Активный элемент одномодового полупроводникового лазера повышенной мощности
Диссертация
Возрастающий спрос на одномодовые полупроводниковые лазеры повышенной мощности (Р>150 мВт), сопровождающийся постоянно растущими требованиями по их надёжности и долговечности, требует непрерывного совершенствования их конструкции и технологического уровня на всех стадиях изготовления. Лазерно-ионная технология изготовления активных элементов с гребневидным волноводом играет важную роль в этой… Читать ещё >
Содержание
- Глава 1. Конструкции полуроводниковых лазеров (ППЛ)
- 1. 1. Этапы развития, технологические особенности и достигнутые параметры
- 1. 2. Лазер с гребневидным волноводом
- 1. 3. Технология изготовления элемента с гребневидным 23 волноводом
- 1. 3. 1. Методы формирования мезы
- 1. 3. 2. Последующие технологические операции
- 2. 1. Исследование процесса ионно-химического травления
- 2. 2. Влияние ионно-химической обработки на фотолюминесценцию
- 2. 3. Оптимизация технологических процессов изготовления активного элемента с гребневидным волноводом
- 2. 4. Исследование механических напряжений, возникающих в процессе изготовления активного элемента ППЛ
- 3. 1. Исследование параметров лазерных диодов на =0,98 мкм, изготовленных по оптимизированному технологическому маршруту
- 3. 2. Возможные пути повышения мощности лазерных диодов в одномодовом режиме генерации
- 3. 3. Промышленное использование
Список литературы
- Давыдова Е.И., Дракин А. Е., Елисеев П. Г. Излучательные характеристики и диаграмма направленности квантово-размерного инжекционного лазера в спектральной области 780 нм. — Квантовая электроника, 19, № 10, 1992, с. 1024
- Елисеев П.Г. Полупроводниковые лазеры от гомолазеров до квантовых точек. Кв. электроника, 32, № 12, 2002, с. 1085
- Dan Botez. Лазеры на гетеропереходах с линзевидной активной областью. IEEE. J.Q.E. vol. QE-17, 12, 1981, р.2290
- Киреев В.Ю., Данилин Б. С., Кузнецов В. И. Электроника. Плазмохимическое и ионно-химическое травление микроструктур. М., РАДИО И СВЯЗЬ, Вып.36, 1983
- Ивановский Г. Ф., Петров В. И. Ионно-плазменная обработка материалов. М., РАДИО И СВЯЗЬ, 1986
- Intrator Т., Menard J. Modelling and optimization of inductively coupled loop antenna plasma sources. Plasma Sources Sci.Technol. № 5 (1996), p.371
- Kirkby P.A., Selway P.R., Westerbrook L.D. Photoelastic waveguides and their effect on stripe geometry GaAs/Ga,.xAlxAs. J. Appl. Phis., Vol.50, № 7, 1979, p.4572
- Звелто О. Принципы лазеров. М, МИР, 1990
- Алфёров Ж.И. Гетеропереходы в полупроводниках и приборы на их основе. Наука и человечество. 1976. Международный ежегодник. М., Знание, 1975, с.276
- Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. Под ред. Л. Ченга и К. Плога, пер. с англ. М&bdquo- МИР, 1989, с.9
- Акчурин Р.Х. МОС-гидридная эпитаксия:современное состояние и основные тенденции развития. М., Материалы электронной техники, 2, 1999, с.4
- Кейси X., Паниш М. Лазеры на гетеросгруктурах. М, МИР, 1981, т. 1,2, с. 250,239
- Вагнер Н.А., Горбылёв В. А., Давыдова Е. И. Полупроводниковый лазер/конструкция и технология. Авторское свидетельство СССР № 220.251. Приоритет 16.07.1984 г.
- Дракин А.Е. Оптические свойства мезаполосковых гетеролазеров на основе твёрдого раствора АШВ Диссертация, М., 1996
- Shi-Yun Cho, Jong-In Shin. Dependence of Output Properties on Ridge Structuures and Asymetric Faset Reflectivity in 0.98ц InGaAs-InGaAsP SQW FP-Ld's IEEE., J.Q.E., vol.34, 11, November, 1998
- Govind P.Agrawal. Lateral Analisis of Quasy-Index-Guided Injection Lasers: Transition from Gain to Index Guiding. Journal of Lightwave Technology, vol. LT-2, № 4, Auguest 1984, p. 537
- Achtengen M., Hardy A. Lateral current spreading in ridge waveguide laser diodes. Applied Phisics Letters, vol.74, № 10, 8 march 1999, p. 136 419. НТО по НИР «Луч, 1981г
- Создание и исследование низкопорогового излучателя с малыми размерами тела свечения -тех. Отчёт о НИР «Каскадёр» номер roc per Ф18 936, 1983
- Huber А.Е., Yeoh T.S., Swint R.B. Novel design for high power single lateral mode lasers. -Department of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois, 208. MONDAY MORNING, CLEO, 7 May 2001
- Iwai N., Mukaihara Т., Itoh M, Yamanaka N., Arakawa S., Shimizu H., Kasukawa A. 1,3 цш GalnAsP SL-QW Al-oxide confined inner stripe lasers on P-InP substrate with AlInAs-oxide confinement layer. ELECTRONICS LETTERS, Vol.34, 14, Ф July, 1998
- Jakubowics A., Oosenburg A. and Th.Forster. Appl.Phis.Lett., 63, 1993, p. l 185
- Fundamental Mode Laser Diode with Real Index Self Aligned Structure at 940 nm. German BMBF. p.47
- Kiyoshi Asakawa, Takashi Yoshikawa, Shigeru Kohmoto. Chlorine-Based Dry Etching of III/V Compound Semiconductors for Optoelectronic Application. Jpn. J. Appl. Phys., Vol.37, 1998, p.373
- Hiraoka H., Pakansky J. UV hardening of photo and electron beam resist patterns. American Vacuum Society, 1981, p. l 132
- Li J.Z., Adesida I., and Wolf E.D. Evidence of crystallographic etching in (100)GaAs using SiCU reactive ion etching. J. Vac. Sci. Technol. В 3(1), Jan/Feb 1985, p.406
- Vettiger P., Benedict M.K., Gian-Luca Bona. Full-Wafer Technology A New Approach to Large-Scale Laser Fabrication and Integration. — IEEE., J.Q. E., vol.27, 6, June, 1991, p.1319
- Vawter A.G., Coldren L.A., Merz J.L., Ни E.L. Nonselective etching of GaAs/AlGaAs double heterostructure laser fasets by Ch reactive ion etching in a load-locked system. Appl.Phis. Lett., 51(10), 7, September, 1987, p.719
- Gromova T.I., Davydova E. I, Uspenskii M.B., Shishkin V.A. SEM evidence for near-surface carrier passivation by hydrogen in CH4/H2 reactive ion etched p-InP. Semicond. Aci. Technol., 10, 1995, p.536
- Данилин B.C., Киреев В. Ю. Электроника. Ионное травление микроструктур. М., РАДИО И СВЯЗЬ, Вып.21,1979
- Создание базовых технологий для производства одночастотных лазеров и приборов на их основе. НТО по НИР «Лотос» М&bdquo- Полюс, 1996
- Pearton S.J., Hobson W.S. Electron Cyclotron Resonance Microwave Plasma etching of Lio, 2Gao, gAs-GaAs Quantum well laser structures. Semicond. Sci. Technol., 6, 1991, p.948
- Kondo N., Nanishi Y. Low-Temperature Surface Cleaning of GaAs by Electron Cyclotron Resonance (ECR) Plasma. Japanese Journal of Appl. Phys. Lett., vol. 28, 1, January, 1989, p. L7
- Stevens J.E., Sowa M.J., Cecchi J.L. Uniformity of radio frequenccy bias voltages along conducting surfaces in a plasma. J.Vac.Sci.Technol.A № 14(1), Jan/Feb 1996, p.13 936.