975. — 704 с.
- Химмельблау Д. Прикладное нелинейное программирование. М.: Мир, 1975. — 534 с.
- Амелинкс’С. Методы прямого наблюдения дислокаций. М.: Мир, 1968. — 440 с.
- Келли Б. Радиационное повреждение твердых тел. М.: Атомиз-дат, 1970. — 240 с.
- Дамаск А.', Дине 'Дж. Точечные дефекты в металлах. М.: Мир, 1966. — 292 с.
- Винецкий В.Л., Холодарь Г. А. Радиационная физика полупроводников. Киев: Наукова думка, 1979. — 336 с.
- Литвинов В.В., Супрун Белевич’Ю.Р., Уренев В. И. Перестройка донорных кислородных комплексов в германии. — В сб.: Тез. докл. Всесоюзного совещ. по кинетике и механизму реакций в твердом теле: Кемерово, 1981, с. 59 — 60.
- Литвинов В.В., Заневский В. Г. О спектре энергетических уровней кислородосодержащих термодоноров в германии. В сб.: Тез. докл. УН Республ. конф. мол. ученых по физике: Минск, 1982, с. 139." — 197
- Литвинов В.В., Уренев В. И. О зарядовом состоянии и спектре энергетических уровней кислородосодержащих термодоноров в германии. Физ. и техн. полупроводников, 1983, т.17,в.6, с. 1099 II0I.
- Литвинов В.В., Пальчик Г. В. Перестраивающиеся термодоноры в германии. В сб.: Материалы УШ Республ. конф. мол. ученых по физике: Минск, 1984, с. 72 — 74.
- Ньюмен Р., Тайлер В. Фотопроводимость германия. Успехи физ. наук, I960, т. ЯН, в. З, с. 587 — 626.
- Suchet J.P. Sur» le role de l’oxygene dans les cristaux de silicium. J. Ghim. Phys., 1961, v.58, N 4, p. 455 — 463.
- Henry C.H., Lang D.V. Nonradiative capture and recombination by multiphonon emission in GaAs and GaP. Phys. Rev., 1977, V. B15, N 2, p. 986 — 1016.
- Ткачев В.Д., Макаренко Л. Ф., Маркевич В. П., ОДурин Л.И. Перестраивающиеся термодоноры в кремнии. Физ. и техн. полупроводников, 1984, т.18, в. З, с. 526 — 531.
- Watkins G.D., Troxel J.R. Negative U properties for point defects in silicon. — Phys. Rev. Lett., 1980, v.44, N 9, p.593.
- Kastner M., Adler D., Fritzsche H. Valence-alternation mo-dell for localized gap states in lone-pair semiconductors.-Phys. Rev. Lett., 1976, v.37, N 22, p. 1504 1507.
- Anderson P.W. Modell for the electronic structure of amorphous semiconductors. Phys. Rev. Lett., 1975, v.34, И 15, p. 953 — 955.
- Baraff G.A., Kane E.O., Schluter M. Theory of the silicon vacancy: an Anderson negative U-system. Phys. Rev., 1980, v. B21, U 12, p. 5662 5686.
- Langer J.M. Lattice relaxation, radiative and non-radiative' deexcitation at localized defects. Radiat. Eff., 1983, v.72, N 1−4, p. 55 — 72.- 198
- Hoffmann H.J. Charge carrier statistics of semiconductors containing defects with negative electronic correlation energy. Appl. Phys., 1982, v A27, N 1, p. 39 — 47.
- Hoffmann H.J. Defect-level analysis of semiconductors by a new differential evaluation of n (l/T)-characteristics. -Appl. Phys., 1979, v.19, К 3, p. 307 312.
- Passler R. Temperature dependences of the nonradiative mul-tiphonon carrier capture and ejection properties of deep traps in semiconductors.!. Theoretical results. Phys. stat. sol.(b), 1978, v.85, N 1, p. 203 — 215.
- Синявский Э.П., Коварский В. А. Квазиклассическая оценка поперечников многофононного захвата в некондоновском приближении для деформационного взаимодействия. Физ. тверд, тела, 1967, т.9, в.5, с. 1464 — 1472.
- Литвинов В.В., Уренев В. И. О радиационном стимулировании процесса образования кислородосодержащих термодоноров в германии. Физ. и техн. полупроводников, 1984, т.18, в.4,с. 716 718.
- Binns M.J., Brown W.P., Wilkes J.G., Newman R.C., Levings-ton P.M., Messolaras S., Stewart R.J. Diffusion limited precipitation of oxygen in dislocation-free silicon. Appl. Phys. Lett., 1983, v.42, N 6, p. 525 — 527.
- Newman R.C., Oates A.S., Levingston P.M. Self-interstitials and thermal donor formation in silicon: new measurements and a model for the defects. -J. Phys. C: Sol.St. Phys., 1983, v.16, N 19, p. L667 L674.
- Gosele U., Tan T.Y. Oxygen diffusion and thermal donor formation in silicon.- Appl. Phys., 1982, V. A28, N2, p. 79 92.
- Stavola M., Patel J.R., Kimerling L.C., Freeland P.E. Diffu-sivity of oxygen in silicon at the donor formation temperature. Appl. Phys. Lett., 1983, v.42, N 1, p. 73 — 75.- 199
- Suezawa M., Sumino К. Nature. of thermal donors in silicon crystals. Phys. stat. sol.(a), 1984, v.82,К 1, p.235 — 242.
- Pajot В., Compain H., Leroullle J., Clerjaud B. Spectroscopic studies of 450 °C thermal donors in silicon.-Physica, 1983, V. BC117−118, N 1, p. 110 112.
- Helmreich D., Sirtl E. Oxygen in silicon: a modern view. -In: Semiconductor Silicon 1977: Princeton-New-York, 1977, p. 626 636.
- Rava P., Gatos H.C., Lagowski J. Thermal activated oxygen donors in Si. -J.Electr.Soc., 1982, v.129, N12, p.2844 2849.
- Литвинов В.В., Уренев В. И., Шершель В. А. Об энергетическом уровне и отжиге, А центра в германии. — Физ. и техн. полупроводников, 1983, т.17, в.9, с. 1623 — 1626.
- Литвинов В.В., Уренев В. И., Шершель В. А. Об электрически активных кислородосодержащих радиационных дефектах в германии р-типа. Физ. и техн. полупроводников, 1984, т18, в.6,с. II3I 1133.
- Corbett J.W.,'Watkins G.D., Chrenko R.M., Mc Donald R.S. Defect in irradiated silicon. II. Infrared absorption of^the Si-A center.-Phys.Rev., 1961, v.121, N 4, р. Ю15 1022.
- Benton J.L., Kimerling L.C., Stavola M. The oxygen related donor effect in silicon.-Physica, 1983, v, BC116, N1−3,p.271.
- Kimerling L.C., Benton J.L. Oxygen-related donor states in silicon. Appl. Phys. Lett., 1981, v.39, N5, р.4Ю — 412.
- Laithwaite K., Newman R.C., Totterdell D.H.J. Interstitial -defects involving boron in irradiated silicon. J. Phys. С: Sol. St. Phys., 1975, Y.8, N 2, p. 236 — 242.
- Lindstrom L.J., Oehrlein G.S., Jaworowski E.A., Corbett J.W. The mechanism of the enhancement in divacancy productionby oxygen during electron irradiation of silicon. I.Experimental.- J. Appl. Phys., 1982, v.53,N 12, p.8686 8690.
- Литвинов В.В., Ле тхи Оань. Образование радиационных доноров в германии р-типа. В кн.: Актуальные вопросы физики конденсированных и плазменных сред. — Киев: Ротапринт ШИ-82 — 8, 1982, с. 27 — 30.
- Литвинов В.В., Уренев В. И., Шершель В. А. Электрически активные кислородосодержащие радиационные дефекты в германии.
- В кн.: Тез. докл. Всесоюзной конфер. по радиационной физ. полупровода, и родств. матер. Ташкент: ФАН, 1984, с.II.
- Nakazawa. F., Ishino S., Higashinakagawa J., Hasiguti R.R. Impurity dependence of annealing of у-гаУ irradiated N-type germanium.- J.Phys.Chem.Sol., 1965, v.26, N12, p.1895 -1907.
- Fukuoka N., Saito H. Radiation defects in n-type germanium studied by deep level transient spectroscopy. Jap. J. Appl. Phys., 1981, v.20, N 7, p. L519 — L522.
- Емцев В.В., Машовец Т. В., Тропп Э. А. Кинетика образования дефектов в полупроводниках при последовательном захвате нескольких вакансий атомом примеси. Физ. и техн. полупроводников, 1978, т.12, в.2, с. 293 — 298.
- Витовскйй Н.А., Машовец Т. В., Емцев В. В., Морозов Ю. Г. Кинетика взаимодействия точечных радиационных дефектов структуры с примесными атомами в полупроводниках. Физ. и техн. полупроводников, 1974, т.8, в. II, с. 2276 — 2279.
- Fukuoka If., Saito Н. The defects' produced by electron irradiation and annealed at about ЗбО К in n-type germanium. -Jap. J. Appl. Phys., 1974, v.13, Н Ю, p. 1524 1532.
- Stein H.J. Divacancy-like adsorption in ion-bombarded Ge. -In: Radiation Damage and Defects Semiconduct.: London-Bristol, 1973, p. 315 321.
- Gerasimov A.B., Dolidze N.D., Donina R.M., Konovalenko B.M., Ofengeim G.L., Tsertsvadze A.A. On the identification and possible space orientation of «light-sensetive» defects in Ge. Phys. stat. sol.(a), 1982, v.70, N 1, p. 23 — 28.
- Fukuoka N., Saito H., Kambe Y. Oxygen-related defects, in irradiated germanium. Jap. J. Appl. Phys., 1983, v.22,1. N 6, p. 353 355.
- Витовский H.A., Коноваленко Б. М., Машовец Т. В., Рывкин С. М., Ярошецкий И. Д. О дефектах в германии, созданных лучами. Физ. тверд, тела, 1963, т.5, в.7, с. 1833 — 1841.
- Kaima А.Н., Corelli J.С., Cleland J.W. Production of disordered regions in germanium by electron irradiation. J. Appl. Phys., 1966, v.37, N 10, p. 3913 — 3915.
- Kostoski D., Stojic M., Speric V. Lattice defects in f-irradiated p-type germanium.-Fizika, 1978, v.10, N2, p.49 53.
- Васильева Е.Д., Емцев В. В., Машовец Т. В. Взаимодействие галлия с собственными дефектами в германии при гамма облучении. -Физ. и техн. полупроводников, 1983, т. Л7, в. I, с.35−39.
- Литовченко П.Г., Гаврилов Г. М., Бородбвский Я. А. О центрах рекомбинации в бескислородном германии р типа. — Физ. и техн. полупроводников, 1974, т.8, в.5, с. 954 — 962.
- Явид В.Ю. Рекомбинация на радиационных дефектах в германии : Автореф. Дис.. канд. физ. мат. наук. — Минск, 1979. -12 с.
- Физические процессы в облученных полупроводниках./ Под редакцией Л. С. Смирнова. Новосибирск: Наука, 1977. — 256 с.
- Ершов С.Н., Пантелеев В. А., Нагорных С. Н., Черняховский В. В. Энергия миграции собственных точечных дефектов в различном зарядовом состоянии в кремнии и германии. Физ. тверд, тела, 1977, т.19, в.1, с. 322 — 323.